Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
|
|
- Nina Podgórska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa?
2 Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie tranzystorów bipolarnych, wymaga nanoszenia cienkich warstw na powierzchnię krzemu lub innego półprzewodnika. Na przykład: Krzem polikrystaliczny p n n+ p n+ n++ dielektryk p p Warstwa epitaksjalna
3 Lasery, diody, ogniwa fotowoltaiczne,.. Soczewki, zwierciadła,...
4 Cienkie warstwy Warstwy mogą być: polikrystaliczne monokrystaliczne (epitaksjalne) amorficzne Krzem polikrystaliczny dielektryk p n n+ p n+ n++ p p Warstwa epitaksjalna Metody nanoszenia cienkich warstw Naparowanie warstw Rozpylanie jonów (sputtering) Różne metody chemicznego nanoszenia warstw z fazy gazowej (odmiany CVD Chemical Vapor Deposition) np. PECVD (Plasma Enhanced); LPCVD (Low Pressure) Epitaksja z wiązki molekularnej warstwy polikrystaliczne warstwy monokrystaliczne
5 Metody nanoszenia cienkich warstw 1. Wszystkie metody polegają na tym, że atomy (cząsteczki) nanoszonej substancji muszą zbliżyć się do podłoża, związać z nim i utworzyć odpowiedniej grubości warstwę. 2. W czasie wytwarzania cienkich warstw zachodzą konkurujące ze sobą procesy: Powodujące wzrost warstwy: 1. Osadzanie atomów na powierzchni; Powodujące zmniejszanie się warstwy: 1. Odbijanie padających atomów od powierzchni; 2. Desorpcja (parowanie) atomów z powierzchni; Nanoszenie cienkich warstw: możliwe zjawiska
6 Etapy tworzenia cienkich warstw 1. Termiczna akomodacja 2. Związanie z podłożem 3. Dyfuzja powierzchniowa 4. Zarodkowanie 5. Wzrost izolowanych wysp lub warstw 6. Łączenie się wysp 7. Dalszy wzrost 1.Termiczna akomodacja Padający jon/atom musi stracić nadmiarową energię kinetyczną. α T = E E v v Er E s Jeśli α T =0: nie ma straty energii; jest to zderzenie sprężyste i atom po prostu odbija się. Jeśli α T =1: cała nadmiarowa energia jest stracona.
7 1. Termiczna akomodacja Atomy są pułapkowane na powierzchni, jeśli E v < 25 E desorb E desorb jest zazwyczaj 1-4 ev Tzn E v < ev W większości procesów nanoszenia warstw E v < 10 ev Proces termicznej akomodacji jest szybki: około s. 2.Wiązanie z podłożem 1. Mogą zajść dwa główne przypadki: Wiązania atomów z powierzchnią mają charakter fizyczny, czyli są to słabe wiązania typu Van der Waalsa (0.01 ev) Mogą powstać typowe wiązania chemiczne różnego typu (1-10 ev)
8 3. Zarodkowanie 1. Jak powstaje klaster atomów? Podobnie, jak i wszystkie inne nowe fazy. powstaje zarodek nowej fazy; zarodek powiększa się tworząc klaster atomów; 2. Podobnie, jak w każdym procesie powstawania nowej fazy mamy dwa konkurujące ze sobą efekty: klaster ma niższą energię swobodną niż zbiór izolowanych atomów ( G V ) tzn. powstanie klastru atomów obniża energią swobodną; klaster ma wyższą energię powierzchniową niż izolowane atomy, co z kolei oznacza zwiększenie energii swobodnej i zanikanie klastrów, które są zbyt małe. 3. Zarodkowanie 1. Podobnie, jak w przypadku krystalizacji trójwymiarowej, aby cienka warstwa mogła wzrastać, muszą powstać zarodki warstwy większe niż pewien minimalny promień krytyczny.
9 3. Zarodkowanie Proces zarodkowania nie jest aż tak trudny; Podłoże nie jest ani idealnie gładkie, ani pozbawione defektów. Wszystkie nierówności, zanieczyszczenia itp. są miejscami, w których zarodki powstają bardzo łatwo. 4. Wzrost izolowanych wysp. 1. Zarodki rosnąc tworzą trójwymiarowe wyspy (taki proces następuje, gdy atomy nanoszonej warstwy silniej wiążą się ze sobą nawzajem niż z podłożem, a także, gdy dyfuzja powierzchniowa jest dość wolna).
10 4. Wzrost izolowanych wysp. 2. Zarodki rosną warstwa na warstwie (taki proces następuje, gdy atomy nanoszonej warstwy silniej wiążą się z podłożem niż ze sobą nawzajem, a także, gdy dyfuzja powierzchniowa jest szybka). Warstwy rosnące w taki sposób są zazwyczaj dobrej jakości. 4. Wzrost izolowanych wysp. 3. Mechanizm pośredni Wzrost jest najpierw warstwa po warstwie, a później tworzą się trójwymiarowe wyspy.
11 5. Dyfuzja powierzchniowa 1. Dyfuzja atomów po powierzchni warstwy pozwala na tworzenie i wzrost klastrów adsorbowanych atomów => powstaje warstwa 2. Na jakie odległości atomy dyfundują? 3. Korzystając z tego, co wiemy o dyfuzji: X D s τ Gdzie τ jest średnim czasem życia atomu na powierzchni. 5. Dyfuzja powierzchniowa Mogą zatem zajść dwa przypadki: Klaster powstanie Klaster nie powstanie
12 6. Łączenie się wysp 1. Atomy łatwo uwalniają się z małych wysp (duża energia powierzchniowa) i wędrując po powierzchni przyłączają się do wysp dużych. 6. Łączenie się wysp 2. W czasie wygrzewania obniża się energia powierzchniowa; atomy z miejsc o dużej krzywiźnie wędrują do miejsc o mniejszej krzywiźnie. 3. Małe wyspy, wykonując przypadkowe ruchy zbliżają się do wysp większych i łączą się z nimi.
13 Wybrane metody wytwarzania cienkich warstw Bardzo mało szczegółowo Naparowanie warstw 1. Nanoszony materiał jest ogrzewany przechodzi w stan pary dyfunduje poprzez próżnię a następnie osadza się na chłodniejszym podłożu 2. Procesy fizyczne: Parowanie Transport w fazie gazowej Osadzanie warstwy
14 Naparowanie warstw 1. Parowanie źródło jonów jest ogrzewane aż ciśnienie jest P vapor > 10-4 torr Niektóre związki sublimują, niektóre parują z fazy ciekłej Uwaga: niektóre związki mogą dekomponować w czasie parowania i powstaje wówczas warstwa o innej stechiometrii: np. SiO 2 --> SiO 2-x naparowane warstwy ze stopu metali nie mają takiego samego składu jak źródło (składniki parują niezależnie) Naparowanie warstw 2. Transport gazu Chcemy, żeby jak najwięcej molekuł dotarło do miejsca, gdzie mają się osadzać. To oznacza, że im mniej zderzeń między molekułami, tym lepiej. Długa droga swobodna wysoka próżnia. Im dalej od podłoża znajduje się źródło molekuł, tym lepsza powinna być próżnia. Np. dla h= cm, P < 10-5 torr
15 Naparowanie warstw 3. Osadzanie na powierzchni Grubość nanoszonej w danym czasie warstwy zależy od odległości h, kątów θ i φ, Oznacza to, że warstwa w taki sposób naniesiona nie będzie miała jednakowej grubości na całym swoim obszarze. Jednorodność warstwy jest tym lepsza im większe jest h, oraz mniejsze podłoże, na które nanosi się warstwę. To oznacza dużą komorę i wysoką próżnię Naparowanie warstw 1. Większość metali tworzących ścieżki przewodzące łączące poszczególne elementy, oraz elektrody łączące układy z zewnętrznym światem nanosi się właśnie w taki sposób (bardzo często aluminium i złoto). 2. Inne zastosowania: przemysł optyczny (lustra, warstwy pokrywające soczewki, filtry itp.)
16 Epitaksja epi: na, nad, taxis: uporządkowany Wzrost warstw monokrystalicznych na podłożach o zbliżonej strukturze krystalicznej. Epitaksja 1. Homoepitaksja: warstwa i podłoże to ten sam materiał; 2. Heteroepitaksja: warstwa i podłoże to różne materiały. 3. Epitaksja to między innymi: MBE Molecular Beam Epitaxy (epitaksja z wiązki molekularnej) MOVPE - Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Epitaksja z wykorzystaniem związków metalorganicznych w fazie pary) LPE Liquid-Phase Epitaxy (epitaksja z fazy ciekłej) VPE Vapor-Phase Epitaxy (epitaksja z fazy gazowej); lub CVD (chemical vapor deposition)
17 Epitaksja Struktury krystaliczne wytwarzanej warstwy i podłoża mogą być: Dopasowane (zazwyczaj w homo- czasem w heteroepitaksji) Epitaksja Naprężone (warstwa ma inna strukturę krystaliczną niż podłoże). Różnica między parametrami komórek elementarnych warstwy i podłoża nie może być zbyt duża. Przykład: Co ma strukturę hcp; może być w postaci warstw być wytwarzany jako fcc (do 1mm). Takie warstwy mogą mieć niezwykłe właściwości.
18 Epitaksja Zrelaksowane (warstwa rośnie tworząc dyslokacje krawędziowe) Epitaksja
19 Epitaksja z wiązki molekularnej Jest to coś w rodzaju bardzo powolnego parowania. Odbywa się w wysokiej próżni. Jest to bardzo precyzyjnie kontrolowany proces. Warstwy są bardzo dobrej jakości. Jest to metoda droga i powolna. Epitaksja z wiązki molekularnej
20 Epitaksja z wiązki molekularnej Zalety: Wysoka próżnia warstwy są bardzo czyste Precyzja na poziomie monowarstw Wady: Cena Bardzo wolna metoda Nie do wszystkiego się nadaje Epitaksja z wiązki molekularnej: wytwarzanie warstw GaN Baranowski J.M. Lasery niebieskie. Postępy Fizyki, tom50, zeszyt 6, 1999
21 CVD Wzrost warstwy wskutek reakcji chemicznych zachodzących między nanoszonymi składnikami. Nanoszone warstwy mogą być monokrystaliczne, polikrystaliczne, lub amorficzne. Chemical Vapor Deposition (CVD) Nanoszone materiały (przykłady) Dielektryki: Tlenek krzemu azotek krzemu Półprzewodniki: Krzem epitaksjalny (monokrystaliczny) i polikrystaliczny GaAs Metale: W Al Cu Ti
22 CVD Ogólny przebieg procesu przedstawia rysunek: Etapy procesu CVD 1. Transport substratów (wymuszona konwekcja) do komory 2. Transport substratów (dyfuzja) ze strumienia gazu do podłoża.
23 Etapy procesu CVD 3. Adsorpcja substartów na podłożu. 4. Procesy powierzchniowe( dekompozycja substratów lub reakcje, migracja, wiązanie z podłożem. 5. Desorpcja produktów ubocznych reaxcji. 6. Transport produktów (dyfuzja) do strumienia gazu z podłoża. 7. Transport produktów (wymuszona konwekcja) z komory. Etapy procesu CVD: ograniczenie szybkości 1. Dyfuzja. 2. Procesy powierzchniowe
24 CVD Technika CVD ma różne odmiany: 1.AP-CVD (pod ciśnieniem atmosferycznym) 2.LP-CVD (pod niskim ciśnieniem ) 3.PE-CVD (wspomagana plazmą) 4.HDP-CVD (wspomagana plazmą o dużej gęstości) CVD warstwy epitaksjalne Gdy gaz SiH 4 jest substratem w reaktorze CVD, na podłożu powstaje warstwa Si. Wielkość krystalitów zależy od temperatury. W odpowiednio wysokiej temperaturze, nanoszone atomy mają na tyle dużą energię kinetyczną że mogą przemieszczać się na powierzchni i porządkować się na niej. Wtedy powstaje warstwa monokrystaliczna.
25 CVD warstwy epitaksjalne CVD warstwy epitaksjalne Wzrost warstw w zależości od składu gazu
26 CVD warstwy epitaksjalne Epitaksja jest absolutnie niezbędna gdy potrzebujemy warstwę o większym oporze niż podłoże (obnizyć opór można poprzez domieszkowane; zwiększyć oporu się nie da). 1: dyslokacja, która jest w podłożu, została przedłużona również w warstwie epitaksjalnej. 2, 5 defekt epitaksjalny (np.. Inny kierunek wzrostu kryształu) spowodowany jakimś zanieczyszczeniem. W przypadku 5 defekt zaczyna się w podłożu. 3 Wytrącenie 4 nierówność powierzchni
27 Przykłady warstw Tworzenie warstw SiO 2 metodą CVD W niskiej temperaturze (na Al): SiH 4 +O 2 SiO 2 +H 2 (450 C) W wysokiej temperaturze (np. na polikrystalicznym-si): SiCl 2 H 2 +2N 2 O SiO 2 +2N 2 +2HCl (900 C) Cel: izolator, warstwa zabezpieczająca przed wpływem otoczenia.
28 Tworzenie warstw azotku krzemu metodą CVD Metodą niskociśnieniową CVD (LPCVD): 3SiCl 2 H 2 +4NH 3 Si 3 N 4 +6HCl+6H 2 (750 C) Metodą wspomaganą plazmą (PECVD): SiH 4 +NH 3 SiNH+3H 2 (300 C) 2SiH 4 +N 2 2SiNH+3H 2 (300 C) Cel: warstwa jest nieprzenikliwa dla tlenu, wody i sodu. Jej rolą jest polepszenie pasywacji chipu. Warstwy polikrystalicznego krzemu Niskociśnieniowa metoda CVD (LPCVD): SiH 4 Si+2H 2 (600 C) Cel: w produkcji MOS, polikrystaliczny krzem służy jako elektroda bramki ( w odróżnieniu od aluminium nie zanieczyszcza tlenku bramki (SiO 2 ) metalem, co by powodowało pogorszenie własności układu. Ponadto, polikrystaliczny Si nie degraduje się wskutek dalszych, wysokotemperaturowych etapów wytwarzania tranzystora. Domieszkowany Poly-Si jest używany jako źródło dyfuzji domieszek przy wytwarzaniu płytkich złącz n-p.
29 Warstwy metaliczne Redukcja wolframu: WF 6 +3H 2 W+6HF (600 C) Redukcja molibdenu, tantalu i tytanu: 2MCl 5 +5H 2 2M+10HCl ( C) W wielu układach MOS niezbędne jest używanie metali wytrzymujących wysokie temperatury (moc bardzo niewielkich elementów może być większa niż 10 W). Warstwy GaAs trójmetylek galu Ga(CH 3 ) 3 arsenowodór AsH 3 Gaz transportujący ( np. H 2, N 2 )
30 CVD: wytwarzanie warstw GaAs Model wzrostu warstwy w MOVPE. R 3 -CH 3, R n -CH 3, lub (CH 3 ) 2 lub (CH 3 ) 3 ( CH3) + AsH3 GaAs 3CH4 Ga + 3
Co to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowozasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych.
