Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

Transkrypt

1 UKD N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UL 1111 N BNBB /07 Grupa katalogowa Przedmiot normy Przedmiotem normy sę monolityczne bipolarne analogowe układy scalone typu UL 11 \N składajęce się z pary różnicowej i trzech tranzystorów Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od podłoża złęczem pn W celu z~pewnienia normalnej pracy tranzystora podłoże (13) musi być dołęczone do potencjału przeznaczone do pracy w elektronicznych urzędzeniach niższego (lub co najmniej równego) od potencjału k 'ażdego powszechnego użytku i w urzędzeniachwymagajęcych zasto kolektora w całym układzie aby poszczególne tranzystory sowania układów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgod były odizolowane od siebie W celu wyeliltinowania niepo nie z określeniami wg PN78/T01615 żędanych sprzężeń pomiędzy tranzystorami podłoże po Kategoria klimatyczna dla układów; winno być uziemione dla przebiegu zmiennych przez odpo standardowej jakości (poziom jakości ) 25/070/21 wysokiej jakości (poziom jakości ) 25/070/56 bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 25/070/56 Układ scalony 1 stopnia (15 1) wgpn78/t01615 Schemat elektryczny układu wg rys 1 wiedni kondensator 2 Przykład oznaczenia układów a) standardowej jakośc i; UKLAD SCALONY ANALOGOWY UL 1111 N BN8S/337539/07 b) wysokiejjakości; UKLAD SCALONY ANALOGOWY UL l111n/3 BNS8/337539/07 c) bardzo wysokiej jakości; Podcoże UKLAD SCALONY ANALOGOWY UL 111 l N/4 BNSS/337539/07 3 ne; a) b) c) Cechowanie układów powinno zawierać następujęce daznak lub nazwę producenta oznaczenie typu oznaczenie wyprowadzeń w układzie wg P 4 BN 88/ /0711 d) datę produkcji dla wyrobów majęcych nadany znak jakości 0 Ponadto układy wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrę 3 a układy bardzo wysokiej jakości Rys 1 Schemat elektryczny układu UL 1111 N cyfrę 4 umieszczonę po oznaczeniu typu Zgłoszona przez Fabrykę Półprzewodników TEWA Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 26 listopada 1988 r jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1989 r (Dz Norm i Miar nr 2/ 1989 poz 4) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" 1989 Druk Wyd Norm Ww Ark wyd 100 Nakł Zam 791 /89 'Cena 7500

2 2 sn8aj337539j07 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układ6w wg b) sprawdzeni e odporności na narażenia elektryczne _ wg rys 2 i tabl 1 obudowy stosowane ~rzez pro rys 3; wartość AOL 25 (po'ziom jakości )' ducenta CE 70 c) masa wyrobu 1 g [fi 0 Z Z [ ME ~ «\ ~+++ + f f+ +ł b ~ C ) BN 88/ Rys 2 ObudowaCE 70 Tablica 1 Wymiary obudowy CE 70 Symbol ~ymiaru Wymiary mm K{lt Wymiary mm K{lt Symbol wymiaru w stopniach w stopniach :!lin nom max min nom max A 5 1 e 254 A e B l 77 L b ME 830 c Z 254 D 2032 i E Sadania w grupie A S C i P wg SNB1j337539jOO dl zakres temperatury otoczenia w czasie pracy o o 6 Wymagania szczeg6łowe dotyczc badań grupy A B t 25 C t ' = 70 C amb min ' amb max t CiP a) sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl 2 rys 4 i 5 e) zakres temperatury przechowywania _ o o ' 40 C t = 125 C 1 max t Uli min = +1>1~ 'l o + 15 V r! L Pod/aże!BN88/ Rys 3 Schemat elekiryczny układu do badania Odporności na narażenia elektryczne

3 PN88/337539/07 3 _ Tablica 2 Parametrv elektrvczne sprawdzane w czasie i PO badaniach orupv A B C i D Metoda pomiaru Warunki wg pomiaru Podgrupa badań Jednostka S 6 Wartości min graniczne max 7 UCBR) CEO PN74/ T01S04/03 C = 1 ma A2 B3 B4 ca 1) C4 lb = O BS B6 C2 CS C6 C7 C8 V ls 135 U BRJCBO PNB7/ T01S04/04 l C = 10 j(a ' A2 B3 B4 ca 1) C4 BS B6 C2 CS C6 C7 CB V U CBRl cs A2 B3 B4 Cll) C4 rys 4 = 10 j(a V es BS B6 C2 CS C6 C7 CB A2 B3 1) B4 Cl C4 S U(B~)EBO PN87/ ZE = 10j(A V T01S04/04 Ze =0 BS B6 C2 CS C6 4S C7 C8 A2 B3 B4 cal) C4 U =10V lceo PN87/ CE na TOl S04/09 lb =0 BS B6 CS C6 C7 C8 SOO 7S0 lcbo A2 B3 B4 Cll) C4 PN67/ UCB = 10 V T01S04/0S BS B6 CS C6 C7 CB 18 = O na ez 3 )!JA 3 h 21E A2 B3 B4 CZ1) C4 40 U = 3 V CE PN87/ BS B6 CS C6; C7 CB 32 T01504/01 e a 1 ma C2 2 ) 20 C2 3) 60 BN83/ U ~ 3 V A2 C2 1 ) ee U S26/22 mv oraz rys S U =0 O 1) Wartości dla sprawdzenia parametrów elektrycznych S 2) W czasi e sprawdzania odporności na zimno 3) W czasie sprawdzania odporności na suchę gortlco es + L{S Podfoże Rys 4 Układ do pomiaru napięcia przebicia k<;>lektorpodłoże fsnss! /01 1 U (BR) es

4 4 BN88/337s39/07 32 V 28V + 1kRtO5% 120pF UO lks2to5% 120pF ~ V ~ + R 1 P!OOSł + $ii 15V L _ J + JE ksl:t 05% B N /07 51 Rys 5 Układ do pomiaru wejściowego napięcia niezrówno w ażenia U 10 Ta T b para tranzystorów Tl T2 lub inna dowolna para złożona z tranzystorów T3 ; TS danego układu scalonego UL l l N Rz U = Elementy 120pF oraz 110U majęzazadanie likwidację wzbudzeń 7 Pozostałe postanowienia wg BN81 / /00 KONEC NFORMACJE DODATKOWE 1 nstytucja opracowujaca normę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Fabryka Półprzewoci1lków TEWA Warszawa 2 Normy zwiazane PN78/T016s Mikroukłady scalone Og61ne wymagania i badania PN87/TOs04/01 Tranzystory Pomiar h i napięcia 21E PN87/T01504/09 Tranzystory Pomiar prędów [ClO BN83/337s26/22 Analogowe układy U (BR)cEO' U (SR) CES' U (BR) CER' U (BR) CEX PN87/T01504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U ( BR) CBO U(BR) EBO PN87/T01504/0s Tranzystory Pomiar pręd6w wstecznych resztko [ C EV i prędu zer owego scalone Pomiar napięcia niezrównoważenia wejściowego UO BN81/337s39/00 Układy scalone analogowe Wymagania i badania U SE PN74/TOs04/03 Tranzystory Pomiar napięć przebicia 3 Symbol wg KTM UL l N Wartości dopuszczalne wg tabl (przy t amb = = 25 0 C) 5 Dane charakterystyczne wg tabl 12 (przy t amb = 25 0 C) Tablica 11 Wartości dopuszczalne Lp Nazwa Jednostka Wartości dopuszcza ne min max l P d ( l ) Moc tracona w 'kolektorze (jednego tranzymw 300 stora) przy t amb a 25 0 C 2 P d Moc tracona w całym układzie przy mw 750 t amb 25 0 C

5 cd tabl \1 Lp nformacje dodatkowe do BNBB/337539/07 5 Wartości dopuszczalne Nazwa Jednostka min max U CE Napięci e kolektoremi ter V 15 4 U CS Napięcie kolektorbaza V 20 5 U CS Napięci e kolektorpodło:te V 20 6 U ES Napięcie emiterbaza V 5 7 C Pręd kolektora (jednego tranzystora) ma 50 8 tamb Temperatura otoczenia w czasie pracy Oc 25 ; 70 9 t tg Temperawra przechowywania Oc 40 ; 125 Tablica \2 Dane charakterystyczne ' Wartości Lp Nazwa Warunki pomiaru Jednostka min typ ma>< B ł U ( BR ) CEO U (BR) CBO U CBR ) CS U CBR)ESO Napięcie przebicia kolektor emiter C = 1 ma o B V Napięci e przebicia kolektor 1 = lo /JA V baza C = O E Napięcie przebicia kolektor les z lo /JA V podło:te Napięcie przebicia emiter = lo E f!a V 5 7 baza C = O 5 ' CEO Pręd zerowy kolektora U CE D lo V na B O 6 Pręd zerowy kolektora CBO UCBOV na 1 40 O E 7 h 21E Statyczny współczynnik U CE =3V wzmocni enia prędowego \ (w l = 1 ma układzi e wspólnego emi tera) C 8 U BE Napięcie bazaemiter U CE = 3 V V C = 1 ma U 10 Wejściowe napięcie niezr6w U CE =3V mv 05 5 nowa:tenla c = l ma lo f T Częstotl iwość graniczna U CE 3 V Mliz ' C = 3 ma f p = 100 MHz

6 6 nformacje dodatkowe do BN88/337539/07 cd tabl 12 Lp Nazwa Warunki pomiaru Jednostka Wartości 'min typ max h 11 e Małosygnałowa zwarciowa impedancja wejściowa (w U ee = 3 V kq 35 układzie wspólnego emi tera) re = 1 ma f p = 1 khz 12 h 12e Małosygnałowy rozwarciowy U ee = 3 V współczynnik wslecznego przenoszenia napięciowego le = 1 ma (w układzie wspólnego emitera) 13 h 21 e Małosygnałowy zwarciowy wspc5łczynni k prl:enoszenia prędowego (w układzi e wspólnego emitera) U ee = 3 V 110 e = 1 ma 14 h 22e Małosygnałowa rozwarciowa U ee =3V /S 15 admitancja wyjściowa (w układzi e wspólnego emi tera) e = 1 ma 15 F Współczynnik szumów (poje U = 3 V db 4 dynczego tranzystora) re ee /' = 100 /la Re = 1 Ul 16 C EBO Pojemność emi terbaza U = 3 V EB pf 1 E =0 f p = 5 MHz 17 C ebo Pojemność kolektorbaza U ~ 3 V pf 1 eb e = O f p = 5 MHz 18 Ces Pojemność kolektorpodłoże U es = 3 V pf 28 e = O f p = 5 MHz