Cia!a sta!e. W!asno"ci elektryczne cia! sta!ych. Inne w!asno"ci

Podobne dokumenty
Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Struktura pasmowa ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Rozszczepienie poziomów atomowych

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

W5. Rozkład Boltzmanna

elektryczne ciał stałych

Skończona studnia potencjału

Proste struktury krystaliczne

+ + Struktura cia³a sta³ego. Kryszta³y jonowe. Kryszta³y atomowe. struktura krystaliczna. struktura amorficzna

Podstawy krystalografii

elektryczne ciał stałych

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

III.4 Gaz Fermiego. Struktura pasmowa ciał stałych

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Podstawy fizyki wykład 4

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa ciał stałych

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Badanie charakterystyki diody

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

Wykład FIZYKA II. 14. Fizyka ciała stałego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Absorpcja związana z defektami kryształu

Układy nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1

Urządzenia półprzewodnikowe

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Przejścia promieniste

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

EFEKT HALLA W PÓŁPRZEWODNIKACH.

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

elektryczne ciał stałych

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Elektryczne własności ciał stałych

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Gaz Fermiego elektronów swobodnych. Gaz Fermiego elektronów swobodnych

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Układy nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1

P R A C O W N I A

Układy nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Ćwiczenie Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika

METALE. Cu Ag Au

ROZDZIAŁ V: Półprzewodniki

2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

35 KATEDRA FIZYKI STOSOWANEJ

2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach

Prawdopodobieństwo obsadzania każdego stanu jednoelektronowego określone jest przez rozkład Fermiego, tzn. prawdopodobieństwo, że stan o energii E n

elektryczne ciał stałych

10 K AT E D R A F I Z Y K I S T O S OWA N E J

GAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO.

POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Model elektronów swobodnych w metalu

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Elementy teorii powierzchni metali

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody

Przerwa energetyczna w germanie

MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Przewodniki, półprzewodniki i izolatory

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

Wykład IV. Dioda elektroluminescencyjna Laser półprzewodnikowy

Materiały używane w elektronice

Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Dr inż. Zbigniew Szklarski

Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.

Wykład 39 Elementy fizyki ciała stałego

Pracownia Fizyczna i Elektroniczna Struktura układu doświadczalnego. Wojciech DOMINIK. Zjawisko przyrodnicze

ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA

Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 2003

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

na dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.

Leonard Sosnowski

faza skondensowana 25 stycznia 2017 faza skondensowana

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski

Transkrypt:

Cia!a sta!e Podstawowe w!asno"ci cia! sta!ych Struktura cia! sta!ych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencja! kontaktowy Pó!przewodniki; pó!przewodniki domieszkowane Z!#cze p-n i urz#dzenia pó!przewodnikowe W!asno"ci strukturalne cia! sta!ych Kszta!t ograniczony p!aszczyznami. Kierunki p!aszczyzn zadane liczbami ca!kowitymi (1) Regularne i symetryczne wzory w odbiciu promieni rentgenowskich (2) Regularny uk!ad atomów obserwowany w mikroskopie tunelowym (3) Piotr Sosnowski, CC-BY-SA (2) (3) powierzchnia grafitu (1) Frank Trixler, LMU München Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 H. J. Milledge, Young, Friedman, rozdz. 44.4-8 1 University College, London 2 W!asno"ci elektryczne cia! sta!ych W!asno"ci elektryczne: Oporno"$ w!a"ciwa Wspó!czynnik temperaturowy oporu Koncentracja no"ników!adunku Inne w!asno"ci Optyczne: poch!anianie "wiat!a, odbicie od powierzchni itp. Mechaniczne: kowalno"$, spr'(ysto"$, propagacja fal d%wi'kowych Magnetyczne: podatno"$ magnetyczna, ferromagnetyzm mied% krzem! 2&10-8 3&10 3!&m " +4&10-3 -70&10-3 K -1 n 9&10-28 1&10 16 m -3 metal pó!przewodnik 3 4

Struktura cia! sta!ych Kryszta! idealny: regularne rozmieszczenie atomów Symetria translacyjna Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego (1900) Symetria obrotowa Kryszta! rzeczywisty: defekty Atom w pozycji mi'dzyw'z!owej Cu Luka (wakans) Atom domieszki w w'%le W rzeczywisto"ci elektrony rozpraszaj# si' na defektach i deformacjach sieci. Atom domieszki w pozycji mi'dzyw'z!owej Si, C (diament) 5 Paul Karl Ludwig Drude 6 Poziomy energetyczne w krysztale pasma 4s Klasyfikacja cia! sta!ych Odleg!e atomy: jednakowe energie elektronu Atomy blisko siebie: dwa poziomy molekularne o nieco ró(nych energiach E N 2 3 14 26 44 # Bardzo wiele atomów (kryszta!): pasmo energetyczne Energia 7 Metal E g < 2 ev ~ Pó!przewodnik Dielektryk E g > 2 ev ~ Izolator 8

Liczba elektronów: Koncentracja elektronów: Metale G'sto"$ stanów obsadzonych: Metale G!sto"# stanów: liczba elektronów w przedziale energii (E,E+dE) = Energia Fermiego: Prawdopodobie)stwo obsadzenia stanu o energii E (rozk!ad Fermiego-Diraca) Paul Adrien Maurice Dirac (1902-1984) 9 Enrico Fermi (1901-1954) 10 Kontaktowa ró#nica potencja!ów Pó!przewodniki energia elektronu A B energia elektronu Pó!przewodnik niedomieszkowany: pewna liczba elektronów przechodzi do pasma przewodnictwa. Dziury w pa"mie walencyjnym Zale(no"$ oporu od temperatury: elektrony dziury przewodnictwa walencyjne + A + B + Koncentracja ro"nie bardzo szybko ze wzrostem temperatury *redni czas pomi'dzy zderzeniami maleje nieznacznie ze wzrostem temperatury 11 Wspó!czynnik temperaturowy oporu jest ujemny 12

Domieszkowanie pó!przewodników Pó!przewodnik domieszkowany typu n: dodatkowy elektron pochodz#cy z atomu donora (np. krzem domieszkowany fosforem) Pó!przewodnik domieszkowany typu p: brak jednego elektronu na ka(dy atom akceptora $ dziura (np. krzem domieszkowany glinem) E g E g E F E F typ n przewodnictwa walencyjne typ p przewodnictwa walencyjne E d ~10 mev E a ~10 mev Z!$cze p-n Ró(nica poziomów Fermiego powoduje przep!yw!adunku i wytworzenie kontaktowej ró$nicy potencja%ów Powstaje obszar zubo$ony, w którym wyst'puje gradient potencja!u, a wi'c pole elektryczne W pó!przewodniku no"nikami pr#du mog# by$ zarówno elektrony, jak i dziury 13 14 Pr$dy w niespolaryzowanym z!$czu p-n (bez zewn'trznego napi'cia) & & % % Spolaryzowane z!$cze p-n Polaryzacja w kierunku przewodzenia (forward bias), V > 0: V Polaryzacja w kierunku zaporowym (reverse bias), V < 0: V I dyf Pr#d dyfuzji (recombination current) pr#d no"ników wi!kszo"ciowych przez barier' potencja!u ev 0 I dryf Pr#d dryfu (generation current) pr#d no"ników mniejszo"ciowych (generowanych termicznie) Zewn'trznego ró(nica potencja!ów zmienia wysoko"$ bariery i pr#d dyfuzji: Bez zewn'trznego napi'cia: Pr#d przez z!#cze: 15 16

Przyrz$dy pó!przewodnikowe (1) Dioda prostowanie pr#du Przyrz$dy pó!przewodnikowe (2) Tranzystor polowy (FET) Tranzystor MOSFET Dioda "wiec#ca (LED) Fotodioda 17 18