Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A"

Transkrypt

1 UKD N O R M A.- B R A N L OWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UCY 7406N - " BN /12 Grupa katalogowa Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych bipolarnych układów scalonych cyfrowych TTL typu UCY 7406N pełniących funkcję sześciokrotnego inwertera z wysokonapięciowym (30 V) otwartym obwodem kolektora tranzystora wyjściowego przeznaczonych do pracy w elektronicznych urządzeniach profesjonalnych oraz urządzeniach wymagających zastosowania układów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z PN-78/T-O Kategoria klimatyczna dla układów: - podwyższonej jakości (poziom jakości ) / l O - wysokiej jakości (po.ziom jakości ) bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 00/070/56. Schemat elektryczny pojedynczej bramki układu wg rys. l. Schemat logiczny i ro z kład wyprowadzeń układu - wg rys. 2. Układy scalone 2-go stopnia (l-s2) - wg PN-78/ T A 16k.R 1 Rys.. Schemat elektryczny (jednego inwcrtcc3 ) Y=A lice y o Masa o 6A SA SY 4A 4Y 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y!1asa 18N=83/ /12 21 Rys. 2. Schemat logiczny i układ wyprowadzeń (widok z góry) 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7406N h) wysokiej jakości: BN-83/ / 12 UKŁA D SCALONY CYFROWY UCY 7406N/ 3 BN-83/ /12 c) bardzo wysokiej jakości: UKŁA D SCALONY CYFROWY UCY 7406N/4 BN-83/ / t2 3. Cechowanie układów powinno zawie rać następujące dane: a) znak lub nazwę producenta b) oznaczenie typu c) oznaczenie wyprowadzeń (znak odniesienia dla identyfikacji numerów wyprowadzeń zgodnie z PN-731 T-01602) d) datę produkcji dla wyrobów mających nadany znak jakości Q. Ponadto układ y wysokiej jakoś c i powinny być znakowane cyfrą 3 a ukła d y bardzo wysokiej jako śc i cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układu - wg rys. 3 i tab. 1. Mikroukład kompletny A49B wg PN-73/T-01603/ 16. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE70. Zgłoszona przez!\laukowo-produkcyjne CentriJm Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-R".<wojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 29 grudnia 1983 r. jako norma obowiązu jąca od dnia 1 lipca 1987 r. (Dz. Norm. i Miar nr 16/ 1986 poz. 33) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" Druk. Wyd. Norm. W-w. Ark.wyd. 110 Nakł Zam. 60/87 Cena zł 2700

2 2 BN-83/ /12 _L l : : l! :!! J r----~vh:!h 1 ~ 'ł- 'H '~ ' j b 1rNt~1 c M - L r' ' -+-_.t---t-.... ' ' i! i i j. i BN Rys. 3. Obudowa CE70 Tablica 1. Wymiary obudowy CE70 Wymiary mm Symbol Kąt wymiaru min nom max w stopniach A A b c ~ D e B e L ME z ;- 15 E Badania w grupie A B C i D - wg BN /00 p Wymagania szczegółowe do badań grupy A B C i D a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów: A D i b wg rys. 3 i tab!. l b) badania podgrupy A2 i A3 wg tab!. 2 c) badania podgrupy B C i D wg tab!. 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie l po badaniu grupy B C i D wg tab!. 4 e) dodatkowe wymagania dla pomiaru parametrów elektrycznych wg rys. 4 -;- 10. U Uec ln ""52712=11 Pomiar U OL lt Rys. 4. Ucc - Wyjscie Ur otwarte - BN-Ol Pomiar - ll Rys. 5. -:»---0 Wyjscie otwarte Bff83/331$-52Z1Z- 61 Pomiar l/h Rys. 6.

3 BN-83/ /12 3 lor U - U. o - dla typu PLH i PHL wg rys. 10 parametry impulsu wejściowego : amplituda Ug = 35 V poziom podstawy O V czas trwania... = 500 ns częstotliwość powtarzania fg = l MHz czas narastania = 10 ns czas opadania 11= 5 ns impedancja wyjściowa generatora Zo = 50 n. wartość C L uwzględnia pojemność sondy i pojemności montażu; każda bramka jest testowana oddzielnie Pomiar lor Rys. 7. WljjScit >O-o() otwarte 8WSl Sygnał wejściowy jest podany na wszystkie inwertery jednocześnie Pomiar l ee Rys. 8. >0---0 Wyjscie otwarte BN $- $2/12-91 Wejscie ~-t- " i" tf 1 _----~...L V V t5v 7 t w 1'" O V -----"----.ł : tph. l tp/.h - ~ ł-~ H Wyjście ~\"S_V --J115V L i OV Pomiar -Ul Rys. 9. Rys. 10

4 4 BN-83/ /12 ~. POL- Frllpa! adań Rodzaj badania.'" --_.~ "--- Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 Kontrolowany parametr Metoda pomiaru wg BN-74/337S-24 Warunki pomiaru A3 Jednostka mm Warto ści granczne \2' 1 Sprawdzanie pod Um ark. oraz U ec = 475 V' na każdą bramkę po V - 04 J " ' l'wvd; '... ' 1" 1- ; '. '." " ~ wg p. 6 rys. 4 kolei UJ = 20 V na wejścia Ul = 20 V;!' rfl... ' l. t.'~w \..1 " li kry""'.. L.. OL = 16 ma z wyjści a mierzonego j i u' (d ark. oraz Uee = 475 V; UJ = 20 V na wejścia V - 07 wg p. 6 rys. 4 l al = 40 ma z wyjścia mierzonego -fl ark. 03 oraz Uee = 525 V' UJ = 04 V na wejście ma -16 ~'"T i )! J//( wg p. 6 rys. 5 mierzone; na pozostaie wejścia 45 V ark. 04 oraz Uee = 525 V' UJ = 24 V na wejście JJ.A - 40 wg p. 6 rys. 6 merzone; na pozostałe wejścia O V a rk. 04 oraz Uec = 525 V' UJ = 55 V na wejście ma - ' 1(2) l wg p. 6 rys. 6 mierzone; na pozostałe wejścia O V l '- l l ~ J OR ark. 06 oraz Ucc = 475 V; UJ = 08 V na wejście JJ.A wg p. 6 rys. 7 mierzone Uo = 30 V na wyjście mie-! ; rzone._ ~... ' ~ - i leell ark. Ol oraz Uec = 525 V' Ul = O V na wszystkie ma - 48 ~! wg p. 6 ;:"y s. 8 wejścia układu jednocześnie i 1- lec/. ark. Ol o'raz Uec = 525 V; UJ = 50 V na wszystkie ma wg p Ó rys 8 wejścia układw jed~locześ n ie -UJ ark 20 oraz Ucc = 475 V; -!J/. = 12 ma z każdego V - 15 wg rys. 9 wejścia mierzonego po kolei; na pozosta ł e wejścia O V lamb = 25 C nl ark 16 oraz Uee = 5 V RL = 110 n C L = 15 pf ns - 26 wg rys. 10 l amh = +25 C; k aż de wejście sterowane (PUl ns - po kolei sygnałem impulsowym na pozostałe wej śc i a 24 V.'\:1 Sprawdzenie typu. Un stan 'niski wg równania 10- Uee = 5 V; U L = O V; UH = 50 V; V - 04 układ u UOll glcznego rys. wyjścia połączone 7~ Uee przez re zystan wysoki V 24 - stor 3.9 kfl max 15 Tablica 3. Wymagania szczegółowe do badań grupy B C D Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 2 3 B. C Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ub. metoda 2; 25 N [ : i " n 1 Ci) Sn r '.wd7> oic wytrzymałości na spadki swobodne położenie układu w czasie spadania: wyprowa-! i... l'.... dzeniami do góry!--.--} ~ i -! ri C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary \.\ficlokrotne ;-'-'X~'Vlallle sztywno za wyprowadzenia w odległ! loś'.. mm od dol nej pła szcz yzny obudowy i - - ; t l----. " ~ l" j'"' (''' SDrawdze J'e t l ' ~ '! '... - l;.1: C! j. - - n wy rzyma OSCl ~: i nr1p' ~ : :;: ;- j~! ny cn'l- l -: A -_. ~-~;o C ~._.. :. ~~(!j()1l1 i".~.~);( :i li! liv) peratury _.._ ~: _ 5 B6. C6 Sprawdzenie odpo rności na 1i<1l''::C111a elektryczne metoda.b:::da nia..\ {:nh = 70 C. badaną pr óbkę. pcjzdlc na dwe CZęSC bat!cjc w warunkach: [ - O V na wszystkie wejścia wyjścia otwarte. zasilanie układu 5 V t i " - 5 V na wszystkie wejścia wyjścia otwar- te. zasilanie uk!adu 5 V ! "' ' ( C2 Sprawdzenie parametrów elektrycznych '' wg tab! '----~r i i 7l '(-:1 Sprawdzenie masy wyroth!. U f '-'.._...-_.-.._..;..'-..-"..._--~. ' ~... ~~..._..o " ' ''0.' ' ; --J Sprawdzenie trwałoś c i cechowania ~ wg? N-';UT-O 615 p :; 5.6. i) ;'! Ct! Sprawdzenie wy trz Y11;)!cŚC! ~!~ ;;; ~""\; ':. ~.-::;_:;:~ o!~~'~unl; k nrc bicrczy prostopadły do pła szczyz n y _- ~. i wrpu"u tlkiadu mocowanie za obudowę Srrawci;r(' ni!...' w y t!ozyrnalości na \vihracje o stałej czc;-l nl0c;wanic sztywno z. a W"YPi"O\VadZenia" w odle- ~ stotliwo~ c j (dla poziomu jakoróci li). _~_'~;' :~:~.1~ od _.t~":'::::l~ t.~ s7czyz ny.obudo~g Sprawdzcnie wytrzyma-lości na wibó'acjc o zmienncj jw '---' '- ~ i'.ęsl()f!iw{) ~; ci (dla--.:... t>o 7.i{) ~u --.:... j akośct l11 j ~ V) L ~ 4

5 BN-S3/ /2 5 cd. tabl. 3 Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe l C7 Sprawdzenie wytrzymałości na zmno ts/g' = -55 C mln 10 CS Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco Slgmax = 125 C (poziom jakości i V) 11 CO Sprawdzenie wymiarów wg rys. 3 i tabl. l 12 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmo- temperatura narażenia C (poziom jakości i V) sferyczne 13 D2 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki aceton sprawdzane wymiary A i D wg tabl. l i rys. 3 masa układu 11 g 14 D3 Sprawdzenie palności wg PN-78/T załącznik 2 p D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu (poziom jakości i V) 16 D5 Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie układu dowolne (poziom jakości V) Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniu grupy B C D Wartości l B3 B4 B5 UOL lur wg tabl. 2 C2. C4 C5 UOL lur -/L JH()' JH(2) wg tabl. 2 C9 Dl C2 UOL stan niski wg tab. 2 (podgrupa A3) UOH stan wysoki B6 C6 C7. UUL stan niski wg rab. 2 (podgrupa A3) CS UOH stan wysoki -11L ark. 03 oraz wg rys. 5 Ucc = 525 V: UJ = 04 V na wejście ma mierzone na pozostałe wejścia 45 V JH() ark. 04 oraz wg rys. 6 Ucc = 525 V; UJ = 24 V na wejście!j.a - 48 merzone na pozostałe wej ścia O V H(2) ark. 04 oraz wg rys. 6 Ucc = 525 V; UJ = 55 V na wejście ma - 12 mierzone na pozostałe wejścia O V Podgrupa Metoda pomiaru Jedno- Sprawdzany parametr Warunki pomaru graniczne badań wg BN-74/ stka mm max Um ark. oraz wg rys. 4 Ucc = 475 V; UJ = 20 V na wejścia V po kolei 10L = 16 ma z wyjścia mierzonego l OR ark. 06 oraz wg rys. 7 U cc = 475 V; UJ = 08 V na wejście mierzone Ue = 30 V na wyjście mierzone!j.a Pozostałe postanowienia - wg BN-80/ /00. KONEC NFORMACJE DODATKOWE l. nstytucja oprcowująca nonnę Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa ul. Komarowa Nonny związane PN-73/ T Elementy półprzewodnik owe. Zasady podawania parametrów geometrycznych na rysunkach PN-73/T-01603/16 Mikrouklady scalone. Zarysy i wymiary. Mikroukład kompletny A49 PN-78/T Mikroukłady scalone. Ogólne wymagania i badania BN-74/ /0 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie niskim lecl BN-74/ / 02 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie wysokim l ech BN-76/ / 03 Cyfrowe uk.łady scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie niskim -n BN-76/ /04 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie wysokim H

6 6 nformacje dodatkowe do BN-83/ /12 BN-76/ /20 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru ujemnego napięcia wejściowego -Ul BN-80/ /00 Cyfrowe układy 3. Symbol wg KTM UCY 7406N jeżeli 4. Wartości dopuszczalne - wg tab!. -. scalone. Wymagania i badania S. Dane charakterystyczne - wg tab!. 1-2 (przy 10mb = O -:- 70 C nie podano inaczej) Ul -ii UOH t slg JQmb Napięcie wejściowe V Ujemny prąd wejściowy ma Napięcie wyjściowe V w stanie wysokim Temperatura przechowywania Temperatura otoczenia w czasie pracy OC OC BN-76/ /06 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Tablica -l. Wartości dopuszczalne Metoda porrtiaru zwrotnego prądu wyjściowego lor Oznaczenie!5ara- Nazwa parametru nost- Jed- BN-76/ /11 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Lp. Metoda pomiaru napięcia wyjściowego w stanie niskim UO L metru ka BN-76/ /16 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru czasów propagacji PHL i PLH Ucc Napięcie zasilania V dopuszczalne Wartości mm max O +70 Tablica 1-2. Dane charakterystyczne Lp. Oznaczenie Jedno- Wartości parametru Nazwa parametru Warunki pomaru parametru. stka mm typ max Ucc Napięcie zasilania - V ccl Prąd zasilania w stanie niskim na wyjściu Ucc = 525 V ma Ul = 5 V 3 cch Prąd. zasilania w stanie wysokim na wyjściu Ucc = 525 V ma Ul = O V 4 UlH Napięcie wejściowe w stanie wysokim - V U L Napięcie wejściowe w stanie niskim - V U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 475 V; Ul = 20 V V OL = 16 ma 7 U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 475 V' V Ul = 20 V lal = 40 ma 8 OL Prąd wyjściowy w stanie niskim 't cc = 475 V ma Ul = 20 V 9 JH(ll Prąd wejściowy w stanie wysokim Ucc = 525 V JJ.A U= 24 V 10 JH(2) Prąd wejściowy w stanie wysokim U cc = 525 V ma - - Ul = 55 V -Ul Ujemne napięcie wejściowe Ucc = 475 V V L = 12 ma 10mb = 25 C 12-11L Prąd wejściowy w stanie niskim Ucc = 525 V ma Ul =04 V 13 l OR Zwrotny prąd wyjściowy Ucc = 475 V; JJ.A Ul = 08 V; UD = 30 V 14 (PHL Czas propagacji sygnału przy przejściu od Ucc = 5 V ns stanu wysokiego do stanu niskiego na wyjściu 15 Czas propagacji sygnału przy przejściu od stanu niskiego do stanu wysokiego na wyjściu C L = 15 pf RL = lon 10mb = +25 C (PLH ns

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów: UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE N O R M A BRANŻOWA Układy scalone typu UL 1601 N BN-83 337-39/04 Grupa katalogowa 192 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są monolityczne bipolarne, analogowe układy

Bardziej szczegółowo

U kłady scalone typu UCY 7407N

U kłady scalone typu UCY 7407N UKD 6213804977 MKROUKŁADY SCALONE N O R M A B R A N Ż OWA U kłady scalone typu UCY 7407N BN-83 3375-52/13 Grupa katalogowa' 1925 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych,

Bardziej szczegółowo

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - - UKD 621 382.2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Diody typu BA 182 i BA 152P BN-81 3375-29.01 Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot nonny. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania i badania dotyczące

Bardziej szczegółowo

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE Układy NORMA BRANŻOWA Układy scalone cyfrowe typu UCY 7402N BN-81 3375-52.05 Grupa katalogowa 1925,. Przedmiot normy. Przedmiotem normy sę szczeg6łowe 2. Przykład oznaczania

Bardziej szczegółowo

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc UKD 621.38.049.77 N O R M A BRANŻOWA MIKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UCY 7404N BN83 337552/11 Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych

Bardziej szczegółowo

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY UKD 621 3822'621.. 387.3232 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 3375-36/02 ELEMENTY Stabilistory typu BZP 6. PÓŁPRZEWODNIKOWE Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące

Bardziej szczegółowo

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy UKD 621 382 04977 N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UL 1111 N BNBB 337539/07 Grupa katalogowa 1925 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy sę monolityczne bipolarne analogowe układy

Bardziej szczegółowo

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y UKD 621.382.049.77 MIKROUKŁADY SCALONE NORMA B. R A N Ż O W A BNBO Układy scalone cyfrowe 337552.01 Układy typu UCY 7400N, UCY 7410N, UCY 7420N, UCY 7~30N Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem

Bardziej szczegółowo

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE UlW 62 382 2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA \ BN83 Dio9Y typu: BA P 94 33752906 BAP 94A BAP 95 BAP 95A Grupa katalogowa 923 _ l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące

Bardziej szczegółowo

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30 UKD 61.38.3 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 ELEMENTY 3375-31/09 PÓŁPRZEWODN KOWE Tranzystory typu BF 196 Grupa katalogowa 193 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące tranzystorów

Bardziej szczegółowo

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35. UKD 6213823 N O R M A BRANŻOWA BNB7 337531/11 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystory typu BF 245 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące krzemowych epitaksjalno

Bardziej szczegółowo

BN-81 3375-39.01 UL 1403L I UL 1405L

BN-81 3375-39.01 UL 1403L I UL 1405L UKD 21,82.09. N O R M A BRANŻOWA BN-81 Układy scalone analogowe 5-9.01 MKROUKŁADY SCALONE Układy typu UL 101L, UL 102L, UL 10L UL 105L Grupa katalogc Na 1925 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe

Bardziej szczegółowo

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04 UKD 6213823 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N ORMA Trańzystory BF 458 BRANŻOWA typu. BF 457. BF 459. BN-83 3375-31/07 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe planarne tranzystory

Bardziej szczegółowo

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ i 8 M S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ PA5fII$ STAIA ROM 4K MCY 7304N XX^ Rys. lo Obudowa CE-73 dla MCY 7304N XX Pamięć MCY 7304N XX3&'> jest statyczną pamięcią stałą ROM 4096-bitową, o organizacji

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241 UKD 621 3823 ELEMENTY PÓŁ~RZEWODN'KOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BF 240 BF 241 BN83 337531/06 / Grupa katalogowa 1923 ł Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemo we epitaksjalnoplanarne tranzystory

Bardziej szczegółowo

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4 UKD 62 38204977. N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UL 480P BN83 3373903 Grupa katalogowa 92. l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznego

Bardziej szczegółowo

ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2

ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2 GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N UCY 74S424N RESETE i U 16 3*UCC RESIN C 2 RCVIN 3 15]]XTAL1 143XTAL2 REACtf 4 UCY 13. 74S424N SYNC 5 123osc ci>2(ttl)e 6 7 g n d 8 3t a n k 11I

Bardziej szczegółowo

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 - UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BC 337, BC 33B BN-B7 3375-30/09 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące

Bardziej szczegółowo

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN ]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2 ib UIN "]lh Bipolarny cyfrowy układ saalony TTL-S pełni «nkej 4-bitowego aadajniks/odbiornika ssyay danyoh syste»> nu mikroprocesorowego wykorsystująeego jednostkę oentrslną MCY 788QN. Wszystkie wejścia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia: Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ IC E M I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ PAMięĆ STAŁA ROM 16K MCY 7316N XX1^ Pamięć MCY 7316N XX jest statyczną pamięcią stalą ROM 16K (16384) bitów, zorganizowaną jako 2048 słów 8-bitoyych, wykonaną

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l UKO 621 3194 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY Kondensatory papierowe 328108 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH hermetyczne KH Zamiast napięcia stałego BN80/328108 Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP 11 Przedmiot normy

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Parametry układów cyfrowych

Parametry układów cyfrowych Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie

Bardziej szczegółowo

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE UKD 621.387.122:621.382.2 NORMA BRANŻOWA BN-81 ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe 3375-33.00 Diody prostownicze NIKOWE Zamiast O prądzie do 10 A BN-76/3375-33.00 Ogólne wymagania i Grupa katalogowa 1923

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Tranzystory w pracy impulsowej

Tranzystory w pracy impulsowej Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Badanie właściwości multipleksera analogowego Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400) INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając

Bardziej szczegółowo

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q. UKD 621 3204977 N ORM A BRANŻOWA MKROUKlADY U kłady scalne SCALONE typu UL 7741 N BNBB 337539/12 Grupa katalgwa 1925 l Przedmit nrmy: Przedmitem nrmy są mnlityczne analgwe układy scalne typu UL 7741N Uklady

Bardziej szczegółowo

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 - UKO 621.382.3 NORMA BRANŻOWA BNBO ELEMENTY Tranzystory 337530.03 PÓŁPRZEWOON. KOWE typu BC 211 BC 211A Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe epitaksjalnoplanarne tranzystory

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych

Bardziej szczegółowo

4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/

4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/ 9 2. Przeznaczenie przyrządu Częstościomierz-czasomierz cyfrowy typ KZ 2025A, KZ 2025B, KZ2025C,K2026A, KZ2026B i KZ 2026C jest przyrządem laboratoryjnym przeznaczonym do cyfrowego pomiaru: - częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,

Bardziej szczegółowo

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132 Skład zespołu: 1. 2. 3. 4. KTEDR ELEKTRONIKI G Wydział EIiE LBORTORIUM TECNIKI CYFROWEJ Data wykonania: Suma punktów: Grupa Ocena 1 Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74C00, 74CT00, 7403, 74132 I. Konspekt

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 7 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH TTL I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Kondensatory elektrolityczne

Kondensatory elektrolityczne UKD 621.319.45 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328150 URZĄDZEŃ ELEKTRONICZNYCH aluminiowe niebiegunowe Odmiany BPU, BPE, BPT Grupa katalogowa 1921 l. WSTĘP 1.1. Przedmiot

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy . el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Agregaty pompowe 2324-01

Agregaty pompowe 2324-01 UKD 621.651.001.33:621.689.1 N O R M A BRANŻOWA BN86 MASZYNY Agregaty pompowe 232401 l URZĄDZENIA Zamiast CHEMICZNE nurnikowe dozujące BN77/ 232401 Podział i główne wymiary Grupa katalogowa 0447 l. WSTĘP

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania 1 Zakres ćwiczenia 1.1 Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET. 1.2 Projekt, montaż i badanie układu: 1.2.1 sterowanego dzielnika napięcia,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje

Bardziej szczegółowo

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym 1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2 WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną

Bardziej szczegółowo

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. 1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,

Bardziej szczegółowo

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo: UKD 621 3823 PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BNB8 Tranzystory typu 337532/25 BDP 392 BDP 394 BDP 396 Grupa katalogowa 1923 i Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczególo: we wymagania dotyczące

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Ćwiczenie 26 Cel ćwiczenia Zapoznanie się ze sposobami konstruowania z bramek NAND różnych bramek logicznych. Konstruowanie bramek NOT, AND i OR z bramek NAND.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie

Bardziej szczegółowo

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3. UKD 621 31945 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328149 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH aluminiowe biegunowe Odmiany 02/T i 02/TS Zamiast BN83/ 328146 1 ) Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A UD 621.9-41.232 OBRABIARI l U RZĄDZEN I A NORMA B RA N ŻO W A BN-78 Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych 4454-01 DO OBRÓBI Wytaczadło z gniazdem METAI kwadratowym i okrągłym Grupa katalogowa łv 27 1.

Bardziej szczegółowo

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Dr inż. Jacek Mazurkiewicz Katedra Informatyki Technicznej e-mail: Jacek.Mazurkiewicz@pwr.edu.pl Elementy poważniejsze

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:

S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm: UKD 629..06 :62.643.4 N O R M A B R A N ŻO WA BNB7 ŚRODK TRANSPORTU Kołnierze wzmacn lające 37343 WODNEGO okrętowe URZĄDZENA na csnienie Zamiast PŁYWAJĄCE nominalne 0,63; ;,6; 4 MPa., BN74/373 43 Grupa

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r. LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS

Bardziej szczegółowo

TECH-AGRO B ę d z i n

TECH-AGRO B ę d z i n TECH-AGRO B ę d z i n TECH-AGRO Będzin Instrukcja obsługi Będzin, luty 2004 rok Spis treści: 1. Opis ogólny urządzenia...2 1. 1. Dane techniczne...2 1. 2. Obudowa i wygląd zewnętrzny...2 1. 3. Budowa

Bardziej szczegółowo

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań adanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie 6. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi układami SSI (Średniej Skali Integracji). Przed wykonaniem ćwiczenia należy zapoznać

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKI IMPULSOWEJ I CYFROWEJ (studia zaoczne) Układy uzależnień czasowych 74121, 74123

LABORATORIUM TECHNIKI IMPULSOWEJ I CYFROWEJ (studia zaoczne) Układy uzależnień czasowych 74121, 74123 KATEDRA ELEKTRONIKI AGH Wydział EAIiE LAORATORIUM TECHNIKI IMPULSOWEJ I CYFROWEJ (studia zaoczne) Układy uzależnień czasowych 74121, 74123 I. KONSPEKT 1 Zaprojektować układ o przebiegach czasowych jak

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r. LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy cyfrowe

Podstawowe układy cyfrowe ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ 1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej

Bardziej szczegółowo

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. SPECYFIKACJE 1.1. Specyfikacje ogólne. Zasada pomiaru: przetwornik z podwójnym całkowaniem; Wyświetlacz: LCD, 3 3 / 4 cyfry; Maksymalny odczyt: 3999;

Bardziej szczegółowo

Dokumentacja Techniczno-Ruchowa separatora sygnałów dwustanowych ES-07

Dokumentacja Techniczno-Ruchowa separatora sygnałów dwustanowych ES-07 separatora sygnałów dwustanowych WYDANIE: 2.2 DATA: 05.07.2007 NR DOK: 2 / 11 EWIDENCJA ZMIAN Zmiana Autor zmiany Podpis Data INFORMACJA O WYCOFANIU DOKUMENTACJI Data Przyczyna Nr dok./nr wyd. dokumentacji

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9 03-450 WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131 022 619 39 66, 022 818 99 92 Strona 2 Stron 9 Warunki wykorzystania sprawozdania z badań oraz informowania o fakcie przeprowadzenia badań w Laboratorium

Bardziej szczegółowo

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY UKD 621 3823 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY 337530/08 " Tranzystory PÓŁPRZEWODN KOWE typu Be 307, Be 308, Be 309 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy

Bardziej szczegółowo

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny). WFiIS LABOATOIM Z ELEKTONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: OK GPA ZESPÓŁ N ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Zaprojektowanie i zbadanie

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/ UKD 621.385 SWW 1155111 LAMPY ELEKTRONOWE NORMA BRANŻOWA BN75 337105 Lampy elektronouje Zamiast typu EY88 i PY88 BN 68/337105 Grupa katalogowa XIX 22 I. Przedmiot normy. Przedmiotem nol'my :są diody usprawni.ające

Bardziej szczegółowo

P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą

P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą wersja 03 2017 1. Zakres i cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie dyskryminatora progowego z histerezą wykorzystując komparatora napięcia A710, a następnie zmontowanie i przebadanie funkcjonalne

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo