LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)"

Transkrypt

1 LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H

2 EL ĆWIZENIA elem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z elementarnymi układami elektronicznymi z tranzystorami bipolarnymi wzmacniaczem i inwerterem. W ćwiczeniu badane są właściwości wymienionych układów oraz praca tranzystora w tych układach. 1. WPROWADZENIE 1.1 Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny to monokrystaliczna, półprzewodnikowa (z reguły krzem) struktura trójwarstwowa przemiennie domieszkowana, a więc dwuzłączowa. Możliwe są dwie realizacje: tranzystor NPN i PNP (N przewodnictwo elektronowe, P dziurowe odpowiednich obszarów). Obecnie dominującym typem tranzystora bipolarnego jest tranzystor NPN i taki tranzystor badany jest w niniejszym ćwiczeniu. Z tego powodu, w dalszej części instrukcji, omawiany będzie tylko ten typ tranzystora (określany krótko terminem tranzystor, a w domyśle tranzystor bipolarny NPN). Przekrój poprzeczny (schematycznie) indywidualnego tranzystora przedstawia Rys.1a, symbol graficzny (z oznaczeniami prądów i napięć) zamieszczono na Rys.1b, natomiast Rys.1c przedstawia układową reprezentację stałoprądowego modelu tranzystora. Rys.1. ipolarny tranzystor NPN: a) przekrój poprzeczny, b) symbol graficzny, c) układowy, stałoprądowy model tranzystora Na Rys.1 przyjęto następujące oznaczenia: a. baza, E emiter, kolektor (zaciski tranzystora), b. I, I E, I odpowiednio: prąd bazy, prąd emitera oraz prąd kolektora, c. V E, V, V E zaciskowe tranzystora, przy czym V E oznacza napięcia złącza aza Emiter (lub krótko emiterowego) oraz V E oznacza napięcia złącza aza Kolektor (kolektorowego), natomiast napięcie VE = VE V (1) to geometryczna (z uwzględnieniem znaków) suma napięć złączowych. 2

3 Zaznaczone na Rys.1 zwroty napięć złączowych są zgodne z ogólnie przyjętą konwencją przy dodatnim napięciu na złączu jest ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, ujemne zaporowa polaryzacja złącza. Stałoprądowy model tranzystora z Rys. 1c. zostanie omówiony dalej. W zależności od polaryzacji złącz rozróżnia się cztery zakresy/obszary pracy tranzystora: a. aktywny normalny złącze emiterowe przewodząco, kolektorowe zaporowo, b. nasycenia oba złącza w kierunku przewodzenia, c. odcięcia lub zatkania oba złącza w kierunku zaporowym, d. aktywny inwersyjny złącze emiterowe zaporowo, kolektorowe przewodząco. Tranzystory dowolnego typu (bipolarne, unipolarne) są elementami aktywnymi w odróżnieniu np. od diod. Oznacza to, że umożliwiają one sterowanie większej mocy (w obwodzie wyjściowym) mniejszą mocą (w obwodzie wejściowym). Tranzystory często opisywane są jako czwórniki. Tranzystor (element trójzaciskowy) traktowany jako czwórnik, musi mieć jeden z trzech zacisków wspólny dla wejścia i wyjścia. Jeżeli uznać, że obwody wejściowy i wyjściowy mogą stanowić dowolne kombinacje dwóch zacisków tranzystora, to wszystkich możliwych kombinacji jest 3=! 6. Jednak dla uzyskania wzmocnienia mocy wymagane jest, aby baza była jedną z końcówek wejściowych, a kolektor jedną z końcówek wyjściowych, co ogranicza liczbę racjonalnych konfiguracji tranzystora do trzech. Są to konfiguracje: W wspólna baza, wspólny emiter i W wspólny kolektor Rys. 2. Rys. 2. Konfiguracje tranzystora Przedstawiony na Rys.1c układowy, stałoprądowy model tranzystora dotyczy konfiguracji W dla wszystkich czterech zakresów pracy. Jak z tego rysunku wynika, prąd dowolnego złącza tranzystora ma dwie składowe: a. prąd własny złącza prądy diod D E i D, b. prądy zbierane prądy źródeł sterowanych α I i α I. N DE N D Prądy własne złącz są opisane zależnością typu I I ( V V ) = exp / 1, gdzie I, D V D V potencjał termiczny (dla D S D T prąd i napięcie złącza, I S prąd nasycenia złącza (parametr), T temperatury pokojowej około 300K, V ~ 25mV T ). Prądy zbierane źródła sterowane, opisują wzajemne oddziaływania złącz tranzystora, a ich współczynniki sterowania α N, α I noszą nazwę zwarciowych współczynników wzmocnienia prądowego, odpowiednio dla kierunku normalnego i inwersyjnego. Należy odnotować, że ze względu na eksponencjalną zależność prądu złącza od jego napięcia, stałoprądowy model tranzystora jest silnie nieliniowy. Ze stałoprądowego modelu tranzystora można wyprowadzić charakterystyki statyczne tranzystora dla jego dowolnej konfiguracji. W ćwiczeniu harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego były one badane dla konfiguracji wspólnego emitera. 3

4 Główne zastosowanie tranzystorów (bipolarnych, unipolarnych) to wzmacnianie sygnałów (wzmacniacz) i przełączanie układów (inwerter, który można traktować jako najprostszy układ cyfrowy). Najprostszą wersję obu układów można opisać jednym układem przedstawionym na Rys.3a> Natomiast Rys.3b przedstawia stałoprądowy model tranzystora w układzie, ale tylko dla zakresu aktywnego normalnego (w odróżnieniu od modelu dla W z Rys.1c, opisującego właściwości tranzystora dla dowolnego obszaru/zakresu pracy). Wykorzystując ten model można przeprowadzić analizę wzmacniacza z Rys.3a. Rys.3. Najprostsza wersja układu wzmacniacza i inwertera. a), stałoprądowy model tranzystora w dla zakresu aktywnego normalnego b) W zależności od typu układu (wzmacniacz lub inwerter) należy odpowiednio dobrać v t. W przypadku wzmacniacza musi ono zawierać składową źródło sterujące układ ( ) stałą i sygnałową w postaci ( ) sin( ω t) v = v t = V + V. (2) bb Powyższą zależność zapisano w ogólnie przyjętej konwencji mała litera określająca wielkość (w tym przypadku napięcie) z dużym indeksem oznacza wartość chwilową v t. Mała litera t w nawiasie okrągłym (oznaczająca zależność wielkości od wielkości ( ) czasu) jest opcjonalna może jej nie być. Wielkość V oznacza składową stałą (duża litera określająca wielkość z indeksem w postaci dużej litery). Natomiast symbol V bb oznacza amplitudę sygnału. W przypadku układu inwertera źródło sterujące układ powinno mieć charakter fali prostokątnej o odpowiedniej amplitudzie włączającej i wyłączającej tranzystor. Oczywiście dla każdego przypadku wzmacniacz/inwerter należy dobrać wartości rezystorów w bazie oraz emiterze według innych kryteriów. 1.2 Wzmacniacz Tranzystor pełniący funkcję elementu wzmacniającego (w układzie wzmacniacza) bezwzględnie musi pracować w zakresie aktywnym normalnym przewodząca polaryzacja złącza E i zaporowa złącza. Tylko ten zakres pracy tranzystora umożliwia wzmacnianie sygnałów. Dla prawidłowej pracy wzmacniacza ważne jest także ustawienie tak zwanego spoczynkowego punktu pracy odpowiednie wartości prądów i napięć stałych. Punkt pracy tranzystora (oraz wartości rezystorów) dobierany jest w zależności od przeznaczenia układu (np. największe wzmocnienie, najmniejsze zniekształcenia sygnału wyjściowego itp.). Zasadę pracy wzmacniacza z tranzystorem w konfiguracji wyjaśnia Rys.4. Pokazano tam przebiegi prądów i napięć tranzystora (ze składową stałą i sygnałową fala trójkątna) na tle charakterystyk statycznych tranzystora dla : wejściowa ( ) E wyjściowa I( V E) przy I = const. I V i 4

5 Rys.4. Zasada działania wzmacniacza z Rys.3a Pokazane na Rys.4. czasowe przebiegi prądów i napięć tranzystora dostarczają wielu ważnych informacji o pracy tranzystora i całego układu np. liniowość, dopuszczalny przedział zmian amplitudy sygnału sterującego, wydzielana w nim moc itp. W układach wzmacniających ważna jest także znajomość tzw. charakterystyk częstotliwościowych głównie zależność modułu amplitudy sygnału wyjściowego układu w funkcji częstotliwości. Każdy element półprzewodnikowy (dioda, tranzystor) jest elementem inercyjnym ma wbudowane pojemności. Tak więc właściwości elementu półprzewodnikowego, a więc i całego układu, zależą od częstotliwości przy jakiej on pracuje. Oczywiście dla małych częstotliwości pojemności należy traktować jako rozwarcie i wtedy tranzystor w przybliżeniu jest elementem bezinercyjnym. W miarę wzrostu częstotliwości sygnału wejściowego układu coraz bardziej ujawniają się pojemności układu prowadzące do zmniejszania się amplitudy sygnału wyjściowego, a więc spadku wzmocnienia układu. W analizie częstotliwościowej układu wzmacniacza, zwanej także analizą małosygnałową, należy stosować małosygnałowy model tranzystora. Taki model wyprowadza się z stałoprądowego modelu tranzystora dla zakresu aktywnego, gdyż jak wspomniano tylko ten zakres pracy tranzystora umożliwia wzmacnianie sygnałów. Rys.5 przedstawia małosygnałowy model wzmacniacza z Rys.3a z małosygnałowym modelem tranzystora zacieniowany prostokąt. Usuwając pojemności e złącza emiterowego i c kolektorowego, z przedstawionego na Rys.5 małosygnałowego modelu tranzystora otrzymuje się model tranzystora dla tzw. małych częstotliwości m.cz. Dla m.cz. małosygnałowy model tranzystora jest modelem o dwóch parametrach r be i g m, a wartości tych parametrów zależą od spoczynkowego punktu pracy tranzystora w sposób następujący r V T be =, (3) I g I m =. (4) VT 5

6 Rys.5 Małosygnałowy model wzmacniacza z Rys.3a Należy odnotować, że małosygnałowy model tranzystora jest modelem liniowym (w odróżnieniu od stałoprądowego modelu tranzystora). W przypadku m.cz. (bez pojemności) małosygnałowy model tranzystora opisują zależności V V = r I, (5) be be b = β I R = ig R V, (6) ce N b m be z kórych można wyznaczyć wzmocnienie napięciowe K u Vce Ku = = gm R. (7) V be Powtarzający się w powyższych zależnościach znak to konsekwencja przyjętych zwrotów prądu kolektora i napięcia kolektor emiter. Fizycznie oznacza to, że wzmacniacz z tranzystorem pracującym w dla m.cz. odwraca fazę o 180 przy wzroście napięcia wejściowego maleje napięcie wyjściowe. Jak już wspomniano, w miarę wzrostu częstotliwości sygnału wejściowego ujawniają się pojemności układu prowadzące do spadku wzmocnienia napięciowego. Przykładową tzw. charakterystykę amplitudowo fazową wzmocnienia napięciowego wzmacniacza zależność modułu wzmocnienia i przesunięcia fazy w funkcji częstotliwości przedstawiono na Rys.6. Rys.6. Przykładowa charakterystyka amplitudowo fazowa wzmacniacza, MK u i FK u moduł i faza wzmocnienia napięciowego 6

7 1.3 Inwerter Zasadę pracy inwertera najprościej wyjaśnić na przykładzie jego uproszczonej realizacji Rys.6a. Przy wyłączonym (rozwartym) kluczu (odpowiednia wartość napięcia wejściowego v ) przez rezystor obciążenia R L prąd nie płynie ( i L = 0), a więc nie ma na nim spadku napięcia, w związku z czym vwy = VZAS. Przy włączonym (zwartym) kluczu i > 0 (jeżeli rzeczywiście klucz charakteryzuje się zerową rezystancją w stanie włączenia) L nie ma na nim spadku napięcia, przez co v WY = 0. Konfrontując powyższe uwagi z definicjami zakresów pracy tranzystora (i wynikającymi z nich właściwościami elementu) wynika, że na tranzystorze bipolarnym można zbudować inwerter. W zakresie odcięcia (przy zaporowej polaryzacji obu złącz) zapewnione jest rozwarcie pomiędzy zaciskami tranzystora. Natomiast przy przewodzącej polaryzacji obu złącz, przyjmując dodatkowo VE = VE, następuje zwarcie kolektora z emiterem V = V V 0. E E Rys.7. Inwerter: a) uproszczony schemat układu; uproszczone modele tranzystora w, dla zakresu: odcięcia b), aktywnego normalnego c) nasycenia d); charakterystyki wynikające z uproszczonych modeli tranzystora: wejściowa e) wyjściowa f) Najprościej analizę pracy inwertera przeprowadza się wykorzystując uproszczone modele tranzystora dla Rys.7b dla zakresu odcięcia, Rys.7c dla zakresu aktywnego normalnego i Rys.6.d dla zakresu nasycenia. Wynikające z tych uproszczonych modeli tranzystora charakterystyki: wejściową ( ) E I V i wyjściową ( ) I V przedstawiono na E Rys.7e i 7f. Porównanie tych charakterystyk z odpowiednimi charakterystykami z Rys.4 pokazuje ich zgodność, która w wielu przypadkach jest wystarczająca dla analiz prostych układów, w tym inwertera. Właściwości inwertera najlepiej opisuje tzw. jego napięciowa charakterystyka przenoszenia ( ) WY v v. Poniżej zostanie przeprowadzona analiza tej charakterystyki. 7

8 Założenia wejściowe: a. schemat układu przedstawiony został na Rys.3a, w dalszych rozważaniach źródło sterujące bazę tranzystora nosi nazwę v, b. napięcie zasilania układu V = 5V, rezystancja R = 5kΩ, a R = 1kΩ, c. tranzystor: β N = 100, V = 0.5V, V = 0.2V. Właściwa analiza: Dla napięć wejściowych I, I, I E = 0, a więc vwy = V. Dla napięć wejściowych E P EP E sat v < V tranzystor znajduje się w stanie odcięcia, przez co v > V zaczyna płynąć prąd bazy i wtedy obwód EP wejściowy (źródło napięciowe v, rezystor R i złącze E tranzystora (modelowane jako źródło napięciowe o stałym napięciu V E ) opisuje zależność P v = V + R I, (8) EP z której przy znanym v można wyznaczyć prąd bazy I. Należy podkreślić, że powyższa zależność obowiązuje zarówno dla zakresu aktywnego normalnego, jak i nasycenia, gdyż model złącza E w obu zakresach jest taki sam. Gdy v przekroczy wartość VE tranzystor wchodzi w zakres aktywny normalny, a p obwód wyjściowy opisuje zależność v = v = V R I = V R β I. (9) WY E N Jak wynika z powyższej zależności, w miarę wzrostu prądu kolektora czy bazy I, I (a więc i napięcia wejściowego układu v ) napięcie wyjściowe v WY (równe napięciu kolektor emiter tranzystora v E ) maleje. Górną granicę zakresu aktywnego normalnego wyznacza warunek v = V (parametr modelu tranzystora dla zakresu nasycenia). Zatem dla WY Esat wyznaczenia kolejnego punktu załamania napięciowej charakterystyki przenoszenia inwertera należy z zależności (9), przy warunku v = V, wyznaczyć graniczną wartość prądu bazy WY Esat I. Następnie z zależności (8) należy wyznaczyć ( ) gr gr gr v I. Rys.8. Napięciowa charakterystyka przenoszenia inwertera 8

9 Po wejściu tranzystora w zakres nasycenia, a więc dla napięć bazy v > v, nadal narasta prąd I (zgodnie z zależnością (8)). Natomiast stały pozostaje prąd kolektora V VE I sat = I = oraz napięcie wyjściowe układu v max WY = VE. Przy podanych w sat R założeniach wejściowych danych liczbowych I gr = 48µ A, v gr = 0.74V, I = 4.8mA. max Tak wyznaczoną napięciową charakterystykę przenoszenia inwertera przedstawia Rys ZADANIA gr 2.1. Pomiar charakterystyk wzmacniacza Ustawienie punktu pracy 1. Na płytce TM1 zmontować układ z R = 91kΩ i R = 1kΩ. Rys.9. Układ wzmacniacza, wersja stałoprądowa 1. Tranzystor zamontować na węzłach 24, 22, E 21, natomiast rezystory R = 91kΩ na węzłach (14, 13), a R = 1kΩ na (16,17). 2. Podłączyć woltomierze (METEX y) w celu pomiaru: napięcia wejściowego V 1 (węzły 2,1), napięcia baza-emiter V2 = VE (węzły 19,20) oraz napięcia kolektor-emiter V3 = VE (29,30). 3. Włączyć napięcie zasilania +15V, zmierzyć METEX em jego wartość, zanotować V zas. 4. Wyregulować potencjometrem RZN, żeby napięcie węzła 3 względem masy wyniosło V = 7.5V, po regulacji nie dotykać potencjometru!!! E 5. Zanotować wskazania wszystkich trzech mierników V 1, V 2, V 3 6. Wyłączyć METEX y. Dołączenie składowej zmiennej 7. Do gniazda N (połączonego na płytce z węzłami 9,12) podłączyć generator funkcyjny G432. Wybrać sygnał sinusoidalny generatora, częstotliwość sygnału ustawić na 1kHz. W generatorze wybrać wyjście z regulowaną amplitudą (wyjście N). Skokową regulację amplitudy ustawić w pozycji 0.01, a płynną na MAX. Tak ustawiony generator ma na swoim wyjściu sygnał sinusoidalny 1kHz o amplitudzie 50mV. 9

