Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

Transkrypt

1 UKD ELEMENTY PÓŁ~RZEWODN'KOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BF 240 BF 241 BN /06 / Grupa katalogowa 1923 ł Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemo we epitaksjalnoplanarne tranzystory npn małej mocy wielkiej częstotliwości typu BF 240 i BF 241 w obudowie plastykowej do zastosowań powszechnego użyt ku 'oraz w urządzeniach w których wymaga się zastosow~nia elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory są przeznaczone do pracy we wzmacniaczach pośredniej częstotliwości w odbiornikach AM FM Kategoria klimatyczna wg PN73/E04550/00 dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości ) 25/125/04 wysokiej jakości (poziom jakości ) 25/ bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 25/125/56 2 Przykład oznaczenia tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BF 240 BN 83/337531/06 b) wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 240/3 BN1ś3/337531/06 c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 240/4 BN1ś3/337531/06 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) oznaczenie typu (podtypu) b) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wyso kiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu ' 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tabl l ' obudowy stosowane przez producenta CE 35 8 ;ea [ C Al L _ n <::) ~ A A A 2 8N837331S0317l111 Tablica 1 Wymiary obudowy CE 35 Kąt Wymiary w mm Wymiary w mm stopień Symbol Sym~ol wymiaru mm nom max wymaru mm nom max wymar nomnalny A b M hl E D k d n 2 ) e l ) er 20 0 ) Wymiar kontrolowany w odległości 2 mm od płaszczyzny podstawy obudowy 1) Dotyczy oceny lutowności ' Zgłoszona przez NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora OŚrodka BadawczoRozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 29 grudnia 1983 r jako norma obowiązu!ąca od dnia 1 stycznia 1986 r (Dz Norm i Miar nr 11/1985 poz 21) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE ALFA" 1985 Druk Wyd Norm Wwa Ark wyd 080 Nakl Zam 3272/85 Cena zł 1800

2 BN83/ Badania w grupie A B C i D wg BNSO/ /00 p 51 6 Wymagania szczegółowe dotyczące badań grupy A B C i D a) badania podgrupy A sprawdzenie wymiarów: A '0D / wg rysunku i tabl b)badania podgrupy A2 sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl 2 e) badania podgrupy A3 i C2 sprawdzenie drugorzędnych parametrów elektrycznych wg tabl 3 d) badania podgrupy A4 sprawdzenię parametrów elektrycznych w lam!> = 125 C (poziom i V) wg ta bl 4 e) badania podgrupy' Bl C sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń: próba Ub metoda 2: 25 N cykl; próba Ua 5 N sprawdzenie szczelności: próba Q wg PN75/ E04550/ 5 wodny roztwór alfenolu f) badania podgrupy B2 e3 sprawdzenie lutowności wyprowadzeń ocena lutowności nie obejmuje czół wyprowadzeń (po wycięciu belko oraz powierzchni na wymiarze n (po wycię ciu mostków) sprawdzenie masy wyrobu g g) badanie podgrupy C2 ' sprawdzenie odporności na zimno temperatura narażenia 25 C h) badania podgrupy C5 sprawdzenie wytrzymałości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 350 C AQL = 40 i) badania podgrupy B3 sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne: położenie tranzystora w czasie spadania wyprowadzeniami do góry j) badania podgrupy B4 i C4 sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne 245 m/s : udarów mocowanie za obudowę k) badania podgrupy B6 i C6 sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne ' układ OB wg PN78/T01515 tabl 5 lamb = 25 C Je = 107 ma UCE = 28 V ) badania podgrupy C4 sprawdzenie wytrzymałości na 'przyśpieszenie stałe kierunek probierczy obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowadzeń mocowanie za obudowę sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej częstotliwości mocowanie za obudowę m) badania podgrupy CO sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl n) badania podgrupy Dl sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne temperatura narażenia 25 C o) badania podgrupy D3 sprawdzenie palności zewnętrznej p) badania podgrupy 05 sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie tranzystora dowolne r) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i O wg tabl 5 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/337531/00 Oznaczcnie literowe pl:łrametru T a bl' (ea 2 P arame t ry e lektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 (poziom V) Metoda Wartości gramczne pomaru Warunki pomaru Jcdnostka BF 240 BF 241 wg PN74/ TO 1504 mm max mm max JeBo ark 05 UCf/ = 20 V JE = O na Li (f/r) C/JO l ark 04 Je = 10!lA JE = O V U( HH}CW ) ark 07 e = 2 ma 18 = O V U( HR)E8o ark 04 h= 10!lA le = O V 4 4 h21h ark Ol UCE = 10 V c = 1 mla ') ó ~ 00); l"':' n3 ni (po miar impulsowy) literowe Tablic:! 3 Parametry e e k lryczn~ spraw d zane w badaniu podgrupy A3 i C2 (poziom i V) Metoda Wartości graniczne pomaru wg PN74/ Warunki pomaru Jednostka BF 240 BF 241 T01504 mm max mm max U f/ł: ark 01 UC': = 10 V lc = 1 ma V U CB = 10 V e = l ma el 2 ''' ark 23 f= MHz pf t

3 BN83/337531/06 3 Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A4 (poziom V) literowe Metoda Wartości granrczne pomiaru wg PN74/ Warunki pomiaru Jednostka BF 240 BF 241 T \ mm max mm max \ U CH = 20 V l e Ho ark 05 h=o!la tamh = 125 C Tablica S Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach grupy B 'C D Wartości granrczne Ozna Metoda czenre li pomiaru Warunki Podgrupa Jednoterowe BF 240 BF 241 wg PN74/ pomiaru badań stka w czasie po ba w czasie po ba TO 1504 badania daniu badania daniu lehu ark 05 U CH = C C2 B mlo max mm max mlo max max 20 V C4 C5 Dl ij;=0 B3 B4 B5!lA C2 (5311) C6 B h 21E ark Ol UCE = C2 C4 C5 10 V B4 C B l50 fc = B5 B3 Dl 1 ma C2 (539) X 150 C6 B KONEC l nstytucja opracowująca normę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników 2 Normy związane PN73/E04550/OC Wyroby elektrotechniane Próby środowiskowe Postanowienia ógólne PN75/E04550/15 Wyroby elektrotechniczne Próby środowiskowe Próby Q szczelność NFORMACJE DODATKOWE PN74/T0 J 504/07 Tranzystory Pomiar napęca przebicia U( BN cm U( BN ceą U( ance" U( BNCEX metodą impulsową PN74/T01504/23 Tranzystory' Pomiar parametrów [y] wez PN78/T O 1515 Elementy pól przewodnikowe Ogólne wymagama i badania BN80/337531/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości Wymagania i badania PN74/Tłl1504/01 Tranzystory Pomiar hm i napięcia U BE 3 Symbol KTM PN74/T01504/04 Tranzystory Pomiar napięć przc:bicia U(BNcBu BF i U( BRJF~U BF PN74/T 01504/05 Tranzystory Pomiar prądów wstecznych 4 Wartości dopuszczalne"'::"" wg tab! oraz rys JeBu i hal> S Dane charakterystyczne wg tab! 12 i rys 12

4 4 nformacje dodatkowe do BN83/337531/06 Tablica ll Lp UCBO Nazwa Napięcie stałe między kolektorem a bazą Jednostka Wartości dopuszczalne BF 240 BF UCEO 3 UEBO Napięcie stałe między kolektorem a emiterem Napięcie stałe między emiterem a bazą V c Prąd stały kolektora 25 5 B 6 PO Prąd stały bazy Całkowita moc wejściowa (stała lub średnia) na wszystkich elektrodach przy lomb=45 C mw j Temperatura złącza mb Temperatura otoczenia w czasie pracy oc 25 7" "g Temperatura przechowywania Rezystancja termiczna złączeotoczenie R'U_~350 C/W Plllt mw ~ t! 8F 2'10 8F 2'11 " r~ ~ \ " '" '10 20 O 20 4Q tamł er: 1filJ BN«V l+11 Rys 1 J Zależność temperaturowa całkowitej mocy wejściowej Po=f(toob) Lp 2 lebo 2 U(Bł)CBO 3 U(Bł)EBO 4 U( Bił) ao' ) Nazwa Tablica il Typ Warunki Jedno BF 240 BF 241 por~laru stka mm typ max mm typ max Prąd zerowy kolektora UCB =20 V na Napięcie przebicia kolek c =19: ~A V torbaza E =0 Napięcie przebicia emiter E =10 ~A V 4 4 baza c =0 Napięcie przebicia kolek le =2 ma V toremiter la =0

5 nformacje dodatkowe do " BN83/ /06 cd tab\ 12 Typ Lp Warunki Jedno BF 240 BF 241 Nazwa pomaru stka mm typ max mm typ max l 5 h21e Statyczny współczynnik U CE =10 V wzmocnienia prądowego Jc =1 ma (w układz~ wspólnego emitera) 6 UBE Napięcie stałe między ba UCE =10 V V 06~ zą a emiterem lc~1 ma 7 fr " Częstotliwość graniczna UCB =10 V MHz c =1 ma f =100 MHz 8 elus Pojemność sprężenia UCE =10 V pf zwrotnego przy wejściu Jc =1 ma zwartym dla przebiegów f =1 MHz zmiennych (w układzie wspólnego emitera) 9 F Współczynnik szumów UCB =10 V db 4 4 c =1 ma RG =300 fi f =300 KHz 10 g22e Małosygnałowa wartość UCB =10 V 83 8J zwarciowej konduktancji f =047 MHz wyjsclowej (w układzie Jc =1 ma wspólnego emitera) f =107 MHz ')6 ~ OO;'p ~ 03 ms (pomiar impulsowy) ls h Z1 U CE =10V 150 BF 240 " DF c ma 10 len /Q6H Rys 12 CharakteryslYczn)' kształt przebiegu normalizowanego współczynnika wzmocnienia prądowego