Technologia cienkowarstwowa

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Technologia cienkowarstwowa"

Bogdan Dobrowolski
7 lat temu
Przeglądów:

zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3.

1 Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w warstwie p = 10-3 Tr p = 10-4 Tr p = 10-5 Tr 5cm 45cm 5m dr K.Marszałek 1

2 Istotne czynniki i parametry procesu naparowania - ciśnienie gazów resztkowych - szybkość wyparowywania - szybkość wzrostu warstwy (deposition rate) - rodzaj źródła par - temperatura źródła - temperatura podłoża - odległość i wzajemne usytuowanie źródła par i podłoży - rodzaj podłoży d d > d < dr K.Marszałek 2

3 dn ) N ( 1/ 2 m ( ) a kt exp( mv/ 2kT) dv dr K.Marszałek 3

4 Metody wytwarzania i nanoszenia warstw. Wytwarzanie warstw wierzchnich. - hartowanie powierzchniowe: lanca palnika plazmowego (plazmotron Ar, +C,+N 2 ) laser IR wiązka elektronów wiązka jonów (implantacja) (grubość do 1 mm) - obróbka jonowa cieplno dyfuzyjna dr K.Marszałek 4

(AlO) 2 ); SiO 2 (SiO, O 2, Si) Parowanie stopów i wyrównywanie składu

5 Nagrzewanie indukcyjne Metoda flash Parowanie związków bez dysocjacji: B2O3, SiO2, WO3, MgF2 z dysocjacją: Al 2 O 3 (Al, O, AlO, Al 2 O, O 2, (AlO) 2 ); SiO 2 (SiO, O 2, Si) Parowanie stopów i wyrównywanie składu Parowanie reaktywne Parowanie równoczesne (coevaporation) dr K.Marszałek 5

6 Materiały metaliczne: W, Mo, Ta, Ti ; tygle grafitowe Materiały tygli: BN, BN+TiB 2 ThO 2 (T max = 2500 o C); BeO (1900 o C); ZrO 2 (2200 o C); Al 2 O 3 (1900 o C); MgO (1900 o C); SiO 2 (1100 o C); TiO 2 (1600 o C) dr K.Marszałek 6

7 Przykłady parowników do naparowania termicznego (1) dr K.Marszałek 7

8 Przykłady parowników do naparowania termicznego (2) (A) hairpin source, (B) wire helix, (C) wire basket, (D) dimpled foil, (E) dimpled foil with alumina coating, (F) canoe type. dr K.Marszałek 8

9 Działo elektronowe dr K.Marszałek 9

10 Electron Beam Sources dr K.Marszałek 10

11 Działa użyte do naparowania badanych próbek filtrów interferencyjnych Działo jonowe ЛИДА-4 Działo elektronowe УЗЛИ-4 Działo elektronowe WE-10/06M dr K.Marszałek 11

12 Parowniki wysokiej mocy dr K.Marszałek 12

13 Parowniki wysokiej mocy ESV 14/Q ESV 18/UHV dr K.Marszałek 13

14 dr K.Marszałek 14

15 Technologia cienkowarstwowa dr K.Marszałek 15

16 Parowanie równoczesne dr K.Marszałek 16

17 Działo elektronowe S. von Schiller, Proc 7 th Int. Conf. Vac. metall., Tokyo (1982) dr K.Marszałek 17

18 Dwukomorowy układ do metalizacji opakowań kosmetyków metodą naparowania Fabryka Kosmetyków dr K.Marszałek Hean 18

19 SYRUS II- Calottes with Collar Collar only required for 2nd surface [Top-Coat] Simple plug-in system No individual covering of substrates dr K.Marszałek 19

20 SYRUS II- Substrate Carrier and Distribution Mask 222 Substrates ø 55 mm 188 Substrates ø 60 mm 168 Substrates ø 65 mm 144 Substrates ø 70 mm 128 Substrates ø 75 mm 120 Substrates ø 80 mm dr K.Marszałek 20

21 SYRUS II- Electronbeam Evaporator HPE-6 HPE-6 center of chamber Easy dismantling and reinstallation of the electron gun No change in position in case of electron gun s exchange Crucible drive and electrical connections just below electron gun dr K.Marszałek 21

22 SYRUS II-General View Electronbeam evaporator HPE -6 positioned in the chamber s center Ion source with water-cooled anode IR temperature measuring Improved position of MEISSNER trap dr K.Marszałek 22

23 SYRUS II- Ion Source Technologia cienkowarstwowa Water cooled anode Shutter Controller / Power supply dr K.Marszałek 23

Podobne dokumenty

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera