Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych"

Transkrypt

1 Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

2 Wytwarzanie monokryształów Metoda Czochralskiego Metoda Czochralskiego polega na powolnym wyciąganiu zarodka z tygla z roztopionym półprzewodnikiem. Tygiel ogrzewany jest piecem indukcyjnym. Do stopu można dodać domieszki, otrzymując półprzewodnik odpowiedniego typu.

3 Wytwarzanie monokryształów Metoda Czochralskiego Jan Czochralski Monokryształy krzemu

4 Wytwarzanie monokryształów Oczyszczanie metodą topienia strefowego Zanieczyszczenia mają skłonność do gromadzenia się w stopionej strefie pręta. Proces czyszczenia strefowego powtarza się wielokrotnie. Koniec pręta, w którym zgromadziły się domieszki jest odrzucany.

5 Wytwarzanie monokryształów Gotowy monokrystaliczny pręt z półprzewodnika przecina się (lub rozłupuje) na krążki, które następnie szlifuje się i wytrawia w celu oczyszczenia powierzchni. Krążki półprzewodnika o znormalizowanej średnicy, grubości i typie domieszkowania są podstawowym półproduktem do produkcji elementów półprzewodnikowych.

6 Wytwarzanie monokryształów Średnica krążka (zwanego powszechnie waflem ) ma zasadnicze znaczenie dla liczby struktur wytwarzanych w jednym przebiegi procesów technologicznych (a co zatem idzie ich ceny).

7 Wytwarzanie złącz p n tranzystory ostrzowe Pierwsze seryjnie produkowane tranzystory ostrzowe - początek lat 50 Technologia historyczna

8 Wytwarzanie złącz p n tranzystory stopowe W płytkę germanu typu n wtapia się kulki indu otrzymując tranzystor pnp. Technologia historyczna

9 Wytwarzanie złącz p n tranzystory stopowo dyfuzyjne W procesie produkcyjnym po nagrzaniu struktury zachodzi dyfuzja domieszek obu rodzajów, umożliwiając osiągnięcie gradientu domieszek w obszarze bazy. Technologia historyczna

10 Wytwarzanie złącz p n złącza wyciągane Metoda polega na dodawaniu do stopu, z którego wyciąga się pręt półprzewodnika zarówno domieszki akceptorowej i donorowej. Obecnie nie wytwarza się w ten sposób tranzystorów, ale metoda jest stosowana do wytwarzania fotoogniw.

11 Wytwarzanie złącz p n złącza wyciągane Domieszki akceptorowe i donorowe wbudowują się w kryształ półprzewodnika w różnym stopniu w zależności od prędkości wzrostu kryształu. Dobierając odpowiednie stężenie domieszek obu rodzajów w stopie i regulując prędkość wzrostu kryształu można wyhodować kryształ zawierający naprzemiennie ułożone warstwy n i p.

12 Wytwarzanie złącz p n tranzystory planarne Tranzystory planarne wytwarzane są metodą wielokrotnej dyfuzji domieszek z fazy gazowej.

13 Wytwarzanie złącz p n dyfuzja domieszek Proces wytwarzania elementów półprzewodnikowych metodą dyfuzji polega na parokrotnym przeprowadzeniu operacji: - utleniania powierzchni półprzewodnika - naświetleniu maski metodą foto-(lub elektrono-)litograficzną - wytrawieniu maski (roztworem HF) - wykonaniu dyfuzji domieszki -... Piec do dyfuzji i utleniania

14 Wytwarzanie złącz p n tranzystor planarny 1) Po utlenianiu, litografii i wytrawianiu 2) Po dyfuzji akceptora i powtórnym utlenieniu 3) Po powtórnej litografii i wytrawieniu 4) Po trzecim utlenianiu 5) Po trzeciej litografii i wytrawieniu 6) Po naniesieniu metalowych odprowadzeń (metalizacji) - gotowa struktura

15 Implantacja jonów Metoda implantacji jonów pozwala na bardzo dokładne i precyzyjne domieszkowanie. Energia stosowanych jonów to kev

16 Implantacja jonów Ponieważ jony o dużej energii niszczą strukturę materiału, po implantacji konieczne jest wygrzewanie w wysokiej temperaturze by zrelaksować defekty. Instalacja implantacji jonów w fabryce Intela w Jerozolimie.

17 Epitaksja Epitaksja jest to proces wytwarzania monokrystalicznych warstw półprzewodnika na monokrystalicznym podłożu, przy zachowaniu jego budowy krystalograficznej.

18 Epitaksja Pierwszy rodzaj epitaksji to osadzanie materiału takiego jak samo podłoże na przykład osadzanie krzemu na krzemowym podłożu tak zwana homoepitaksja. Celem procesu jest wytworzenie warstwy różniącej się istotnymi cechami od podłoża. I tak na przykład może różnić się typem przewodnictwa, co umożliwi otrzymanie złącza p n.

19 Epitaksja W drugim przypadku osadzany materiał jest różny od materiału podłoża, na przykład krzem na Al2O3 mówimy wtedy o heteroepitaksji. Identyczność sieci krystalograficznej obu warstw jest podstawowym warunkiem epitaksji. Epitaksja jest w zasadzie jedyną metodą wytworzenia dobrej jakości kryształów półprzewodników będących związkami chemicznymi.

20 Epitaksja Podstawowe metody epitaksji to: 1) Epitaksja z fazy gazowej (VPE - Vapor Phase Epitaxy) 2) Epitaksja z fazy ciekłej (LPE - Liquid Phase Epitaxy) 3) Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy) 4) Metoda dekompozycji związków metaloorganicznych (Metal Organic Chemical Vapour Deposition MOCVD)

21 Epitaksja Epitaksja z fazy gazowej VPE Vapor Phase Epitaxy Stosuje się gaz, który w ogrzewanym piecem indukcyjnym reaktorze rozkłada się, a jeden (lub więcej) z produktów rozkładu osadza się na powierzchni substratu.

22 Epitaksja Epitaksja z fazy ciekłej LPE Liquid Phase Epitaxy Metoda polega na krystalizacji na powierzchni substratu warstwy pochodzącej ze składników znajdujących się w cieczy będącej w kontakcie z substratem. Wymaga dobrej kontroli temperatury, charakteryzuje się dużą prędkością wzrostu. Została wprowadzona w latach 60 i jest masowo stosowana do dziś, choć powstały metody precyzyjniejsze.

23 Epitaksja Epitaksja z fazy ciekłej LPE Liquid Phase Epitaxy Przykład zastosowania metody epitaksji z fazy ciekłej do wytwarzania warstw AlGaAs/GaGa na podłożu GaAs.

24 Epitaksja Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy)

25 Epitaksja Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy) Poszczególne składniki są naparowywane z indywidualnych dział molekularnych (ang. effusion cells).

26 Epitaksja Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy) Metodą MBE można otrzymać warstwy o bardzo dobrej jakości i czystości.

27 Epitaksja Metoda rozkładu par związków metaloorganicznych Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Metoda MOCVD polega na rozkładzie związków metaloorganicznych na substracie rozgrzanym w piecu indukcyjnym do temperatury zwykle około 500 do 700 C. Reakcja przeprowadzana jest w atmosferze wodoru. Prekursorami struktury GaAs mogą być na przykład - dla grupy V AsH3 a dla grupy III - Ga(CH3)3 (TMG).

28 Epitaksja Metoda rozkładu par związków metaloorganicznych Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD)

29 Epitaksja Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Rzeczywisty wygląd aparatury do epitaksji metodą rozkładu par związków metaloorganicznych (po prawej).

30 Wytwarzanie tranzystorów tranzystor epitaksjalno planarny (epiplanarny) Tranzystory epiplanarne to najczęściej współcześnie produkowany rodzaj tranzystorów. Technologie stosowane do ich produkcji znajdują oczywiście zastosowanie przy produkcji innych elementów półprzewodnikowych, a także układów scalonych.

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Domieszkowanie półprzewodników

Domieszkowanie półprzewodników Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano

Bardziej szczegółowo

Technologia planarna

Technologia planarna Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych

Bardziej szczegółowo

Co to jest cienka warstwa?

Co to jest cienka warstwa? Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach

Bardziej szczegółowo

Przyrządy Półprzewodnikowe

Przyrządy Półprzewodnikowe KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,

Bardziej szczegółowo

Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu

Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Wojciech Gieszczyk Raport sporządzony w ramach czwartego etapu Umowy o Dzieło Autorskie

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów

Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów KATEDRA INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ I SPAJANIA ZAKŁAD INŻYNIERII SPAJANIA Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów Wykład 12 Lutowanie miękkie (SOLDERING) i twarde (BRAZING) dr inż. Dariusz Fydrych Kierunek

Bardziej szczegółowo

Technologie elektroniki

Technologie elektroniki Technologie elektroniki Czynniki wpływające na procesy technologiczne Zanieczyszczenie powietrza drobinami Skład powietrza Ciśnienie Temperatura i wilgotność Poziom hałasu i wibracji Pole elektromagnetyczne

Bardziej szczegółowo

Konstrukcja I technologia tranzystora MESFET

Konstrukcja I technologia tranzystora MESFET Lech DOBRZAŃSKI, Wiesław MARCINIAK, Andrzej TUMAŃSKI INSTYTUT TECHNaOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa Konstrukcja I technologia tranzystora MESFET 1. WSTĘP Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie płyt krzemowych. Wytwarzanie monokryształu krzemu Ci cie Polerowanie mechaniczne i chemiczne Ko cowe czyszczenie, kontrola i pakowanie

Wytwarzanie płyt krzemowych. Wytwarzanie monokryształu krzemu Ci cie Polerowanie mechaniczne i chemiczne Ko cowe czyszczenie, kontrola i pakowanie Wytwarzanie płyt krzemowych Wytwarzanie monokryształu krzemu Ci cie Polerowanie mechaniczne i chemiczne Ko cowe czyszczenie, kontrola i pakowanie Wytwarzanie płyt krzemowych Wytwarzanie monokryształu krzemu

Bardziej szczegółowo

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl

Bardziej szczegółowo

Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7

Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Hodowanie Z masy stopionej z roztworu z fazy gazowej z fazy stałej (tzw. rekrystalizacja) Hodowanie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud.

Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud. Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud. M-4, p.103 Czwartek 730-900 Wykład _2 Dyfuzja, trawienie, wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Wybrane Procesy i Materiały Stosowane Przy Wytwarzaniu Układów Scalonych. Fotolitografia

Wybrane Procesy i Materiały Stosowane Przy Wytwarzaniu Układów Scalonych. Fotolitografia 1 Wybrane Procesy i Materiały Stosowane Przy Wytwarzaniu Układów Scalonych 2 Fotolitografia Photolithography operator with a photomask in a "yellow room " 3 source: Solid State Technology, 2012 Widmo emisyjne

Bardziej szczegółowo

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki Osiągnięcia Zebranie krzywych świecenia termicznie i optycznie stymulowanej luminescencji domieszkowanych i niedomieszkowanych kryształów ortokrzemianów lutetu itru i gadolinu. Stwierdzenie różnic we własnościach

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE 1 Monokryształy można otrzymywać: z fazy stałej: W wyniku przemiany fazowej w stanie stałym ( np. w przemianach metamorficznych w procesach geologicznych)

Bardziej szczegółowo

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających Jerzy SKWARCZ, Elżbieta N0SSARZEWSKA-0RL0W5KA INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających Przedstawiono

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. 1 Monokryształy można otrzymywać:

Bardziej szczegółowo

Technologia w elektronice

Technologia w elektronice Technologia w elektronice Procesy technologiczne 1. Wytwarzanie Si 2. Domieszkowanie 3. Wytwarzanie i usuwanie warstw izolatora. Cienkie warstwy. 4. Litografia. 5. Montowanie kontaktów. 1 Litografia Fotolitografia

Bardziej szczegółowo

SŁAWOMIR WIAK (redakcja)

SŁAWOMIR WIAK (redakcja) SŁAWOMIR WIAK (redakcja) Akademicka Oficyna Wydawnicza EXIT Recenzenci: Prof. Janusz Turowski Politechnika Łódzka Prof. Ewa Napieralska Juszczak University Lille Nord de France, LSEE, UA, Francja Autorzy

Bardziej szczegółowo

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI)

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) Metalurgia proszków jest dziedziną techniki, obejmującą metody wytwarzania proszków metali lub ich mieszanin z proszkami niemetali oraz otrzymywania wyrobów z tych proszków

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Śląski Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach Instytut Nauki o Materiałach. Krzysztof Szostek. Promotor pracy:

Uniwersytet Śląski Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach Instytut Nauki o Materiałach. Krzysztof Szostek. Promotor pracy: Uniwersytet Śląski Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach Instytut Nauki o Materiałach PRACA DOKTORSKA Krystalizacja kierunkowa i właściwości kompozytu eutektycznego CoSi 2 -Si Krzysztof Szostek Promotor

Bardziej szczegółowo

WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY

WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w ICM

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne:

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne: Metody łączenia metali rozłączne nierozłączne: Lutowanie: łączenie części metalowych za pomocą stopów, zwanych lutami, które mają niższą od lutowanych metali temperaturę topnienia. - lutowanie miękkie

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2

Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2 Wydział Chemii Uniwersytet Warszawski Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2 za okres: 01.07.2009-31.03.2012 Zadanie 1.2 Opracowanie technologii nanowłókien SiC dla nowej generacji czujnika wodoru

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.8

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

SKRUBERY. Program Odor Stop

SKRUBERY. Program Odor Stop Program Odor Stop SKRUBERY PROGRAM ODOR STOP Firma oferuje różne technologie w celu zmniejszenia uciążliwości zapachowej. Firma specjalizuje się w stosowaniu takich technologii jak: bariery antyodorowe,

Bardziej szczegółowo

Wzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza

Wzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza Wzrost objętościowy z fazy gazowej Krzysztof Grasza Instytut Fizyki PAN Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WARSZAWA Część pierwsza Zakres stosowalności metody krystalizacji z fazy gazowej,

Bardziej szczegółowo

Produkcja procesorów i półprzewodników - od piasku do procesora

Produkcja procesorów i półprzewodników - od piasku do procesora Produkcja procesorów i półprzewodników - od piasku do procesora Ze strony frazpc.pl Produkcja procesorów i półprzewodników - od piasku do procesora Firmy takie jak Intel czy AMD, wprowadzając nowe procesory

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

PL B1. W.C. Heraeus GmbH,Hanau,DE ,DE, Martin Weigert,Hanau,DE Josef Heindel,Hainburg,DE Uwe Konietzka,Gieselbach,DE

PL B1. W.C. Heraeus GmbH,Hanau,DE ,DE, Martin Weigert,Hanau,DE Josef Heindel,Hainburg,DE Uwe Konietzka,Gieselbach,DE RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 204234 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 363401 (51) Int.Cl. C23C 14/34 (2006.01) B22D 23/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F

1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W PILE INSTYTUT POLITECHNICZNY Zakład Budowy i Eksploatacji Maszyn PRACOWNIA TERMODYNAMIKI TECHNICZNEJ INSTRUKCJA Temat ćwiczenia: WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEWODNOŚCI

Bardziej szczegółowo

NOWOCZESNE METODY POWLEKANIA NA SUCHO. opracował GRZEGORZ BUOKO

NOWOCZESNE METODY POWLEKANIA NA SUCHO. opracował GRZEGORZ BUOKO NOWOCZESNE METODY POWLEKANIA NA SUCHO opracował GRZEGORZ BUOKO POWLEKANIE NA SUCHO metoda bez użycia wody lub przy zminimalizowaniu jej ilości w stosunku do powlekanego materiału; zlikwidowanie etapu suszenia

Bardziej szczegółowo

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4 MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li 4.6 10 1.1 10 8 1.3 10 8 4.7 5.5 10 4 a.5 0.9 1.1 3.1 3.7 K 1.34 0.73 0.85.1.4 Rb 1.08 0.68 0.79

Bardziej szczegółowo

Oferta handlowa. Witamy. Prezentujemy firmę zajmującą się między innymi dostarczaniem dla naszych klientów sit molekularnych.

Oferta handlowa. Witamy. Prezentujemy firmę zajmującą się między innymi dostarczaniem dla naszych klientów sit molekularnych. Oferta handlowa Witamy Prezentujemy firmę zajmującą się między innymi dostarczaniem dla naszych klientów sit molekularnych. Naszym głównym celem jest dostarczenie klientom najwyższej jakości produkt w

Bardziej szczegółowo

SZYBKOŚĆ REAKCJI CHEMICZNYCH. RÓWNOWAGA CHEMICZNA

SZYBKOŚĆ REAKCJI CHEMICZNYCH. RÓWNOWAGA CHEMICZNA SZYBKOŚĆ REAKCJI CHEMICZNYCH. RÓWNOWAGA CHEMICZNA Zadania dla studentów ze skryptu,,obliczenia z chemii ogólnej Wydawnictwa Uniwersytetu Gdańskiego 1. Reakcja między substancjami A i B zachodzi według

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr

Bardziej szczegółowo

OFERTA TEMATÓW PRAC DYPLOMOWYCH dla specjalności/ kierunków dyplomowania do zrealizowania w Katedrze Aparatury i Maszynoznawstwa Chemicznego

OFERTA TEMATÓW PRAC DYPLOMOWYCH dla specjalności/ kierunków dyplomowania do zrealizowania w Katedrze Aparatury i Maszynoznawstwa Chemicznego dla specjalności/ kierunków TECHNOLOGIE OCHRONY Temat pracy Optymalizacja roztworów chemicznych roztwarzających poszczególne warstwy w fotowoltaicznych ogniwach krzemowych mgr inż. Piotr Ostrowski W technologii

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

ODZYSK CZYNNIKÓW ZIĘBNICZYCH

ODZYSK CZYNNIKÓW ZIĘBNICZYCH ODZYSK CZYNNIKÓW ZIĘBNICZYCH Definicja pojęcia odzysku wg normy ISO 11650R: Odzysk (ang. recovery), to operacja ściągania czynnika chłodniczego z eksploatowanych, naprawianych, a takŝe złomowanych urządzeń

Bardziej szczegółowo

Politechnika Łódzka Wydział Mechaniczny Instytut Inżynierii Materiałowej

Politechnika Łódzka Wydział Mechaniczny Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka Wydział Mechaniczny Instytut Inżynierii Materiałowej LABORATORIUM NAUKI O MATERIAŁACH Ćwiczenie nr 9 Temat: Obróbki cieplno-chemiczne i powierzchniowe Łódź 2010 1 1. Wstęp teoretyczny

Bardziej szczegółowo

Ogniwa fotowoltaiczne - najnowsze rozwiązania Trendy rozwojowe współczesnych ogniw fotowoltaicznych

Ogniwa fotowoltaiczne - najnowsze rozwiązania Trendy rozwojowe współczesnych ogniw fotowoltaicznych Ogniwa fotowoltaiczne - najnowsze rozwiązania Trendy rozwojowe współczesnych ogniw fotowoltaicznych mgr inż. Szymon Witoszek www.emiter.net.pl KOSZT WYGENEROWANIA ENERGII ZE ZDEFINIOWANEGO ŹRÓDŁA KRYTERIA

Bardziej szczegółowo

I Wymagania techniczne dla projektowania:

I Wymagania techniczne dla projektowania: Rzeszów, 28.05.2015 Adamet Witold Gajdek, Adam Pęczar sp. jawna ul. Chmaja 4 35-021 Rzeszów Dot. Zapytanie ofertowe dotyczące projektu Opracowanie technologii i uruchomienie produkcji wyrobów ze stopów

Bardziej szczegółowo

VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Oporność właściwa (Ωm) 1 VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: pomiar zależności oporności elektrycznej (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury,

Bardziej szczegółowo

Sposób i urządzenie do odzysku materiałów krzemowych z ogniw fotowoltaicznych

Sposób i urządzenie do odzysku materiałów krzemowych z ogniw fotowoltaicznych Sposób i urządzenie do odzysku materiałów krzemowych z ogniw fotowoltaicznych 5 30 Przedmiotem wynalazku jest sposób i urządzenie do kontrolowanego i automatycznego odzysku materiałów krzemowych z ogniw

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW BUDOWY URZĄDZEŃ DLA PROCESÓW MECHANICZNYCH

LABORATORIUM PODSTAW BUDOWY URZĄDZEŃ DLA PROCESÓW MECHANICZNYCH LABORATORIUM PODSTAW BUDOWY URZĄDZEŃ DLA PROCESÓW MECHANICZNYCH Temat: Badanie cyklonu ZAKŁAD APARATURY PRZEMYSŁOWEJ POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ BMiP 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie

Bardziej szczegółowo

WPŁYW RÓŻNOWARTOŚCIOWYCH DOMIESZEK NA SZYBKOŚĆ WZROSTU ZGORZELIN NA METALACH (TEORIA HAUFFEGO-WAGNERA)

WPŁYW RÓŻNOWARTOŚCIOWYCH DOMIESZEK NA SZYBKOŚĆ WZROSTU ZGORZELIN NA METALACH (TEORIA HAUFFEGO-WAGNERA) WPŁYW RÓŻNOWARTOŚCIOWYCH DOMIEZEK NA ZYBKOŚĆ WZROTU ZGORZELIN NA METALACH (TEORIA HAUFFEGO-WAGNERA) 1. K. Hauffe, Progress in Metal Physic, 4, 71 (1953).. P. Kofstad, Nonstoichiometry, diffusion and electrical

Bardziej szczegółowo

LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW

LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW Cechy laserowych operacji technologicznych Promieniowanie laserowe umożliwia wykonanie wielu dokładnych operacji technologicznych Na różnych materiałach: o Trudno obrabialnych

Bardziej szczegółowo

O złączu p-n możliwie najprościej

O złączu p-n możliwie najprościej O złączu p-n możliwie najprościej strona 1/10 Robert Pełka Złącze p-n, warstwa graniczna między półprzewodnikami typu p i typu n, jest bez wątpienia jednym z najważniejszych obiektów badanych przez fizyków.

Bardziej szczegółowo

Badania własności optycznych grafenu

Badania własności optycznych grafenu Badania własności optycznych grafenu Mateusz Klepuszewski 1, Aleksander Płocharski 1, Teresa Kulka 2, Katarzyna Gołasa 3 1 III Liceum Ogólnokształcące im. Unii Europejskiej, Berlinga 5, 07-410 Ostrołęka

Bardziej szczegółowo

Strumień pola elektrycznego i prawo Gaussa

Strumień pola elektrycznego i prawo Gaussa Strumień pola elektrycznego i prawo Gaussa Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Strumień pola

Bardziej szczegółowo

PLAN PRODUKCJI URZĄDZEŃ DO WYTWARZANIA GRAFENU NA PODŁOŻACH METALOWYCH

PLAN PRODUKCJI URZĄDZEŃ DO WYTWARZANIA GRAFENU NA PODŁOŻACH METALOWYCH PLAN PRODUKCJI URZĄDZEŃ DO WYTWARZANIA GRAFENU NA PODŁOŻACH METALOWYCH WOJCIECH MODRZYK GLOBALNA STRUKTURA SECO/WARWICK SA, Poland (HQ) SECO/WARWICK Corp.USA SECO/WARWICK ThermAl RETECH S/W GROUP USA SECO/WARWICK

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Uzdatnianie wody. Ozon posiada wiele zalet, które wykorzystuje się w uzdatnianiu wody. Oto najważniejsze z nich:

Uzdatnianie wody. Ozon posiada wiele zalet, które wykorzystuje się w uzdatnianiu wody. Oto najważniejsze z nich: Ozonatory Dezynfekcja wody metodą ozonowania Ozonowanie polega na przepuszczaniu przez wodę powietrza nasyconego ozonem O3 (tlenem trójatomowym). Ozon wytwarzany jest w specjalnych urządzeniach zwanych

Bardziej szczegółowo

PL 178509 B1 (13) B1. (51) IntCl6: C23C 8/26. (54) Sposób obróbki cieplno-chemicznej części ze stali nierdzewnej

PL 178509 B1 (13) B1. (51) IntCl6: C23C 8/26. (54) Sposób obróbki cieplno-chemicznej części ze stali nierdzewnej RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 178509 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 305287 (22) Data zgłoszenia: 03.10.1994 (51) IntCl6: C23C 8/26 (54)

Bardziej szczegółowo

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203790 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366689 (51) Int.Cl. C25D 5/18 (2006.01) C25D 11/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 1607168. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 14.04.2005 05008216.

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 1607168. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 14.04.2005 05008216. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 1607168 (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 14.04.2005 05008216.3 (13) (51) T3 Int.Cl. B23K 35/38 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW

LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW Promieniowanie laserowe umożliwia wykonanie wielu dokładnych operacji technologicznych na różnych materiałach: o trudno obrabialnych takich jak diamenty, metale twarde, o miękkie

Bardziej szczegółowo

2. Podczas spalania 2 objętości pewnego gazu z 4 objętościami H 2 otrzymano 1 objętość N 2 i 4 objętości H 2O. Jaki gaz uległ spalaniu?

2. Podczas spalania 2 objętości pewnego gazu z 4 objętościami H 2 otrzymano 1 objętość N 2 i 4 objętości H 2O. Jaki gaz uległ spalaniu? 1. Oblicz, ilu moli HCl należy użyć, aby poniższe związki przeprowadzić w sole: a) 0,2 mola KOH b) 3 mole NH 3 H 2O c) 0,2 mola Ca(OH) 2 d) 0,5 mola Al(OH) 3 2. Podczas spalania 2 objętości pewnego gazu

Bardziej szczegółowo

STALE STOPOWE KONSTRUKCYJNE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

STALE STOPOWE KONSTRUKCYJNE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego STALE STOPOWE KONSTRUKCYJNE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego STALE STOPOWE KONSTRUKCYJNE Ważniejsze grupy stali: stale spawalne o podwyższonej

Bardziej szczegółowo

KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE PROCESU PROJEKTOWANIA ODSTOJNIKA

KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE PROCESU PROJEKTOWANIA ODSTOJNIKA Piotr KOWALIK Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie Studenckie Koło Naukowe Informatyków KOMPUTEROWE WSPOMAGANIE PROCESU PROJEKTOWANIA ODSTOJNIKA 1. Ciekłe układy niejednorodne Ciekły układ niejednorodny

Bardziej szczegółowo

SPRAWOZDANIE NAUKOWE

SPRAWOZDANIE NAUKOWE P R O J E K T B A D A W C Z Y Z A M A W I A N Y PBZ-MiN-9/T11/23 Elementy i moduły optoelektroniczne do zastosowań w medycynie, przemyśle, ochronie środowiska i technice wojskowej SPRAWOZDANIE NAUKOWE

Bardziej szczegółowo

SPECYFIKACJA TECHNICZNA M.14.02.01.

SPECYFIKACJA TECHNICZNA M.14.02.01. SPECYFIKACJA TECHNICZNA M.14.02.01. POKRYWANIE POWŁOKAMI MALARSKIMI ELEMENTÓW KONSTRUKCJI MOSTOWYCH 1. Wstęp 1.1. Przedmiot ST Przedmiotem niniejszej Specyfikacji Technicznej są wymagania dotyczące wykonania

Bardziej szczegółowo

Grafen perspektywy zastosowań

Grafen perspektywy zastosowań Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań 2 3.1 Procesory... 2 3.2 Analogoweelementy... 3 3.3 Czujniki...

Bardziej szczegółowo

Technologie powierzchniowe. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG

Technologie powierzchniowe. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie powierzchniowe Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Warstwa wierzchnia to część materiału, z jednej strony ograniczona rzeczywistą powierzchnią ciała stałego, a z drugiej materiałem

Bardziej szczegółowo

KRYSZTAŁY Czy tylko służą jako ozdoba czy też mogą być nam do czegoś przydatne? Jan Biernacki i Jakub Satora Klasa Ib, Gimnazjum nr 1 w Krakowie

KRYSZTAŁY Czy tylko służą jako ozdoba czy też mogą być nam do czegoś przydatne? Jan Biernacki i Jakub Satora Klasa Ib, Gimnazjum nr 1 w Krakowie KRYSZTAŁY Czy tylko służą jako ozdoba czy też mogą być nam do czegoś przydatne? Jan Biernacki i Jakub Satora Klasa Ib, Gimnazjum nr 1 w Krakowie Spis treści 1. Czym są kryształy? 2. Rodzaje kryształów

Bardziej szczegółowo

KATEDRA WYTRZYMAŁOŚCI MATERIAŁÓW I METOD KOMPUTEROWYCH MECHANIKI. Wydział Mechaniczny Technologiczny POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH

KATEDRA WYTRZYMAŁOŚCI MATERIAŁÓW I METOD KOMPUTEROWYCH MECHANIKI. Wydział Mechaniczny Technologiczny POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH KATEDRA WYTRZYMAŁOŚCI MATERIAŁÓW I METOD KOMPUTEROWYCH MECHANIKI Wydział Mechaniczny Technologiczny POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH PRACA DYPLOMOWA MAGISTERSKA Obliczenie rozkładu temperatury generującego

Bardziej szczegółowo

1. Podstawowe prawa i pojęcia chemiczne

1. Podstawowe prawa i pojęcia chemiczne 1. PODSTAWOWE PRAWA I POJĘCIA CHEMICZNE 5 1. Podstawowe prawa i pojęcia chemiczne 1.1. Wyraź w gramach masę: a. jednego atomu żelaza, b. jednej cząsteczki kwasu siarkowego. Odp. 9,3 10 23 g; 1,6 10 22

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda

Bardziej szczegółowo

TECHNICZNE PROBLEMY KRYSTALIZACJI METODĄ CZOCHRALSKIEGO

TECHNICZNE PROBLEMY KRYSTALIZACJI METODĄ CZOCHRALSKIEGO PL I S S N 0 2 0 9-0 0 5 8 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 2 2-1994 NR 3 TECHNICZNE PROBLEMY KRYSTALIZACJI METODĄ CZOCHRALSKIEGO Tadeusz Łukasiewicz, Zygmunt Łuczyński, Jarosław Kisielewski W pracy omówiono

