BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

Transkrypt

1 UKD N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY /08 " Tranzystory PÓŁPRZEWODN KOWE typu Be 307, Be 308, Be 309 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące tranzystorów PNP małej mocy, mał ej częstotliwości, wykonanych technologią epitaksjalnoplanarną, typu BC 307, BC 308, BC 309 w obudowie plastykowej do za s tosowań powszechnego użytku oraz w urządzeniach wymagających zastosowania elementów wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory pwfznaczone są do pracy w stopniach wejściowych i ster :ujących wzmacniaczy małej częstotliwości Tranzystory B~ 309 przeznaczone są głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów Tranzystory BC 307, BC 308, BC 309 mogą być stosowane jako pary komplementarne z tranzystorami typu BC 237, BC 238, BC 239 Kategoria klimatyczna dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04, wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125121, bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 40/125/56 2 Przykład oznaczenia a) tranzystora standardowej jakości : TRANZYSTOR BC 307A BN87/ /08 b) tranzystora wysokiej jakości : TRANZYSTOR BC 307A13 BN87/ /08 ~ Wersja l AA A C> 2 n c) tranzystora bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 307A14 BN87/ / 08 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) oznaczenie typu (podtypu) kodem wg tab\ l, b) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3, a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu Tablica l O_zellie typu (podtypu) kodem Typ tranzystora Kod BC BC 307/V 307 V BC 307A 307 A BC 307B 307 B BC 307C 307 C Be OC '308/V 308 V BC 308A 308 A BC 308B 308 B BC 308C 308 C BC BC 309A 309 A BC 309B 309 B Be 309C 309 C ' 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tab\ 2 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 35 Wersja l t:! '$ \1 n AA 2 A f1 d b BN 87/331530/081 J dopuszcza s ię ' śl ad (ubytek tworzywa) po wyp,ychaczu na powierzchni korpusu obudowy, 2 dopuszcza s ię ubytki na krawęd z i ac h w y prowad ze ń h,;:;; 0,05 Zgłoszona przez Zakłady Przemysłu Elektronicznego KAZEL Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 21 listopada 1987 r jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1988 r (Dz Norm i Miar nr 4/ 1988 poz 10) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE ALFA" 1988 Druk Wyd Norm Wwa, Ark wyd 1,10 Nakł Zam 687/88 Cena zł 6400

2 2 _BN87/337530/08 Taltlica l Wymiary obudowy CE 35 Wymiary, mm Wymiary mm o Symbol wymiaru Symbol wymaru min nom max mm nom max nom A 4,5 5,2 12,5 14,5 b 0,35 0,55 M 3,6 4,2 bl 0,4 E 3,4 3,6 0D 4,5 5,2 k 1,2 1,5 d 1,4 1,77 n 2 ) 2,6 3,1 el) 2,0 3,0 er 200 ) Wymiar kontrolowany w odległości 2 mm od płaszczyzny podstawy obudowy ' ) Dotyczy oceny lutowności_ Kąt 5 Badania w grupie A, B, C i D wg BN801 b) badania podgrupy A2, A3, A4 i C2 wg tabl 3, p 51 c) badania podgrupy B, C i D wg tab! 4, 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A, B, C d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie po id badaniach grupy B, C i D wg tabl 5 a) badania podgrupy A l sprawdzenie wymiarów: A, 0D, wg rysunku i tab! 2, 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/ Tablica 3 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podetupy Al, A3, A4 i Cl Metoda Wartości grantczne Podgrupa Rodzaj Kontrolowany pomiaru Jednostka Warunki pomaru badań badania parametr wg PN74/ miary BC 307 BC 308 BC 309 TO 504 mm rnax mm max mm max A2 Sprawdzenie CEs ark 09 UCE = 50 V 100 podstawo Ru = O na wych parametrów elek trycznych RE = O U1U)eEO UCE = 25 V ark 03 le = 2 ma V = O U(BR)eES ark 03 le = 10 ła Ru = O V U1UEBO ark 04 le = OlA le = O V h21;) ark Ol le = 2 ma UCE = 5 V, V A B : C j F ark 46 UCE = 5 V 10 lo 4 le = 200 ła R, = 2 ko db, f= khz At = 200 Hz UCE = 5 V db 4 le = 200 ła R, = 2 ko f= 30 Hz+15 khz A3 Sprawdzenie UBE ark 01 le = 2 ma V 0,55 0,70 0,55 0,70 0,55 0,70 C2 drug o rzęd UCE = 5 V nych parame trów elektrycznych = 0,5 ma UCE Nt ark 02 le = lo ma V 0,20 0,20 0,20 UiE a ark 02 le = 10 ma V 0,80 0,80 0,80 = 0,5 ma L

3 BN87/337530/ 08 cd lab! 3 Metoda Wartości graniczne Podgrupa Rodzaj Kontrolowa ny pomiaru Jednostka Warunki pomiaru badań badania parametr wg PN74/ miary BC 307 BC 308 BC 309 TOl 504 m 111 ma x mll1 max m 111 ma x A3 Sprawdzenie f, ark 24 Ua = 5 V MHz C2 drugorzęd le = 10 ma f= 100 MHz nych parametrów elekecbo ark 22 UCB = 10 V pf tryc71ych fe= O f= MHz A4 Sprawdzenie l as ark 09 Ua = 20 V!lA parametrów elektrycznych w tamb = = 125 C (poziom i V) RBE = O ) Selekcja na klasy wzmocnienia V, A, B, C ylko "" życzeni" odbiorcy Tablica 4 Wymagania szczegółowe do badań grupy B, C D Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe B, C Spmwdzenic wytrzymałości mechanicznej wypro próba Ub: metoda 2, 2,5 N, cykl wadze ń próba Ua ): 5 N Spra wdzenie szcze l ności próba QL wodny roztwór alknolu 2 B2, C3 Sprawdzenie lutowności wyprowadzeń ocena lutowności nie obejmuje czól wyprowadzeń (po wycięciu belki) oraz bocznej powierzchni na wymiarze n (po WyCęCU mostków) 3 B3, C9 Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne położenie tranzystora w czasie spadania wyprowadzeniami do góry 4 B4, C4 Sprawdzenie wyt r zymałości na udary wielokrotne mocowanie za ob ud owę 5 BS, CS Sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany tem TA = 55 C; T B = 155 C (poziom Ja peratury kości i V) 6 B6, C6 Sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne układ OB wg PN78/T0SS tabl 5, o bci ążenie: dla BC 307: UCB = 30 V, 1= 10 ma dla BC 30S: UCB = 15 V, 1= 20 ma dla BC 309: UCB = 15 V, fe= 20 ma 7 C3 Sprawdzenie masy wyrob u 0,20 ; 0,25 g, S C4 Sprawdzenie wytrzyma/ości na przyspieszenia stale kierunek probierczy obydwa kierunki wzdłuż i!o b i wyprowadzeń, mocowanie za obudowę Spra wdze nie wytrzymałości na wibracje o stalej częstotliwości (dla pozomu ) Spra wdzenie wytrzymał ośc i na wibracje o zmiennej mocowallle za o budowę częstot li wości (dla poziomu łl V) 9 C5 Spra wdzcnie wytrzymałości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 350 C 10 C7 Sprawdzenie wytrzymałości na Zimno t slg min = 55 C (poziom Jakości V) CS Spra wdzenie wytrzymałości na suche go rąco slg mu = 155 C (poziom JakOŚci i V) 12 CO Sprawdzeni e wymiarów wg rysunku tabl 2 13 Dl Sprawdzenie o dporności na niskie ciś ni enie a tmo tęmperatura narażenia 25 C (poziom Ja sferyczne kości i V) 14 D2 Spra wdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki a lk o h o ł izopropylowy lub aceton; A 0D wg rys i tabl 2

