TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD"

Transkrypt

1 TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących napięcia i prądy na końcówkach elementu. Ogólne relacje pomiędzy potencjałami poszczególnych elektrod tranzystora: C > B > E dla tranzystora n-p-n C < B < E dla tranzystora p-n-p apięcie baza-emiter typowo (złącze p-n spolaryzowane w kier. Przewodzenia) V dla Ge oraz V dla Si. W wielu układach (impulsowych) tranzystor może pracować przy innych warunkach polaryzacji = cztery warianty polaryzacji = cztery zakresy pracy tranzystora: - złącze EB kier. przew. złącze BC kier. zaporowy...zakres aktywny normalny - złącze EB kier. przew. złącze BC kier. przew...zakres nasycenia - złącze EB kier. zapor. złącze BC kier. zapor...zakres zatkania - złącze EB kier. zapor. złącze BC kier. przew...zakres aktywny inwersyjny (emiter kolektorem, kolektor emiterem) 1

2 Konfiguracja tranzystora (baza jedną z końcówek wejściowych, kolektor jedną z końcówek wyjściowych): - wejście E,B, wyjście B,C układ ze wspólną bazą (WB) - wejście B,E, wyjście E,C układ ze wspólnym emiterem (WE) - wejście B,C, wyjście C,E układ ze wspólnym kolektorem (WC) Schemat działania tranzystora: Elektrony wstrzykiwane są z emitera do bazy... obowiązuje niezależnie od układu włączenia. Różnice charakterystyk i parametrów w poszczególnych układach włączenia są skutkiem różnych punktów widzenia. E = C + B, = C / E, = C / B WB: WP= C / E = WE: WP= C / B = WC: WP= E / B =( C + B )/ B = +1 Wzmocnienie prądowe zmienia się w zależności od układu włączenia od do +1 czyli od jedności do kilkuset. 7. Praca nieliniowa statyczna (modele, charakterystyki, parametry) 2

3 Opis tranzystorów: a) schematy zastępcze (dokładna analiza numeryczna), b) charakterystyki (uproszczona analiza graficzna), c) kilka podstawowych parametrów (proste obliczenia szacunkowe). Praca tranzystora: - nieliniowa (statyczna, dynamiczna) - liniowa (dla małych sygnałów małej i dużej częstotliwości) Modele nieliniowe statyczne Tranzystor składa się z dwóch złączy połączonych szeregowo przeciwstawnie (n-p, p-n). ajprostszy model tranzystora połączenie dwóch diód (rys. 5.26a). Prądy płynące przez te diody związane są z napięciami: [exp( / ) 1]; [exp( / ) 1] de Es EB T dc Cs CB T Taki model ma sens, gdy wzajemne oddziaływanie złączy jest do pominięcia (polaryzacja złączy w kier. zaporowym zakres zatkania). Gdy tranzystor pracuje w zakresie normalnym, to przez złącze BC płynie nie tylko prąd wsteczny tego złącza, lecz również prąd nośników wstrzykiwanych przez złącze EB, czyli prąd de równolegle do diody BC (rys. 5.26b). W przypadku pracy tranzystora w zakresie nasycenia oraz inwersyjnym kolektor również wstrzykuje nośniki do bazy, które wpływają na wartość prądu płynącego w złączu EB (włączenie źródła DC równolegle do diody EB. Wzmocnienie inwersyjne w kierunku inwersyjnym << mniejsze niż w kierunku normalnym. Schemat zastępczy Ebers-Molla pokazany na rys. 5.26c jest słuszny dla wszystkich czterech zakresów pracy. Prądy płynące przez końcówki tranzystora są: B E C ; E Es[exp( EB ) 1] Cs[exp( CB ) 1]; (5.47; 5.48) C Cs[exp( CB ) 1] Es[exp( EB ) 1] lub (z rys. 5.26d): 3

4 E EO[exp( EB ) 1] C ; C CO[exp( CB 1] E; (5.49); 5.50) B E C ; EO ES (1 ); CO CS (1 ) W modelu Ebersa-Molla wszystkie zależności prądowo-napięciowe można wyznaczyć mając tylko cztery łatwe do zmierzenia parametry: Es, Cs,,. Ponieważ udowodnili oni, że Es = Cs, liczbę parametrów można zmniejszyć do trzech. Model Ebersa-Molla stosowany jest w dwóch wariantach: - zmienne niezależne prądy wstrzykiwane przez emiter i kolektor (model iniekcyjny) - zmienne niezależne prądy zbierane przez kolektor i emiter (model transportowy). E / ; C / ; Es[exp( EB ) 1]; Cs[exp( CE ) 1] Dokładność powyższego modelu uproszczonego można zwiększyć uwzględniając: - zależność współczynników, od prądu emitera i kolektora oraz od napięć polaryzacji obu złączy, - istnienie rezystancji szeregowych emitera, bazy i kolektora doprowadzeń i obszarów poza warstwami zaporowymi), - korekcję zależności wykładniczych przez wprowadzenie współczynnika m 1: [exp( / m ) 1] T 7.2. Charakterystyki statyczne. Stan statyczny (punkt pracy) tranzystora traktowanego jako czwórnik nieliniowy opisywany jest czterema wielkościami: prądem i napięciem wejściowym 1, 1 oraz prądem i napięciem wyjściowym 2, 2. Zmiana każdej z tych wielkości powoduje zmiany trzech pozostałych. stnieje możliwość wyboru dwóch zmiennych niezależnych i obserwacji ich wpływu na pozostałe dwie = równanie czwórnika (12). Praktyczne znaczenie mają 3 pary rówań: - impedancyjne: 1 =f( 1, 2 ); 2 =f( 1, 2 ); 4

5 - admitancyjne: 1 =f( 1, 2 ); 2 =f( 1, 2 ); - mieszane: 1 =f( 1, 2 ); 2 =f( 1, 2 ). ajbardziej dogodny zestaw równania mieszane. Charakterystyki statyczne związek wielkości zależnej i jednej z dwóch niezależnych przy stałej wartości drugiej wielkości niezależnej traktowanej jako parametr. - charakterystyki wejściowe 1 =f( 1 ) 2 =const, - charakterystyki zwrotne napięciowe 1 =f( 2 ) 1 =const, - charakterystyki przejściowe prądowe 2 =f( 1 ) 2 =const, - charakterystyki wyjściowe 2 =f( 2 ) 1 =const Dla każdej konfiguracji tranzystora WB, WE, WC) wielkości 1, 2, 1, 2 oznaczają zupełnie inne prądy i napięcia. a) Charakterystyki statyczne w układzie WB 1 = E, 1 = EB, 2 = C, 2 = CB. nteresują nas następujące rodziny charakterystyk: EB =f( E, CB ): EB =f( E ) CB wejściowa, EB =f( CB ) E zwrotna C =f( E, CB ): C =f( E ) CB przejściowa, C =f( CB ) E wyjściowa. Wszystkie rodziny charakterystyk pokazuje rys A. Charakterystyki wejściowe: EB ( E ) CB określane analitycznie z (5.47) zależność logarytmiczna E exp EB / T. T = kt/q. ie przechodzą przez zero (dla EB =0, E >0 przy CB 0) wpływ rezystancji rozproszeniowej bazy (prąd CBO powoduje spadek napięcia na rezystancji r bb, który polaryzuje złącze BB w kierunku przewodzenia i powoduje przepływ prądu E mimo EB =0): 5

6 Zmiany charakterystyk dla różnych wartości CB zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy zjawisko Early ego (silniejsze w tranzystorze z jednorodna bazą). Zmiany koncentracji nośników nadmiarowych w bazie tranzystora bezdryftowego dla różnych wartości napięcia baza-kolektor. Zmiana szerokości warstwy zaporowej B-C prowadzi do zmiany efektywnej szerokości bazy, co zmienia gradient koncentracji nośników, a więc prąd emitera. Wzrost napięcia CB powoduje zmniejszenie efektywnej szerokości bazy, rośnie prąd emitera. Ponadto większym wartościom napięcia CB odpowiadają mniejsze wartości napięcia EB. Zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy powoduje zmiany wielkości wejściowych ( E, EB ) wskutek zmiany napięcia wyjściowego ( CB ). To oddziaływanie 6

7 zwrotne związane jest z dyfuzyjnym charakterem transportu nośników w bazie. W tranzystorze dryftowym prawie nieobecne. B. Charakterystyki wyjściowe: C ( CB ) E analitycznie z (5.48). Jeżeli E >> CS ( CB <0) C nie zależy od CB. Dopiero w zakresie nasycenia ( CB >0) prąd C maleje w miarę wzrostu CB >0. - CB =0 zwarcie kolektora z bazą. ośniki wstrzykiwane z emitera mogą być odbierane przez kolektor, gdyż mimo CB =0 istnieje napięcie B w warstwie zaporowej B-C dlatego C 0. - C =0 złącze C-B spolaryzowane w kierunku przewodzenia; warstwa kolektorowa spełnia funkcję kolektora i emitera. Prąd C =0, gdy liczby nośników przechodzących przez warstwę B-C w obu kierunkach są jednakowe. Charakterystyka C ( CB ) ma niewielkie nachylenie dodatnie modulacja efektywnej szerokości bazy. CB, W B, b, dla E =const, C. 7

8 C. Charakterystyki przejściowe: C ( E ) CB analitycznie z (5.49). Przy CB <0 C =f( E ) funkcją liniową o nachyleniu. Parametr CB wpływa na nachylenie tej prostej w efekcie zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy. D. Charakterystyki zwrotne: EB ( CB ) E. Powinny być linią prosta równoległą do osi CB. Zmniejszanie się napięcia EB w miarę wzrostu CB przy stałym prądzie E w efekcie modulacji efektywnej szerokości bazy. b). Charakterystyki statyczne w układzie WE 1 = B, 1 = BE, 2 = C, 2 = CE Rodziny charakterystyk: BE =f( B, CE ): BE =f( B ) CE wejściowe, BE =f( CE ) B zwrotne, C =f( B, CE ): C =f( B ) CE przejściowa, C =f( CE ) B wyjściowe CE polaryzuje oba złącza E-B i B-C. Dotychczas napięcie polaryzujące w kierunku przewodzenia dodatnie, w kierunku zaporowym ujemne. Teraz przyjmujemy rzeczywiste znaki potencjałów bazy BE i kolektora CE względem potencjału emitera. Dla tranzystora 8

9 npn w zakresie normalnym BE i CE >0. Charakterystyki statyczne oblicza się z ( ), uwzględniając: EB = BE ; CB = CE - BE. Do równań tych podstawia się: - EB (+) złącze E-B spolaryzowane w kierunku przewodzenia, - CB (-) CE > BE złącze B-C spolaryzowane w kierunku zaporowym, - CB (+) CE < BE złącze B-C spolaryzowane w kierunku przewodzenia. A. Charakterystyki wejściowe: BE ( B ) CE analitycznie odejmując (5.49) od (5.50). Ponieważ B = E /( +1) oraz = /(1- ), więc charakterystyka wejściowa w układzie WE ma taki sam logarytmiczny przebieg jak w układzie WB. Zmiany tej charakterystyki w funkcji CE są spowodowane modulacją efektywnej szerokości bazy. CE, W B (mniej nośników rekombinuje), B. Przy CE >0 charakterystyki nie przechodzą przez początek układu współrzędnych (dla B =0, BE >0) wskutek generacji par elektron-dziura, elektrony są usuwane przez złącze B- C, a dziury tworzą ładunek przestrzenny w bazie polaryzując nieznacznie złącze E-B w kierunku przewodzenia. B. Charakterystyki wyjściowe: C ( CB ) B w przybliżeniu wychodzą z początku układu współrzędnych. W rzeczywistości C =0 dla CE >0, a przy CE =0 płynie prąd C o przeciwnym do normalnego kierunku. Przy CE =0 oraz B >0 złącza E-B, B-C są spolaryzowane w kierunku przewodzenia (rys. 5.35). W miarę wzrostu napięcia CE tranzystor wychodzi ze stanu nasycenia, prąd C rośnie modulacja efektywnej szerokości bazy. C. Charakterystyka przejściowa: C =f( B ) CE w przybliżeniu liniowa. CE wpływa poprzez modulację efektywnej szerokości bazy. D. Charakterystyka zwrotna: oddziaływanie zwrotne w układzie WE silniejsze niż w układzie WB gdyż część napięcia CE polaryzuje złącze E-B Parametry statyczne Wielkości ograniczające dozwolony obszar pracy aktywnej tranzystora. Od dołu odcięcie, z lewej nasyceniem, z góry dopuszczalną mocą admisyjną, prądem maksymalnym, z prawej napięciem maksymalnym. Parametry statyczne: - moc admisyjna, P a maksymalna wartość iloczynu prądu przez napięcie stałe, przy którym tranzystor może pracować w sposób długotrwały, - prąd maksymalny C max ograniczenie wynikające ze zmian współczynnika wzmocnienia prądowego (, maleje dla dużych E ), - prąd zerowy granica między zakresem aktywnym, a odcięciem; dla WB CBO ( E =0), dla WE CEO ( B =0), - napięcie maksymalne te ograniczenia spowodowane są zjawiskiem przebicia, 9

