Epitaksja z fazy ciekłej (LPE)
|
|
- Barbara Szulc
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) 23 marzec 21 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: ext zytkie@ifpan.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: stach@unipress.waw.pl, mike@unipress.waw.pl Wykład 2 godz./tydzień wtorek Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW Budynek Wydziału Geologii UW sala
2 Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) Plan wykładu: definicja + idea metody trochę techniki trochę historii kinetyka wzrostu: dyfuzja konwekcja w układach LPE LPE - układy wieloskładnikowe elektroepitaksja z fazy ciekłej - LPEE morfologia powierzchni warstw LPE - struktury niskowymiarowe
3 Epitaksja z fazy ciekłej (Liquid Phase Epitaxy - LPE) - technika wzrostu warstw epitaksjalnych (najczęściej cienkich) z ciekłego metalicznego roztworu strefa rozpuszczania transport składników źródło (GaAs) roztwór zalety wzrostu z roztworu + zalety epitaksji strefa wzrostu Pożądane własności rozpuszczalnika: składnik kryształu (np. Ga dla GaAs) lub mała rozpuszczalność w krysztale (Bi, Sn, In, Pb, etc.) niski punkt topnienia wysoka rozpuszczalność składników w T epi niska prężność par w T epi wysoka stabilność chemiczna wysoka czystość chemiczna niska cena??? GaAs
4 Idea wzrostu warstw metodą LPE (przykład GaAs na podłożu GaAs) Reguła faz Gibbsa: f(stopnie swobody) = c(składniki) -p(fazy) + 2(p; T) Ga-As GaAs 2 2 p = const. f = 1 (T) 1 roztwór Ga-As podłoże GaAs T = T 1 T T top (GaAs) ciecz (Ga+As) GaAs 1 2 T: T 1 T 2 T 1 T ciecz + GaAs 3 ciecz + GaAs warstwa GaAs T = T 2 x 2 x x As LPE - metoda równowagowa!!!
5 Idea wzrostu warstw metodą LPE (przykład GaAs na podłożu GaAs) wzrost w gradiencie T roztwór Ga-As GaAs T = T 1 C(T 1 ) T T top (GaAs) 1 ciecz (Ga+As) GaAs T 1 GaAs T = T 2 < T 1 C(T2) < C(T1) T 2 2 ciecz + GaAs ciecz + GaAs LPE - metoda równowagowa!!! x 2 x x As
6 kwarcowy reaktor H 2 elektronika pieca TC TC TC piec roztwory tłok Układ LPE III-V (schemat) pompa próżniowa źródło N 2 ruch elementów tygla H 2 podłoże TC pomiar i sterowanie T oczyszczalnik H 2 wylot gazów źródło H 2 tygiel (grafit, kwarc,...) układ poziomy ITE Warszawa
7 Tygle do wzrostu warstw metodą LPE obracany tygiel tipping dipping wzrost pojedynczych warstw
8 Tygle do wzrostu warstw metodą LPE cd. ciekłe roztwory grafit ruch suwaka roztwory tłok podłoże suwak grafitowy podłoże TC Zalety: wzrost struktur wielowarstwowych wzrost z cienkiej warstwy roztworu czyszczenie roztworu Wady: nieco rozmyte granice między warstwami IF PAN
9 Historia H. Nelson: Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication to the fabrication of tunnel and laser diodes RCA Rev. 24 (1963) 63. Nobel 2 - H. Kroemer, J. Kilby, Z. Alfierow za rozwinięcie technologii heterostruktur półprzewodnikowych Dlaczego LPE: metoda łatwa i tania wysokie czystości warstw (segregacja) możliwość wzrostu selektywnego szeroka gama możliwych związków (Al, P,...) metoda bezpieczna
10 Kinetyka wzrostu transport w objętości roztworu - dyfuzja, konwekcja,... transport objętościowy substancji rozpuszczonej (solute) (6) (5) (4) (1) (3) (2) procesy powierzchniowe procesy powierzchniowe wolniejszy z tych 2 etapów decyduje o szybkości wzrostu kryształu zazwyczaj w LPE T na tyle wysoka (procesy powierzchniowe szybkie), a wymuszenie wzrostu na tyle słabe, że transport w cieczy limituje prędkość krystalizacji
11 LPE: wzrost kontrolowany dyfuzją -przykład GaAs z roztworu Ga C As wykres fazowy Ga-As.5 GaAs ciekły roztwór Ga-As C As (T ) C As (T 1 ) C As (T 2 ) j As C = D z As T T 1 T 2 T H z uproszczenia: szybka kinetyka powierzchniowa brak konwekcji transport: masy C t = D 2 C z 2 + V gr C z T t = ciepła k 2 T + V 2 z gr T z mała szybkość wzrostu V gr bardzo szybki transport ciepła brak dyfuzji w fazie stałej V gr warunek ciągłości strumienia masy C z C z l s ( C C ) = D ( z = ) Ds ( ) s, z= l, z= l z = + warunki brzegowe/początkowe
12 LPE: wzrost kontrolowany dyfuzją cd. C As roztwór skończony GaAs ciekły roztwór Ga-As C As (T ) C As (T 1 ) C As (T 2 ) z H < H = równania 2 = ( ) l V ( ) 2 gr Cs, z= Cl, z= = Dl z = C t D C z C z roztwór pół-nieskończony H = H >> D t l Ga - As : T = 8 o C D l cm 2 /s t = 3 min Dt = 2.6 mm warunki brzegowe/początkowe C Cl ( z =, t) = Ceq ( T ( t)) l ( z, t) = z wersja LPE
13 LPE: wzrost kontrolowany dyfuzją cd. - T(t) chłodzenie skokowe kinetyka powierzchniowa T wzrost V gr t -1/2 T -ΔT wjazd wyjazd podłoża t t < 3 ms szybkość wzrostu V gr ΔT D t roztwór skończony grubość warstwy d ΔT Dt d t 1/2
14 LPE: wzrost kontrolowany dyfuzją cd. - T(t) chłodzenie liniowe chłodzenie liniowe + wstępne przechłodzenie T V gr wzrost kontakt t Dα t T -αt T T -ΔT wzrost kontakt t T -αt d V gr ΔT D A t D AΔT t + B + B αt 3 2 αt d Dα t 3 2
15 LPE: przesycenie stężeniowe C As ciekły roztwór Ga-As wykres fazowy Ga-As.5 GaAs T B T A T eq (z) C l (z) T teoria: zwiększyć gradt na powierzchni (T B zamiast T A ) H z Udayashankar et al., Bull. Mater. Sci 26 (23) 685 inkluzje In InSb/InSb praktyka: zmniejszyć gradient koncentracji ograniczyć grubość roztworu zmniejszyć prędkość wzrostu
16 LPE: przepływy w objętości cieczy C As GaAs ciekły roztwór Ga-As przepływ wymuszony!!! C As (T 2 ) z δ C z δ = const D V gr 1 3 ν 1 6 ω 1 2 δ -grubość warstwy dyfuzyjnej ν -lepkość ω -prędkość kątowa Burton, Prim, Schlichter, J. Chem. Phys. 21 (1953) zwiększenie prędkości wzrostu kontrola ewentualnych naturalnych przepływów w cieczy większe ryzyko przesycenia stężeniowego
17 LPE: konwekcja naturalna konwekcja naturalna ρ = ρ( T, C) + grawitacja konwekcja termiczna C As ρ < T ciężki stężeniowa ρ C??? założenia: brak mieszania zewnętrznego podłoże pionowe T(x, y, z) = const. tylko konwekcja stężeniowa typowe roztwory III-V ρ solvent > ρ solute (Ga, In) (As, P) ρ < C g CAs (T 2 ) GaAs lekki destabilizujący rozkład stężenia substancji rozpuszczonej (As) C As (T 2 ) z gradient grubości warstwy ciekły roztwór Ga-As
18 LPE: konwekcja naturalna cd. g ciężki lekki lekki ciężki GaAs GaAs z H destabilizujący rozkład C As stabilizujący rozkład C As wykład S. Krukowski niska liczba Rayleigh a Ra (<1) dominuje dyfuzja zazwyczaj mamy gradt i gradc 3 Ra C = g ΔC β H Dν < 1 Ra T 3 = g ΔT α H κν < 1 C As κ >> D - małe ΔC może spowodować przepływ konwekcja stężeniowa >> konwekcja termiczna Ra H 3 - wysokość roztworu!!! Tiller JCG 2 (1968) 69: brak konwekcji termicznej H < 5 mm brak konwekcji stężeniowej H < 2 mm LPE z cienkiej warstwy roztworu!!!
19 podłoże z H LPE: konwekcja naturalna cd. Kimura et al. JCG 167 (1996) 516 LPE Si z Sn doświadczenie + symulacje g górne dolne podłoże C As technika YO-YO podłoże z H T podłoże z H g g podłoże t podłoże
20 Wzrost LPE warstw wieloskładnikowych (przykład GaAlAs na GaAs) Reguła faz Gibbsa: f(stopnie swobody) = c(składniki) -p(fazy) + 2(p; T) np. Ga-Al-As Ga 1-x Al x As 3 2 p = const. f = 2 (T, x) układ 2-składnikowy: skład warstwy ustalony układ 3-składnikowy: skład warstwy zmienny T T T - grad x s LPE: Al x Ga 1-x As/GaAs GaAs AlAs T = const. 1 x l x s x s = const. x Al
21 Elektroepitaksja z fazy ciekłej (Liquid Phase Electroepitaxy LPEE) T = const. + przepływ prądu elektrycznego przez granicę faz - źródło (GaAs) As As As As As As H z j dyf j el j dyf As efekt Peltiera ( ) C( T ΔT ) C T = D H dc ΔT = D P dt H P j el As elektrotransport = μ E C( T = μ σ j e ) C( T efekt wiatru elektronowego ) GaAs + T -ΔT P T T Vgr gęęstoś prąrą gęstość prądu Φ = 2.5 cm 6 μm LPEE InGaAs/GaAs S. Dost, Univ.Victoria, BC, Canada LPEE AlGaSb/GaSb Z.R. Zytkiewicz, IF PAN
22 Elektroepitaksja z fazy ciekłej - zalety T = const. wysoka jednorodność warstw monitoring in situ znaczniki czasowe jednoczesny wzrost wielu kryształów łatwiejsza kontrola V gr gęstość prądu wypłaszczanie powierzchni GaAs: Ge t 6 t 5 t 4 t 3 t 2 t 1 znaczniki - R(t) źródło ciekły roztwór podłoże + Al x Ga 1-x As/GaAs V gr dr dt j e podłoże epi
23 Elektroepitaksja z fazy ciekłej - wady bardziej skomplikowany układ (kontakty) AlGaAs 4 μm efekt Joule a - limit grubości kryształu GaAs bez efektu Joule a z efektem Joule a z - źródło As As H j el źródło - H As As j dyf podłoże As + T -ΔT P j dyf T T podłoże As + j el T T +ΔT J T
24 LPE: morfologia powierzchni - defekty - w LPE niska koncentracja defektów punktowych i strukturalnych (wzrost równowagowy; T << T M ) - pewne charakterystyczne własności powierzchni wzrost krawędziowy (EG) grafit roztwór Ga-As EG utrudnia ściągnięcie roztworu po wzroście lokalny brak wzrostu Bauser Appl. Phys. 15 (1978) 243 podłoże Z.R. Zytkiewicz JCG 94 (1989) 919 roztwór Ga-As kwarc roztwór Ga-As kwarc podłoże grafit roztwór Ga-As EG podłoże grafit EG podłoże kształt roztworu i dyfuzja 2D przy ścianie prowadzą do wzrostu krawędziowego Przyczyna: lokalne maskowanie podłoża: utlenienie podłoża lub roztworu obcecząstki (ruchome części w tyglu!!!)
25 LPE: morfologia powierzchni podłoże zaokrąglone (R = 2m) δ ±.5 o (komercyjne podłoża GaAs) E. Bauser Atomic mechanisms in semiconductor Liquid Phase Epitaxy Handbook of Crystal Growth, Ed. D.T.J. Hurle vol. 3b, Elsevier 1994
26 LPE: morfologia powierzchni (grube warstwy GaAs) facet growth stopnie: wysokość =.258 nm szerokość = 1.6 μm NDIC (D. Dobosz, M. Zadrożna) AFM (E. Łusakowska IF PAN) 1 μm
27 LPE: morfologia powierzchni (grube warstwy GaAs) AFM (E. Łusakowska IF PAN) terrace growth stopnie: wysokość = 3 nm szerokość = 15 μm monoatomowe stopnie na powierzchni tarasu NDIC (D. Dobosz, M. Zadrożna)
28 LPE: morfologia powierzchni cd. δ =.5 o brak zarodkowania 2D brak dyslokacji powierzchnia atomowo gładka (brak stopni monoatomowych) np. w Epitaxial Lateral Overgrowth E. Bauser Atomic mechanisms in semiconductor Liquid Phase Epitaxy Handbook of Crystal Growth, ed. D.T.J. Hurle vol. 3b, Elsevier 1994
29 LPE - struktury niskowymiarowe Konuma et al. APL 63 (1993) 25 Si 15.6 nm/si.995 C nm podłoże 4 cale!!! kropki SiGe/Si pseudomorphic Ge/Si 1 nm czas wzrostu < 1 s
30 Podsumowanie LPE wzrost z roztworu: niska koncentracja defektów punktowych metoda łatwa i tania (w wersji standard) wysokie czystości warstw (segregacja) możliwość wzrostu selektywnego szeroka gama możliwych związków (Al, P,...) metoda bezpieczna epitaksja: kontrola mechanizmu wzrostu (dezorientacja podłoża) podłoże wymusza dopasowanie sieciowe warstwy o grubościach od nm do mm wzrost struktur niskowymiarowych -możliwy choć trudny wady: trudności ze wzrostem nierównowagowym domieszkowanie ograniczone wykresem fazowym (np. GaAs:Mn) struktury wymagające dużego przesycenia (np. GaAs/Si) układy o ograniczonej mieszalności w fazie stałej monitoring in situ bardzo trudny
31 Do czytania o LPE Handbook of Crystal Growth, Ed. D.T.J. Hurle vol. 3, Elsevier 1994 E. Bauser Atomic mechanisms in semiconductor Liquid Phase Epitaxy M.B. Small, E.A. Giess and R. Ghez Liquid Phase Epitaxy E. Kuphal Liquid Phase Epitaxy Appl. Phys. A52 (1991) 38. M.B. Small, I. Crossley The physical processes occurring during liquid phase epitaxial growth J. Cryst. Growth 27 (1974) 35. M.G. Astles Liquid Phase Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductor Materials and their Device Applications, IOP Publishing 199. B. Pamplin (ed.) Crystal growth, Pergamon, 1974 K. Sangwal (ed.) Elementary Crystal Growth, SAAN Publishers, 1994.
Epitaksja z fazy ciekłej (LPE)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) 8 kwiecień 213 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 2-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 1 ext.
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów II. semestr Wstęp 16 luty 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01 ext. 3363 E-mail:
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 0-4 Warszawa, ul Sokołowska 9/37 tel: 88 80 44 e-mail: stach@unipress.waw.pl,
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
STRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Wykresy układów równowagi faz stopowych Ilustrują skład fazowy
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: Podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Wykład 13. Wzrost kryształów objętościowych z roztopu Tomasz Słupiński Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski e-mail: tomslu@fuw.edu.pl Stanisław
Bardziej szczegółowoDiagramy fazowe graficzna reprezentacja warunków równowagi
Diagramy fazowe graficzna reprezentacja warunków równowagi Faza jednorodna część układu, oddzielona od innych części granicami faz, na których zachodzi skokowa zmiana pewnych własności fizycznych. B 0
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoROZTWORY, WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY
ROZTWORY, WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów IV. Źródła i rozmnażanie się dyslokacji
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY
WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w ICM
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definicji Faza Stan materii jednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego, ale również
Bardziej szczegółowoMATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I. dr inż. Hanna Smoleńska
MATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I dr inż. Hanna Smoleńska UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ Równowaga termodynamiczna pojęcie stosowane w termodynamice. Oznacza stan, w którym makroskopowe
Bardziej szczegółowoWzrost fazy krystalicznej
Wzrost fazy krystalicznej Wydzielenie nowej fazy może różnić się of fazy pierwotnej : składem chemicznym strukturą krystaliczną orientacją krystalograficzną... faza pierwotna nowa faza Analogia elektryczna
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoTermodynamika i właściwości fizyczne stopów - zastosowanie w przemyśle
Termodynamika i właściwości fizyczne stopów - zastosowanie w przemyśle Marcela Trybuła Władysław Gąsior Alain Pasturel Noel Jakse Plan: 1. Materiał badawczy 2. Eksperyment Metodologia 3. Teoria Metodologia
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoPowierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 korecki@uci.agh.edu.pl http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy
Bardziej szczegółowoWzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza
Wzrost objętościowy z fazy gazowej Krzysztof Grasza Instytut Fizyki PAN Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WARSZAWA Część pierwsza Zakres stosowalności metody krystalizacji z fazy gazowej,
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definicji Faza Definicja Gibbsa = stan materii jednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego,
Bardziej szczegółowoLateralny wzrost epitaksjalny (ELO)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) 18 maj 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01
Bardziej szczegółowoTermodynamika materiałów
Termodynamika materiałów Plan wykładu 1. Funkcje termodynamiczne, pojemność cieplna. 2. Warunki równowagi termodynamicznej w układach jedno- i wieloskładnikowych, pojęcie potencjału chemicznego. 3. Modele
Bardziej szczegółowochemia wykład 3 Przemiany fazowe
Przemiany fazowe Przemiany fazowe substancji czystych Wrzenie, krzepnięcie, przemiana grafitu w diament stanowią przykłady przemian fazowych, które zachodzą bez zmiany składu chemicznego. Diagramy fazowe
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Michał Leszczyński Wykład 2 godz./tydzień wtorek 9.00 11.00 Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW, Siedziba A, Sala
Bardziej szczegółowoAzotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu
Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoKrystalizacja. Zarodkowanie
Krystalizacja Ciecz ciało stałe Para ciecz ciało stałe Para ciało stałe Przechłodzenie T = T L - T c Przesycenie p = p g - p z > 0 Krystalizacja Zarodkowanie Rozrost zarodków Homogeniczne Heterogeniczne
Bardziej szczegółowoLaboratorium z chemii fizycznej. Zakres zagadnień na kolokwia
CHEMIA semestr III Laboratorium z chemii fizycznej Zakres zagadnień na kolokwia 1. Wymagania ogólne Podstawą przygotowania do ćwiczeń jest skrypt pt. Chemia fizyczna. Ćwiczenia laboratoryjne, praca zbiorowa
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoAnaliza termiczna Krzywe stygnięcia
Analiza termiczna Krzywe stygnięcia 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 T a e j n s x p b t c o f g h k l p d i m y z q u v r w α T B T A T E T k P = const Chem. Fiz. TCH II/10 1 Rozpatrując stygnięcie wzdłuż kolejnych
Bardziej szczegółowoCERAMIKI PRZEZROCZYSTE
prof. ICiMB dr hab. inż. Adam Witek CERAMIKI PRZEZROCZYSTE Projekt współfinansowany z Europejskiego Funduszu Społecznego i Budżetu Państwa PO CO NAM PRZEZROCZYSTE CERAMIKI? Pręty laserowe dla laserów ciała
Bardziej szczegółowoTermodynamiczne warunki krystalizacji
KRYSTALIZACJA METALI ISTOPÓW Zakres tematyczny y 1 Termodynamiczne warunki krystalizacji hiq.linde-gas.fr Krystalizacja szczególny rodzaj krzepnięcia, w którym ciecz ulega przemianie w stan stały o budowie
Bardziej szczegółowoWykład 4. Przypomnienie z poprzedniego wykładu
Wykład 4 Przejścia fazowe materii Diagram fazowy Ciepło Procesy termodynamiczne Proces kwazistatyczny Procesy odwracalne i nieodwracalne Pokazy doświadczalne W. Dominik Wydział Fizyki UW Termodynamika
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoZastosowanie programu DICTRA do symulacji numerycznej przemian fazowych w stopach technicznych kontrolowanych procesem dyfuzji" Roman Kuziak
Zastosowanie programu DICTRA do symulacji numerycznej przemian fazowych w stopach technicznych kontrolowanych procesem dyfuzji" Roman Kuziak Instytut Metalurgii Żelaza DICTRA jest pakietem komputerowym
Bardziej szczegółowoLateralny wzrost epitaksjalny (ELO)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) 15 kwietnia 2013 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 116 3363
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoSPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoSeria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii
Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii 8.1.21 Zad. 1. Obliczyć ciśnienie potrzebne do przemiany grafitu w diament w temperaturze 25 o C. Objętość właściwa (odwrotność gęstości)
Bardziej szczegółowoProwadzący. http://luberski.w.interia.pl telefon PK: 126282746 Pokój 210A (Katedra Biotechnologii i Chemii Fizycznej C-5)
Tomasz Lubera dr Tomasz Lubera mail: luberski@interia.pl Prowadzący http://luberski.w.interia.pl telefon PK: 126282746 Pokój 210A (Katedra Biotechnologii i Chemii Fizycznej C-5) Konsultacje: we wtorki
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Bardziej szczegółowoWykład 3 Zjawiska transportu Dyfuzja w gazie, przewodnictwo cieplne, lepkość gazu, przewodnictwo elektryczne
Wykład 3 Zjawiska transportu Dyfuzja w gazie, przewodnictwo cieplne, lepkość gazu, przewodnictwo elektryczne W3. Zjawiska transportu Zjawiska transportu zachodzą gdy układ dąży do stanu równowagi. W zjawiskach
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Michał Leszczyński Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,
Bardziej szczegółowoOsadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Bardziej szczegółowoWykład 8 Wykresy fazowe część 2
Wykład 8 Wykresy fazowe część 2 Grzegorz Karwasz Wg M. Blicharskiego, Wprowadzenie i S. Prowansa, Struktura Stopów Spis treści Przykłady wykresów klasy mieszalności Krzywe stygnięcia Mieszaniny składników
Bardziej szczegółowoCzym się różni ciecz od ciała stałego?
Szkła Czym się różni ciecz od ciała stałego? gęstość Czy szkło to ciecz czy ciało stałe? Szkło powstaje w procesie chłodzenia cieczy. Czy szkło to ciecz przechłodzona? kryształ szkło ciecz przechłodzona
Bardziej szczegółowoKINETYKA UTLENIANIA METALI
KINETYKA UTLENIANIA METALI SCHEMAT PROCESU UTLENIANIA Utleniacz Metal Utleniacz Zgorzelina Metal x Miarą szybkości korozji metalu jest ubytek jego grubości, x, odniesiony do czasu trwania procesu korozji.
Bardziej szczegółowoTemat 27. Termodynamiczne modele blokowe wzrostu kryształów
Temat 27. Termodynamiczne modele blokowe wzrostu kryształów W modelach blokowych wzrostu kryształów wszystkie zjawiska zachodzące na powierzchni kryształu zostały sprowadzone do przyłączania i odłączania
Bardziej szczegółowoPrężność pary nad roztworem
Tomasz Lubera Układ: Prężność pary nad roztworem dwuskładnikowy (składniki I i II) dwufazowy (ciecz i gaz) w którym faza ciekła i gazowa to roztwory idealne W stanie równowagi prężności pary składników/układu
Bardziej szczegółowoWykład 8B. Układy o ograniczonej mieszalności
Wykład 8B Układy o ograniczonej mieszalności Układy o ograniczonej mieszalności Jeżeli dla pewnego składu entalpia swobodna mieszania ( Gmiesz> 0) jest dodatnia, to mieszanie nie jest procesem samorzutnym
Bardziej szczegółowoSzkła specjalne Przejście szkliste i jego termodynamika Wykład 5. Ryszard J. Barczyński, 2017 Materiały edukacyjne do użytku wewnętrznego
Szkła specjalne Przejście szkliste i jego termodynamika Wykład 5 Ryszard J. Barczyński, 2017 Materiały edukacyjne do użytku wewnętrznego Czy przejście szkliste jest termodynamicznym przejściem fazowym?
Bardziej szczegółowoWykład 2. Anna Ptaszek. 7 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Chemia fizyczna - wykład 2. Anna Ptaszek 1 / 1
Wykład 2 Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego 7 października 2015 1 / 1 Zjawiska koligatywne Rozpuszczenie w wodzie substancji nielotnej powoduje obniżenie prężności pary nasyconej P woda
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoWnikanie ciepła przy konwekcji swobodnej. 1. Wstęp
Wnikanie ciepła przy konwekcji swobodnej 1. Wstęp Współczynnik wnikania ciepła podczas konwekcji silnie zależy od prędkości czynnika. Im prędkość czynnika jest większa, tym współczynnik wnikania ciepła
Bardziej szczegółowoWykład 8 Wykresy fazowe część 1
Wykład 8 Wykresy fazowe część 1 Grzegorz Karwasz Zalecany wykład Henryk Adrian (AGH Kraków) http://student.agh.edu.pl/~isshi/materialy/metaloznawstwo/wyklad_5_is.pdf Zagadnienia Wykresy termodynamiczne
Bardziej szczegółowoWYKAZ NAJWAŻNIEJSZYCH SYMBOLI
SPIS TREŚCI WYKAZ NAJWAŻNIEJSZYCH SYMBOLI...7 PRZEDMOWA...8 1. WSTĘP...9 2. MATEMATYCZNE OPRACOWANIE WYNIKÓW POMIARÓW...10 3. LEPKOŚĆ CIECZY...15 3.1. Pomiar lepkości...16 3.2. Lepkość względna...18 3.3.
Bardziej szczegółowoKalorymetria. 1. I zasada termodynamiki, Prawo Hessa, Prawo Kirchhoffa (graficzna interpretacja), ciepło właściwe, termodynamiczne funkcje stanu.
Kalorymetria 1. I zasada termodynamiki, Prawo Hessa, Prawo Kirchhoffa (graficzna interpretacja), ciepło właściwe, termodynamiczne funkcje stanu. 2. Rodzaje i zasady działania kalorymetrów: a) nieizotermicznego
Bardziej szczegółowoWykresy równowagi fazowej. s=0
Wykresy równowagi fazowej Reguła faz Gibbsa o budowie fazowej stopów (jakie i ile faz współistnieje) w stanie równowagi decydują trzy parametry: temperatura, ciśnienie oraz stężenie poszczególnych składników
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoWykład 1. Anna Ptaszek. 5 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Chemia fizyczna - wykład 1. Anna Ptaszek 1 / 36
Wykład 1 Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego 5 października 2015 1 / 36 Podstawowe pojęcia Układ termodynamiczny To zbiór niezależnych elementów, które oddziałują ze sobą tworząc integralną
Bardziej szczegółowoprof. dr hab. Małgorzata Jóźwiak
Czy równowaga w przyrodzie i w chemii jest korzystna? prof. dr hab. Małgorzata Jóźwiak 1 Pojęcie równowagi łańcuch pokarmowy równowagi fazowe równowaga ciało stałe - ciecz równowaga ciecz - gaz równowaga
Bardziej szczegółowoWykład 3. Fizykochemia biopolimerów- wykład 3. Anna Ptaszek. 30 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego
Wykład 3 - wykład 3 Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego 30 października 2013 1/56 Warunek równowagi fazowej Jakich układów dotyczy równowaga fazowa? Równowaga fazowa dotyczy układów: jednoskładnikowych
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoRównowagi fazowe. Zakład Chemii Medycznej Pomorski Uniwersytet Medyczny
Równowagi fazowe Zakład Chemii Medycznej Pomorski Uniwersytet Medyczny Równowaga termodynamiczna Przemianom fazowym towarzyszą procesy, podczas których nie zmienia się skład chemiczny układu, polegają
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)
WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definici Faza Definica Gibbsa stan materii ednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego,
Bardziej szczegółowoKinetyka zarodkowania
Kinetyka zarodkowania Wyrażenie na liczbę zarodków n r o kształcie kuli i promieniu r w jednostce objętości cieczy przy założeniu, że tworzenie się zarodków jest zdarzeniem losowym: n r Ne G kt v ( 21
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoTRANSPORT NIEELEKTROLITÓW PRZEZ BŁONY WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEPUSZCZALNOŚCI
Ćwiczenie nr 7 TRANSPORT NIEELEKTROLITÓW PRZEZ BŁONY WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEPUSZCZALNOŚCI Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawami teorii procesów transportu nieelektrolitów przez błony.
Bardziej szczegółowoZadania treningowe na kolokwium
Zadania treningowe na kolokwium 3.12.2010 1. Stan układu binarnego zawierającego n 1 moli substancji typu 1 i n 2 moli substancji typu 2 parametryzujemy za pomocą stężenia substancji 1: x n 1. Stabilność
Bardziej szczegółowoWYMIANA CIEPŁA A PRZY ZMIANACH STANU SKUPIENIA
WYMIANA CIEPŁA A PRZY ZMIANACH STANU SKUPIENIA WYKŁAD 8 Dariusz Mikielewicz Politechnika Gdańska Wydział Mechaniczny Katedra Techniki Cieplnej Wymiana ciepła podczas wrzenia Przejście fazy ciekłej w parową
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoThe role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons
The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons Paweł Szroeder Instytut Fizyki, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń, Poland Reakcja przeniesienia
Bardziej szczegółowoKRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis
Nauka o Materiałach Wykład XI Właściwości cieplne Jerzy Lis Nauka o Materiałach Treść wykładu: 1. Stabilność termiczna materiałów 2. Pełzanie wysokotemperaturowe 3. Przewodnictwo cieplne 4. Rozszerzalność
Bardziej szczegółowoZałącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych
Załącznik nr 1 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoOBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA. Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego
OBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego WPŁYW CHŁODZENIA NA PRZEMIANY AUSTENITU Ar 3, Ar cm, Ar 1 temperatury przy chłodzeniu, niższe od równowagowych A 3, A cm, A 1 A
Bardziej szczegółowoProcesy kontrolowane dyfuzją. Witold Kucza
Procesy kontrolowane dyfuzją Witold Kucza 1 Nawęglanie Nawęglanie jest procesem, w którym powierzchnia materiału podlega dyfuzyjnemu nasyceniu węglem. Nawęglanie (z następującym po nim hartowaniem i odpuszczaniem)
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 7. Diagramy fazowe Dwuskładnikowe układy doskonałe
WYKŁAD 7 Diagramy fazowe Dwuskładnikowe układy doskonałe JS Reguła Gibssa. Układy dwuskładnikowe Reguła faz Gibbsa określa liczbę stopni swobody układu w równowadze termodynamicznej: układy dwuskładnikowe
Bardziej szczegółowoSzkła specjalne Wykład 6 Termiczne właściwości szkieł Część 1 - Wstęp i rozszerzalność termiczna
Szkła specjalne Wykład 6 Termiczne właściwości szkieł Część 1 - Wstęp i rozszerzalność termiczna Ryszard J. Barczyński, 2018 Materiały edukacyjne do użytku wewnętrznego Analiza termiczna Analiza termiczna
Bardziej szczegółowoDiody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.2
METODY PRZECHOWYWANIA I UTRWALANIA BIOPRODUKTÓW ZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.2 Opracował: dr S. Wierzba Katedra Biotechnologii i Biologii Molekularnej Uniwersytetu Opolskiego Odmienność procesów zamrażania produktów
Bardziej szczegółowoModel elektronów swobodnych w metalu
Model elektronów swobodnych w metalu Stany elektronu w nieskończonej trójwymiarowej studni potencjału - dozwolone wartości wektora falowego k Fale stojące - warunki brzegowe znikanie funkcji falowej na
Bardziej szczegółowoWarunki izochoryczno-izotermiczne
WYKŁAD 5 Pojęcie potencjału chemicznego. Układy jednoskładnikowe W zależności od warunków termodynamicznych potencjał chemiczny substancji czystej definiujemy następująco: Warunki izobaryczno-izotermiczne
Bardziej szczegółowoCiekłe kryształy. Wykład dla liceów Joanna Janik Uniwersytet Jagielloński
Ciekłe kryształy Wykład dla liceów 26.04.2006 Joanna Janik Uniwersytet Jagielloński Zmiany stanu skupienia czyli przejścia fazowe temperatura topnienia temperatura parowania ciało stałe ciecz para - gaz
Bardziej szczegółowo14. IZOTERMA ROZPUSZCZALNOŚCI UKŁADU TRÓJSKŁADNIKOWEGO ROZPUSZCZALNIKÓW
14. IZOTERMA ROZPUSZCZALNOŚCI UKŁADU TRÓJSKŁADNIKOWEGO ROZPUSZCZALNIKÓW Zagadnienia teoretyczne Reguła faz Gibbsa. Definicja fazy, liczby składników i liczby stopni swobody. Wyznaczenie składu mieszaniny
Bardziej szczegółowo