TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
|
|
- Bartłomiej Świderski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. 1
2 Monokryształy można otrzymywać: z fazy stałej: W wyniku przemiany fazowej w stanie stałym ( np. w przemianach metamorficznych w procesach geologicznych) z fazy ciekłej Przez bezpośrednie zestalanie cieczy, odparowanie, przez wyciąganie monokryształu ze stopionego materiału z fazy pary Przez sublimację, metodą gazowego transportu chemicznego. Etapy procesu krystalizacji: zarodkowanie wzrost 2
3 Zarodkowanie Czy ciecz krzepnie w temperaturze krzepnięcia/topnienia? T idealna krystalizacja NIE! Zarodkowanie Aby kryształ mógł rosnąć, najpierw proces musi się rozpocząć: musi powstać zarodek, czyli bardzo niewielki kryształ nowej fazy. Wymaga to: Albo przechłodzenia, Albo przesycenia roztworu, Albo czynnika zewnętrznego Albo sztucznego wprowadzenia zarodka 3
4 Zarodkowanie Zarodki kryształów ITO w amorficznej matrycy T idealna krystalizacja T rzeczywista krystalizacja T Zarodkowanie Zarodki zbyt małe zanikają. Tylko te, które osiągnęły rozmiar krytyczny mogą dalej się powiększać. 4
5 Zarodkowanie Trudność procesu zarodkowania wynika z termodynamiki: energia swobodna kryształu tworzącego się np. w cieczy składa się z energii swobodnej ciała stałego (która jest mniejsza niż energia swobodna cieczy) oraz z energii swobodnej powierzchni rozdziału dwóch faz: ciekłej i stałej. Im mniejsza objętość w stosunku do powierzchni, tym gorzej. Dlatego istnienie małych zarodków wymaga przechłodzenia. Zarodkowanie Załóżmy, że zarodek nowej fazy krystalicznej powstaje w postaci kulistych krystalitów. 5
6 Zarodkowanie Obniżenie energii swobodnej dzięki powstaniu fazy o mniejszej energii jest proporcjonalny do objętości zarodka. Zwiększenie energii swobodnej wskutek powstania granicy między fazami jest proporcjonalne do powierzchni zarodka oraz do energii powierzchniowej, γ. Wypadkowa zmiana energii swobodnej, G r : G r = -4π/3 r 3 G V + 4πr 2 γ Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license. Zarodkowanie G r = -4π/3 r 3 G V + 4πr 2 γ. Istnieje minimalny promień zarodka, przy którym energia swobodna zaczyna maleć: 6
7 Szybkość zarodkowania Koncentracja zarodków o krytycznej wielkości, C*, jest opisana czynnikiem Boltzmanna, gdzie C 0 jest ilością atomów na jednostkę objętości C* = C 0 exp -( G*/kT) Szybkość zarodkowania Szybkość tworzenia zarodków, f, zależy również od szybkości dyfuzji atomów, określonej także przez czynnik Boltzmanna, gdzie G dyf jest energią aktywacji dyfuzji, a ω jest rzędu częstości przeskoków atomów: f = ω exp -( G dyf /kt). 7
8 Szybkość zarodkowania W efekcie zależność szybkości zarodkowania od temperatury: Przykłady stopnia przechłodzenia 8
9 Zazwyczaj mamy do czynienia z zarodkowaniem heterogenicznym. Zarodkowanie heterogeniczne przebiega znacznie szybciej niż homogeniczne. Wzrost kryształu Wzrost kryształu to też proces dyfuzyjny. W zależności od tego co krystalizuje, można wyróżnić dwa główne mechanizmy krystalizacji: Mechanizm schodkowy wzrostu. Mechanizm wzrostu poprzez dyslokacjęśrubową 9
10 Mechanizm schodkowy Morfologia kryształów określona jest przez względne prędkości wzrostu ścian. Mechanizm wzrostu poprzez dyslokację śrubową Na etapie wzrostu powstaje defekt; Kryształ rośnie wzdłuż osi śruby; np. Whiskery oraz grafit. 10
11 Optymalna temperatura zarodkowania i wzrostu kryształu T W < T Z T W T Z W Z Temperatura Liczba zarodków Liczba zarodków T W > T Z Liczba zarodków Z W Temperatura Z W Temperatura Przykład: H 2 O Nucleation and Growth Rates for Water Nucleation rate (sec -1 ) 4.5E+23 4E E+23 3E E+23 2E E+23 1E+23 5E+22 Nucleation rate(sec-1) Grow th rate (m/sec) 1.E-08 1.E-08 1.E-08 8.E-09 6.E-09 4.E-09 2.E-09 Growth rate (m-sec -1 ) 0 0.E Temperature (K) 11
12 Przykład: SiO 2 Nulceation and Growth for Silica 1.E E-25 Nucleation Rate (sec -1 ) 1.E+08 1.E+08 8.E+07 6.E+07 4.E+07 2.E+07 Nucleation rate (sec-1) Growth rate (m/sec) 2E E-25 1E-25 5E-26 Growth Rate (m-sec -1 ) 0.E Temperature (K) Krystalizacja równowagowa Gdy powstające kryształy są bardzo długo w równowadze z cieczą (np. przy bardzo wolnym chłodzeniu). W rezultacie powstaje kryształ jednorodny. Krystalizacja nierównowagowa Gdy kryształy są usuwane z cieczy natychmiast po utworzeniu. Skład kryształu zmienia się w czasie. 12
13 NIEKTÓRE METODY KRYSTALIZACJI Metoda hydrotermalna Metoda wykorzystująca wodę pod ciśnieniem i w temperaturze powyżej punktu wrzenia. Typowe ciśnienie w zakresie barów i temperatura: o C. Woda pełni dwie funkcje: -ośrodek przenoszący ciśnienie -częściowe rozpuszczanie reagentów 13
14 Metoda hydrotermalna: monokryształów kwarcu w dolnej części autoklawu kwarc częściowo rozpuszcza się; nasycony roztwór wędruje ku górze, następuje wzrost kryształu gdzie 380 o C zarodek kryształ Można tak wyhodować kryształy kwarcu do 1 kg stosowane np. w przetwornikach piezoelektrycznych i monochromatorach promieniowania rentgenowskiego. 400 o C drobnokrystaliczny kwarc Metoda hydrotermalna Można w ten sposób wytworzyć te kryształy, które nie mogą być wyhodowane w wysokiej temperaturze. Np. Ca 6 Si 6 O 17 (OH) 2 (CaO i SiO 2 jest ogrzewane w obecności wody do 500 o C i 2000 barów). Wytwarzanie monokryształów minerałów, np. kwarc, korund, rubin 14
15 Wzrost kryształów z fazy gazowej: metoda sublimacji - kondensacji Przenoszenie cząsteczek z materiału źródła do fazy gazowej (sublimacja, odparowanie) Transport cząsteczek przez fazę gazową Wbudowanie się cząsteczek par do kryształu (kondensacja) T γ źródło T strefa krystalizacji T x γ - przesycenie względne Wzrost kryształów ze stopionej cieczy Większość monokryształów wytwarza się poprzez krystalizację stopionej cieczy. Proces Bridgmana Metoda Czochralskiego Topienie strefowe 15
16 Wzrost kryształów ze stopionej cieczy Materiał musi topić się odpowiednio, czyli bez zmiany składu podczas procesu. Materiał nie może rozkładać się przed stopieniem (np. SiC dekomponuje). Materiał nie może podlegać przemianie fazowej w T (T M ; RT); Np. SiO 2 podlega w 583 C przemianie z α-do β kwarcu (dlatego jest hodowany metoda hydrotermalną). Metoda Czochralskiego Materiał jest utrzymywany w temp nieco wyższej niżt M Zarodek jest zanurzany do stopu i powoli wyciągany Metoda służy np. do otrzymywania krzemu monokrystalicznego Zarodek kryształ Element grzewczy Stopiony materiał 16
17 Wytwarzanie monokryształów krzemu Etapy produkcji Otrzymywanie Si z SiO 2 ; Oczyszczanie; Otrzymanie polikrystalicznego substratu; Otrzymanie monokryształu; Obrabianie monokryształu Orientacja; Cięcie; Obrabianie plasterków Si. 17
18 Otrzymywanie i oczyszczanie krzemu SiO 2 Si SiHCl 3 Si Piasek Inne złoża zawierające SiO 2 Kryształ kwarcu Piasek jest niewyczerpanym źródłem SiO 2 Otrzymywanie i oczyszczanie krzemu Ekstrakcja SiO 2 + 2C Si C SiO 2 + SiC Si + SiO (gaz) + CO (zużycie energii ~13 kwh na kg) 98% 18
19 Otrzymywanie i oczyszczanie krzemu Oczyszczanie (destylacja) Si + 3HCl SiHCl 3 + H 2 w 300 C Temperatura wrzenia trichlorosilanu: 31.8 C. Zanieczyszczenia są mniej lotne niż trichlorosilan (w rezultacie otrzymuje się poziom zanieczyszczeń < 1 ppb). Otrzymywanie polikrystalicznego krzemu Redukcja trichlorosilanu w wodorze: SiHCl 3 + H 2 Si + 3HCl (w1000 C); Electrodes 19
20 Otrzymywanie polikrystalicznego krzemu Redukcja odbywa się jednocześnie ze wzrostem polikrystalicznego substratu.polikryształ rośnie na powierzchni pręta ogrzanego do 1000 C (szybkość: około 1mm/h) otrzymuje się superczysty Si % Cl H Si Cl Redukcja Cl Polikrystaliczny krzem 20
21 Wytwarzanie monokryształów krzemu Metodą Czochralskiego Metodą topienia strefowego Metoda Czochralskiego Polikrystaliczny Si topi się w tyglu kwarcowym w 1420 C; Proces odbywa się w argonie Zarodek monokryształ Si umieszczony jest w stopionym krzemie i powoli obracany w trakcie wyciągania 21
22 Metoda Czochralskiego Orientacja krystaliczna jest wyznaczona przez orientację zarodka; Średnica kryształu jest określona przez temperaturę, szybkość obrotu i wyciągania. Krzem otrzymany metodą Czochralskiego Photograph courtesy of Kayex Corp., 300 mm Si ingot 22
23 Metoda topienia strefowego CZ method Wytwarzanie monokryształów krzemu: metoda topienia strefowego Metodą Czochralskiego otrzymuje się kryształy o pewnej zawartości jonów tlenu. Gdy jest to szkodliwe dla urządzenia, stosuje się metodę topienia strefowego. Rzadko, ponieważ poza tlenem, kryształy są mniej doskonałe. 23
24 Gotowy monokryształ długość do 2 m średnica: zazwyczaj 200mm (do 300mm; rzadko 400mm) masa: do 225 kg orientacja krystalograficzna (111) lub (100) czas: 3 dni Dlaczego różne orientacje krystalograficzne? (111) łatwiejsze i tańsze do otrzymania, dlatego stosuje się je tam, gdzie tylko można (np. w tranzystorah bipolarnych); Na płaszczyznach (111) gorzej wytwarza się warstwy tlenku (są gorszej jakości), dlatego w układach MOS nie można ich stosować. I Source Drain Gate V 24
25 Pozostałe procesy technologiczne Kryształ Szlifowanie krawędzi Mycie Obcięcie końców Trawienie Badanie Cięcie w plasterki Szlifowanie Pakowanie Figure 4.19 Obcięcie końcówek Preparing crystal ingot for grinding Diameter grind Flat grind Figure
26 Cięcie kryształu w plasterki Krawędź stalowego noża jest pokryta diamentową warstwą Grubość plasterków: µm. 24 Piła o wewnętrznym ostrzu Internal diameter wafer saw Figure
27 Piła drutowa Piła drutowa służy do cięcia większych walców (piła ID tylko do 200 mm) 25 Szlifowanie Dwie stalowe płyty obracają się w przeciwnych kierunkach, między nimi jest plasterek krzemu i proszek tlenku glinu. Szlifowanie ma na celu otrzymanie precyzyjnej grubości ( µm) oraz równoległych powierzchni. Dodatkowo, redukuje mechaniczne defekty po cięciu piłą. Upper polishing pad Lower polishing pad Wafer Slurry 27
28 Polerowanie Proces chemiczno-mechaniczny: Środek polerujący: SiO 2, woda destylowana i wodorotlenek sodu; W ten sposób otrzymuje się lustrzaną powierzchnię Wyrównywanie brzegów Mycie Badanie właściwości i jakości 28
29 Optycznie Phase and intensity detection Photo detector array Split mirror Data generation, processing, display are networked with factory management software CRT Video camera Light source Lens Viewing optics Objective lens assembly Wafer positioning stage Three-axis piezo substage Vibration isolation pad Badanie typu domieszkowania 29
30 Pomiar oporu ρ s = V I x 2πs (ohms-cm) Constant current source R I Voltmeter V Figure 7.3 Wafer Krzem Najczystszy znany materiał: 1atom zanieczyszczenia na Si Najdoskonalszy znany materiał (idealny w skali odległości metrów). Jedynie krzem, german i Cu można wytworzyć tak, aby nie było w krysztale dyslokacji. Lustrzane powierzchnie: różnice rzędu < 200 nm na 2.5 cm 2.5 cm 30
31 Inne monokryształy Czochralski Topienie strefowe Bridgeman Si, Ge, InSb, GaAs Si Ge, GaAs, InSb, InAs Metale, związki II-VI GaAs Wytwarzanie monokryształów GaAs jest trudne ze względu na to, że As ma wysoką temperaturę topnienia, a Ga bardzo niską. W dodatku pary As i Ga są lotne i toksyczne. 31
32 GaAs Dlatego, aby zabezpieczyć się przed parowaniem, stosuje się ochronną warstwę B 2 O 3 zamykającą roztopiony GaAs. Crystal Zarodek warstwa B 2 O 3 GaAs melt Literatura
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE 1 Monokryształy można otrzymywać: z fazy stałej: W wyniku przemiany fazowej w stanie stałym ( np. w przemianach metamorficznych w procesach geologicznych)
Bardziej szczegółowoKrystalizacja. Jak materiał krystalizuje?
Krystalizacja Jak materiał krystalizuje? o Molekuły zawsze zderzają się za sobą czasami łączą się, a czasami nie. o Gdy ciecz ochładza się, energia kinetyczna cząsteczek maleje. Przy niższej energii kinetycznej
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definicji Faza Stan materii jednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego, ale również
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definicji Faza Definicja Gibbsa = stan materii jednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego,
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoWarunek stabilności zarodka. Krystalizacja zachodzi w kilku etapach. Etapy procesu krystalizacji:
DG Otrzymywanie ów Otrzymywanie monoów w przemyśle, ang. crystal growth technology przemysł półprzewodnikowy: Si, AsGa, LED GaP, InP, CdTe ogniwa fotowoltaiczne, CdHgTe detekcja IR itd. otrzymywanie kamieni
Bardziej szczegółowoKRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana
Bardziej szczegółowoNiektóre zagadnienia inżynierii materiałowej, w których dyfuzja odgrywa podstawową rolę.
Niektóre zagadnienia inżynierii materiałowej, w których dyfuzja odgrywa podstawową rolę. 1. Przewodnictwo jonowe. 2. Domieszkowanie półprzewodników. 3. Dyfuzja reakcyjna. 4. Synteza w fazie stałej. 5.
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG
Technologie wytwarzania Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki
Bardziej szczegółowoCzym się różni ciecz od ciała stałego?
Szkła Czym się różni ciecz od ciała stałego? gęstość Czy szkło to ciecz czy ciało stałe? Szkło powstaje w procesie chłodzenia cieczy. Czy szkło to ciecz przechłodzona? kryształ szkło ciecz przechłodzona
Bardziej szczegółowo3. Przejścia fazowe pomiędzy trzema stanami skupienia materii:
Temat: Zmiany stanu skupienia. 1. Energia sieci krystalicznej- wielkość dzięki której można oszacować siły przyciągania w krysztale 2. Energia wiązania sieci krystalicznej- ilość energii potrzebnej do
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoKrystalizacja. Zarodkowanie
Krystalizacja Ciecz ciało stałe Para ciecz ciało stałe Para ciało stałe Przechłodzenie T = T L - T c Przesycenie p = p g - p z > 0 Krystalizacja Zarodkowanie Rozrost zarodków Homogeniczne Heterogeniczne
Bardziej szczegółowoTermodynamiczne warunki krystalizacji
KRYSTALIZACJA METALI ISTOPÓW Zakres tematyczny y 1 Termodynamiczne warunki krystalizacji hiq.linde-gas.fr Krystalizacja szczególny rodzaj krzepnięcia, w którym ciecz ulega przemianie w stan stały o budowie
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Bardziej szczegółowochemia wykład 3 Przemiany fazowe
Przemiany fazowe Przemiany fazowe substancji czystych Wrzenie, krzepnięcie, przemiana grafitu w diament stanowią przykłady przemian fazowych, które zachodzą bez zmiany składu chemicznego. Diagramy fazowe
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Bardziej szczegółowoWzrost fazy krystalicznej
Wzrost fazy krystalicznej Wydzielenie nowej fazy może różnić się of fazy pierwotnej : składem chemicznym strukturą krystaliczną orientacją krystalograficzną... faza pierwotna nowa faza Analogia elektryczna
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński
Bardziej szczegółowo1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej?
Tematy opisowe 1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? 2. Omów pomiar potencjału na granicy faz elektroda/roztwór elektrolitu. Podaj przykład, omów skale potencjału i elektrody
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definici Faza Definica Gibbsa stan materii ednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego,
Bardziej szczegółowoStatyka Cieczy i Gazów. Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał
Statyka Cieczy i Gazów Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał 1. Podstawowe założenia teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał: Ciała zbudowane są z cząsteczek. Pomiędzy cząsteczkami
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,
Bardziej szczegółowoDYFUZJA I JEJ ZASTOSOWANIA
DYFUZJA I JEJ ZASTOSOWANIA Niektóre zagadnienia inżynierii materiałowej, w których dyfuzja odgrywa podstawową rolę. 1. Przewodnictwo jonowe. 2. Domieszkowanie półprzewodników. 3. Dyfuzja reakcyjna. 4.
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl http://www.rk.kujawsko-pomorskie.pl/ Organizacja zajęć Kurs trwa 20 godzin lekcyjnych,
Bardziej szczegółowoWykład 3. Diagramy fazowe P-v-T dla substancji czystych w trzech stanach. skupienia. skupienia
Wykład 3 Substancje proste i czyste Przemiany w systemie dwufazowym woda para wodna Diagram T-v dla przejścia fazowego woda para wodna Diagramy T-v i P-v dla wody Punkt krytyczny Temperatura nasycenia
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)
WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne KRYSZTAŁY
Materiałoznawstwo optyczne KRYSZTAŁY Kryształy kryształ: ciało o prawidłowej budowie wewnętrznej, fizycznie i chemicznie jednorodne, anizotropowe, mające wszystkie wektorowe własności fizyczne jednakowe
Bardziej szczegółowoWstęp. Krystalografia geometryczna
Wstęp Przedmiot badań krystalografii. Wprowadzenie do opisu struktury kryształów. Definicja sieci Bravais go i bazy atomowej, komórki prymitywnej i elementarnej. Podstawowe typy komórek elementarnych.
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.1
METODY PRZECHOWYWANIA I UTRWALANIA BIOPRODUKTÓW ZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.1 Opracował: dr S. Wierzba Katedra Biotechnologii i Biologii Molekularnej Uniwersytetu Opolskiego Zamrażaniem produktów nazywamy proces
Bardziej szczegółowoStan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny
Stan Krystaliczny Stan krystaliczny Stan krystaliczny jest podstawową formą występowania nieorganicznych ciał stałych w przyrodzie (dlaczego?). Cechą wyróżniającą kryształy jest ich uporządkowana, periodyczna
Bardziej szczegółowoOBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA. Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego
OBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego WPŁYW CHŁODZENIA NA PRZEMIANY AUSTENITU Ar 3, Ar cm, Ar 1 temperatury przy chłodzeniu, niższe od równowagowych A 3, A cm, A 1 A
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoWarunki izochoryczno-izotermiczne
WYKŁAD 5 Pojęcie potencjału chemicznego. Układy jednoskładnikowe W zależności od warunków termodynamicznych potencjał chemiczny substancji czystej definiujemy następująco: Warunki izobaryczno-izotermiczne
Bardziej szczegółowoI piętro p. 131 A, 138
CHEMIA NIEORGANICZNA Dr hab. Andrzej Kotarba Zakład Chemii Nieorganicznej Wydział Chemii I piętro p. 131 A, 138 WYKŁAD - 4 RÓWNOWAGA Termochemia i termodynamika funkcje termodynamiczne, prawa termodynamiki,
Bardziej szczegółowoEfekty strukturalne przemian fazowych
Efekty strukturalne przemian fazowych Literatura 1. Zbigniew Kędzierski PRZEMIANY FAZOWE W UKŁADACH SKONDESOWANYCH, AGH Uczelniane Wydawnictwa Naukowo Dydaktyczne, 003. Marek Blicharski INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
Bardziej szczegółowo1) Rozmiar atomu to około? Która z odpowiedzi jest nieprawidłowa? a) 0, m b) 10-8 mm c) m d) km e) m f)
1) Rozmiar atomu to około? Która z odpowiedzi jest nieprawidłowa? a) 0,0000000001 m b) 10-8 mm c) 10-10 m d) 10-12 km e) 10-15 m f) 2) Z jakich cząstek składają się dodatnio naładowane jądra atomów? (e
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej... INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice... Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Struktura materiałów
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Wykład 13. Wzrost kryształów objętościowych z roztopu Tomasz Słupiński Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski e-mail: tomslu@fuw.edu.pl Stanisław
Bardziej szczegółowoRegulamin I gminnego konkursu odkrywamy ŚWIAT - KRYSZTAŁY
Regulamin I gminnego konkursu odkrywamy ŚWIAT - KRYSZTAŁY I. Organizatorem konkursu jest Zespół Szkół Nr 1 w Bieczu. II. Cele konkursu: a) wzbudzenie wśród naszych Gimnazjalistów zainteresowania substancjami
Bardziej szczegółowoWykład 4. Przypomnienie z poprzedniego wykładu
Wykład 4 Przejścia fazowe materii Diagram fazowy Ciepło Procesy termodynamiczne Proces kwazistatyczny Procesy odwracalne i nieodwracalne Pokazy doświadczalne W. Dominik Wydział Fizyki UW Termodynamika
Bardziej szczegółowoMonochromatyzacja promieniowania molibdenowej lampy rentgenowskiej
Uniwersytet Śląski Instytut Chemii Zakładu Krystalografii ul. Bankowa 14, pok. 133, 40 006 Katowice tel. (032)359 1503, e-mail: izajen@wp.pl, opracowanie: dr Izabela Jendrzejewska Laboratorium z Krystalografii
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowoTechnologia monokryształów i cienkich warstw
Technologia monokryształów i cienkich warstw Wybór metody zaleŝy od właściwości fizykochemicznych materiału, Ŝądanych parametrów strukturalnych i uŝytkowych materiału, aspektów ekonomicznych procesu Budowa
Bardziej szczegółowoKinetyka zarodkowania
Kinetyka zarodkowania Wyrażenie na liczbę zarodków n r o kształcie kuli i promieniu r w jednostce objętości cieczy przy założeniu, że tworzenie się zarodków jest zdarzeniem losowym: n r Ne G kt v ( 21
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY
WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w ICM
Bardziej szczegółowoCiekłe kryształy. Wykład dla liceów Joanna Janik Uniwersytet Jagielloński
Ciekłe kryształy Wykład dla liceów 26.04.2006 Joanna Janik Uniwersytet Jagielloński Zmiany stanu skupienia czyli przejścia fazowe temperatura topnienia temperatura parowania ciało stałe ciecz para - gaz
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoOtrzymywanie i badanie własności elektrycznych monokrysztalicznych ciał stałych wprowadzenie
Otrzymywanie i badanie własności elektrycznych monokrysztalicznych ciał stałych wprowadzenie George M. Honig Department of Chemistry, Purdue University, USA Część I Hodowla monokryształów Artykuł jest
Bardziej szczegółowoDYFUZJA I JEJ ZASTOSOWANIA
DYFUZJA I JEJ ZASTOSOWANIA 2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license. Dyfuzja jest niezwykle ważnym procesem w mikroelektronice. 2003
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis
Wykład II Monokryształy Jerzy Lis Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów - krystalografia 3. Budowa kryształów rzeczywistych defekty WPROWADZENIE Stan krystaliczny jest podstawową
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)
WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoMATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I. dr inż. Hanna Smoleńska
MATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I dr inż. Hanna Smoleńska UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ Równowaga termodynamiczna pojęcie stosowane w termodynamice. Oznacza stan, w którym makroskopowe
Bardziej szczegółowoCIEPLNE I MECHANICZNE WŁASNOŚCI CIAŁ
CIEPLNE I MECHANICZNE WŁASNOŚCI CIAŁ Ciepło i temperatura Pojemność cieplna i ciepło właściwe Ciepło przemiany Przejścia między stanami Rozszerzalność cieplna Sprężystość ciał Prawo Hooke a Mechaniczne
Bardziej szczegółowoAnaliza termiczna Krzywe stygnięcia
Analiza termiczna Krzywe stygnięcia 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 T a e j n s x p b t c o f g h k l p d i m y z q u v r w α T B T A T E T k P = const Chem. Fiz. TCH II/10 1 Rozpatrując stygnięcie wzdłuż kolejnych
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA CIAŁA STAŁEGO
STRUKTURA CIAŁA STAŁEGO Podział ciał stałych Ciała - bezpostaciowe (amorficzne) Szkła, żywice, tłuszcze, niektóre proszki. Nie wykazują żadnych regularnych płaszczyzn ograniczających, nie można w nich
Bardziej szczegółowoŚciąga eksperta. Mieszaniny. - filmy edukacyjne on-line Strona 1/8. Jak dzielimy substancje chemiczne?
Mieszaniny Jak dzielimy substancje chemiczne? Mieszaninami nazywamy substancje złożone z kilku skład, zachowujących swoje właściwości. Mieszaniny uzyskuje się na drodze mechanicznego mieszania ze sobą
Bardziej szczegółowoWzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza
Wzrost objętościowy z fazy gazowej Krzysztof Grasza Instytut Fizyki PAN Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WARSZAWA Część pierwsza Zakres stosowalności metody krystalizacji z fazy gazowej,
Bardziej szczegółowoTechnologie elektroniki
Technologie elektroniki Czynniki wpływające na procesy technologiczne Zanieczyszczenie powietrza drobinami Skład powietrza Ciśnienie Temperatura i wilgotność Poziom hałasu i wibracji Pole elektromagnetyczne
Bardziej szczegółowoWykład 6. Klasyfikacja przemian fazowych
Wykład 6 Klasyfikacja przemian fazowych JS Klasyfikacja Ehrenfesta Ehrenfest klasyfikuje przemiany fazowe w oparciu o potencjał chemiczny. nieciągłość Przemiany fazowe pierwszego rodzaju pochodne potencjału
Bardziej szczegółowoWoda. Najpospolitsza czy najbardziej niezwykła substancja Świata?
Woda Najpospolitsza czy najbardziej niezwykła substancja Świata? Cel wykładu Odpowiedź na pytanie zawarte w tytule A także próby odpowiedzi na pytania typu: Dlaczego woda jest mokra a lód śliski? Dlaczego
Bardziej szczegółowoTermochemia elementy termodynamiki
Termochemia elementy termodynamiki Termochemia nauka zajmująca się badaniem efektów cieplnych reakcji chemicznych Zasada zachowania energii Energia całkowita jest sumą energii kinetycznej i potencjalnej.
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 7. Diagramy fazowe Dwuskładnikowe układy doskonałe
WYKŁAD 7 Diagramy fazowe Dwuskładnikowe układy doskonałe JS Reguła Gibssa. Układy dwuskładnikowe Reguła faz Gibbsa określa liczbę stopni swobody układu w równowadze termodynamicznej: układy dwuskładnikowe
Bardziej szczegółowoDEFEKTY STRUKTURY KRYSTALICZNEJ
DEFEKTY STRUKTURY KRYSTALICZNEJ Rodzaje defektów (wad) budowy krystalicznej Punktowe Liniowe Powierzchniowe Defekty punktowe Wakanse: wolne węzły Atomy międzywęzłowe Liczba wad punktowych jest funkcją
Bardziej szczegółowo1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych.
Tematy opisowe 1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych. 2. Dlaczego do kadłubów statków, doków, falochronów i filarów mostów przymocowuje się płyty z
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby
Bardziej szczegółowoRóżne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7
Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Hodowanie Z masy stopionej z roztworu z fazy gazowej z fazy stałej (tzw. rekrystalizacja) Hodowanie
Bardziej szczegółowoSeria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii
Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii 8.1.21 Zad. 1. Obliczyć ciśnienie potrzebne do przemiany grafitu w diament w temperaturze 25 o C. Objętość właściwa (odwrotność gęstości)
Bardziej szczegółowoKRYSZTAŁY Czy tylko służą jako ozdoba czy też mogą być nam do czegoś przydatne? Jan Biernacki i Jakub Satora Klasa Ib, Gimnazjum nr 1 w Krakowie
KRYSZTAŁY Czy tylko służą jako ozdoba czy też mogą być nam do czegoś przydatne? Jan Biernacki i Jakub Satora Klasa Ib, Gimnazjum nr 1 w Krakowie Spis treści 1. Czym są kryształy? 2. Rodzaje kryształów
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoZadania treningowe na kolokwium
Zadania treningowe na kolokwium 3.12.2010 1. Stan układu binarnego zawierającego n 1 moli substancji typu 1 i n 2 moli substancji typu 2 parametryzujemy za pomocą stężenia substancji 1: x n 1. Stabilność
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoPrzyrządy Półprzewodnikowe
KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa
Bardziej szczegółowoSzkła specjalne Przejście szkliste i jego termodynamika Wykład 5. Ryszard J. Barczyński, 2017 Materiały edukacyjne do użytku wewnętrznego
Szkła specjalne Przejście szkliste i jego termodynamika Wykład 5 Ryszard J. Barczyński, 2017 Materiały edukacyjne do użytku wewnętrznego Czy przejście szkliste jest termodynamicznym przejściem fazowym?
Bardziej szczegółowoRównanie gazu doskonałego
Równanie gazu doskonałego Gaz doskonały to abstrakcyjny model gazu, który zakłada, że gaz jest zbiorem sprężyście zderzających się kulek. Wiele gazów w warunkach normalnych zachowuje się jak gaz doskonały.
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów II. semestr Wstęp 16 luty 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01 ext. 3363 E-mail:
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowo31/01/2018. Wykład II: Monokryształy. Treść wykładu: Wstęp - stan krystaliczny
Wykład II: Monokryształy JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów 2.1. Budowa kryształów,
Bardziej szczegółowoWykład II: Monokryształy. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład II: Monokryształy JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów 2.1. Budowa kryształów,
Bardziej szczegółowoFizyka Ciała Stałego
Wykład III Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć krystaliczną. Amorficzne, brak uporządkowania,
Bardziej szczegółowoOpracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Bardziej szczegółowoZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.2
METODY PRZECHOWYWANIA I UTRWALANIA BIOPRODUKTÓW ZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.2 Opracował: dr S. Wierzba Katedra Biotechnologii i Biologii Molekularnej Uniwersytetu Opolskiego Odmienność procesów zamrażania produktów
Bardziej szczegółowoTERMODYNAMIKA I TERMOCHEMIA
TERMODYNAMIKA I TERMOCHEMIA Termodynamika - opisuje zmiany energii towarzyszące przemianom chemicznym; dział fizyki zajmujący się zjawiskami cieplnymi. Termochemia - dział chemii zajmujący się efektami
Bardziej szczegółowoFazy i ich przemiany
Układy i fazy Fazy i ich przemiany Co to jest faza? 1. Faza to forma występowania materii jednolita w całej objętości pod względem składu chemicznego właściwości fizycznych (Atkins) 2. Faza to część układu
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH
INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH Politechnika Śląska w Gliwicach INSTRUKCJA DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH WYZNACZANIE WYKRESU RÓWNOWAGI FAZOWEJ (dla stopów dwuskładnikowych) Instrukcja przeznaczona
Bardziej szczegółowoTransport jonów: kryształy jonowe
Transport jonów: kryształy jonowe JONIKA I FOTONIKA MICHAŁ MARZANTOWICZ Jodek srebra AgI W 42 K strukturalne przejście fazowe I rodzaju do fazy α stopiona podsieć kationowa. Fluorek ołowiu PbF 2 zdefektowanie
Bardziej szczegółowoCzy równowaga jest procesem korzystnym? dr hab. prof. nadzw. Małgorzata Jóźwiak
Czy równowaga jest procesem korzystnym? dr hab. prof. nadzw. Małgorzata Jóźwiak 1 Pojęcie równowagi łańcuch pokarmowy równowagi fazowe równowaga ciało stałe - ciecz równowaga ciecz - gaz równowaga ciało
Bardziej szczegółowoWYKONUJEMY POMIARY. Ocenę DOSTATECZNĄ otrzymuje uczeń, który :
WYKONUJEMY POMIARY Ocenę DOPUSZCZAJĄCĄ otrzymuje uczeń, który : wie, w jakich jednostkach mierzy się masę, długość, czas, temperaturę wie, do pomiaru jakich wielkości służy barometr, menzurka i siłomierz
Bardziej szczegółowo