Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å



Podobne dokumenty
NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

Podstawy fizyki wykład 2

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Mikroskop sił atomowych

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy

AFM. Mikroskopia sił atomowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wyznaczenie momentu bezwładności przy użyciu wahadła torsyjnego

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna 1.

Laboratorium nanotechnologii

Fizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska

M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur.

Wahadło torsyjne D I. Równanie ruchu obrotowego krążka. moment bezwładności krążka M moment siły D moment kierujący. drut

Wykład 21: Studnie i bariery cz.2.

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Dyfrakcja na kryształach. Dyfrakcja na kryształach

Wady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element)

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:

Uniwersytet Łódzki, Wydział Chemii Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Zakład Elektroanalizy i Elektrochemii Łódź, ul.

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Grafen i jego własności

CZUŁOŚĆ CHEMICZNA W MIKROSKOPII SIŁ ATOMOWYCH

Wyznaczenie momentu bezwładności przy użyciu wahadła torsyjnego

Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii

Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM)

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)

dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych. Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM

Nanostruktury i nanotechnologie

Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM

Badanie strutury powierzchni z atomową zdolnością rozdzielczą. Powierzchnia jak ją zdefiniować?

Podstawy informatyki kwantowej

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Wyznaczenie momentu bezwładności przy uŝyciu

Mikroskopia Sił Atomowych (AFM)

Mikroskopie skaningowe

Grafen materiał XXI wieku!?

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

M1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur

Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Grafen materiał XXI wieku!?

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Fonony. Fonony

Doświadczenie Younga Thomas Young. Dyfrakcja światła na dwóch szczelinach Światło zachowuje się jak fala - interferencja

ĆWICZENIE 4a. Analiza struktury kompozytów polimerowych

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Współczesna fizyka ciała stałego

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

SYLABUS. Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno - Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii

Badanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii sił atomowych (AFM)

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe

Jak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******

Własności transportowe niejednorodnych nanodrutów półprzewodnikowych

PRACOWNIA MIKROSKOPII


Badania własności optycznych grafenu

Energetyka konwencjonalna odnawialna i jądrowa

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Cząsteczki i światło. Jacek Waluk. Instytut Chemii Fizycznej PAN Kasprzaka 44/52, Warszawa

Oddziaływanie grafenu z metalami

Synteza grafenu za pomocą grafityzacji węglika krzemu w strumieniu atomów krzemu

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Elementy pomiaru AFM

Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi

Elementy przełącznikowe

Współczesna fizyka ciała stałego

Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH

Mikroskop sił atomowych (AFM)

h λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s)

= a (a c-c )x(3) 1/2. Grafit i nanorurki węglowe Grafen sieć rombowa (heksagonalna) z bazą dwuatomową. Metody wytwarzania

Rozszczepienie poziomów atomowych

Stara i nowa teoria kwantowa

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Opis przedmiotu zamówienia

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Stany skupienia materii

Szum w urzadzeniu półprzewodnikowym przeszkoda czy szansa?

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

Ciała stałe. Ciała krystaliczne. Ciała amorficzne. Bardzo często mamy do czynienia z ciałami polikrystalicznymi, rzadko monokryształami.

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej

Skaningowy mikroskop tunelowy STM

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Oddziaływanie promieniowania X z materią. Podstawowe mechanizmy

2008/2009. Seweryn Kowalski IVp IF pok.424

Dr Piotr Sitarek. Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Promieniowanie X. Jak powstaje promieniowanie rentgenowskie Budowa lampy rentgenowskiej Widmo ciągłe i charakterystyczne promieniowania X

Transkrypt:

Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia ta odpowiada λ = 1 Å Neutrony oddziaływają z : jądrami (można wyznaczyć gęstość prawdopodobieństwa znalezienia jąder), wyznaczyć krzywe dyspersyjne fononów momentami magnetycznymi jąder. J. Ginter

Wykład 12 Elektrony mają ładunek elektryczny i oddziaływają silnie z materią, wnikają bardzo płytko. Zjawisko ugięcia elektronów pozwala na badania strukturalne powierzchni oraz bardzo cienkich warstw Elektrony T. Stacewicz & A. Witowski

Wykład 12 Transmisyjny Mikroskop Elektronowy (TEM)

Transmisyjny mikroskop elektronowy (SEM) HRTEM High Resolution TEM) J. Borysiuk

Skaningowy mikroskop elektronowy (SEM) Wykorzystujemy skanowanie powierzchni próbki przez wąska wiązkę elektronów. Elektrony rozpraszają na powierzchni tak jak światło Kropki kwantowe GaN/AlGaN K. Surowiecka, Uniwersytet Ulm http://www.purdue.edu/rem/rs/sem.htm Warstwa epitaksjalna GaAs (wzrost 2D) w sąsiedztwie krystalitów GaAs (wzrost 3D) Wzrost - K. Pakuła (UW)

Wykład 12 Dyfrakcja nisko elektronów (LEED) nisko-energetycznych http://upload.wikimedia.org/wikipedia/

Wykład 12 Dyfrakcja nisko elektronów (LEED) nisko-energetycznych

Wykład 11 Skaningowy Mikroskop Tunelowy (STM)

Wykład 11 Skaningowy Mikroskop Tunelowy (STM) J T VT exp( A Φd) d A=1.025 (ev) -0.5 Ǻ -1 Φ praca wyjścia

Wykład 12 Pojedyncza warstwa grafitu, grafen fulereny nanorurki grafit Podstawowy budulec dla struktur węglowych.

Wykład 12 Grafit 1.42 Å 3.35 Å γ 1 = 0.39 ev γ 0 = 3.12 ev

Metoda taśmy klejącej - badanie tego co zwykle lądowało w koszu płatki z kilku warstw Rozmiary ~10 µm K. Novoselov, A. Geim et al. Science (2004)

Wykład 12 Komórka elementarna grafenu J. Blinowski et al., J. Physique 41 (1980) 47-58

Wykład 12 Mikroskop tunelowy (STM) Grafen na podłożu 4H-SiC(0001), strona Si (R.Bożek)

Wykład 12 Grafen - Elektronowy mikroskop transmisyjny HRTEM (wysoka rozdzielczość) Pierwsza warstwa na stronie C jest oddalona od SiC przeszlo 3Å. Oznacza to mniejsze oddziaływanie z SiC J. Borysiuk et al. J. Appl. Phys. 105, 023503 2009.

Inne metody wytwarzania grafenu

Rozwarstwianie grafitu S. Stankovich et al., Carbon 45 1558(2007) Y. Hernandez et al., Nature nanotechnology 3, 563 (2008) W. Quian et al., Nano Res 2, 706 (2009) A. Ciesielski and P. Samori, Chem. Soc. Rev. 43, 381 (2014)

Obiecująca metoda otrzymywania grafenu Wygrzewanie SiC SiC T (>1400 o C); wysoka próżnia Kilka, kilkadziesiąt warstw węglowych Si Si STM Si layer C layer 5 nm van Bommel et al., Surface Science 1975 Oshima et al., J. Phys. Cond. Matt. 1997 Forbeaux et al., PRB 1998 Berger et al., J. Phys. Chem. 2004, Science 2006 2006/2007

Nowy pomysł: prawdziwa epitaksja (osadzanie) Zalety kontrola transportu masy mniejsze naprężenia warstw mniejsza wrażliwość na stopnie na podłożach lepsza kontrola grubości kompatybilność z technologia SiC

Grafen roll-to-roll Bae et al. NATURE NANOTECHNOLOGY 5,574 (2010)

Bae et al. NATURE NANOTECHNOLOGY 5,574 (2010)

Produkcja grafenu w Polsce Źródło: ARP

Sprawdźmy co można kupić! http://www.grapheneshop.pl/

Mikroskop AFM mikroskop optyczny z kamerą AFM ~25cm podstawa MultiMode AFM +Nanoscope IIIa Digital Instruments (obecnie Veeco)

Budowa mikroskopu AFM: ruchoma próbka Mikroskop optyczny z kamerą Regulacja położenia dźwigni w płaszczyźnie Skaner Uchwyt dźwigni Głowica Mocowanie skanera Wyświetlacz Przewody Baza Podstawka

Tryb kontaktowy ( contact mode )

Tryb kontaktowy ( contact mode )

(TappingMode TM AFM)

EFM Electric Force Microscopy (Kelvin Probe Microscopy) F( x) = F( x ) + 0 F x ( x x )... 0 + ω 0 = 1 F ω 0 2 x k Siła elektryczna (gradient) zmiana częstości rezonansowej Pętla sprzężenia zwrotnego: utrzymanie rezonansu Przyciąganie Spadek częstości Odpychanie Wzrost częstości Doświadczenie w skali makro z ciężarkiem na brzeszczocie i magnesami

Wykład 12 Mikroskop sił atomowych (AFM) GaAs Dyslokacja w InSb GaAs/(Ga,Mn)As AFM MFM Journal of Applied Physics

Dioda Schottky ego Au/GaN (złącze metal-półprzewodnik) topografia granica półprzezroczystej warstwy Au potencjał Rafał Bożek (Wydział Fizyki UW)

GaN GaN LT Buffer sapphire 2.2µm potecjał (KPFM) topografia (AFM) Rafał Bożek (Wydział Fizyki UW)

MFM Magnetic Force Microscopy F( x) = F( x ) + 0 F x ( x x )... 0 + ω 0 = 1 F ω 0 2 x k Siła magnetyczna (gradient) zmiana częstości rezonansowej Pętla sprzężenia zwrotnego: utrzymanie rezonansu Przyciąganie Wzrost częstości Odpychanie Spadek częstości

Mikroskop sił magnetycznych (MFM) Rafał Bożek (Wydział Fizyki UW)

Nanorurki węglowe L. Forroro et al. Electronic and mechanical properties of carbon nanotubes,

Moduł Younga dla nanorurki? F = 10-12 - 10-8 N L. Forroro et al. Electronic and mechanical properties of carbon nanotubes (Wikipedia) A. Volodin et al.,phys. Rev. Lett. 84, 3342 (2000) Palaci et al., Phys. Rev. Lett. 94, 175502 (2005)

Wykład 12 Porównanie mikroskopów Mikroskop optyczny STM AFM Rozdzielczość: x, y 1.0 µm 0.1 nm 2 10 nm Rozdzielczość: - 0.01 nm 0.1 nm z Powiększenie 10 3 10 8 10 8 próbka próbka przezroczysta nierówności < 10µm nierówności < 10µm