TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
|
|
- Renata Jastrzębska
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R 7 20k R 6 2k R 24 9 baza 1 R 3 k C 4220pF 2 1 i 1 i 2 4 2/UL T 2 C 220pF baza 2 mod 1 mod 2 x1 R 4 R 2 2,4k x0 R R 1 1k R 2 C 1 2,2F mo d R 13 82k -1 C 2 R 14 62k 1nF , R 1 11k I E 14 T 3 1/UL1111 1, R 16 3,6k zespół zasilania R 17 k -1 R E 1, 2/ UL T 4 R k -1 T 9 R 20 k + R 18 18k R 22 47k C 3 6,2nF R k -1 regulowane źródło napięciowe Rys.1. Schemat badanego układu różnicowego DN031A 1. OPIS WKŁADKI DN031A Badany układ różnicowy, którego schemat przedstawiono na rys. 1, składa się z dwóch tranzystorów (, T 2 ) monolitycznego układu scalonego UL1111. Tranzystory te, w zależności od pozycji przełącznika "zespołu zasilania ", są spolaryzowane przez źródło prądowe T 3 o wydajności 0, lub 1, ma lub przez rezystor R 17. W tym drugim przypadku prąd zasilania wynosi również 1, ma. Układ różnicowy może współpracować z obciążeniem liniowym (rezystory R i R 6 ) lub z lustrem prądowym (T 6, T 7 ). Zmiany rodzaju obciążenia dokonuje się przełącznikiem suwakowym "R c -dyn". W przypadku obciążenia lustrem prądowym (Rys. 2) rezystor R C służy do ograniczenia wzmocnienia różnicowego (przy bardzo dużych wartościach k ur utrzymanie układu różnicowego w stanie równowagi jest bardzo trudne). Przy braku wysterowania napięcie wyjściowe równe jest U CC =, bez względu na wartość prądu zasilania. Zakres aktywnej pracy tranzystora T 2 ograniczony jest z jednej strony jego zatkaniem ( wynosi wówczas U CC + I E R C ), z drugiej zaś - jego nasyceniem, tzn. przewodzeniem złącza B-C tranzystora T 2. Przełącznik "R c -20 k" umożliwia zmianę wartości R C i zaobserwowanie wynikających stąd zmian wzmocnienia. Wybór rodzaju sygnału w różnych eksperymentach umożliwia zespół przełącznika sterowania bazy tranzystora (base 1) oraz przełącznik sterowania bazy T 2. Na bazę można podać: przyrost napięcia stałego równy m przy pomiarach wzmocnienia różnicowego (włączenie i chwilowe naciskanie klawisza oznaczonego ); napięcie stałe regulowane z pomocniczego źródła (T 4, T, R 22 ) przy pomiarach wzmocnienia sumacyjnego. Napięcie to można regulować w granicach ~ -2, +2 ;
2 2 +1 i U cc = DN 031A RC dyn outputs R c i 1 i =i 1 i 1 - i 2 i 2 R c =2;20k x1 x0 xy mod 1 base I E R E 0, 1, 20 k base 2 mod 2 T 2 mod voltage I E = i 1 + i 2 Rys.2. Zasilanie kolektorów badanego układu różnicowego za pomocą lustra prądowego w pozycji dyn przełącznika obciążenia. nor kpe Rys. 3. Widok płyty czołowej wkładki DN031A napięcie trójkątne z wkładki charakterograficznej dwukanałowej (wkładka SN7212) przy obserwacji charakterystyk przejściowych; sygnał sinusoidalny z generatora sygnałów doprowadzany do wejścia mod 1. Sygnał ten jest 0-krotnie redukowany (R 1 -R 2 ), o czym należy pamiętać przy obliczaniu wzmocnienia. Do bazy T 2 można dołączyć jedynie stałe regulowane napięcie, potrzebne w pomiarach wzmocnienia sumacyjnego. Ponadto oba wejścia układu różnicowego można niezależnie od siebie łączyć z masą klawiszami oznaczonymi symbolem. Na wyjściach układu różnicowego znajdują się dodatkowe rezystory szeregowe R 23, R 24, zabezpieczające przed wzbudzeniem się układu po obciążeniu go kablami łączącymi. Rezystory te, wobec dużej rezystancji wejściowej przyrządów pomiarowych, zazwyczaj większej niż 1 M, praktycznie nie wprowadzają błędów pomiaru. 2. OBSERWACJE I POMIARY 2.1. Charakterystyki przejściowe układu różnicowego u C1 = u WY1, u C2 = = U CC = = U CC - I E R c = 4 u C2 pomiar asymptoty (obliczone) u B1 = U CC - I E R c /2+ k ur u B1 = 4,+u B1, k ur g m R / 2 40I R /4 c Rys. 4. Przykładowe charakterystyki przejściowe pary różnicowej: zmierzone (linie kropkowane) i obliczone (linie ciągłe). Statyczne charakterystyki przejściowe u WY1, = f(u B1 ) tranzystorowego układu różnicowego z obciążeniem liniowym R C mają w przybliżeniu kształt przedstawiony na rys. 4. Należy obejrzeć je na ekranie oscyloskopu cyfrowego i zapisać do plików w formie mapy bitowej. Obie charakterystyki powinny być obserwowane jednocześnie za pomocą dwukanałowej wkładki charakterograficznej SN7212 (rys. ), w zakresie określonym nastawami oscyloskopu (tryb X-Y): 0,1/działkę dla osi X oraz 1 lub 2/działkę dla osi Y. Sprzężenia w obu kanałach oscyloskopu powinny być sprzężeniami DC. Przy zapisie charakterystyk do plików należy notować położenie znaczników osi X i Y, jeśli nie są one widoczne na mapach bitowych rysunków. Pomiaru E c
3 3 dokonać przy bazie T 2 zwartej z masą, dla 6 przypadków podanych w Tabeli 1, oraz dodatkowo (powtórnie) dla przypadków 3 i 6 dla zwiększonego zakresu napięcia wejściowego, tj. dla 1/działkę dla osi X. R C=2k U CC= układ badany DN031A wkładka charaktero - graficzna SN7212 z wkładki charakt. u B1 R C R C T 2 WY 1 u WY1 X0 WY 1 2 X Y WY CH1-X, 0,1/ coupling:dc CH2-Y, 1/ coupling: DC Oscyloskop cyfrowy WE A zespół zasilania WE B -1 Rys.. Uproszczony schemat układu badanego przy obserwacji statycznych charakterystyk przejściowych oraz układ połączeń przyrządów. Tabela 1 Lp. Obciążenie Zasilanie W sprawozdaniu w polu zmierzonych charakterystyk przejściowych wrysować linie (asymptoty) opisujące zależności = f(u B1 ), u WY1 = f(u B1 ) w różnych zakresach napięcia wejściowego obliczone dla poszczególnych układów. W polu rysunków umieścić równania tych linii tak, jak to pokazano na rys. 4. W obliczeniach przyjąć: U CC =, U EE = -1, R C = 2 k, R E = k liniowe, R c = 2k - '' - - '' - dynamiczne R c = 2 k - '' - R c = 20 k - '' - R c = 2 k I E =0,mA I E =1,mA R E I E =1,mA I E =1,mA R E 2.2. Wzmocnienie małosygnałowe układu różnicowego Pomiar metodą przyrostową Wzmocnienia różnicowe układu badanego określa się na podstawie pomiaru przyrostu napięcia na kolektorze ( k ur ), T 2 ( k ur ) lub napięcia pomiędzy kolektorami Obciążenie liniowe ( k ur ) (patrz rys. 6a), który powstaje wskutek zwiększenia napięcia różnicowego o m. Jest to realizowane OBC. lub dynamiczne przez podanie skoku napięcia u B1 = m przy u B2 = 0. Dokonuje się tego wciskając chwilowo przycisk k przy włączonym przycisku, przy czym baza T 2 = m powinna być połączona z masą za pomocą przycisku. Przyrosty napięć wyjściowych i u WY1 mierzyć za pomocą woltomierzy dc. T 2 Wzmocnienia sumacyjne k us określa się mierząc przyrost napięć wyjściowych, wynikający z jednoczesnej zespół zasilania I E,R E zmiany napięcia na obu wejściach w zakresie np. -2, +2. W tym celu zwiera się bazy tranzystorów, T 2 i dołącza je do napięcia, wciskając oba przyciski oznaczone -1 tym symbolem. Zmianę napięcia wejściowego mierzy Rys. 6a. Uproszczony schemat układu w czasie pomiarów wzmocnienia różnicowego się woltomierzem, który powinien być połączony z gniazdem wkładki DN031A (Rys. 6b). Wzmocnienia różnicowe ( k ur, k ur, k ur ) i sumacyjne ( k us, k us, k us ) należy zmierzyć dla sześciu różnych przypadków podanych w Tabeli 1. Wyniki pomiarów i obliczeń umieścić w Tabelach pomiarowych 2 i 3.
4 W sprawozdaniu należy: -Pod tabelami pomiarowymi podać wzory stosowane do obliczania na podstawie pomiarów współczynników k ur, k ur, k ur, k us, k us, k us. -Umieścić w tabelach wartości w/w współczynników obliczone teoretycznie (w p. 2.1). W obliczeniach, tam gdzie to konieczne, przyjąć wartości parametrów tranzystorów podane w dokumentacji układu UL1111 (rys. 7). -Wymienić możliwe przyczyny różnic między wartościami rzeczywistymi i teoretycznymi. -Podać odpowiednie wzory, obliczyć i umieść w tabeli wartości współczynników CMRR, CMRR +, CMRR -. Odpowiedzieć na pytania: - Jakie skutki spowodowałoby zwiększenie R C do wartości 20 k w układzie nr 2? - Jaka jest maksymalna wartość wzmocnienia różnicowego (rezystancji R C ) w układzie nr 2? - Jaka jest maksymalna wartość wzmocnienia różnicowego (rezystancji R C ) w układzie nr 4/? Tabela 2. Pomiar wzmocnienia różnicowego Zasilanie Obciążenie U r U WY1 U WY2 k ur 4 k ur kur k ur k ur k ur m pomiar teoria I E = 0, ma Rc = 2 k 0 I E = 1, ma Rc = 2 k 0 R E = k Rc=2 k 0 I E = 0, ma dyn. 0 Rc = 2 k I E = 1, ma dyn. 0 Rc = 20k R E = k dyn. 0 Rc = 2 k () wielkości mierzone, () wielkości obliczane na podstawie pomiarów Tabela 3. Pomiar wzmocnienia sumacyjnego Zasilanie Obciążenie U s = U WY1 U WY2 k us kus kus k us k us k us pomiar teoria I E = 0,mA Rc = 2 k I E = 1, ma Rc = 2 k R E = k Rc = 2 k I E = 0, ma dyn. Rc =2 k I E = 1, ma dyn. Rc = 20k R E = k dyn. Rc = 2 k () wielkości mierzone, () wielkości obliczane na podstawie pomiarów + OBC. I E,R E +1 T 2-1 (-2;+2 ) Rys. 6b. Uproszczony schemat układu w czasie pomiarów wzmocnienia różnicowego i sumacyjnego.
5 Pomiar metodą zmiennoprądową 1. Dla przypadków A i B w Tabeli 4 zmierzyć charakterystykę amplitudową wzmacniacza dla pracy różnicowej i wyjścia nieodwracającego (WY2). Sygnał zmienny z generatora doprowadzić do wejścia mod1 wkładki i wybrać ten rodzaj sterowania na wkładce (przycisk mod ). Amplitudę sygnału dobrać tak, aby nie wystąpiły zniekształcenia sygnału na wyjściu. Napięcia wyjściowe i wejściowe mierzyć oscyloskopem cyfrowym (funkcja Meas, sprzężenia kanałów AC) w funkcji częstotliwości. Określić wartość wzmocnienia k ur w zakresie m.cz. i porównać z wartością obliczoną w p (zauważ, że napięcie doprowadzone do wejścia mod1 jest 0-krotnie tłumione). Pomiary przeprowadzić w zakresie Hz < f < 2 MHz. Wyznaczyć górną częstotliwość graniczną wzmacniacza. 2. Zmierzyć charakterystykę amplitudową wzmacniacza dla pracy sumacyjnej. Sygnał zmienny z generatora doprowadzić do wejścia, przy czym należy zadbać o to aby: (i) oba wejścia wzmacniacza były połączone z tym gniazdem (wybrany klawisz na obu wejściach wzmacniacza), (ii) tranzystor T 4 nie obciążał źródła sygnału. Należy ustawić potencjometrem minimalną wartość napięcia ( -2). Amplituda sygnału sterującego nie powinna przekraczać wartości 2. Określić wartość wzmocnienia k us w zakresie m.cz. i porównać z wartością obliczoną w p Pomiary przeprowadzić w zakresie Hz < f < 2 MHz, dla tych samych wartości częstotliowści, dla których mierzono wzmocnienie róznicowe. Tabela 4 zespół A/B 4/6 2/3 3/6 2/4 4/6 2/3 W sprawozdaniu należy: -Wykreślić na jednym wykresie wszystkie zmierzone charakterystyki k ur ( f ) i k us ( f ) (k u [db], f [Hz] skala log). -Obliczyć i wykreślić (na jednym wykresie) w funkcji częstotliwości współczynnik CMRR (w [db]) dla obu zmierzonych przypadków. 3. WYKAZ APARATURY POMOCNICZEJ przystawka charakterograficzna dwukanałowa (wkładka SN7212 ) oscyloskop cyfrowy generator METEX woltomierz dc (2 szt) kabel dc/bnc, trójnik BNC Rys. 7 Parametry znormalizowane h tranzystorów układu UL1111 w funkcji prądu kolektora
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe własności tranzystorowego układu różnicowego. Ten elementarny układ jest jednym z najbardziej rozpowszechnionych we współczesnej elektronice,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY Białystok
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE RÓŻNICOWE
WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
ZASTOSOWANIA WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru charakterystyk
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe
Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 UKŁAD RÓŻNICOWY BIAŁYSTOK 2017 2 Program
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoPomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza operacyjnego
Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który
Bardziej szczegółowoPRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE
PRZERZUTNIKI BI- I MONO-STABILNE 1. WSTĘP Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących struktury wewnętrznej, zasad działania i właściwości, klasycznych przerzutników bi- i mono-stabilnych
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoBierne układy różniczkujące i całkujące typu RC
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -
Bardziej szczegółowoWzmacniacze różnicowe
Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoZastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne
Bardziej szczegółowoOpis techniczny badanego układu
WZMACNIACZ MOCY Cel ćwiczenia: - wyznaczanie charakterystyk przejściowych przeciwsobnego wzmacniacza mocy, - obserwacja zniekształceń nieliniowych powstających w stopniu końcowym wzmacniacza mocy, - poznanie
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych oraz parametrów tranzystorów PNFET.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoBADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2
Cel ćwiczenia: Praktyczne poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy operacyjnych oraz ich możliwości i ograniczeń. Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego.
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoUKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH
UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) WSTĘP Układy z pętlą sprzężenia fazowego (ang. phase-locked loop, skrót PLL) tworzą dynamicznie rozwijającą się klasę układów, stosowanych głównie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY W UKŁADACH LINIOWYCH
P.Rz. K.P.E. Laboratorium Elektroniki FD 003/0/0 WZMCNICZ OPERCYJNY W UKŁDCH LINIOCH. CEL ĆWICZENI Celem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczących: elementarnej teorii sprzężenia zwrotnego, asymptotycznych
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21. Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu. Zakres wymaganych wiadomości do kolokwium wstępnego: Program ćwiczenia:
Ćwiczenie Badanie właściwości dynamicznych obiektów II rzędu Program ćwiczenia:. Pomiary metodą skoku jednostkowego a. obserwacja charakteru odpowiedzi obiektu dynamicznego II rzędu w zależności od współczynnika
Bardziej szczegółowoPodstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:
Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL
CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz operacyjny
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz operacyjny Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych wzmacniaczy operacyjnych. 2. Układów pracy wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Temat ćwiczenia: Ćwiczenie nr 1 BADANIE MONOLITYCZNEGO WZAMACNIACZA MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚĆI 1. 2. 3. 4. Imię i Nazwisko
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowoGENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE
GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej
Bardziej szczegółowoGENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE
GENERATORY SINUSOIDALNE RC, LC i KWARCOWE 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z trzech części. W pierwszej z nich, mającej
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Ćwiczenie nr Temat ćwiczenia:. 2. 3. Imię i Nazwisko Badanie filtrów RC 4. Data wykonania Data oddania Ocena Kierunek
Bardziej szczegółowoCharakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego
1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych
WZMACNIACZE OPERACYJNE Instrukcja do zajęć laboratoryjnych Tematem ćwiczenia są zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach przetwarzania sygnałów analogowych. Ćwiczenie składa się z dwóch części:
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoRys.1. Układy przełączników tranzystorowych
KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowoL ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)
ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości multipleksera analogowego
Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna
Ćwiczenie 20 Badanie właściwości dynamicznych obiektów I rzędu i korekcja dynamiczna Program ćwiczenia: 1. Wyznaczenie stałej czasowej oraz wzmocnienia statycznego obiektu inercyjnego I rzędu 2. orekcja
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoTechnik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne
1 Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne Mała firma elektroniczna wyprodukowała tani i prosty w budowie prototypowy generator funkcyjny do zastosowania w warsztatach amatorskich. Podstawowym układem
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoĆw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM
Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM przeznaczonym do analiz i symulacji działania układów elektronicznych. Zaznajamianie się z tym programem
Bardziej szczegółowo