10 - napięcie nasycenia CE sat dla układu WE - wyznacza granicę między obszarem aktywnym i nasycenia (polaryzacja obu złączy w kierunku przewodzenia), - współczynnik wzmocnienia prądowego ( ). ndeks trójliterowy (oznaczenie prądów i napięć w tranzystorze): pierwsze dwie litery oznaczają dwie końcówki, do których doprowadzone jest napięcie; druga litera oznacza końcówkę wspólną dla wejścia i wyjścia. Trzecia litera stan w jakim znajduje się trzecia końcówka w odniesieniu do końcówki wspólnej (S - zwarcie, O - rozwarcie, R - włączony rezystor). a). Prądy zerowe: CBO, CEO, CES, CER, EBO (przy pracy inwersyjnej). a rysunku 5.38 pokazano zależność C =f( C ) i jak widać: CEO > CER > CES > CBO. Rysunek 5.39 wyjaśnia sens fizyczny tych prądów. Prąd CBO prąd unoszenia nośników mniejszościowych typowy dla pracy złącza p-n w kierunku zaporowym (rys. 5.39a) 10

11 Prąd CEO mierzy się przy CE doprowadzonym między kolektor i emiter. Pewien spadek napięcia odkłada się na E-B w kierunku przewodzenia ( CE =10V, CB =9.8V, EB =0.2V). Przez złącze BC płynie prąd CBO oraz strumień nośników wstrzykniętych przez emiter (rys. 5.39b): CEO =( +1) CBO. Prąd CER < CEO gdyż rezystor R bocznikuje złącze E-B (maleje efekt wstrzykiwania nośników z emitera). 11

12 Prąd CES (zwarcie emitera z bazą) > CBO gdyż zwarcie to (z uwagi na rezystancję rozproszeniową bazy) nie jest idealne. b). apięcia maksymalne. - przebicie Zenera dotyczy złącza EB przy polaryzacji na końcówkach E,B, występuje w tranzystorach dryftowych p >6V, - skrośne dotyczy obszaru bazy przy polaryzacji na końcówkach E,C związane z modulacją efektywnej szerokości bazy: rozszerzanie się warstwy zaporowej B-C, - lawinowe dotyczy złącza BC przy polaryzacji na końcówkach B,C lub E,C (zależy od układu włączenia tranzystora; największe w układzie WB CBO max; najmniejsze w ukłądzie WE CEO max). WB: Ponieważ C =M( E + CBO ); M=[1-( CB / CBO max) n ]-1, M - wsp. powielenia, n= C gdy M czyli CB CBO max; CB max= CBO max. WE: CEO =M( CEO + CBO )=M CBO /(1- M) C gdy (1- M) 0, M 1/ (dla =0.99 wystarczy, aby M 1.01) dlatego CEO max< CBO max. apięcie przebicia CE max ( B >0)< CEO max gdyż w miarę wzrostu B rośnie C i, czyli przy mniejszej wartości M może być spełniony warunek M=1. Dla układu WE istotne może być też przebicie przy B<0: CER max, 0<R BE < ; CES max, BE =0 (R BE =0) CEX max, obwód baza emiter z włączonym źródłem polaryzacji zaporowej. Ponieważ skok napięcia od np. CEX max do CEO max jest bardzo szybki (1ns) pracę tranzystora w obszarze przebicia lawinowego wykorzystuje się do generacji impulsów o bardzo stromych zboczach tranzystory lawinowe. Przebicie wtórne nierównomierny rozkład gęstości prądu emitera i lokalne zachwianie równowagi cieplnej. 12

13 c). apięcie nasycenia. Wielkość ograniczająca minimalne wartości CE przy pracy tranzystora w obszarze aktywnym normalnym. W układzie WB przejście z zakresu aktywnego do zakresu nasycenia odbywa się przy CB =0. W układzie WE CE sat takie napięcie CE, przy którym CB =0 ( CE sat= BE ). Parabola (linia przerywana) łączy punkty pracy spełniające warunek CB =0 i wyznacza granicę między obszarami liniowych i nieliniowych zmian prądu kolektora w funkcji CE. W miarę wzrostu prądu punkt pracy przesuwa się po prostej obciążenia. Punkt A bardzo mało zmienia się przy dalszym wzroście prądu bazy. Prąd C1 odpowiadający punktowi A maksymalny prąd w obwodzie, C1 = CC / RL. apięcie CE sat jest najmniejszym napięciem C- E dla tranzystora w układzie WE. CE sat jest napięciem CE zmierzonym przy określonym prądzie kolektora i prądzie bazy spełniającym warunek: B > C /. 8. Praca nieliniowa dynamiczna (własności tranzystora przy sterowaniu dużym sygnałem). Tranzystor elementem inercyjnym skokowy przyrost prądu bazy powoduje wzrost prądu kolektora dopiero po pewnym czasie. Powód inercyjności zjawisko gromadzenia ładunków w różnych jego obszarach (wartości ładunków zależą od punktu pracy). Każda szybka zmiana sygnału sterującego prowadzi do procesu nieustalonego przepływ prądów ładowania lub rozładowania określonych obszarów tranzystora (wartości tych prądów zależą od przyrostów ładunków i od stałych czasowych procesów przeładowania). Rys ilustruje rozkłady ładunków nieskompensowanych w tranzystorze z jednorodna bazą o budowie symetrycznej. Rys. 5.44a stan neutralny ( EB = CB =0), Q je ładunki warstwy zaporowej emiter-baza, Q jc baza-kolektor: Q - je +Q + je =0, Q - jc +Q + jc =0. Rys b-e przyrosty ładunków w stosunku do stanu neutralnego przy różnych wariantach polaryzacji tranzystora: 5.44b stan odcięcia ( EB <0, CB <0) rosną ładunki Q je i Q jc ; 5.44c stan aktywny normalny ( EB >0, CB <0) rośnie ładunek złącza B-C Q jc, maleje Q je oraz - pojawia się w bazie i emiterze ładunek nadmiarowy (Q B, Q E ). Q B elektrony wstrzykiwane z emitera do bazy (neutralizowane przez ładunek dziur Q + B ). Q + E - dziury wstrzykiwane z bazy (Q - E - neutralizujące je elektrony): Q + B + Q - B =0, Q + E + Q - E =0. Mimo zachowania obojętności elektrycznej obszarów bazy i emitera gromadzenie się ładunków Q B i Q E wiąże się z przepływem określonych prądów w określonym czasie. Czas ustalania się procesów przejściowych zależy tylko od własności nośników mniejszościowych. 13

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA ELM001551W

ELEKTRONIKA ELM001551W ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne

Tranzystory bipolarne Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

5. TRANZYSTOR BIPOLARNY

5. TRANZYSTOR BIPOLARNY 5. TRANZYSTOR IPOLARNY 5.1. UDOWA TRANZYSTORA I ROZPŁYW PRĄDÓW Nazwa tranzystor wywodzi się z języka angielskiego: TRANSfer resistor, co po polsku oznacza element transformujący rezystancję. Tak nazwano

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora

Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Ćwiczenie nr 6 (część teoretyczna) Przełączanie tranzystora Normalnym stanem pracy tranzystora bipolarnego są takie warunki pracy, że w stanie spoczynkowym, czyli bez sygnału wejściowego, wartość prądu

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące

Bardziej szczegółowo

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP

7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP 7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).

Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe

Przyrządy i Układy Półprzewodnikowe VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL

PL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 11/18. RYSZARD KOPKA, Opole, PL WIESŁAW TARCZYŃSKI, Opole, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 230965 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 423164 (51) Int.Cl. H02J 7/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 16.10.2017

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Wykład V Złącze P-N 1

Wykład V Złącze P-N 1 Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE Opracował: mgr inż. Adam Kowalczyk Pierwotna wersja ćwiczenia i instrukcji jest dziełem mgr. inż. Leszka Widomskiego WPROWADZENIE Działanie i parametry przełącznika

Bardziej szczegółowo

Układy nieliniowe - przypomnienie

Układy nieliniowe - przypomnienie Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo