Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A
|
|
- Radosław Wojciechowski
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 UKD N O R M A.- B R A N L OWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UCY 7406N - " BN /12 Grupa katalogowa Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych bipolarnych układów scalonych cyfrowych TTL typu UCY 7406N pełniących funkcję sześciokrotnego inwertera z wysokonapięciowym (30 V) otwartym obwodem kolektora tranzystora wyjściowego przeznaczonych do pracy w elektronicznych urządzeniach profesjonalnych oraz urządzeniach wymagających zastosowania układów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z PN-78/T-O Kategoria klimatyczna dla układów: - podwyższonej jakości (poziom jakości ) / l O - wysokiej jakości (po.ziom jakości ) bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 00/070/56. Schemat elektryczny pojedynczej bramki układu wg rys. l. Schemat logiczny i ro z kład wyprowadzeń układu - wg rys. 2. Układy scalone 2-go stopnia (l-s2) - wg PN-78/ T A 16k.R 1 Rys.. Schemat elektryczny (jednego inwcrtcc3 ) Y=A lice y o Masa o 6A SA SY 4A 4Y 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y!1asa 18N=83/ /12 21 Rys. 2. Schemat logiczny i układ wyprowadzeń (widok z góry) 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7406N h) wysokiej jakości: BN-83/ / 12 UKŁA D SCALONY CYFROWY UCY 7406N/ 3 BN-83/ /12 c) bardzo wysokiej jakości: UKŁA D SCALONY CYFROWY UCY 7406N/4 BN-83/ / t2 3. Cechowanie układów powinno zawie rać następujące dane: a) znak lub nazwę producenta b) oznaczenie typu c) oznaczenie wyprowadzeń (znak odniesienia dla identyfikacji numerów wyprowadzeń zgodnie z PN-731 T-01602) d) datę produkcji dla wyrobów mających nadany znak jakości Q. Ponadto układ y wysokiej jakoś c i powinny być znakowane cyfrą 3 a ukła d y bardzo wysokiej jako śc i cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układu - wg rys. 3 i tab. 1. Mikroukład kompletny A49B wg PN-73/T-01603/ 16. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE70. Zgłoszona przez!\laukowo-produkcyjne CentriJm Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-R".<wojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 29 grudnia 1983 r. jako norma obowiązu jąca od dnia 1 lipca 1987 r. (Dz. Norm. i Miar nr 16/ 1986 poz. 33) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" Druk. Wyd. Norm. W-w. Ark.wyd. 110 Nakł Zam. 60/87 Cena zł 2700
2 2 BN-83/ /12 _L l : : l! :!! J r----~vh:!h 1 ~ 'ł- 'H '~ ' j b 1rNt~1 c M - L r' ' -+-_.t---t-.... ' ' i! i i j. i BN Rys. 3. Obudowa CE70 Tablica 1. Wymiary obudowy CE70 Wymiary mm Symbol Kąt wymiaru min nom max w stopniach A A b c ~ D e B e L ME z ;- 15 E Badania w grupie A B C i D - wg BN /00 p Wymagania szczegółowe do badań grupy A B C i D a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów: A D i b wg rys. 3 i tab!. l b) badania podgrupy A2 i A3 wg tab!. 2 c) badania podgrupy B C i D wg tab!. 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie l po badaniu grupy B C i D wg tab!. 4 e) dodatkowe wymagania dla pomiaru parametrów elektrycznych wg rys. 4 -;- 10. U Uec ln ""52712=11 Pomiar U OL lt Rys. 4. Ucc - Wyjscie Ur otwarte - BN-Ol Pomiar - ll Rys. 5. -:»---0 Wyjscie otwarte Bff83/331$-52Z1Z- 61 Pomiar l/h Rys. 6.
3 BN-83/ /12 3 lor U - U. o - dla typu PLH i PHL wg rys. 10 parametry impulsu wejściowego : amplituda Ug = 35 V poziom podstawy O V czas trwania... = 500 ns częstotliwość powtarzania fg = l MHz czas narastania = 10 ns czas opadania 11= 5 ns impedancja wyjściowa generatora Zo = 50 n. wartość C L uwzględnia pojemność sondy i pojemności montażu; każda bramka jest testowana oddzielnie Pomiar lor Rys. 7. WljjScit >O-o() otwarte 8WSl Sygnał wejściowy jest podany na wszystkie inwertery jednocześnie Pomiar l ee Rys. 8. >0---0 Wyjscie otwarte BN $- $2/12-91 Wejscie ~-t- " i" tf 1 _----~...L V V t5v 7 t w 1'" O V -----"----.ł : tph. l tp/.h - ~ ł-~ H Wyjście ~\"S_V --J115V L i OV Pomiar -Ul Rys. 9. Rys. 10
4 4 BN-83/ /12 ~. POL- Frllpa! adań Rodzaj badania.'" --_.~ "--- Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 Kontrolowany parametr Metoda pomiaru wg BN-74/337S-24 Warunki pomiaru A3 Jednostka mm Warto ści granczne \2' 1 Sprawdzanie pod Um ark. oraz U ec = 475 V' na każdą bramkę po V - 04 J " ' l'wvd; '... ' 1" 1- ; '. '." " ~ wg p. 6 rys. 4 kolei UJ = 20 V na wejścia Ul = 20 V;!' rfl... ' l. t.'~w \..1 " li kry""'.. L.. OL = 16 ma z wyjści a mierzonego j i u' (d ark. oraz Uee = 475 V; UJ = 20 V na wejścia V - 07 wg p. 6 rys. 4 l al = 40 ma z wyjścia mierzonego -fl ark. 03 oraz Uee = 525 V' UJ = 04 V na wejście ma -16 ~'"T i )! J//( wg p. 6 rys. 5 mierzone; na pozostaie wejścia 45 V ark. 04 oraz Uee = 525 V' UJ = 24 V na wejście JJ.A - 40 wg p. 6 rys. 6 merzone; na pozostałe wejścia O V a rk. 04 oraz Uec = 525 V' UJ = 55 V na wejście ma - ' 1(2) l wg p. 6 rys. 6 mierzone; na pozostałe wejścia O V l '- l l ~ J OR ark. 06 oraz Ucc = 475 V; UJ = 08 V na wejście JJ.A wg p. 6 rys. 7 mierzone Uo = 30 V na wyjście mie-! ; rzone._ ~... ' ~ - i leell ark. Ol oraz Uec = 525 V' Ul = O V na wszystkie ma - 48 ~! wg p. 6 ;:"y s. 8 wejścia układu jednocześnie i 1- lec/. ark. Ol o'raz Uec = 525 V; UJ = 50 V na wszystkie ma wg p Ó rys 8 wejścia układw jed~locześ n ie -UJ ark 20 oraz Ucc = 475 V; -!J/. = 12 ma z każdego V - 15 wg rys. 9 wejścia mierzonego po kolei; na pozosta ł e wejścia O V lamb = 25 C nl ark 16 oraz Uee = 5 V RL = 110 n C L = 15 pf ns - 26 wg rys. 10 l amh = +25 C; k aż de wejście sterowane (PUl ns - po kolei sygnałem impulsowym na pozostałe wej śc i a 24 V.'\:1 Sprawdzenie typu. Un stan 'niski wg równania 10- Uee = 5 V; U L = O V; UH = 50 V; V - 04 układ u UOll glcznego rys. wyjścia połączone 7~ Uee przez re zystan wysoki V 24 - stor 3.9 kfl max 15 Tablica 3. Wymagania szczegółowe do badań grupy B C D Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 2 3 B. C Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ub. metoda 2; 25 N [ : i " n 1 Ci) Sn r '.wd7> oic wytrzymałości na spadki swobodne położenie układu w czasie spadania: wyprowa-! i... l'.... dzeniami do góry!--.--} ~ i -! ri C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary \.\ficlokrotne ;-'-'X~'Vlallle sztywno za wyprowadzenia w odległ! loś'.. mm od dol nej pła szcz yzny obudowy i - - ; t l----. " ~ l" j'"' (''' SDrawdze J'e t l ' ~ '! '... - l;.1: C! j. - - n wy rzyma OSCl ~: i nr1p' ~ : :;: ;- j~! ny cn'l- l -: A -_. ~-~;o C ~._.. :. ~~(!j()1l1 i".~.~);( :i li! liv) peratury _.._ ~: _ 5 B6. C6 Sprawdzenie odpo rności na 1i<1l''::C111a elektryczne metoda.b:::da nia..\ {:nh = 70 C. badaną pr óbkę. pcjzdlc na dwe CZęSC bat!cjc w warunkach: [ - O V na wszystkie wejścia wyjścia otwarte. zasilanie układu 5 V t i " - 5 V na wszystkie wejścia wyjścia otwar- te. zasilanie uk!adu 5 V ! "' ' ( C2 Sprawdzenie parametrów elektrycznych '' wg tab! '----~r i i 7l '(-:1 Sprawdzenie masy wyroth!. U f '-'.._...-_.-.._..;..'-..-"..._--~. ' ~... ~~..._..o " ' ''0.' ' ; --J Sprawdzenie trwałoś c i cechowania ~ wg? N-';UT-O 615 p :; 5.6. i) ;'! Ct! Sprawdzenie wy trz Y11;)!cŚC! ~!~ ;;; ~""\; ':. ~.-::;_:;:~ o!~~'~unl; k nrc bicrczy prostopadły do pła szczyz n y _- ~. i wrpu"u tlkiadu mocowanie za obudowę Srrawci;r(' ni!...' w y t!ozyrnalości na \vihracje o stałej czc;-l nl0c;wanic sztywno z. a W"YPi"O\VadZenia" w odle- ~ stotliwo~ c j (dla poziomu jakoróci li). _~_'~;' :~:~.1~ od _.t~":'::::l~ t.~ s7czyz ny.obudo~g Sprawdzcnie wytrzyma-lości na wibó'acjc o zmienncj jw '---' '- ~ i'.ęsl()f!iw{) ~; ci (dla--.:... t>o 7.i{) ~u --.:... j akośct l11 j ~ V) L ~ 4
5 BN-S3/ /2 5 cd. tabl. 3 Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe l C7 Sprawdzenie wytrzymałości na zmno ts/g' = -55 C mln 10 CS Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco Slgmax = 125 C (poziom jakości i V) 11 CO Sprawdzenie wymiarów wg rys. 3 i tabl. l 12 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmo- temperatura narażenia C (poziom jakości i V) sferyczne 13 D2 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki aceton sprawdzane wymiary A i D wg tabl. l i rys. 3 masa układu 11 g 14 D3 Sprawdzenie palności wg PN-78/T załącznik 2 p D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu (poziom jakości i V) 16 D5 Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie układu dowolne (poziom jakości V) Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniu grupy B C D Wartości l B3 B4 B5 UOL lur wg tabl. 2 C2. C4 C5 UOL lur -/L JH()' JH(2) wg tabl. 2 C9 Dl C2 UOL stan niski wg tab. 2 (podgrupa A3) UOH stan wysoki B6 C6 C7. UUL stan niski wg rab. 2 (podgrupa A3) CS UOH stan wysoki -11L ark. 03 oraz wg rys. 5 Ucc = 525 V: UJ = 04 V na wejście ma mierzone na pozostałe wejścia 45 V JH() ark. 04 oraz wg rys. 6 Ucc = 525 V; UJ = 24 V na wejście!j.a - 48 merzone na pozostałe wej ścia O V H(2) ark. 04 oraz wg rys. 6 Ucc = 525 V; UJ = 55 V na wejście ma - 12 mierzone na pozostałe wejścia O V Podgrupa Metoda pomiaru Jedno- Sprawdzany parametr Warunki pomaru graniczne badań wg BN-74/ stka mm max Um ark. oraz wg rys. 4 Ucc = 475 V; UJ = 20 V na wejścia V po kolei 10L = 16 ma z wyjścia mierzonego l OR ark. 06 oraz wg rys. 7 U cc = 475 V; UJ = 08 V na wejście mierzone Ue = 30 V na wyjście mierzone!j.a Pozostałe postanowienia - wg BN-80/ /00. KONEC NFORMACJE DODATKOWE l. nstytucja oprcowująca nonnę Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa ul. Komarowa Nonny związane PN-73/ T Elementy półprzewodnik owe. Zasady podawania parametrów geometrycznych na rysunkach PN-73/T-01603/16 Mikrouklady scalone. Zarysy i wymiary. Mikroukład kompletny A49 PN-78/T Mikroukłady scalone. Ogólne wymagania i badania BN-74/ /0 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie niskim lecl BN-74/ / 02 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie wysokim l ech BN-76/ / 03 Cyfrowe uk.łady scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie niskim -n BN-76/ /04 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie wysokim H
6 6 nformacje dodatkowe do BN-83/ /12 BN-76/ /20 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru ujemnego napięcia wejściowego -Ul BN-80/ /00 Cyfrowe układy 3. Symbol wg KTM UCY 7406N jeżeli 4. Wartości dopuszczalne - wg tab!. -. scalone. Wymagania i badania S. Dane charakterystyczne - wg tab!. 1-2 (przy 10mb = O -:- 70 C nie podano inaczej) Ul -ii UOH t slg JQmb Napięcie wejściowe V Ujemny prąd wejściowy ma Napięcie wyjściowe V w stanie wysokim Temperatura przechowywania Temperatura otoczenia w czasie pracy OC OC BN-76/ /06 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Tablica -l. Wartości dopuszczalne Metoda porrtiaru zwrotnego prądu wyjściowego lor Oznaczenie!5ara- Nazwa parametru nost- Jed- BN-76/ /11 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Lp. Metoda pomiaru napięcia wyjściowego w stanie niskim UO L metru ka BN-76/ /16 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru czasów propagacji PHL i PLH Ucc Napięcie zasilania V dopuszczalne Wartości mm max O +70 Tablica 1-2. Dane charakterystyczne Lp. Oznaczenie Jedno- Wartości parametru Nazwa parametru Warunki pomaru parametru. stka mm typ max Ucc Napięcie zasilania - V ccl Prąd zasilania w stanie niskim na wyjściu Ucc = 525 V ma Ul = 5 V 3 cch Prąd. zasilania w stanie wysokim na wyjściu Ucc = 525 V ma Ul = O V 4 UlH Napięcie wejściowe w stanie wysokim - V U L Napięcie wejściowe w stanie niskim - V U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 475 V; Ul = 20 V V OL = 16 ma 7 U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 475 V' V Ul = 20 V lal = 40 ma 8 OL Prąd wyjściowy w stanie niskim 't cc = 475 V ma Ul = 20 V 9 JH(ll Prąd wejściowy w stanie wysokim Ucc = 525 V JJ.A U= 24 V 10 JH(2) Prąd wejściowy w stanie wysokim U cc = 525 V ma - - Ul = 55 V -Ul Ujemne napięcie wejściowe Ucc = 475 V V L = 12 ma 10mb = 25 C 12-11L Prąd wejściowy w stanie niskim Ucc = 525 V ma Ul =04 V 13 l OR Zwrotny prąd wyjściowy Ucc = 475 V; JJ.A Ul = 08 V; UD = 30 V 14 (PHL Czas propagacji sygnału przy przejściu od Ucc = 5 V ns stanu wysokiego do stanu niskiego na wyjściu 15 Czas propagacji sygnału przy przejściu od stanu niskiego do stanu wysokiego na wyjściu C L = 15 pf RL = lon 10mb = +25 C (PLH ns
BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:
UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE N O R M A BRANŻOWA Układy scalone typu UL 1601 N BN-83 337-39/04 Grupa katalogowa 192 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są monolityczne bipolarne, analogowe układy
Bardziej szczegółowoU kłady scalone typu UCY 7407N
UKD 6213804977 MKROUKŁADY SCALONE N O R M A B R A N Ż OWA U kłady scalone typu UCY 7407N BN-83 3375-52/13 Grupa katalogowa' 1925 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych,
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -
UKD 621 382.2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Diody typu BA 182 i BA 152P BN-81 3375-29.01 Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot nonny. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania i badania dotyczące
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla
UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE Układy NORMA BRANŻOWA Układy scalone cyfrowe typu UCY 7402N BN-81 3375-52.05 Grupa katalogowa 1925,. Przedmiot normy. Przedmiotem normy sę szczeg6łowe 2. Przykład oznaczania
Bardziej szczegółowoBN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc
UKD 621.38.049.77 N O R M A BRANŻOWA MIKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UCY 7404N BN83 337552/11 Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych
Bardziej szczegółowoI I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY
UKD 621 3822'621.. 387.3232 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 3375-36/02 ELEMENTY Stabilistory typu BZP 6. PÓŁPRZEWODNIKOWE Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoUkłady, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy
UKD 621 382 04977 N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UL 1111 N BNBB 337539/07 Grupa katalogowa 1925 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy sę monolityczne bipolarne analogowe układy
Bardziej szczegółowoBN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y
UKD 621.382.049.77 MIKROUKŁADY SCALONE NORMA B. R A N Ż O W A BNBO Układy scalone cyfrowe 337552.01 Układy typu UCY 7400N, UCY 7410N, UCY 7420N, UCY 7~30N Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem
Bardziej szczegółowoP94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE
UlW 62 382 2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA \ BN83 Dio9Y typu: BA P 94 33752906 BAP 94A BAP 95 BAP 95A Grupa katalogowa 923 _ l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30
UKD 61.38.3 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 ELEMENTY 3375-31/09 PÓŁPRZEWODN KOWE Tranzystory typu BF 196 Grupa katalogowa 193 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące tranzystorów
Bardziej szczegółowol i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.
UKD 6213823 N O R M A BRANŻOWA BNB7 337531/11 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystory typu BF 245 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące krzemowych epitaksjalno
Bardziej szczegółowoBN-81 3375-39.01 UL 1403L I UL 1405L
UKD 21,82.09. N O R M A BRANŻOWA BN-81 Układy scalone analogowe 5-9.01 MKROUKŁADY SCALONE Układy typu UL 101L, UL 102L, UL 10L UL 105L Grupa katalogc Na 1925 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04
UKD 6213823 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N ORMA Trańzystory BF 458 BRANŻOWA typu. BF 457. BF 459. BN-83 3375-31/07 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe planarne tranzystory
Bardziej szczegółowoS I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ
i 8 M S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ PA5fII$ STAIA ROM 4K MCY 7304N XX^ Rys. lo Obudowa CE-73 dla MCY 7304N XX Pamięć MCY 7304N XX3&'> jest statyczną pamięcią stałą ROM 4096-bitową, o organizacji
Bardziej szczegółowoTranzystory. typu, BF 240 I BF 241
UKD 621 3823 ELEMENTY PÓŁ~RZEWODN'KOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BF 240 BF 241 BN83 337531/06 / Grupa katalogowa 1923 ł Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemo we epitaksjalnoplanarne tranzystory
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4
UKD 62 38204977. N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UL 480P BN83 3373903 Grupa katalogowa 92. l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznego
Bardziej szczegółowoci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2
GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N UCY 74S424N RESETE i U 16 3*UCC RESIN C 2 RCVIN 3 15]]XTAL1 143XTAL2 REACtf 4 UCY 13. 74S424N SYNC 5 123osc ci>2(ttl)e 6 7 g n d 8 3t a n k 11I
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -
UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BC 337, BC 33B BN-B7 3375-30/09 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoP ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2
ib UIN "]lh Bipolarny cyfrowy układ saalony TTL-S pełni «nkej 4-bitowego aadajniks/odbiornika ssyay danyoh syste»> nu mikroprocesorowego wykorsystująeego jednostkę oentrslną MCY 788QN. Wszystkie wejścia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoPodstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:
Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ
IC E M I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ PAMięĆ STAŁA ROM 16K MCY 7316N XX1^ Pamięć MCY 7316N XX jest statyczną pamięcią stalą ROM 16K (16384) bitów, zorganizowaną jako 2048 słów 8-bitoyych, wykonaną
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l
UKO 621 3194 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY Kondensatory papierowe 328108 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH hermetyczne KH Zamiast napięcia stałego BN80/328108 Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP 11 Przedmiot normy
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoParametry układów cyfrowych
Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie
Bardziej szczegółowoBN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE
UKD 621.387.122:621.382.2 NORMA BRANŻOWA BN-81 ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe 3375-33.00 Diody prostownicze NIKOWE Zamiast O prądzie do 10 A BN-76/3375-33.00 Ogólne wymagania i Grupa katalogowa 1923
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoTranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości multipleksera analogowego
Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.
UKD 621 3204977 N ORM A BRANŻOWA MKROUKlADY U kłady scalne SCALONE typu UL 7741 N BNBB 337539/12 Grupa katalgwa 1925 l Przedmit nrmy: Przedmitem nrmy są mnlityczne analgwe układy scalne typu UL 7741N Uklady
Bardziej szczegółowoKolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -
UKO 621.382.3 NORMA BRANŻOWA BNBO ELEMENTY Tranzystory 337530.03 PÓŁPRZEWOON. KOWE typu BC 211 BC 211A Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe epitaksjalnoplanarne tranzystory
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych
Bardziej szczegółowo4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/
9 2. Przeznaczenie przyrządu Częstościomierz-czasomierz cyfrowy typ KZ 2025A, KZ 2025B, KZ2025C,K2026A, KZ2026B i KZ 2026C jest przyrządem laboratoryjnym przeznaczonym do cyfrowego pomiaru: - częstotliwości
Bardziej szczegółowoCyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem
Cyfrowe Elementy Automatyki Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem Układy cyfrowe W układach cyfrowych sygnały napięciowe (lub prądowe) przyjmują tylko określoną liczbę poziomów,
Bardziej szczegółowoĆw. 8 Bramki logiczne
Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.
Bardziej szczegółowoBADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowoBramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132
Skład zespołu: 1. 2. 3. 4. KTEDR ELEKTRONIKI G Wydział EIiE LBORTORIUM TECNIKI CYFROWEJ Data wykonania: Suma punktów: Grupa Ocena 1 Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74C00, 74CT00, 7403, 74132 I. Konspekt
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 7 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH TTL I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoKondensatory elektrolityczne
UKD 621.319.45 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328150 URZĄDZEŃ ELEKTRONICZNYCH aluminiowe niebiegunowe Odmiany BPU, BPE, BPT Grupa katalogowa 1921 l. WSTĘP 1.1. Przedmiot
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia
Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr górnoprzepustowy
. el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa
Bardziej szczegółowoAgregaty pompowe 2324-01
UKD 621.651.001.33:621.689.1 N O R M A BRANŻOWA BN86 MASZYNY Agregaty pompowe 232401 l URZĄDZENIA Zamiast CHEMICZNE nurnikowe dozujące BN77/ 232401 Podział i główne wymiary Grupa katalogowa 0447 l. WSTĘP
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoA-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania
A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania 1 Zakres ćwiczenia 1.1 Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET. 1.2 Projekt, montaż i badanie układu: 1.2.1 sterowanego dzielnika napięcia,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR
LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje
Bardziej szczegółowoGeneratory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym
1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie
Bardziej szczegółowoWSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2
WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną
Bardziej szczegółowo1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.
1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,
Bardziej szczegółowoI I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:
UKD 621 3823 PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BNB8 Tranzystory typu 337532/25 BDP 392 BDP 394 BDP 396 Grupa katalogowa 1923 i Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczególo: we wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..
Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Ćwiczenie 26 Cel ćwiczenia Zapoznanie się ze sposobami konstruowania z bramek NAND różnych bramek logicznych. Konstruowanie bramek NOT, AND i OR z bramek NAND.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.
UKD 621 31945 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328149 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH aluminiowe biegunowe Odmiany 02/T i 02/TS Zamiast BN83/ 328146 1 ) Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP
Bardziej szczegółowoBramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.
Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Bardziej szczegółowot- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A
UD 621.9-41.232 OBRABIARI l U RZĄDZEN I A NORMA B RA N ŻO W A BN-78 Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych 4454-01 DO OBRÓBI Wytaczadło z gniazdem METAI kwadratowym i okrągłym Grupa katalogowa łv 27 1.
Bardziej szczegółowoNanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.
Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R
Bardziej szczegółowoTechnika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych
Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Dr inż. Jacek Mazurkiewicz Katedra Informatyki Technicznej e-mail: Jacek.Mazurkiewicz@pwr.edu.pl Elementy poważniejsze
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoS. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:
UKD 629..06 :62.643.4 N O R M A B R A N ŻO WA BNB7 ŚRODK TRANSPORTU Kołnierze wzmacn lające 37343 WODNEGO okrętowe URZĄDZENA na csnienie Zamiast PŁYWAJĄCE nominalne 0,63; ;,6; 4 MPa., BN74/373 43 Grupa
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoLUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.
LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS
Bardziej szczegółowoTECH-AGRO B ę d z i n
TECH-AGRO B ę d z i n TECH-AGRO Będzin Instrukcja obsługi Będzin, luty 2004 rok Spis treści: 1. Opis ogólny urządzenia...2 1. 1. Dane techniczne...2 1. 2. Obudowa i wygląd zewnętrzny...2 1. 3. Budowa
Bardziej szczegółowoZbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji
Bardziej szczegółowo4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Bardziej szczegółowoBadanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań
adanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie 6. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi układami SSI (Średniej Skali Integracji). Przed wykonaniem ćwiczenia należy zapoznać
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKI IMPULSOWEJ I CYFROWEJ (studia zaoczne) Układy uzależnień czasowych 74121, 74123
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH Wydział EAIiE LAORATORIUM TECHNIKI IMPULSOWEJ I CYFROWEJ (studia zaoczne) Układy uzależnień czasowych 74121, 74123 I. KONSPEKT 1 Zaprojektować układ o przebiegach czasowych jak
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoLUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.
LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL
CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy cyfrowe
ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoMULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI
MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. SPECYFIKACJE 1.1. Specyfikacje ogólne. Zasada pomiaru: przetwornik z podwójnym całkowaniem; Wyświetlacz: LCD, 3 3 / 4 cyfry; Maksymalny odczyt: 3999;
Bardziej szczegółowoDokumentacja Techniczno-Ruchowa separatora sygnałów dwustanowych ES-07
separatora sygnałów dwustanowych WYDANIE: 2.2 DATA: 05.07.2007 NR DOK: 2 / 11 EWIDENCJA ZMIAN Zmiana Autor zmiany Podpis Data INFORMACJA O WYCOFANIU DOKUMENTACJI Data Przyczyna Nr dok./nr wyd. dokumentacji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9
03-450 WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131 022 619 39 66, 022 818 99 92 Strona 2 Stron 9 Warunki wykorzystania sprawozdania z badań oraz informowania o fakcie przeprowadzenia badań w Laboratorium
Bardziej szczegółowoBN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY
UKD 621 3823 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY 337530/08 " Tranzystory PÓŁPRZEWODN KOWE typu Be 307, Be 308, Be 309 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Bardziej szczegółowoZaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).
WFiIS LABOATOIM Z ELEKTONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: OK GPA ZESPÓŁ N ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Zaprojektowanie i zbadanie
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/
UKD 621.385 SWW 1155111 LAMPY ELEKTRONOWE NORMA BRANŻOWA BN75 337105 Lampy elektronouje Zamiast typu EY88 i PY88 BN 68/337105 Grupa katalogowa XIX 22 I. Przedmiot normy. Przedmiotem nol'my :są diody usprawni.ające
Bardziej szczegółowoP-1a. Dyskryminator progowy z histerezą
wersja 03 2017 1. Zakres i cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie dyskryminatora progowego z histerezą wykorzystując komparatora napięcia A710, a następnie zmontowanie i przebadanie funkcjonalne
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowo