UKO 621.382.3 NORMA BRANŻOWA BNBO ELEMENTY Tranzystory 337530.03 PÓŁPRZEWOON. KOWE typu BC 211 BC 211A Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe epitaksjalnoplanarne tranzystory małej mocy małej częstotliwości typu BC 211 i BC 2A w obudowie metalowej do zastosowań powszechnego użytku oraz w urządzeniach w których wymaga się zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z określeniami wg PN78/T O 1515. Tranzystory przeznaczone są do pracy w układach przełączających średniej mocy średniej szybkości i wzmacniaczach małej częstotliwości odchylania poziomego OTV w stopniach wyjściowych wzmacniaczy mocy do 3 W oraz w stopniach sterujących wzmacniaczy HiFi. Tranzystory BC 211 i BC 211A są komplementarne do tranzystorów BC 313 i BC 313A. Kategoria klimatyczna wg PN73/E04550 dla tranzystorów o: standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04 wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125121 bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 40/125/56. 2. Przykład oznaczenia tranzystorów a) o standardowej jakości: TRANZYSTOR BC 211 BN80/337530.03 40/125/04 b) o wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 211/3 BN80/337530.03 40/125121 c) o bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 211/4 BN80/337530.03 40/125/56 3. Cechowanie tranzystorów powinno zawierać nazwę producenta oraz oznaczenie typu (podtypu). Ponadto tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory 'o bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tab!. l. Elementy obudowy wg. PN72/T 01503: ark. 53 obudowa C4 ark. 23 podstawa B4C. obudowy stosowane przez producenta CE 23. a. o...... _. A 1 t=;. Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. Tablica 1 Symbol Wymiary mm Kąc wymiaru... oc mm nom max A 61 66 a 508 1 ) o h3 053 0D 864 939 o Dl 801 850 F 203 j 072 079 1 ) 086 k 074 )14 127 135 152 a 45 1 ) Jj 90 1 ) ) Wymiar teoretyczny. l ;f Zgłoszona przez NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Naczelnego Dyrektora Zjednoczenia Przemysłu Podzespołów i Materiałów Elektronicznych UNTRAELEKTRON dnia 28 października 1980 r. jako norma Obowiązująca od dnia 1 lipca 1981 r. (Dz. Norm. i Miar nr 28/1980 poz. 113). WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE 1981. Druk. Wyd. Norm. Wwa. Ark. wyd. 110 Nakl. 2600+55 Zam. 14/81 Cena zł 7.20
2 BN80/337530.03 5. Badania w grupie A B C i D wg BN801 337530.00 p. 5.1. 6. Wymagania sczeg6łowe do badań grupy A B C i D. a) badania podgrupy Al sprawdzenie wymiarów: D Dl A l wg rysunku i tabl. l b) badania podgrupy A2 sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl. 2 c) badania podgrupy A3 sprawdzenie drugorzędnych parametrów elektrycznych wg tab!. 3 d) badania podgrupy A4 sprawdzenie parametrów elektrycznych w tamb = 125 C (poziom i V) wg tabl. 4 e) badania podgrupy B i C sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń: próba Ub metoda 2 25 N 3 cykle; próba Ual 5 N; sprawdzenie szczelności: próba Qk pozom nieszczelności 133. 1O Pa. dm 3 /s f) badania podgrupy B3 i C9 sprawdzenie wy. trzymałości na spadki swobodne: położenie tranzystora w czasie spadania wyprowadzeniami do góry g) badania podgrupy B4 sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę h) badania podgrupy B6 i C6 sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne: układ OB wg PN781 T..o1515 tabl. 7 tamb = 25 C h 30 ma U CB = = 27 V dla BC 211 oraz le = 20 ma. U CB = 40 V dla BC 21lA i) badania podgrupy C2 sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl. 3 j) badania podgrupy C3 sprawdzenie masy wyrobu: 11 g k) badania podgrupy C4 sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenie stałe: kierunek probierczy obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowadzeń mocowanie za obudowę; sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę; sprawdzenie wy trzy ' małości na wibracje o stałej częstotliwości: mocowanie za obudowę l) badania podgrupy CłO sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl. l m) badania podgrupy D (poziom jakości i V) sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatura narażan.ia 25 C n) badanie podgrupy D4 sprawdzenie wytrzymałości na pleśń: po badaniu brak porostu pleśni o) badanie podgrupy D5 sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną : położenie tranzystora dowolne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D wg tabl. 5. 7. Pozostałe postanowienia wg BN80/337530.00. Tablica l. Parametry elektryczlle sprawdzane w badaniu podgrupy Al (poziom i V) Oznaczenic MClOda Wa rtości graniczne literowe pomiaru wg Warunki pomaru kdnostka BC 211 BC 211A PN74/T01504 min max min max las ark. 09 U CJi = 40 V R6E = O 3 4 5 6 7 8 9. UeE = 60 V na 100 RBt = O 2 U.fll ebo ark. 04 l e = 100 f.la V 80 100 h=o 3 Ulal eeo ) ark. 07 le = 30 ma. h: = l) V 40 60 4 U(B ESO ark. 04 fe= 100 f.la V 5 5 le = O 5 ' h21.2) ark. Ol le = 150 ma 40 250 40 250 6 h21et 112) ark. Ol c= 150 ma li 21E(21 U ee == 2 V ) Pomiar impulsowy: t p 300 f.ls; /j 2%. Ua == 2 V k. 6 40 100 40 Ol) ki. 10 60 160 60 160 k. 16 100 250 100 250 2) Selekcja na klasy wzmocnienia (6 lo 16) oraz dobieranie w pary tylko na życzenie odbiorcy. 100 08 125 O.K 125
BN80/337530.03 3 Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy AJ Cl (poziom n i V) Metoda literowe pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BC 211 BC 211A PN74/T'{) 1504 min max min max 2 3 4 5 6 7 8 9 h2e) ark. OH fe = 500 ma 30 30 Un = 2 V r 2 UCC.'ul) ark. 06 le = A V 10 10 B = 01 A 3 fr ark. 24 c = 50 ma Un = OV MHz 50 50 f = 50 MHz 4 CeB" ark 22 UCE '" OV h=o pf 25 25 f= MHz ) Pomiar impulsowy: t p 300 J.lS; {) 2%. Tablica 4. Parametry elektrycme sprawdzane w badaniu podgrupy A4 (poziom V) Metoda literowe pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BC 211 BC 211A panlmetru PN74/T'{) 1504 mm max mm max 2 3 4 5 6 7 8 9 l CE. r ark. 09 U n = 40 V RBc=O;'umb= 125 C l)ce = 60 V RSE = O; lam" = 125 C J.lA 20 20 Tablica S. Parametry elektrycme sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D (poziom V) Metoda literowe pomaru wg Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka BC 211 BC 211 A PN74/T'{) 1504 mm max min max l 2 3 4 5 6 7 8 9 lces ark. 09 UCF. 40 V B. B3 84 B5. C 100 RBc = O C4. C5 C7 C9 D) C2 Ucc = 60 V RBc = O 100 na Ua = 40 V B6 C6 C8 500 Rsc = O U n = 60 V R Bc = O U Ci = 40 V C2 1 ) 20 R Bc = O J.lA Uce = 60 V 20 RB.' = O 500
4 BN80/337530.03 cd. tabl. 5 Metoda literowe. pomiaru wg Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka BC 211 BC 211A PN74/T01504. min max min max 2 3 4 5 6 7 8 9 h21e ark. Ol 1e= B B3 84 B5 C 40 250 40 250 = 150 ma C4 C5 C7 C9 011) k. 6 U CE =2V 40 100 40 100 k. 10 60 160 60 160 k. 16 100 250 100 250 B6 C6 C8 30 300 30 300 k. 6 30 130 30 130 k. 10 50 200 50 200 k. 16 80 300 80 300 C2 1 ) 20 20 ki. 6 20 20 k. 10 30 30 k. 16 50 50 ) W czasie badania. KONEC NFORMACJE DODATKOWE l. nstytucja op'1lcowujltc8 normę NaukowoProduk.:yjne Centrum Półprzewodników. 2. Normy zwzane PN73/E04550 Wyroby elektrotechniczne. Próby środowiskowe PN72/T 01503.23 Elementy półprzewodnikowe. Zarys wymiary. Podstawa 84 PN721T 01503.53 Elementy półprzewodnikowe. Zarys wymary. Obudowa C4 PN741TO 504.01 Tranzystory. Pomiar hm i napięcia U'E PN74T01504.04 Tranzystory. Pomiar napięć przebicia U(RC' O i Uf WR E/) PN74/T 01504.06 Tranzystory. Pomiar napięć nasycenia U CEW i U U. metodą impulsową PN74/T 01504.07 Tranzystory. Pomiar napięć przebicia U f " l cw U(B' CER U(lt'l CES. U("l ct'x metodą i mpulsową PN74/T01504.08 Tranzystory. Pomiar hm metodą impulsową PN75/T01504.09 Tranzystory. Pomiar prądów resztkowych lce' lces lcey i prądu zerowego lceo PN74/T01504.22 Trdnzystor'y. Pomiar pojemnoś c i C CBO i CE8() PN74/T01504.24 Tranzystory. Pomiar modulu h21 w zakresie w.cz. i częstotliwości fr PN78/T O 1515 Elementy półprzewodnikowe. Ogólne wymagania i badania BN80/337530.00 Elementy pólprzewodnikowe. Tranzystory malej mocy malej częstotliwości. Wymagania i badania 3. Normy zall'1lniczne RWPG er C3B 51077 TpaH3HcTopLl THnOB BC 211 i BC 211Anorma zgodna. 4. Symbole KTM tl'1lnzystol'ów BC 211 1156221402006 BC 211A 115622 1402047. 5 Wartości dopuszczalne wg tabl. i rys.. 6. Dane cbal'1lkterystyczne wg labl. 12 i rys. 12 ; 16. Tabłk:a ll Nazwa Jednostka Wartości BC 211 dopuszczalne BC 211A 2 3 4 5 6 U C60 napięcie stale między kolektorem a bazą V 80 100 2 U CEO napięcie stałe między kolektorem a emiterem V 40 60 3 Uno napięcie stałe między emiterem a bazą V 5 5 4 l c prąd stały kolektora A 5 l. prąd stały bazy A 0 1 01
nformacje dodatkowe do BN80/337530.03 5 cd: tabl. 2 6 P'op 7 'i 8 Qt7b 9.u Nazwa 3 całkowita moc wejściowa (stała lub średnia) na wszystkich.mb 25 C elektrodach przy: l" 25 C temperatura złącza temperatura otoczenia w czasie pracy tempera tura przechowywania Jednostka Wartości BC 211 dopuszczalne BC 211A 4 5 6 W 08 0.8 W 425 425 oc 175 175 oc 40++125 40++125 oc 65++175 65++175 Rezystancja termiczna złącze otoczeni R'hi. 187 KW Rezystancja termiczna złącze obudowa R'hic 35 KW 4' Ptot (wj 3' 3. 3S 3 s o 2. 1 2. 4 z 5 " t t 8 s.. O i i RthtC Bt Z11 Be tna r......... t.. jd 1'000.. " r.. lu 40 60 80. tzo '40 tc"! l l DO łbn8ol33'1s'p03t1j Rys.. Zależność temperaturowa mocy strat od temperatury PlO' = fu) Tablica 12 Nazwa Warunki pomiaru Jednostka BC 211 mm typ Typ BC 211A max mm typ max 2 1 Uelłlłl CBO 2 VeBR eco l ) 3 V ebł ' EłO 4 lces 3 4 5 6 7 napięce przebicia le = 100!lA kolektor baza h=o V 80 napęce przebicia lc = 30 ma V 40 kolektor emiter l. :: O napięce przebicia E = 100!lA V 5 emiter baza le = O prąd resztkowy ko V ee = 40 V lektora R BE = O na UCE = 60 V RBE = O lo 8 9 10 100 60 5 100 10 100
6 nformacje doda tkowe do BN80/ 337530.03 cd. ta bl. 12 Nazwa Warunki po miaru Typ Jednostka Be 2 11 BC 21 1A min typ max mm typ max 1 2 3 4 5 6 7 8 '. 9 10 5 h21e2) statyczny ws p6ł l e = 150 ma 40 250 40 250 czynnik wzmocnie Ua = 2 V k. 6 40 70 100 40 70 100 ma prądowego w układ zie wspólnego k. 10 60 100 160 60 100 160 emitera k. 16 100 140 250 100 140 250 6 h 21E) l e = 500 ma Ucc = 2 V 30 30 7 h m ;)2) stosunek wspó/ l e = 150 ma 08 125 08 125 h 21!l2) czynników wzmoc Ucc = 2 V tranzysto mema dwóch rów pa rę prądowego tworząc ych 8 UCESD/ ) n a p ięcie nasycenia c = A kolektor emiter s = 01 A V ' 04 10 04 10 9 fr c zę stotliwość gra c =. 50 ma mczna U CE = OV MHz 50 300 50 300 f = 50 MHz 10 CClO pojemność kolektor UCE = OV baza c = O pf 8 25 8 25 f = MHz CCBO poj emn ość emiter U CR = 05 V baza lc=o pf 80 80 f= 1 MHz 12 ( on czas włąc za ni a c= 100 ma s = 5 ma ł3 t njj czas wyłą cza ni a l e = 100 ma ns 80 250 80 250 Bl = 5 ma ns 400 850 100 850 182 = 5 ma ) Pomiar impulsowy: p..;; 300 lis łj..;; 2%. 2) Selekcja na klasy wzmocnienia (6 lo 16) oraz dobieranie w pary (2XBC 2 11 2X BC 2 11A Be 21 / BC 313; BC 2A/ BC 3 ł3a ) tylko na życze n i e odbiorcy... a e (m Ą) 50 O 2 li r...".'t Be 21 " fio tlllll : 25"t.. t "."'1. "./ "' "". "'"..;.... 1t1fl Bt 2 lu b sz!lll.v at 2" T Bt 2' la ;:: nllll"ł+łih Ue. = rl "Y UUs:40V Y1 40'1... '"!:li!!ltt+hł 'O'1ll1B1l1tM O 10 20 lo nn. 50 B'O/s375O.03121 Rys. 12. Charakterystyka wyjściowa l e = [ (UcEl 18 pa ra metr Rys. 13. Zal eż n oś ć SN80/33753003131 temperaturo wa p rą dó w zerowych l c ES l cso = [(""h)
nformacje dodatkowe do BN80/3375JO.03 7 AA ae 211 at A t<..v. ".J' " 1110 vt io"'" """... 0 H+++++ł+łłłł+i"""ł +H+ Kil o tl ' 11 C [m B' 18"80/337530.03141 Rys. 14. Zależność slalynnego współczynnika wzmocnienia prądowego od prądu kolektora hm = f(lc) Ua.. O.tOtt:tnBi.lc'..a 18.80/337530.D3t51 Rys. ls. Zależność napięcia nasycenia od prądu kolektora UCESDt UBE "" = f(ld 10 tn Cn " [pf) '. O Bt 211 Bt 2UA 5 O tdmbazs C 4 D l D... D l 4 10 12 Ue'i Ufa tv] 18N80/337530.03181 Rys.. Zależność pojemności złączy od napięcia CC8U = f<uebu) CC80 = f(ucbo)