ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "ELEMENTY ELEKTRONICZNE"

Transkrypt

1 AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel , dr inż. Ireneusz Brzozowski paw. C-3, pokój 51; tel , ZAGADNIENIA TERMICZMNE W ELEMENTACH ELEKTRONICZNYCH EiT 015 r. PD&IB 1

2 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA P R O B L E M? Jeden z tranzystorów układu scalonego o wymiarach 1µm x 1µm x 1µm rozprasza 1mW mocy elektrycznej (np. MOS. I D =1mA przy U DS =1V) Jaką gęstość mocy zanotujemy:? P? [W/m 3 ]!!! V EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 3 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA SPRZĘŻENIE ELEKTROTERMICZNE Wydzielana w układzie moc Zmiana temperatury w sąsiedztwie elementu mocy Zmiana parametrów elektrycznych mikrostruktury pod wpływem zmian temperatury EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 4

3 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA DROGI ROZPRASZANIA CIEPŁA Q T P(t) moc wydzielana w układzie Q L P(t) Q B ciepło rozpraszane przez dolną powierzchnię układu scalonego Q B Q T ciepło rozpraszane przez górną powierzchnię układu scalonego Q L ciepło rozpraszane przez wyprowadzenia układu scalonego EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 5 SPOSOBY PRZEKAZYWANIA CIEPŁA PRZEWODZENIE EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 6 3

4 SPOSOBY PRZEKAZYWANIA CIEPŁA KONWEKCJA Konwekcja, inaczej unoszenie ciepła, jest procesem przekazywania ciepła z powierzchni ciała stałego do otaczającego płynu (gaz lub ciecz). Przekazywanie ciepła odbywa się zatem nie tylko przez przewodnictwo cieplne, ale i poprzez ruch swobodnych molekuł. Naturalna konwekcja jest spowodowana miejscową różnicą gęstości medium i w jej procesie rozrzedzony płyn unosi się ku górze w obecności pola grawitacyjnego. RADIACJA W procesie radiacji nie uczestniczy żadne medium pośredniczące. Ciepło jest transmitowane do otoczenia poprzez fale elektromagnetyczne (najskuteczniej w próżni). Ilość emitowanego ciepła zależy tylko od temperatury i emisyjności powierzchni materiału z którego jest wykonana. Procesem radiacji rządzi prawo Stefana- Boltzmanna, zgodnie z którym energia radiacji jest proporcjonalna do czwartej potęgi temperatury. EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 7 REZYSTANCJA TERMICZNA T x, y, z, t wx, y, z, t C T x, y, z, t t gdzie: - współczynnik przewodności cieplnej [W/mK], C - pojemność cieplna właściwa [J/m 3 K], w rozkład gęstości generowanej mocy cieplnej [W/m 3 ] To x ( 3, l 3, c 3, m 3, S 3 ) (, l, c, m, S ) Tj ( 1, l 1, c 1, m 1, S 1 ) - przewodność cieplna, l grubość warstwy, c ciepło właściwe, m masa, S powierzchnia warstwy EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 8 4

5 REZYSTANCJA TERMICZNA To x ( 3, l 3, c 3, m 3, S 3 ) (, l, c, m, S ) ( 1, l 1, c 1, m 1, S 1 ) Tj T j (t) R th_1 R th_ R th_3 T 0 (t) P(t) Tj T P l l l T PR R R th_1 th_ th_3 S1 1 S S 3 3 EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 9 POJEMNOŚĆ TERMICZNA To x ( 3, l 3, c 3, m 3, S 3 ) (, l, c, m, S ) ( 1, l 1, c 1, m 1, S 1 ) Tj C 4C l S th Rth 4 C c T j (t) R th_1 R th_ R th_3 T 0 (t) P(t) C th_1 C th_ C th_3 EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne rezystancja termiczna 10 5

6 MODEL TERMICZNY Przykładowy model elektrotermiczny obudowy układu scalonego Q T Q T Q L radiator Q B mikrostruktura metaliczne wyprowadzenia z mikrostruktury P(t) Q L dolna część obudowy mikrostruktury Q B EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne rezystancja termiczna 11 MODUŁ PELTIERA 30mm q c Cu 3mm 30mm (-) (+) q h q h EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 1 6

7 MODUŁ PELTIERA EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 13 MODUŁ PELTIERA EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 14 7

8 MODUŁ PELTIERA x 1 P N P N P N 3 T Temperatura względna 1 radiator, moduł termoelektryczny, 3 - mikroukład Q h Q U I c pel EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 15 MODUŁ PELTIERA Q h = *T h (t)*i pel (t) x Al O 3 Cu Bi Te 3 T h (t) P j =R*I pel(t) Cu T c (t) Al O 3 Q c = *T c (t)*i pel (t) EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 16 8

9 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO SEEBECKA Zjawisko Seebecka opisuje indukowanie się siły termoelektrycznej w obwodzie składającym się z dwóch różnych przewodników, których połączenia znajdują się w różnych temperaturach. Indukowane napięcie termoelektryczne U zależy od temperatury. Współczynnik s jest charakterystyczny dla zastosowanego materiału przewodnika. T+T T Przewodnik Przewodnik T+T T+T U=s 1 T-s (T-T)-s T= =s 1 T=(s 1 -s ) T U s T... 1 T s EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 17 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO PELTIERA Zjawisko Peltiera opisuje procesy zachodzące na złączu dwóch różnych przewodników przy przepływie prądu elektrycznego. W zależności od kierunku przepływu prądu złącze pochłania lub wydziela ciepło do otoczenia. Efektywność zachodzących procesów zależy od różnicy poziomów energetycznych pasm przewodnictwa zastosowanych przewodników. q c przewodnik_1 e q h Ciepło pochłaniane przez złącze Temperatura obniża się e przewodnik_ Ciepło wydzielane przez złącze Temperatura wzrasta EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 18 9

10 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO PELTIERA pasmo przewodnictwa pasmo przewodnictwa poziom E Fermiego Metal_1 Q T poziom Fermiego T Półprzewodnik T poziom Fermiego Metal_ p I pel pasmo przewodnictwa EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 19 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO THOMSONA Zjawisku Thomsona musi towarzyszyć przepływ prądu elektrycznego pod wpływem przyłożonego z zewnątrz napięcia. Jeżeli jednorodny przewodnik znajduje się w polu gradientu temperatury, to w zależności od kierunku przepływającego prądu ciepło jest pochłaniane lub wydzielane z jego objętości T 1 q c T 1 +T Q t e q h e dt T I dx gdzie: T współczynnik Thomsona [Vm/K], I prąd elektryczny [A] x EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 0 10

11 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO JOULE A Q j I R Z uwagi na zależność rezystywności od temperatury oraz ze względu na znaczne gradienty temperatury występujące w pracujących modułach termoelektrycznych, właściwą formułą opisującą wydzielane w nich ciepło Joule'a jest wzór: Q j l ( T I S 0 ) dx gdzie: (T) rezystywność materiału [m], l długość przewodnika [m], S powierzchnia przekroju poprzecznego przewodnika [m ] EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 1 MODUŁ PELTIERA Q c I R pel BiTe3 Tc I pel Bi Te3 T h T c Q h I R pel BiTe3 Th I pel Bi Te3 T h T c EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 11

12 MODEL MODUŁU PELTIERA Zależności termiczne parametrów modułów Peltiera [W/ o C] R [Ω] %.4 80% [mv/ o C] T [ o C] T [ o C] % T [ o C] EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 3 MODEL MODUŁU PELTIERA Ekwiwalentny model modułu termoelektrycznego EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 4 1

13 MOC CIEPLNA MODUŁU PELTIERA P. Górecki : Ogniwa Peltiera, Elektronika Praktyczna 1/96, Warszawa 1996 EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 5 TECHNOLOGIE PÓŁPRZEWODNIKOWE EiT 015 r. PD&IB 6 13

14 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW POZIOMA METODA BRIDGAMA ZARODEK KRYSZTAŁ STOPIONA STREFA POLIKRYSZTAŁ GRZEJNIK EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 7 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA CZOCHRALSKIEGO EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 8 14

15 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA CZOCHRALSKIEGO EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 9 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA BEZTYGLOWA EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 30 15

16 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW WAFER płytka podłożowa (np. krzemu) powstała z pociętego pręta krzemowego EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 31 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW EPITAKSJA Technika półprzewodnikowa wzrostu kryształów z roztworów i z fazy gazowej na istniejącym podłożu krystalicznym. Najważniejszym zastosowaniem tej techniki jest wytwarzanie cienkich warstw monokrystalicznych. Jej cechą jest możliwość otrzymywania materiałów półprzewodnikowych w temperaturach dużo niższych niż temperatura topnienia. GaAs+Ga GaAs Stopiony roztwór o temperaturze dużo niższej niż temperatura topnienia samego GaAs Warstwa epitaksjalna Podłoże EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 3 16

17 WYTWARZANIE ZŁĄCZ P-N ZŁĄCZA WYCIĄGANE N D =10 14 cm -3 N A -N D =5x10 14 cm -3 N D -N A =10 15 cm -3 N A -N D =5x10 15 cm -3 N D -N A =10 16 cm -3 PRZEKOMPENSOWANIE zmiana wypadkowej koncentracji domieszki Metoda wyciągania została zastąpiona metodami polegającymi na wprowadzaniu domieszek po otrzymaniu monokryształu lub metodami epitaksji warstwy o przeciwnym do podłoża typie przewodnictwa. EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 33 WYTWARZANIE ZŁĄCZ P-N ZŁĄCZA STOPOWE In Faza ciekła In+Ge p-ge n-ge n-ge n-ge EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 34 17

18 WYTWARZANIE ZŁĄCZ P-N ZŁĄCZA DYFUZYJNE Metoda dyfuzji stosowana jest obecnie na szeroka skalę. Przeprowadzana jest w wysokiej temperaturze. N A >N D p N D >N A n Bor N A>N D p N D >N A n IMPLANTACJA JONÓW Implantację przeprowadzana jest w stosunkowo niskich temperaturach. Implantacja może być przeprowadzana poprzez warstwy tlenku, lecz na ogół nie zachodzi przez warstwę metalu. Implantacja stosowana jest do wytwarzania bardzo cienkich warstw, do wprowadzania domieszek, które nie mogą być wprowadzone poprzez dyfuzję. Dyfuzja ze źródła o skończonej wydajności Złącze liniowe Dyfuzja ze źródła o stałej wydajności Złącze skokowe Implantacja pozwala na uzyskanie bardzo dokładnej geometrii i jakości obszarów domieszkowanych. EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 35 WYTWARZANIE TRANZYSTORA N-P-N SiO n-si p n-si n+ p n-si n+ p n-si EiT 015 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 36 18

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413;

Bardziej szczegółowo

Zjawisko termoelektryczne

Zjawisko termoelektryczne 34 Zjawisko Peltiera polega na tym, że w obwodzie składającym się z różnych przewodników lub półprzewodników wytworzenie różnicy temperatur między złączami wywołuje przepływ prądu spowodowany różnicą potencjałów

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

wymiana energii ciepła

wymiana energii ciepła wymiana energii ciepła Karolina Kurtz-Orecka dr inż., arch. Wydział Budownictwa i Architektury Katedra Dróg, Mostów i Materiałów Budowlanych 1 rodzaje energii magnetyczna kinetyczna cieplna światło dźwięk

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA ELM001551W

ELEKTRONIKA ELM001551W ELEKTRONIKA ELM001551W Podstawy elektrotechniki i elektroniki Definicje prądu elektrycznego i wielkości go opisujących: natężenia, gęstości, napięcia. Zakres: Oznaczenia wielkości fizycznych i ich jednostek,

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się ze zjawiskiem Seebecka i Peltiera. Zastosowanie elementu Peltiera do chłodzenia i zamiany energii cieplnej w energię elektryczną.

Zapoznanie się ze zjawiskiem Seebecka i Peltiera. Zastosowanie elementu Peltiera do chłodzenia i zamiany energii cieplnej w energię elektryczną. FiIS PRAONIA FIZYZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆIZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OENA el ćwiczenia: Zapoznanie się ze

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Przyrządy Półprzewodnikowe

Przyrządy Półprzewodnikowe KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych

Teoria pasmowa ciał stałych Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

teoretyczne podstawy działania

teoretyczne podstawy działania Techniki Niskotemperaturowe w medycynie Seminarium Termoelektryczne urządzenia chłodnicze - teoretyczne podstawy działania Edyta Kamińska IMM II st. Sem I 1 Spis treści Termoelektryczność... 3 Zjawisko

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa 1.Podział materiałów elektrotechnicznych 2. Potencjał elektryczny, różnica potencjałów 3. Związek pomiędzy potencjałem i natężeniem pola elektrycznego 4. Przewodzenie

Bardziej szczegółowo

Technika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel

Technika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel Technika sensorowa Czujniki piezorezystancyjne dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Czujniki działające w oparciu o efekt Tensometry,

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY

WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)

Bardziej szczegółowo

Termoelektryczne urządzenia chłodnicze

Termoelektryczne urządzenia chłodnicze POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ MECHANICZNY TECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE Termoelektryczne urządzenia chłodnicze Teoretyczne podstawy działania Monika Wilczyńska Inżynieria Mechaniczno Medyczna

Bardziej szczegółowo

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne

Bardziej szczegółowo

WSPÓŁCZYNNIK PRZEJMOWANIA CIEPŁA PRZEZ KONWEKCJĘ

WSPÓŁCZYNNIK PRZEJMOWANIA CIEPŁA PRZEZ KONWEKCJĘ INSYU INFORMAYKI SOSOWANEJ POLIECHNIKI ŁÓDZKIEJ Ćwiczenie Nr2 WSPÓŁCZYNNIK PRZEJMOWANIA CIEPŁA PRZEZ KONWEKCJĘ 1.WPROWADZENIE. Wymiana ciepła pomiędzy układami termodynamicznymi może być realizowana na

Bardziej szczegółowo

TECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE

TECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE TECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE SEMINARIUM Termoelektryczne urządzenia chłodnicze Teoretyczne podstawy działania Anna Krzesińska I M-M sem. 2 1 Spis treści Termoelektryczność...3 Efekt Seebecka...4

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F

1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W PILE INSTYTUT POLITECHNICZNY Zakład Budowy i Eksploatacji Maszyn PRACOWNIA TERMODYNAMIKI TECHNICZNEJ INSTRUKCJA Temat ćwiczenia: WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEWODNOŚCI

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale

Bardziej szczegółowo

SKALOWANIE TERMOPARY I WYZNACZANIE TEMPERATURY KRZEPNIĘCIA STOPU

SKALOWANIE TERMOPARY I WYZNACZANIE TEMPERATURY KRZEPNIĘCIA STOPU ĆWICZENIE 20 SKALOWANIE TERMOPARY I WYZNACZANIE TEMPERATURY KRZEPNIĘCIA STOPU Cel ćwiczenia: Poznanie budowy i zasady działania termopary. Skalowanie termopary i wyznaczanie jej współczynnika termoelektrycznego.

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie współczynnika efektywności pompy ciepła Peltiera

Wyznaczanie współczynnika efektywności pompy ciepła Peltiera Wyznaczanie współczynnika efektywności pompy ciepła Peltiera 1. METODY TRANSPORTU CIEPŁA Każde ciało, rozpatrywane jako układ termodynamiczny, posiada pewną energię wewnętrzną, na którą składają się energie

Bardziej szczegółowo

Złożone struktury diod Schottky ego mocy

Złożone struktury diod Schottky ego mocy Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura

Bardziej szczegółowo

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA 3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony

Bardziej szczegółowo

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem

Bardziej szczegółowo

Układ termodynamiczny Parametry układu termodynamicznego Proces termodynamiczny Układ izolowany Układ zamknięty Stan równowagi termodynamicznej

Układ termodynamiczny Parametry układu termodynamicznego Proces termodynamiczny Układ izolowany Układ zamknięty Stan równowagi termodynamicznej termodynamika - podstawowe pojęcia Układ termodynamiczny - wyodrębniona część otaczającego nas świata. Parametry układu termodynamicznego - wielkości fizyczne, za pomocą których opisujemy stan układu termodynamicznego,

Bardziej szczegółowo

Prawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +

Prawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E + Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Domieszkowanie półprzewodników

Domieszkowanie półprzewodników Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano

Bardziej szczegółowo

T-1 Pompa cieplna Peltiera. Zakres materiału. Cel ćwiczenia - zadania do wykonania. Wprowadzenie teoretyczne

T-1 Pompa cieplna Peltiera. Zakres materiału. Cel ćwiczenia - zadania do wykonania. Wprowadzenie teoretyczne Centrum Nauczania Matematyki i Fizyki olitechnika Łódzka Al. olitechniki 11 90-924 Łódź oland Center of Mathematics and hysics Technical University of Łódź t./fax: +48(0-42) 631-36-14, 631-36-19 e-mail:

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Energia emitowana przez Słońce

Energia emitowana przez Słońce Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy

Bardziej szczegółowo

Wykład FIZYKA II. 2. Prąd elektryczny. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Wykład FIZYKA II. 2. Prąd elektryczny.  Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Wykład FIZYKA II 2. Prąd elektryczny Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/ UCH ŁADUNKÓW Elektrostatyka zajmowała się ładunkami

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Przerwa energetyczna w germanie

Przerwa energetyczna w germanie Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania

Bardziej szczegółowo

KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY

KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY IŃSTYTUT INFORMATYKI STOSOWANEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ Ćwiczenie Nr1 KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY 1.WPROWADZENIE Przewodzenie ciepła (kondukcja) jest to wymiana ciepła między

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Właściwości kryształów

Właściwości kryształów Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Modelowanie w projektowaniu maszyn i procesów cz.7

Modelowanie w projektowaniu maszyn i procesów cz.7 Modelowanie w projektowaniu maszyn i procesów cz.7 Solvery MES zaimplementowane do środowisk CAD - termika Dr hab. inż. Piotr Pawełko p. 141 Piotr.Pawełko@zut.edu.pl www.piopawelko.zut.edu.pl Przekazywanie

Bardziej szczegółowo

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY I.. Prąd elektryczny Dla dużej grupy przewodników prądu elektrycznego (metale, półprzewodniki i inne) spełnione jest prawo Ohma,

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)

Bardziej szczegółowo

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) 152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Podstawy technologii monokryształów

Podstawy technologii monokryształów 1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki wykład 6

Podstawy fizyki wykład 6 Podstawy fizyki wykład 6 Dr Piotr Sitarek Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska Elementy termodynamiki Temperatura Rozszerzalność cieplna Ciepło Praca a ciepło Pierwsza zasada termodynamiki Gaz doskonały

Bardziej szczegółowo

Q t lub precyzyjniej w postaci różniczkowej. dq dt Jednostką natężenia prądu jest amper oznaczany przez A.

Q t lub precyzyjniej w postaci różniczkowej. dq dt Jednostką natężenia prądu jest amper oznaczany przez A. Prąd elektryczny Dotychczas zajmowaliśmy się zjawiskami związanymi z ładunkami spoczywającymi. Obecnie zajmiemy się zjawiskami zachodzącymi podczas uporządkowanego ruchu ładunków, który często nazywamy

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrotechniki V1. Na potrzeby wykładu z Projektowania systemów pomiarowych

Podstawy elektrotechniki V1. Na potrzeby wykładu z Projektowania systemów pomiarowych Podstawy elektrotechniki V1 Na potrzeby wykładu z Projektowania systemów pomiarowych 1 Elektrotechnika jest działem nauki zajmującym się podstawami teoretycznymi i zastosowaniami zjawisk fizycznych z dziedziny

Bardziej szczegółowo

Pomiar współczynnika przewodzenia ciepła ciał stałych

Pomiar współczynnika przewodzenia ciepła ciał stałych Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Pomiar współczynnika przewodzenia ciepła ciał stałych - - Wiadomości wstępne Przewodzenie ciepła jest procesem polegającym na przenoszeniu

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Wnikanie ciepła przy konwekcji swobodnej. 1. Wstęp

Wnikanie ciepła przy konwekcji swobodnej. 1. Wstęp Wnikanie ciepła przy konwekcji swobodnej 1. Wstęp Współczynnik wnikania ciepła podczas konwekcji silnie zależy od prędkości czynnika. Im prędkość czynnika jest większa, tym współczynnik wnikania ciepła

Bardziej szczegółowo

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał FOTODETEKTORY Fotodetektory Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał - detektory termiczne, wykorzystują zmiany temperatury

Bardziej szczegółowo

Ciepłe + Zimne = przepływ ładunków

Ciepłe + Zimne = przepływ ładunków AKADEMICKIE LICEUM OGÓLNOKSZTAŁCĄCE POLITECHNIKI WROCŁAWSKIEJ Ciepłe + Zimne = przepływ ładunków Zjawiska termoelektryczne Karol Kobiałka (1A), Michał Łakomski (1A), Monika Zemankiewicz (1A) 2015-01-29

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego

Bardziej szczegółowo

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4 MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li 4.6 10 1.1 10 8 1.3 10 8 4.7 5.5 10 4 a.5 0.9 1.1 3.1 3.7 K 1.34 0.73 0.85.1.4 Rb 1.08 0.68 0.79

Bardziej szczegółowo

Analiza wpływu domieszkowania na właściwości cieplne wybranych monokryształów wykorzystywanych w optyce

Analiza wpływu domieszkowania na właściwości cieplne wybranych monokryształów wykorzystywanych w optyce Politechnika Śląska w Gliwicach Instytut Fizyki, Zakład Fizyki Stosowanej Analiza wpływu domieszkowania na właściwości cieplne wybranych monokryształów wykorzystywanych w optyce Anna Kaźmierczak-Bałata

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Ładunek elektryczny. Ładunek elektryczny jedna z własności cząstek elementarnych

Ładunek elektryczny. Ładunek elektryczny jedna z własności cząstek elementarnych Ładunek elektryczny Ładunek elektryczny jedna z własności cząstek elementarnych http://pl.wikipedia.org/wiki/%c5%81a dunek_elektryczny ładunki elektryczne o takich samych znakach się odpychają a o przeciwnych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE Laboratorium z Fizyki Materiałów 00 Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY.WIADOMOŚCI OGÓLNE Przewodnictwo elektryczne ciał stałych można opisać korzystając

Bardziej szczegółowo

Wybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC

Wybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław

Bardziej szczegółowo

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków. 2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały

Bardziej szczegółowo

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis Nauka o Materiałach Wykład XI Właściwości cieplne Jerzy Lis Nauka o Materiałach Treść wykładu: 1. Stabilność termiczna materiałów 2. Pełzanie wysokotemperaturowe 3. Przewodnictwo cieplne 4. Rozszerzalność

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 13 Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ

ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Cele i bariery Ogólne

Bardziej szczegółowo