Oddziaływanie grafenu z metalami

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Oddziaływanie grafenu z metalami"

Transkrypt

1 Oddziaływanie grafenu z metalami Oddziaływanie grafenu z metalami prof. dr hab. Zbigniew Klusek

2 Grafen dla czego intryguje? v E U V E d cm d cm v t s en Transport dyfuzyjny Transport kwantowy balistyczny

3 Grafen dlaczego intryguje? Tranzystor typu MOSFET Nowa idea żródło bramka dren kanał tranzystora wykonany z grafenu Pasmo przewodnictwa Pasmo przewodnictwa G kanał D 1 0 S Pasmo walencyjne Pasmo walencyjne

4 Tranzystory pracujące z częstością giga herców

5 Elektronika analogowa Tranzystory bipolarne (n-p-n) or (p-n-p) Tranzystory unipolarne FET

6 Grafenowe układy scalone Elektronika ambipolarna D G D G S S FET GFET

7 Częstotliwość odcięcia Częstotliwość odcięcia to częstotliwość dla której wzmocnienie dąży do jedności f T g m 1 C C g R R C g R R 2 1 GS GD ds S D GD m S D f T g m C GS C GD g ds R S R D częstotliwość odcięcia wewnętrzna transkonduktancja pojemność bramka-źródło pojemność bramka-dren przewodność drenu opór źródła opór drenu Wszystkie pojemności i oporności powinny być jak najmniejsze

8 Częstotliwość odcięcia f T gm C C g R R C g R R GS GD ds S D GD m S D Częstotliwość odcięcia może być zmaksymalizowana Wewnętrzna transkonduktancja jak największa Konduktancja drenu jak najmniejsza Pojemności jak najmniejsze Wszystkie rezystancje jak najmniejsze

9 Przewodnictwo złącza grafen-metal We wszystkich aplikacjach wymagany jest kontakt elektryczny Au

10 Przewodnictwo złącza grafen-metal Rolf Landauer ( ) Formuła Landauera G 2 N 2e h n1 T n G 2 N 2e h n1 MT n

11 Przewodnictwo złącza grafen-metal Formuła Landauera G 2 4e h TM T MG współczynnik transmisji metal - grafen T K współczynnik transmisji w kanale M M M ch liczba modów przewodnictwa liczba modów przewodnictwa graf T MG metal TK metal M=min{M M,M ch } grafen M M M ch SiO 2 SiO 2 Si Si

12 DFT teoria funkcjonału gęstości Rozpoczęliśmy badania od symulacji DFT J. Slawinska, P. Dabrowski, I. Zasada Phys. Rev. B 83 (2011) J. Slawinska, I. Wlasy, P. Dabrowski,, I. Zasada Phys. Rev. B 85 (2012) I. Wlasy, P. Dabrowski, M. Rogala, P.J. Kowalczyk, I. Pastrnak, W. Strupinski, J.M. Baranowski and Appl. Phys. Lett. 102, (2013)

13 DFT grafen na Au(111) Geometria adsorpcji grafen/au(111) widok z góry Geometria adsorpcji grafen/au(111) widok z boku

14 DFT grafen na Au(111) poli Geometria adsorpcji Grafen/Au(111) widok z góry. Wprowadzono zaburzenia podłużne stałych sieci. Geometria adsorpcji Grafen/Au(111) widok z boku. Wprowadzono zaburzenia poprzeczne stałych sieci.

15 DFT: Oddziaływanie grafen-metal czysty grafen fizysorpcja Cu(111) J. Sławińska, Rozprawa Doktorska Łódź 2012

16 DFT: Oddziaływanie grafen-metal E F E D E D E F Domieszkowanie typu p Domieszkowanie typu n

17 DFT: Oddziaływanie grafen-metal czysty grafen fizysorpcja Cu(111) chemisorpcja Ni(111) J. Sławińska, Rozprawa Doktorska Łódź 2012

18 DFT: Oddziaływanie grafen-metal Własności elektronowe grafenu ulegają zmianie na skutek oddziaływania z metalami Oddziaływanie grafen-metal silne/słabe chemisorpcja fizysorpcja Co(111) Ni(111) Pd(111) Al(111) Ag(111) Cu(111) Au(111) Pt(111)

19 Czy DFT daje poprawne rezulataty?

20 Oddziaływanie grafenu z metalami STM STM [111] Au(111) [111] [110] [112] [110] [112] Cu(111)

21 Oddziaływanie grafen - Au STM MG Au MG Au MG Au STM STM

22 Oddziaływanie grafen-au Najprostsza wersja próbki do badań Identyfikacja optyczna nie możliwa Spektroskopia Ramana - wpływ oddziaływań interfejs grafen Au - nie Au(111)

23 Identyfikacja optyczna grafenu na SiO 2 graphene SiO 2 Si(100) n0 n2 n 1 3 n d nm d2 300nm grafen/sio 2 /Si n r1 n r r 2 2 n n n n n n n n n n nd nd I n re r e r e r r r e i i i i e r r e r r e r r e i i i i P. Blake, et al. Appl. Phys. Lett. 91, (2007). 1 2

24 Identyfikacja optyczna grafenu na SiO 2 P. Blake, et al. Appl. Phys. Lett. 91, (2007). C 1 1 I n1 In 1 I n 1 thickness of

25 Identyfikacja optyczna grafenu na SiO 2 Mikroskop optyczny grafen/sio 2 /Si

26 Identyfikacja optyczna grafenu na SiO 2 więcej niż 10 grafen dwuwarstwa trójwarstwa

27 Identyfikacja optyczna grafenu na Au n1 grafen n0 Au Cr SiO 2 n n 2 3 n4 Si(100) n5 I. Wlasny, P. Dabrowski,, arxiv: v1 (2011).

28 Identyfikacja optyczna grafenu na Au, i R n r r e r e r e r r r e r r r e i i i i i 1 3 i i i i i r r r e r r r e r r e r r e r r e i i 2 i 3 r r e r r e r r e r r r r e 1 2 C I n Rn I n 1 I n R n 1 R n I. Wlasny, P. Dabrowski,, arxiv: v1 (2011).

29 Identyfikacja optyczna grafenu na Au BG MG Au BG MG Au niebieski zielony BG MG Au BG MG Au czerwony żółty I. Wlasny, P. Dabrowski,, arxiv: v1 (2011).

30 Spektroskopia ramanowska grafitu HOPG G HOPG(0001) 2000 D-band G-band Intensity (a.u.) D-band D' D-band : defekty (~1350 cm -1 ) G-band : drgania w warstwie ( cm -1 ) 2D-band : od. międzywarstwowe (~2700 cm -1 ) Raman shift (cm -1 )

31 Spektroskopia ramanowska grafenu na SiO 2 Teoria/Eksperyment Dr Andrea C. Ferrari

32 Spektroskopia ramanowska grafenu na SiO 2 Powszechna procedura identyfikacji 1 - warstwa - 1 komponent 2 - warstwy - 4 komponenty 3 - warstwy - 15 komponentów ->6 Więcej niż 5 warstw 2 komponenty jak w graficie

33 Spektroskopia ramanowska grafenu na Au domieszkowanie pik 2D - dodatnie przesunięcie -> typ p pik 2D - ujemne przesunięcie -> typ n do 10 cm -1 naprężenia Poszerzenie pików G i 2D Przesunięcie piku 2D do 50 cm -1

34 Intensity [arb. units] Intensity [arb. units] Spektroskopia ramanowska grafenu na Au Brak teorii oddziaływania grafenu z metalami grafen/au/sio 2 /Si dwuwarstwa/au/sio 2 /Si Monolayer graphene Au/SiO 2 /Si Monolayer graphene SiO Bilayerr graphene Au/SiO 2 /Si Bilayerr graphene SiO D D Raman Shift [cm ] Raman Shift [cm ] 2800 A. Sozanska, P. Dabrowski, I. Wlasny, J. Slawinska, I. Zasada, XXII International Conference on Raman Spectroscopy (ICORS 2010) Boston, USA, August 8-13, 2010 Au

35 Intensity [arb. units] Intensity [arb. units] Intensity [ arb. units] Intensity [arb. units] Spektroskopia ramanowska grafenu na Au 3200 Monolayer graphene Au/SiO 2 /Si Monolayer graphene SiO Monolayer graphene Au/SiO 2 /Si Monolayer graphene SiO G Raman Shift [cm -1 ] D Raman Shift [cm ] 6000 Bilayer graphene Au/SiO 2 /Si Bilayer graphene SiO Bilayer graphene Au/SiO 2 /Si Bilayer graphene SiO G D Raman Shift [cm -1 ] Raman Shift [cm ] 2800

36 Spektroskopia ramanowska grafenu na Au dv v F F q 1 d dq d E L v F d dq d d 0.08eVA dq v F 6.5eVA E 2.41 ev (514 nm) L / cm cm ev dv v F F 36.21d ev 1 2D d 17cm 7.6 %

37 Badania STM/STS grafenu na Au Istotą badanej próbki jest to, że warstwy o różnej grubości badane są jednocześnie W dużej skali rozdzielczość pomiędzy Au, MG, BG, TG jest bardzo słaba BG MG Au BG MG Au TG BG 1.6µm TG 1.0µm BG

38 counts Badania STM/STS grafenu na Au MG Au MG Au MG Au graphene Au/Cr/SiO 2 /Si Au/Cr/SiO 2 /Si Rozkład wysokości podłoża Au/Cr/SiO 2 /Si i MG/ Au/Cr/SiO 2 /Si Height [nm]

39 Badania STM/STS grafenu na Au MG Au MG Au MG Au MG MG Atomowa zdolność rozdzielcza Obserwowano strukturę trójkątną i sześciokątną. Struktura typowa dla grafitu była obserwowana częściej.

40 Badania STM/STS grafenu na Au Rozdzielczość atomowa BG MG Au BG TG 1.0µm BG

41 Badania STM/STS grafenu na Au Rozdzielczość atomowa TG

42 Oddziaływanie grafen/au - LDOS Mapy elektronowej funkcji gęstości stanów STM MG Au CITS BG MG BG TG BG 1.0µm TG BG LDOS( x,y, E F ev)

43 Oddziaływanie grafen/au - LDOS Mapy elektronowej funkcji gęstości stanów (CITS) BG MG TG BG E F +0,03 ev E F +0,07 ev E F +0,2 ev E F +0,6 ev E F -0,03 ev E F -0,07 ev E F -0,2 ev E F -0,6 ev

44 Oddziaływanie grafen/au - LDOS di dv dt E, ev, z s r, ev t r,0 T ev, ev, z s r, E t r, E ev de dv DFT 450 x 450 nm 2 max E F E F

45 Badania STS grafenu na Au MG E F ev E F ev E F ev E F ev E F ev E F ev E F ev E F ev LDOS (E, x, y) na MG/Au - obszar 100 nm x 100 nm

46 Badania STS grafenu na Au di dv dt E, ev, z s r, ev t r,0 T ev, ev, z s r, E t r, E ev de dv E E E D E D D D LDOS (E, x, y) na MG/Au - obszar 100 nm x 100 nm Na ciemnoniebieskim zachowanie typowe dla MG/Au(111) J. Slawinska, I. Wlasy, P. Dabrowski,, I. Zasada Phys. Rev. B 85 (2012)

47 Badania STS grafenu na Au MG Au Au MG Au Na Au obserwowaliśmy dwa zachowania SS

48 Badania STM/STS Au E F 0.1 M Au(111) S G S M L.C. Davis, M.P. Everson, R.C. Jaklevic, W. Shen, Phys. Rev. B 43 (1991) I G exp V / V de exp ( E E) / E f EF E0 E f EF E0 E ev e n 0.2 e r g 0.3 y [ev] V / 2 ed m 1/ 2 * E1 E / a (1 d(1 m / m ) / a 0.4 E k [A -1 ] 2 2 k E( k) EF E0 * 2m Stan powierzchniowy Schockleya +0.2 c o n d u c t a n c e -0.8 ev T=4 K T=300 K T=490 K E o -0.4eV E F

49 Badania STM/STS Au Au(111) +1.0 e n +0.5 e r g 0 y [ev] -0.5 T=293 K tunneling current [na] T=293 K T=293 K (di/dv)/(i/v) SS e n +0.5 e r g 0 y [ev] [nm] T=493 K 12 tunneling current [na] bias [V] bias [V] T=493 K T=493 K SS [nm] bias [V] bias [V]

50 Badania STS grafenu na Au LDOS (E, x, y) na MG/Au - obszar 100 nm x 100 nm Au(111) poli

51 Przewodnictwo złącza grafen-metal G 1 4e R h C 2 TM e devoigt E E R h C E E 0, t 1 1 FM 1, M 1 M 2 min, 1 n de GE E, t T k, E E 2 2 FG 2 y 1 2 W n0 W Voigt E E FM, t 1 1, Konwolucja funkcji Gaussa o szerokości t 1 i funkcji Lorentza o szerokości i energii odcięcia E 0. 1 G( x, t ) exp x / t t t v 2 n 2 F 0 E M 1,2 1,2 W v F T TT K GM T T K GM

52 Przewodnictwo złącza grafen-metal Teoria DFT E FM???? eksperyment STS ARPES C E e devoigt E E R h E 0, t 1 1 FM 1, M 1 M 2 min, 1 n de GE E, t T k, E, E 2 2 FG 2 y 1 2 W n0 W

53 Oddziaływanie grafen/au - LDOS Formuła Landauera G 2 4e h TM M liczba modów przewodnictwa w grafenie T współczynnik transmisji nośników Au(111) E F Au poli E F W M E v F F W Au poli wstrzykuje więcej nośników

54 Podsumowanie Własności elektronowe grafenu zmieniają się na skutek oddziaływania z podłożem Niezaburzony grafen nie istnieje Struktura elektronowa grafenu może być zmieniona na skutek zewnętrznego domieszkowania

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki

Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET) Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w fotowoltaice, sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons

The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons Paweł Szroeder Instytut Fizyki, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń, Poland Reakcja przeniesienia

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury i nanotechnologie

Nanostruktury i nanotechnologie Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent

Bardziej szczegółowo

10. Tranzystory polowe (unipolarne FET)

10. Tranzystory polowe (unipolarne FET) PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Co to jest półprzewodnik unipolarny (pod rozdz. 4.4). Co dzieje się z nośnikiem prądu w półprzewodniku (podrozdz. 4.4). 10. Tranzystory polowe (unipolarne FET) Tranzystory

Bardziej szczegółowo

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem

Bardziej szczegółowo

dr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej

dr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej dr inż. Beata Brożek-Pluska La boratorium La serowej Spektroskopii Molekularnej PŁ Powierzchniowo wzmocniona sp ektroskopia Ramana (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Jak i czym scharakteryzować kryształ półprzewodnika Struktura dyfrakcja rentgenowska

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 korecki@uci.agh.edu.pl http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium

Bardziej szczegółowo

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga,, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)

Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) Oddziaływanie elektronów ze stałą, krystaliczną próbką wstecznie rozproszone elektrony elektrony pierwotne

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo

prof. dr hab. Zbigniew Klusek Cz. 1

prof. dr hab. Zbigniew Klusek Cz. 1 prof. dr hab. Zbigniew Klusek Cz. 1 Nowe wyzwania Koszty budowy fabryki: kilkanaście miliardów $ Co 18 miesięcy podwaja się liczba tranzystorów Tranzystory z bramką 16-10 nm w masowej produkcji Na razie

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Organiczne tranzystory polowe. cz. I. Poprzednio. Złącze

Organiczne tranzystory polowe. cz. I. Poprzednio. Złącze Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne tranzystory polowe cz. I Poprzednio Samoorganizacja jest interesującą alternatywą dla współczesnych technologii Samoorganizacja czyli: krystalizacja, separacja

Bardziej szczegółowo

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA

Bardziej szczegółowo

Badania własności optycznych grafenu

Badania własności optycznych grafenu Badania własności optycznych grafenu Mateusz Klepuszewski 1, Aleksander Płocharski 1, Teresa Kulka 2, Katarzyna Gołasa 3 1 III Liceum Ogólnokształcące im. Unii Europejskiej, Berlinga 5, 07-410 Ostrołęka

Bardziej szczegółowo

E dec. Obwód zastępczy. Napięcie rozkładowe

E dec. Obwód zastępczy. Napięcie rozkładowe Obwód zastępczy Obwód zastępczy schematyczny obwód elektryczny, ilustrujący zachowanie się badanego obiektu w polu elektrycznym. Elementy obwodu zastępczego (oporniki, kondensatory, indukcyjności,...)