10 8. Zamontować elektrolityczny kondensator 22µF: + do węzła 7, do węzła 14. Pomiar składowej stałej i zmiennej 9. Do węzłów 2 = aza i 3 = Kolektor tranzystora podłączyć oscyloskop odpowiednie gniazda N związane z tymi węzłami. Pomierzyć oscyloskopem składową stałą i zmienną napięć v E i v E tranzystora. Przy pomiarach tych napięć korzystać z wejść oscyloskopu dla składowej stałej (D) i zmiennej (A), odpowiednio do mierzonej wielkości. Oszacowanie zniekształceń 10. Zmienić sygnał generatora z sinusoidy na falę trójkątną. Zwiększać amplitudę sygnału aż do wystąpienia zniekształceń przebiegu v E, zanotować wynik pomiaru. Zmierzyć i zanotować największą wartość amplitudy napięcia z generatora, dla której jeszcze nie występują zniekształcenia U max. Pomiar charakterystyki amplitudowej wzmacniacza 11. Wrócić na sinusoidalny sygnał generatora. Dla amplitudy napięcia generatora U max pomierzyć wzmocnienie napięciowe wzmacniacza K = V / V. u ce be 12. Zmierzyć amplitudową charakterystykę przenoszenia wzmacniacza ( ) ce 2.2. Pomiar charakterystyk inwertera V f. 1. Odłączyć zasilanie od płytki TM1. Usunąć z układu elementy związane z generatorem (kondensator, kable koncentryczne) i zamienić rezystor w bazie z R = 91kΩ na R = 5kΩ, rezystor kolektorowy pozostaje bez zmian tj. R = 1kΩ. Podłączyć napięcie zasilania układu na +5V. Pomiar charakterystyki przenoszenia inwertera 2. W tak zmodyfikowanym układzie zmierzyć napięciową charakterystykę przenoszenia inwertera rejestrować napięcia węzłów 1, 2 i 3 V 1, V 2 i V 3. Napięcie V 1 to napięcie wejściowe inwertera, a V 3 wyjściowe. Pomiary przeprowadzić dla napięć wejściowych w przedziale: 0 Vzas. W trakcie pomiarów zidentyfikować wartość napięcia V2 = VE, dla której nastąpi zauważalny spadek napięcia wyjściowego inwertera VWY = VE. Pomiar czasów włączenia i wyłączenia inwertera 3. Zmienić na płytce TM1 pozycję rezystora R węzły (8, 13). Do węzłów 1 i 3 podłączyć oscyloskop. Do gniazda N (połączonego na płytce z węzłami 9,12) ponownie podłączyć generator funkcyjny G432. Tym razem wybrać sygnał z generatora w postaci fali prostokątnej o maksymalnej amplitudzie skokowe i płynne regulacje ustawić na Max. Składową stałą fali prostokątnej również ustawić na Max w tych warunkach generator daje falę prostokątną o amplitudzie 5V sprawdzić to oscyloskopem. Dla małej częstotliwości rzędu 1kHZ (lub innej podanej przez prowadzącego) odszkicować napięcie wejściowe i wyjściowe inwertera i pomierzyć czas włączenia i wyłączenia inwertera. 4. Zbadać właściwości układu w funkcji częstotliwości. 10

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne

Tranzystory bipolarne Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH

ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

Badanie układów aktywnych część II

Badanie układów aktywnych część II Ćwiczenie nr 10 Badanie układów aktywnych część II Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z czwórnikami aktywnymi realizowanymi na wzmacniaczu operacyjnym: układem różniczkującym, całkującym i przesuwnikiem azowym,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Generatory sinusoidalne LC

Generatory sinusoidalne LC Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter

Bardziej szczegółowo

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C2 Tranzystory Streszczenie

Bardziej szczegółowo