Bardziej szczegółowo

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK PL - 02-668 WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Tel. (48-22) 843 66 01 Fax. (48-22) 843 09 26 REGON: P-000326061, NIP: 525-000-92-75 DZPIE/004/2010 Specyfikacja istotnych

Bardziej szczegółowo

Zadanie 2. (1 pkt) Uzupełnij tabelę, wpisując wzory sumaryczne tlenków w odpowiednie kolumny. CrO CO 2 Fe 2 O 3 BaO SO 3 NO Cu 2 O

Zadanie 2. (1 pkt) Uzupełnij tabelę, wpisując wzory sumaryczne tlenków w odpowiednie kolumny. CrO CO 2 Fe 2 O 3 BaO SO 3 NO Cu 2 O Test maturalny Chemia ogólna i nieorganiczna Zadanie 1. (1 pkt) Uzupełnij zdania. Pierwiastek chemiczny o liczbie atomowej 16 znajduje się w.... grupie i. okresie układu okresowego pierwiastków chemicznych,

Bardziej szczegółowo

Milena Oziemczuk. Temperatura

Milena Oziemczuk. Temperatura Milena Oziemczuk Temperatura Informacje ogólne Temperatura jest jedną z podstawowych wielkości fizycznych w termodynamice i określa miarą stopnia nagrzania ciał. Temperaturę można ściśle zdefiniować tylko

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE MONOKRYSZTAŁÓW YAG:Er^^ DO ZASTOSOWAŃ LASEROWYCH

OTRZYMYWANIE MONOKRYSZTAŁÓW YAG:Er^^ DO ZASTOSOWAŃ LASEROWYCH PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T22-1994 nr 1 OTRZYMYWANIE MONOKRYSZTAŁÓW YAG:Er^^ DO ZASTOSOWAŃ LASEROWYCH Zygmunt Frukacz Zygmunt Mierczyk ^^ STRUKTURA GRANATU, SYNTEZA I DOMIESZKOWANIE KRYSZTAŁU

Bardziej szczegółowo

Relacja z wizyty w firmie OCEANIC 26 czerwca 2007. Jędrzej Kraszewski

Relacja z wizyty w firmie OCEANIC 26 czerwca 2007. Jędrzej Kraszewski Relacja z wizyty w firmie OCEANIC 26 czerwca 2007 Jędrzej Kraszewski Laboratorium Farmaceutyczno- Kosmetyczne OCEANIC Misją firmy OCEANIC jest pomoc osobom, które mają wraŝliwą i skłonną do alergii skórę,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA

Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA II pracownia fizyczna dr Wiaczesław Szamow Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA opr. tech. Mirosław Maś Krystyna Ługowska Siedlce 2004 1. Wstęp Zasadniczym celem ćwiczenia jest zbadanie

Bardziej szczegółowo

Opracował: Marcin Bąk

Opracował: Marcin Bąk PROEKOLOGICZNE TECHNIKI SPALANIA PALIW W ASPEKCIE OCHRONY POWIETRZA ATMOSFERYCZNEGO Opracował: Marcin Bąk Spalanie paliw... Przy produkcji energii elektrycznej oraz wtransporcie do atmosfery uwalnia się

Bardziej szczegółowo

Jan Cebula (Instytut Inżynierii Wody i Ścieków, POLITECHNIKA ŚLĄSKA, Gliwice) Józef Sołtys (PTH Intermark, Gliwice)

Jan Cebula (Instytut Inżynierii Wody i Ścieków, POLITECHNIKA ŚLĄSKA, Gliwice) Józef Sołtys (PTH Intermark, Gliwice) Jan Cebula (Instytut Inżynierii Wody i Ścieków, POLITECHNIKA ŚLĄSKA, Gliwice) Józef Sołtys (PTH Intermark, Gliwice) Bałtyckie Forum Biogazu 17 18 wrzesień 2012 PODSTAWOWY SKŁAD BIOGAZU Dopuszczalna zawartość

Bardziej szczegółowo

Co to jest FERMENTACJA?

Co to jest FERMENTACJA? Co to jest FERMENTACJA? FERMENTACJA - rozkład niektórych monosacharydów, np. glukozy, pod wpływem enzymów wydzielanych przez drożdże lub bakterie. czyli tzw. biokatalizatorów. Enzymy (biokatalizatory)

Bardziej szczegółowo