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania Jacek Grela, Radosław Strzałka 3 maja 9 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia Poznanie budowy i zasady pracy tranzystora JFET. Pomiar charakterystyk tranzystora JFET. Czytanie schematów elektronicznych. Przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Koªo Naukowe Robotyków KoNaR. Plan prezentacji. Wst p Tranzystory JFET Tranzystory MOSFET jak to dziaªa? MOSFET jako przeª cznik mocy Podsumowanie

Koªo Naukowe Robotyków KoNaR. Plan prezentacji. Wst p Tranzystory JFET Tranzystory MOSFET jak to dziaªa? MOSFET jako przeª cznik mocy Podsumowanie Plan prezentacji Wst p Tranzystory JFET Tranzystory MOSFET jak to dziaªa? MOSFET jako przeª cznik mocy Podsumowanie Wst p Motto W teorii nie ma ró»nicy mi dzy praktyk a teori. W praktyce jest. Wst p Symbole

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Domieszki w półprzewodnikach

Domieszki w półprzewodnikach Domieszki w półprzewodnikach Niebieska optoelektronika Niebieski laser Nie można obecnie wyświetlić tego obrazu. Domieszkowanie m* O Neutralny donor w przybliżeniu masy efektywnej 2 2 0 2 * 2 * 13.6 *

Bardziej szczegółowo

Grafen perspektywy zastosowań

Grafen perspektywy zastosowań Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań 2 3.1 Procesory... 2 3.2 Analogoweelementy... 3 3.3 Czujniki...

Bardziej szczegółowo

Właściwości kryształów

Właściwości kryształów Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne

Bardziej szczegółowo

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania 1 Zakres ćwiczenia 1.1 Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET. 1.2 Projekt, montaż i badanie układu: 1.2.1 sterowanego dzielnika napięcia,

Bardziej szczegółowo

Konwersatorium 1. Zagadnienia na konwersatorium

Konwersatorium 1. Zagadnienia na konwersatorium Konwersatorium 1 Zagadnienia na konwersatorium 1. Omów reguły zapełniania powłok elektronowych. 2. Podaj konfiguracje elektronowe dla atomów Cu, Ag, Au, Pd, Pt, Cr, Mo, W. 3. Wyjaśnij dlaczego występują

Bardziej szczegółowo

Skaningowy mikroskop tunelowy STM

Skaningowy mikroskop tunelowy STM Skaningowy mikroskop tunelowy STM Skaningowy mikroskop tunelowy (ang. Scanning Tunneling Microscope; STM) należy do szerszej rodziny mikroskopów ze sondą skanującą. Wykorzystuje on zjawisko tunelowania

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH

Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH Współpraca: Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii dr Michał Zegrodnik, prof. Józef Spałek

Bardziej szczegółowo

Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów

Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów Michał Karpioski * Konrad Banaszek, Czesław Radzewicz * * Instytut Fizyki Doświadczalnej, Instytut Fizyki Teoretycznej Wydział Fizyki Uniwersytet

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne w układach CMOS

Tranzystory bipolarne w układach CMOS PUAV Wykład 4 Tranzystory bipolarne w układach CMOS Tranzystor nmos Tranzystor pmos M1 (Al) M2 (Al) M1 (Al) M1 (Al) Tlenek polowy S Bramka poli typu n Tlenek bramkowy D Tlenek polowy Podłoże typu p D Bramka

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym

Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science

Bardziej szczegółowo

Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej

Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016 Plan prezentacji Spinowy efekt Halla

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Gaz Fermiego elektronów swobodnych. Gaz Fermiego elektronów swobodnych

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Gaz Fermiego elektronów swobodnych. Gaz Fermiego elektronów swobodnych Gaz Fermiego elektronów swobodnych charakter idea Teoria metali Paula Drudego Teoria metali Arnolda (1900 r.) Sommerfelda (1927 r.) klasyczna kwantowa elektrony przewodnictwa elektrony przewodnictwa w

Bardziej szczegółowo

2013 02 27 2 1. Jakie warstwy zostały wyhodowane w celu uzyskania 2DEG? (szkic?) 2. Gdzie było domieszkowanie? Dlaczego jako domieszek użyto w próbce atomy krzemu? 3. Jaki kształt miała próbka? 4. W jaki

Bardziej szczegółowo

Powierzchniowo wzmocniona spektroskopia Ramana SERS. (Surface Enhanced Raman Spectroscopy)

Powierzchniowo wzmocniona spektroskopia Ramana SERS. (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Powierzchniowo wzmocniona spektroskopia Ramana SERS (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych powierzchniach niektórych metali (Ag, Au, Cu) dają bardzo intensywny sygnał

Bardziej szczegółowo

Struktura pasmowa ciał stałych

Struktura pasmowa ciał stałych Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Ekscyton w morzu dziur

Ekscyton w morzu dziur Ekscyton w morzu dziur P. Kossacki, P. Płochocka, W. Maślana, A. Golnik, C. Radzewicz and J.A. Gaj Institute of Experimental Physics, Warsaw University S. Tatarenko, J. Cibert Laboratoire de Spectrométrie

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE

Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE projektowanie poradnikowe u 1 (t) C 1 U B0 I 1 R 1 R 2 I 2 T I B0 R E I E0 I C0 V CC R C C 2 U C0 U E0 C E u 2 (t) Zadania elementów: T tranzystor- sterowane źródło prądu

Bardziej szczegółowo

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Pomiar charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Akademia Sztuk Pięknych w Warszawie, Wydział Konserwacji i Restauracji Dzieł Sztuki, Zakład Badań Specjalistycznych i Technik Dokumentacyjnych

Akademia Sztuk Pięknych w Warszawie, Wydział Konserwacji i Restauracji Dzieł Sztuki, Zakład Badań Specjalistycznych i Technik Dokumentacyjnych SPRAWOZDANIE Z REALIZACJI pierwszego etapu UMOWY o DZIEŁO p.t.: Wykonanie szlifów i analiza produktów korozji próbek metali konstrukcyjnych parowozów metodami mikro-chemicznymi i laserowej spektrometrii

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Układ okresowy. Przewidywania teorii kwantowej

Układ okresowy. Przewidywania teorii kwantowej Przewidywania teorii kwantowej Chemia kwantowa - podsumowanie Cząstka w pudle Atom wodoru Równanie Schroedingera H ˆ = ˆ T e Hˆ = Tˆ e + Vˆ e j Chemia kwantowa - podsumowanie rozwiązanie Cząstka w pudle

Bardziej szczegółowo

Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.

Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved. Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

Stopnie wzmacniające

Stopnie wzmacniające PUAV Wykład 7 Najprostszy wzmacniacz R Tranzystor pracuje w zakresie nasycenia Konduktancja jściowa tranzystora do pominięcia: g ds

Bardziej szczegółowo

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.

Bardziej szczegółowo

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO

Bardziej szczegółowo

Modele kp Studnia kwantowa

Modele kp Studnia kwantowa Modele kp Studnia kwantowa Przegląd modeli pozwalających obliczyć strukturę pasmową materiałów półprzewodnikowych. Metoda Fal płaskich Transformata Fouriera Przykładowe wyniki Model Kaine Hamiltonian z

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru

Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru Rafał Kurleto 4.3.216 ZFCS IF UJ Rafał Kurleto Sympozjum doktoranckie 4.3.216 1 / 15 Współpraca dr hab. P. Starowicz

Bardziej szczegółowo

Grafen i jego własności

Grafen i jego własności Grafen i jego własności Jacek Baranowski Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski W Polsce są duże pokłady węgla, niestety nie można ich przerobić na grafen,

Bardziej szczegółowo

Struktura elektronowa

Struktura elektronowa Struktura elektronowa Struktura elektronowa atomów układ okresowy pierwiastków: 1) elektrony w atomie zajmują poziomy energetyczne od dołu, inaczej niż te gołębie (w Australii, ale tam i tak chodzi się

Bardziej szczegółowo

Frustracja i współzawodnictwo oddziaływań magnetycznych w związkach międzymetalicznych ziem rzadkich. Ł. Gondek

Frustracja i współzawodnictwo oddziaływań magnetycznych w związkach międzymetalicznych ziem rzadkich. Ł. Gondek Frustracja i współzawodnictwo oddziaływań magnetycznych w związkach międzymetalicznych ziem rzadkich Ł. Gondek Plan wystąpienia Cel badań Metodologia badań Badane materiały Wybrane wyniki Wnioski ogólne

Bardziej szczegółowo

Diody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)

Diody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated

Bardziej szczegółowo

Domieszki w półprzewodnikach

Domieszki w półprzewodnikach Domieszki w półprzewodnikach Niebieska optoelektronika Niebieski laser Elektryczne pobudzanie struktury laserowej Unipress 106 unipress 8 Moc op ptyczna ( mw ) 6 4 2 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Natężenie prądu

Bardziej szczegółowo

Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13

Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 dr inż. Hanna Smoleńska Katedra Inżynierii Materiałowej i Spajania Wydział Mechaniczny, Politechnika Gdańska Materiały edukacyjne ROZSZERZALNOŚĆ CIEPLNA LINIOWA Ashby

Bardziej szczegółowo

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os. Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,

Bardziej szczegółowo

Jak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******

Jak TO działa?   Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych

Teoria pasmowa ciał stałych Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury

Bardziej szczegółowo