Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych"

Transkrypt

1 Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

2 Wytwarzanie monokryształów Metoda Czochralskiego Metoda Czochralskiego polega na powolnym wyciąganiu zarodka z tygla z roztopionym półprzewodnikiem. Tygiel ogrzewany jest piecem indukcyjnym. Do stopu można dodać domieszki, otrzymując półprzewodnik odpowiedniego typu.

3 Wytwarzanie monokryształów Metoda Czochralskiego Jan Czochralski Monokryształy krzemu

4 Wytwarzanie monokryształów Oczyszczanie metodą topienia strefowego Zanieczyszczenia mają skłonność do gromadzenia się w stopionej strefie pręta. Proces czyszczenia strefowego powtarza się wielokrotnie. Koniec pręta, w którym zgromadziły się domieszki jest odrzucany.

5 Wytwarzanie monokryształów Gotowy monokrystaliczny pręt z półprzewodnika przecina się (lub rozłupuje) na krążki, które następnie szlifuje się i wytrawia w celu oczyszczenia powierzchni. Krążki półprzewodnika o znormalizowanej średnicy, grubości i typie domieszkowania są podstawowym półproduktem do produkcji elementów półprzewodnikowych.

6 Wytwarzanie monokryształów Średnica krążka (zwanego powszechnie waflem ) ma zasadnicze znaczenie dla liczby struktur wytwarzanych w jednym przebiegi procesów technologicznych (a co zatem idzie ich ceny).

7 Wytwarzanie złącz p n tranzystory ostrzowe Pierwsze seryjnie produkowane tranzystory ostrzowe - początek lat 50 Technologia historyczna

8 Wytwarzanie złącz p n tranzystory stopowe W płytkę germanu typu n wtapia się kulki indu otrzymując tranzystor pnp. Technologia historyczna

9 Wytwarzanie złącz p n tranzystory stopowo dyfuzyjne W procesie produkcyjnym po nagrzaniu struktury zachodzi dyfuzja domieszek obu rodzajów, umożliwiając osiągnięcie gradientu domieszek w obszarze bazy. Technologia historyczna

10 Wytwarzanie złącz p n złącza wyciągane Metoda polega na dodawaniu do stopu, z którego wyciąga się pręt półprzewodnika zarówno domieszki akceptorowej i donorowej. Obecnie nie wytwarza się w ten sposób tranzystorów, ale metoda jest stosowana do wytwarzania fotoogniw.

11 Wytwarzanie złącz p n złącza wyciągane Domieszki akceptorowe i donorowe wbudowują się w kryształ półprzewodnika w różnym stopniu w zależności od prędkości wzrostu kryształu. Dobierając odpowiednie stężenie domieszek obu rodzajów w stopie i regulując prędkość wzrostu kryształu można wyhodować kryształ zawierający naprzemiennie ułożone warstwy n i p.

12 Wytwarzanie złącz p n tranzystory planarne Tranzystory planarne wytwarzane są metodą wielokrotnej dyfuzji domieszek z fazy gazowej.

13 Wytwarzanie złącz p n dyfuzja domieszek Proces wytwarzania elementów półprzewodnikowych metodą dyfuzji polega na parokrotnym przeprowadzeniu operacji: - utleniania powierzchni półprzewodnika - naświetleniu maski metodą foto-(lub elektrono-)litograficzną - wytrawieniu maski (roztworem HF) - wykonaniu dyfuzji domieszki -... Piec do dyfuzji i utleniania

14 Wytwarzanie złącz p n tranzystor planarny 1) Po utlenianiu, litografii i wytrawianiu 2) Po dyfuzji akceptora i powtórnym utlenieniu 3) Po powtórnej litografii i wytrawieniu 4) Po trzecim utlenianiu 5) Po trzeciej litografii i wytrawieniu 6) Po naniesieniu metalowych odprowadzeń (metalizacji) - gotowa struktura

15 Implantacja jonów Metoda implantacji jonów pozwala na bardzo dokładne i precyzyjne domieszkowanie. Energia stosowanych jonów to kev

16 Implantacja jonów Ponieważ jony o dużej energii niszczą strukturę materiału, po implantacji konieczne jest wygrzewanie w wysokiej temperaturze by zrelaksować defekty. Instalacja implantacji jonów w fabryce Intela w Jerozolimie.

17 Epitaksja Epitaksja jest to proces wytwarzania monokrystalicznych warstw półprzewodnika na monokrystalicznym podłożu, przy zachowaniu jego budowy krystalograficznej.

18 Epitaksja Pierwszy rodzaj epitaksji to osadzanie materiału takiego jak samo podłoże na przykład osadzanie krzemu na krzemowym podłożu tak zwana homoepitaksja. Celem procesu jest wytworzenie warstwy różniącej się istotnymi cechami od podłoża. I tak na przykład może różnić się typem przewodnictwa, co umożliwi otrzymanie złącza p n.

19 Epitaksja W drugim przypadku osadzany materiał jest różny od materiału podłoża, na przykład krzem na Al2O3 mówimy wtedy o heteroepitaksji. Identyczność sieci krystalograficznej obu warstw jest podstawowym warunkiem epitaksji. Epitaksja jest w zasadzie jedyną metodą wytworzenia dobrej jakości kryształów półprzewodników będących związkami chemicznymi.

20 Epitaksja Podstawowe metody epitaksji to: 1) Epitaksja z fazy gazowej (VPE - Vapor Phase Epitaxy) 2) Epitaksja z fazy ciekłej (LPE - Liquid Phase Epitaxy) 3) Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy) 4) Metoda dekompozycji związków metaloorganicznych (Metal Organic Chemical Vapour Deposition MOCVD)

21 Epitaksja Epitaksja z fazy gazowej VPE Vapor Phase Epitaxy Stosuje się gaz, który w ogrzewanym piecem indukcyjnym reaktorze rozkłada się, a jeden (lub więcej) z produktów rozkładu osadza się na powierzchni substratu.

22 Epitaksja Epitaksja z fazy ciekłej LPE Liquid Phase Epitaxy Metoda polega na krystalizacji na powierzchni substratu warstwy pochodzącej ze składników znajdujących się w cieczy będącej w kontakcie z substratem. Wymaga dobrej kontroli temperatury, charakteryzuje się dużą prędkością wzrostu. Została wprowadzona w latach 60 i jest masowo stosowana do dziś, choć powstały metody precyzyjniejsze.

23 Epitaksja Epitaksja z fazy ciekłej LPE Liquid Phase Epitaxy Przykład zastosowania metody epitaksji z fazy ciekłej do wytwarzania warstw AlGaAs/GaGa na podłożu GaAs.

24 Epitaksja Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy)

25 Epitaksja Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy) Poszczególne składniki są naparowywane z indywidualnych dział molekularnych (ang. effusion cells).

26 Epitaksja Epitaksja metodą naparowania próżniowego (MBE - Molecular Beam Epitaxy) Metodą MBE można otrzymać warstwy o bardzo dobrej jakości i czystości.

27 Epitaksja Metoda rozkładu par związków metaloorganicznych Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Metoda MOCVD polega na rozkładzie związków metaloorganicznych na substracie rozgrzanym w piecu indukcyjnym do temperatury zwykle około 500 do 700 C. Reakcja przeprowadzana jest w atmosferze wodoru. Prekursorami struktury GaAs mogą być na przykład - dla grupy V AsH3 a dla grupy III - Ga(CH3)3 (TMG).

28 Epitaksja Metoda rozkładu par związków metaloorganicznych Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD)

29 Epitaksja Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Rzeczywisty wygląd aparatury do epitaksji metodą rozkładu par związków metaloorganicznych (po prawej).

30 Wytwarzanie tranzystorów tranzystor epitaksjalno planarny (epiplanarny) Tranzystory epiplanarne to najczęściej współcześnie produkowany rodzaj tranzystorów. Technologie stosowane do ich produkcji znajdują oczywiście zastosowanie przy produkcji innych elementów półprzewodnikowych, a także układów scalonych.

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?

Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa? Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Co to jest cienka warstwa?

Co to jest cienka warstwa? Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach

Bardziej szczegółowo

Domieszkowanie półprzewodników

Domieszkowanie półprzewodników Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano

Bardziej szczegółowo

Technologia planarna

Technologia planarna Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Struktura CMOS Click to edit Master title style Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary

Bardziej szczegółowo

Technologia monokryształów i cienkich warstw

Technologia monokryształów i cienkich warstw Technologia monokryształów i cienkich warstw Wybór metody zaleŝy od właściwości fizykochemicznych materiału, Ŝądanych parametrów strukturalnych i uŝytkowych materiału, aspektów ekonomicznych procesu Budowa

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe cz II

Diody półprzewodnikowe cz II Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku

Bardziej szczegółowo

1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp.

1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp. Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych WYK. 3 SMK Na podstawie: W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT W-wa 1987. Przyrząd półprzewodnikowy (dioda, tranzystor)

Bardziej szczegółowo

Co to jest cienka warstwa?

Co to jest cienka warstwa? Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach

Bardziej szczegółowo

zasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych.

zasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych. Cienkie warstwy Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym. Istotnym parametrem charakteryzującym

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe cz. II

Układy cienkowarstwowe cz. II Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić

Bardziej szczegółowo

Przyrządy Półprzewodnikowe

Przyrządy Półprzewodnikowe KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i uklady półprzewodnikowe 2061W

Przyrządy i uklady półprzewodnikowe 2061W Przyrządy i uklady półprzewodnikowe 2061W dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Współczesna technologia półprzewodników i urządzeń

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński

Bardziej szczegółowo

Osadzanie z fazy gazowej

Osadzanie z fazy gazowej Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu

Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Wojciech Gieszczyk Raport sporządzony w ramach czwartego etapu Umowy o Dzieło Autorskie

Bardziej szczegółowo

(zwane również sensorami)

(zwane również sensorami) Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,

Bardziej szczegółowo

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów

Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów KATEDRA INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ I SPAJANIA ZAKŁAD INŻYNIERII SPAJANIA Technologie Materiałowe II Spajanie materiałów Wykład 12 Lutowanie miękkie (SOLDERING) i twarde (BRAZING) dr inż. Dariusz Fydrych Kierunek

Bardziej szczegółowo

Zespół Szkół Samochodowych

Zespół Szkół Samochodowych Zespół Szkół Samochodowych Podstawy Konstrukcji Maszyn Materiały Konstrukcyjne i Eksploatacyjne Temat: OTRZYMYWANIE STOPÓW ŻELAZA Z WĘGLEM. 2016-01-24 1 1. Stopy metali. 2. Odmiany alotropowe żelaza. 3.

Bardziej szczegółowo

Technologie elektroniki

Technologie elektroniki Technologie elektroniki Czynniki wpływające na procesy technologiczne Zanieczyszczenie powietrza drobinami Skład powietrza Ciśnienie Temperatura i wilgotność Poziom hałasu i wibracji Pole elektromagnetyczne

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7

Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Hodowanie Z masy stopionej z roztworu z fazy gazowej z fazy stałej (tzw. rekrystalizacja) Hodowanie

Bardziej szczegółowo

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl

Bardziej szczegółowo

Konstrukcja I technologia tranzystora MESFET

Konstrukcja I technologia tranzystora MESFET Lech DOBRZAŃSKI, Wiesław MARCINIAK, Andrzej TUMAŃSKI INSTYTUT TECHNaOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa Konstrukcja I technologia tranzystora MESFET 1. WSTĘP Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. Monokryształy można otrzymywać:

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie płyt krzemowych. Wytwarzanie monokryształu krzemu Ci cie Polerowanie mechaniczne i chemiczne Ko cowe czyszczenie, kontrola i pakowanie

Wytwarzanie płyt krzemowych. Wytwarzanie monokryształu krzemu Ci cie Polerowanie mechaniczne i chemiczne Ko cowe czyszczenie, kontrola i pakowanie Wytwarzanie płyt krzemowych Wytwarzanie monokryształu krzemu Ci cie Polerowanie mechaniczne i chemiczne Ko cowe czyszczenie, kontrola i pakowanie Wytwarzanie płyt krzemowych Wytwarzanie monokryształu krzemu

Bardziej szczegółowo

Wybrane Procesy i Materiały Stosowane Przy Wytwarzaniu Układów Scalonych. Fotolitografia

Wybrane Procesy i Materiały Stosowane Przy Wytwarzaniu Układów Scalonych. Fotolitografia 1 Wybrane Procesy i Materiały Stosowane Przy Wytwarzaniu Układów Scalonych 2 Fotolitografia Photolithography operator with a photomask in a "yellow room " 3 source: Solid State Technology, 2012 Widmo emisyjne

Bardziej szczegółowo

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki Osiągnięcia Zebranie krzywych świecenia termicznie i optycznie stymulowanej luminescencji domieszkowanych i niedomieszkowanych kryształów ortokrzemianów lutetu itru i gadolinu. Stwierdzenie różnic we własnościach

Bardziej szczegółowo

Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud.

Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud. Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud. M-4, p.103 Czwartek 730-900 Wykład _2 Dyfuzja, trawienie, wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE 1 Monokryształy można otrzymywać: z fazy stałej: W wyniku przemiany fazowej w stanie stałym ( np. w przemianach metamorficznych w procesach geologicznych)

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Technologia elementów optycznych

Technologia elementów optycznych Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów

Bardziej szczegółowo

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających Jerzy SKWARCZ, Elżbieta N0SSARZEWSKA-0RL0W5KA INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających Przedstawiono

Bardziej szczegółowo

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Plan wykładu Laboratoria wzrostu kryształów w Warszawie Po

Bardziej szczegółowo

KONSTRUKCJE METALOWE - LABORATORIUM. Produkcja i budowa stali

KONSTRUKCJE METALOWE - LABORATORIUM. Produkcja i budowa stali KONSTRUKCJE METALOWE - LABORATORIUM Produkcja i budowa stali Produkcja stali ŻELAZO (Fe) - pierwiastek chemiczny, w stanie czystym miękki i plastyczny metal o niezbyt dużej wytrzymałości STAL - stop żelaza

Bardziej szczegółowo

Technologia w elektronice

Technologia w elektronice Technologia w elektronice Procesy technologiczne 1. Wytwarzanie Si 2. Domieszkowanie 3. Wytwarzanie i usuwanie warstw izolatora. Cienkie warstwy. 4. Litografia. 5. Montowanie kontaktów. 1 Litografia Fotolitografia

Bardziej szczegółowo

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)

WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

Warunek stabilności zarodka. Krystalizacja zachodzi w kilku etapach. Etapy procesu krystalizacji:

Warunek stabilności zarodka. Krystalizacja zachodzi w kilku etapach. Etapy procesu krystalizacji: DG Otrzymywanie ów Otrzymywanie monoów w przemyśle, ang. crystal growth technology przemysł półprzewodnikowy: Si, AsGa, LED GaP, InP, CdTe ogniwa fotowoltaiczne, CdHgTe detekcja IR itd. otrzymywanie kamieni

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 1908099 (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 24.08.06 06792997.6 (13) (1) T3 Int.Cl. H01L 21/ (06.01) Urząd

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

SŁAWOMIR WIAK (redakcja)

SŁAWOMIR WIAK (redakcja) SŁAWOMIR WIAK (redakcja) Akademicka Oficyna Wydawnicza EXIT Recenzenci: Prof. Janusz Turowski Politechnika Łódzka Prof. Ewa Napieralska Juszczak University Lille Nord de France, LSEE, UA, Francja Autorzy

Bardziej szczegółowo

Przegląd materiałów oraz technologii wytwarzania włókien oraz ich pokrycia

Przegląd materiałów oraz technologii wytwarzania włókien oraz ich pokrycia Przegląd materiałów oraz technologii wytwarzania włókien oraz ich pokrycia Overview of Materials and Fabrication Technologies and Optical Fiber Coatings Technika dwu-tyglowa Techniki osadzania z oparów

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW

TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. 1 Monokryształy można otrzymywać:

Bardziej szczegółowo

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl http://www.rk.kujawsko-pomorskie.pl/ Organizacja zajęć Kurs trwa 20 godzin lekcyjnych,

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe. Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków Aparatura próżniowa. Pompy turbomolekularne.

Układy cienkowarstwowe. Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków Aparatura próżniowa. Pompy turbomolekularne. Fizyka powierzchni od kuchni Jak uzyskać i zmierzyć próżnię? Jak otrzymać czystą powierzchnię? Układy cienkowarstwowe Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI)

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) Metalurgia proszków jest dziedziną techniki, obejmującą metody wytwarzania proszków metali lub ich mieszanin z proszkami niemetali oraz otrzymywania wyrobów z tych proszków

Bardziej szczegółowo

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie i przetwórstwo polimerów!

Wytwarzanie i przetwórstwo polimerów! Wytwarzanie i przetwórstwo polimerów! Łączenie elementów z tworzyw sztucznych, cz.2 - spawanie dr in. Michał Strankowski Katedra Technologii Polimerów Wydział Chemiczny Publikacja współfinansowana ze środków

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Śląski Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach Instytut Nauki o Materiałach. Krzysztof Szostek. Promotor pracy:

Uniwersytet Śląski Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach Instytut Nauki o Materiałach. Krzysztof Szostek. Promotor pracy: Uniwersytet Śląski Wydział Informatyki i Nauki o Materiałach Instytut Nauki o Materiałach PRACA DOKTORSKA Krystalizacja kierunkowa i właściwości kompozytu eutektycznego CoSi 2 -Si Krzysztof Szostek Promotor

Bardziej szczegółowo

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe układy scalone

Cyfrowe układy scalone Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Cyfrowe układy scalone Układy cyfrowe

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Generatory drgań sinusoidalnych LC

Generatory drgań sinusoidalnych LC Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.2 Epitaksja warstw półprzewodnikowych Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88

Bardziej szczegółowo

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne:

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne: Metody łączenia metali rozłączne nierozłączne: Lutowanie: łączenie części metalowych za pomocą stopów, zwanych lutami, które mają niższą od lutowanych metali temperaturę topnienia. - lutowanie miękkie

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Epitaksja z fazy ciekłej (LPE)

Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) 8 kwiecień 213 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 2-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 1 ext.

Bardziej szczegółowo

Stan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny

Stan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny Stan Krystaliczny Stan krystaliczny Stan krystaliczny jest podstawową formą występowania nieorganicznych ciał stałych w przyrodzie (dlaczego?). Cechą wyróżniającą kryształy jest ich uporządkowana, periodyczna

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS

TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS Różne wyniki trawienia krzemu TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS prof. nzw. Romuald B. Beck Wykład 3 Warszawa, czerwiec 2008 Wytwarzanie belki (belka krzemowa) Magnetic Force Microscope MFM Ostrze do analizy MFM

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY

WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w ICM

Bardziej szczegółowo

Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2

Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2 Wydział Chemii Uniwersytet Warszawski Raport końcowy kamienie milowe (KM) zadania 1.2 za okres: 01.07.2009-31.03.2012 Zadanie 1.2 Opracowanie technologii nanowłókien SiC dla nowej generacji czujnika wodoru

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa 1.Podział materiałów elektrotechnicznych 2. Potencjał elektryczny, różnica potencjałów 3. Związek pomiędzy potencjałem i natężeniem pola elektrycznego 4. Przewodzenie

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.8

Bardziej szczegółowo

Wzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza

Wzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza Wzrost objętościowy z fazy gazowej Krzysztof Grasza Instytut Fizyki PAN Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WARSZAWA Część pierwsza Zakres stosowalności metody krystalizacji z fazy gazowej,

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków. 2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały

Bardziej szczegółowo

NAGRZEWANIE ELEKTRODOWE

NAGRZEWANIE ELEKTRODOWE INSTYTUT INFORMATYKI STOSOWANEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ Ćwiczenia Nr 7 NAGRZEWANIE ELEKTRODOWE 1.WPROWADZENIE. Nagrzewanie elektrodowe jest to nagrzewanie elektryczne oparte na wydzielaniu, ciepła przy przepływie

Bardziej szczegółowo

Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II

Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Bottom Up Metody chemiczne Wytrącanie, współstrącanie, Mikroemulsja, Metoda hydrotermalna, Metoda solwotermalna, Zol-żel, Synteza fotochemiczna, Synteza sonochemiczna,

Bardziej szczegółowo

Piroelektryki. Siarczan trójglicyny

Piroelektryki. Siarczan trójglicyny Siarczan trójglicyny Piroelektryki Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Piroelektryki Część kryształów

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Michał Leszczyński Wykład 2 godz./tydzień wtorek 9.00 11.00 Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW, Siedziba A, Sala

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT METALI NIEŻELAZNYCH, Gliwice, PL

PL B1. INSTYTUT METALI NIEŻELAZNYCH, Gliwice, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209631 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 376697 (22) Data zgłoszenia: 22.08.2005 (51) Int.Cl. B21C 23/08 (2006.01)

Bardziej szczegółowo

SKRUBERY. Program Odor Stop

SKRUBERY. Program Odor Stop Program Odor Stop SKRUBERY PROGRAM ODOR STOP Firma oferuje różne technologie w celu zmniejszenia uciążliwości zapachowej. Firma specjalizuje się w stosowaniu takich technologii jak: bariery antyodorowe,

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę

Bardziej szczegółowo