Cienkie warstwy Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym. Istotnym parametrem charakteryzującym
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoMateriały fotoniczne
Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,
Bardziej szczegółowoOsadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoKRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Fizyka Cienkich Warstw W-2 METODY OTRZYMYWANIA CIENKICH WARSTW (preparation methods, deposition methods, coatin technoloies) 1. Fizyczne metody otrzymywania warstw 2. Chemiczne metody otrzymywania warstw
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoFizyka Ciała Stałego
Wykład III Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć krystaliczną. Amorficzne, brak uporządkowania,
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby
Bardziej szczegółowoŁukowe platerowanie jonowe
Łukowe platerowanie jonowe Typy wyładowania łukowego w zależności od rodzaju emisji elektronów z grzaną katodą z termoemisyjną katodą z katodą wnękową łuk rozłożony łuk z wędrującą plamką katodową dr K.Marszałek
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2
Bardziej szczegółowodr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoMIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie
MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: Podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG
Technologie wytwarzania Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów IV. Źródła i rozmnażanie się dyslokacji
Bardziej szczegółowoCzym się różni ciecz od ciała stałego?
Szkła Czym się różni ciecz od ciała stałego? gęstość Czy szkło to ciecz czy ciało stałe? Szkło powstaje w procesie chłodzenia cieczy. Czy szkło to ciecz przechłodzona? kryształ szkło ciecz przechłodzona
Bardziej szczegółowoSynteza Nanoproszków Metody Chemiczne II
Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Bottom Up Metody chemiczne Wytrącanie, współstrącanie, Mikroemulsja, Metoda hydrotermalna, Metoda solwotermalna, Zol-żel, Synteza fotochemiczna, Synteza sonochemiczna,
Bardziej szczegółowoStan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny
Stan Krystaliczny Stan krystaliczny Stan krystaliczny jest podstawową formą występowania nieorganicznych ciał stałych w przyrodzie (dlaczego?). Cechą wyróżniającą kryształy jest ich uporządkowana, periodyczna
Bardziej szczegółowoAzotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu
Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowoEkspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoZjawiska powierzchniowe
Zjawiska powierzchniowe Adsorpcja Model Langmuira Model BET 1 Zjawiska powierzchniowe Adsorpcja Proces gromadzenia się substancji z wnętrza fazy na granicy międzyfazowej; Wynika z tego, że w obszarze powierzchniowym
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis
Wykład II Monokryształy Jerzy Lis Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów - krystalografia 3. Budowa kryształów rzeczywistych defekty WPROWADZENIE Stan krystaliczny jest podstawową
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Bardziej szczegółowoCzyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z
to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoLaboratorium inżynierii materiałowej LIM
Laboratorium inżynierii materiałowej LIM wybrane zagadnienia fizyki ciała stałego czyli skrót skróconego skrótu dr hab. inż.. Ryszard Pawlak, P prof. PŁP Fizyka Ciała Stałego I. Wstęp Związki Fizyki Ciała
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów II. semestr Wstęp 16 luty 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01 ext. 3363 E-mail:
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoTechnologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk
Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej... INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice... Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Struktura materiałów
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor
Bardziej szczegółowoPraca objętościowa - pv (wymiana energii na sposób pracy) Ciepło reakcji Q (wymiana energii na sposób ciepła) Energia wewnętrzna
Energia - zdolność danego układu do wykonania dowolnej pracy. Potencjalna praca, którą układ może w przyszłości wykonać. Praca wykonana przez układ jak i przeniesienie energii może manifestować się na
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
STRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Stop tworzywo składające się z metalu stanowiącego osnowę, do którego
Bardziej szczegółowoOpracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowodr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej
dr inż. Beata Brożek-Pluska La boratorium La serowej Spektroskopii Molekularnej PŁ Powierzchniowo wzmocniona sp ektroskopia Ramana (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowo1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych.
Tematy opisowe 1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych. 2. Dlaczego do kadłubów statków, doków, falochronów i filarów mostów przymocowuje się płyty z
Bardziej szczegółowometody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe
metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe mgr inż. Ewelina Piwowarczyk Uniwersytet Jagielloński Wydział Chemii 1 Metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe Katalizatory na nośniku
Bardziej szczegółowoPolitechnika Koszalińska
Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowoOgniwa fotowoltaiczne wykorzystanie w OZE
Ogniwa fotowoltaiczne wykorzystanie w OZE Fizyka IV Michał Trojgo, gr 1.3 Energia Słońca Do górnych warstw atmosfery Ziemi dociera promieniowanie słoneczne o natężeniu napromieniowania 1366,1 W/m². Oznacza
Bardziej szczegółowoSonochemia. Schemat 1. Strefy reakcji. Rodzaje efektów sonochemicznych. Oscylujący pęcherzyk gazu. Woda w stanie nadkrytycznym?
Schemat 1 Strefy reakcji Rodzaje efektów sonochemicznych Oscylujący pęcherzyk gazu Woda w stanie nadkrytycznym? Roztwór Znaczne gradienty ciśnienia Duże siły hydrodynamiczne Efekty mechanochemiczne Reakcje
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoMarek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
Bardziej szczegółowoBadania własności optycznych grafenu
Badania własności optycznych grafenu Mateusz Klepuszewski 1, Aleksander Płocharski 1, Teresa Kulka 2, Katarzyna Gołasa 3 1 III Liceum Ogólnokształcące im. Unii Europejskiej, Berlinga 5, 07-410 Ostrołęka
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 4
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoWybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB
Wybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB Projekt współfinansowany z Europejskiego Funduszu Społecznego i Budżetu Państwa Rozwój wykorzystania
Bardziej szczegółowo1) Rozmiar atomu to około? Która z odpowiedzi jest nieprawidłowa? a) 0, m b) 10-8 mm c) m d) km e) m f)
1) Rozmiar atomu to około? Która z odpowiedzi jest nieprawidłowa? a) 0,0000000001 m b) 10-8 mm c) 10-10 m d) 10-12 km e) 10-15 m f) 2) Z jakich cząstek składają się dodatnio naładowane jądra atomów? (e
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoSzkła. Forma i odlewy ze szkła kwarcowego wykonane w starożytnym Egipcie (około roku 2500 p.n.e.)
Szkła metaliczne Szkła cdn.gemrockauctions.com/uploads/images/275000-279999/276152/276152_1338954219.jpg American Association for the Advancement of Science Grot ze szkła wulkanicznego obsydianu (epoka
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoPlan wykładu. Pasma w krysztale. Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe. Heterostruktury półprzewodnikowe
Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe Plan wykładu Pasma w krysztale Powtórzenie. Pasma w półprzewodnikach Heterostruktury półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoZaburzenia periodyczności sieci krystalicznej
Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej Defekty liniowe dyslokacja krawędziowa dyslokacja śrubowa dyslokacja mieszana Defekty punktowe obcy atom w węźle luka w sieci (defekt Schottky ego) obcy atom
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoSYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników
SYLABUS Nazwa przedmiotu Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Chemiczna obróbka metali i półprzewodników Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia
Bardziej szczegółowoMateriały w optoelektronice
Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE 1 Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 4 v.16 Wiązanie metaliczne Wiązanie metaliczne Zajmujemy się tylko metalami dlatego w zasadzie interesuje nas tylko wiązanie metaliczne.
Bardziej szczegółowoNiektóre zagadnienia inżynierii materiałowej, w których dyfuzja odgrywa podstawową rolę.
Niektóre zagadnienia inżynierii materiałowej, w których dyfuzja odgrywa podstawową rolę. 1. Przewodnictwo jonowe. 2. Domieszkowanie półprzewodników. 3. Dyfuzja reakcyjna. 4. Synteza w fazie stałej. 5.
Bardziej szczegółowo