4 4 BN87/337530/08 cd tabl 4 Lp Pogrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe D3 Spra wdzenie palności palność zewnętrzna 16 D4 1 ) Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni (poziom jakości i V) 17 D5 1 ) Spra wdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie 'tranzystora dowolne (poziom jakości i V) ) Badanie stosuje się przy zamówieniu wyrobów w wykonaniu tropikalnym lub dla klimatu morskiego Tablica 5 Parametry elektryczne sprawdzajltl wczasie po badaniach grupy B, C D Metoda Wartości granczne Oznaczenie pomaru Warunki Jednostka Podgrupa badań parametrli wg PN74/ pomiaru miary BC 307 BC 308 BC 309 TOl 504 min max mln max mln max CEs ark 09 UCE = 50 V B C na RBE = O B3, B4, B5, C2, C4, C5, Dl UCE = 25 V B C RBE = O na B3, B4, B5, C2, C4, C5, Dl UCE = 50 V B6, C6, C8 na 500 RBE = O C2 1 ) la 4 UCE = 25 V B6, C6, C8 na R BE = O C2 1 ) la 4 4 B, 83, B4, B5, C, C2, V C4, C5, C7 A B h21e ark Ol lc = 2 ma C UCE = 5 V B6, C6, C8 V A B C C2 2 ) V A B C ) W czasie badania odporności na suche gorąco ') W czasie badania odporności na zimno " KONEC, NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca nonnę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników, Zakłady Przemysłu Elektronicznego KAZEL, Koszalin 2 Nonny związane PN74/T01504/01 Tranzystory Pomiar h21e i naplęc18 U BE PN74/T01504/02 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia U CE 'al i USE sal PN74/T01504/03 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U(BRCEO, U(BRCE!' U(BRCER, U(BRCEX PN74/T01504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U(BRCBO i U(BR)EBO PN75/T 01504/09 Tranzystory Pomiar prądów resztkowych lcer, lces, lcev i prądu zęrowego lad PN74/T Tranzystory Pomiar pojemności Ccw i CEBO PN74/T Tranzystory Pomiar modułu h21d w zakresie wcz i częstotliwości /r '\ PN~76/T01504/46 Tranzystory Pomiary parametrów szumów PN78/T01515 Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania badania

5 nformacje dodatkowe do BN87/337530/08 5 BN80/337530/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory malej BC 308A mocy malej częstotliwości Wymagania i badania BC 308B Symbol wg KTM BC 308C BC BC BC 307V BC 309A BC 307 A BC 309B BC 307B BC 309C BC Wartości depuszczalne wg rys i tab! l BC 308V Dane charakterystyczne wg rys i tab! 12 Ptot mw JaJ BC 307, Be J08, BC 309 1\ o '" "' '" t\ '\ i', " " fao tamb oc Rthja,420"C/W SN 87/3315JOftl811 Rys Lp Oznaczenie parametru U CEO Napięcie kolektoremiter Tablica l Wartości Nazwa parametru 2 U CES Napięcie kole k tore miter przy U BE = O 3 Ucao Napięcie emiterbaza 4 c Prąd kolektora 5 CM Prąd szczytowy kolektora 6 la Prąd bazy dopuszczalne 7 P,Oł Całkowita moc wejściowa (stała lub średnia) na wszystkich elektrodach 8 j Temperatura złącza 9 10mb Temperatura otoczenia w czase pracy 10 t~lg Temperatura przechowywania Jednostka Wartości dopuszczalne mary BC 307 BC 308 BC 309 V V V 5 ma 100 ma 200 ma 50 mw 300 (mb ~ 25 C) oc 150 oc oc Je t ~/ ~ UCEK Ua=1V Objaśnienie do rys 12 Napięcie kolankowe UCCK Wartość napięcia kolektoremiter wyznaczona przez określoną wartość prądu :oleklora c na takiej charakterystyce wyjściowej tranzystora l e = f (UeC) przy /i, = cons!, która przechodzi przez punkt: C2 = kle (np k = 1,1), U ee określone np U ee = V 9J l, ma D JO 20 O 8C 301 ombs2~'l 1081 BlJ08 V 1J(J09 1/ 0,7 j 1/ V/ / J 17' V i, i/ q6 a~ ~'/ ' "' 1/ aj l r7 G2, ls=o,1ma 1 1 1Ua V 2 lins7!337!l 30/08131 Rys 13

6 6 nformacje dodatkowe do BN87/337530/ 08 hne UU o to" 10 1 le ma lln 87/ /08141 Rys 14 Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Ttca ll Due charakterystyczne Wa rt ości pa ra metrów Jednostka Warunki pomiaru miary Be 307 Be 308 Be 309 mm typ max mm typ max mm typ max 2 CEs 2 U(SR CEO 3 U1BRESO 4 U1 BRCES 5 UCE SQ l i 6 UBE ~lj 7 Uu:x 8 U BE 9 h2li) Prąd resztkowy ko U CE = 50 V na lektora R B = O UCE = 25 V Ru = O na N a p ięcie przebicia kolektoremiter lc = 2 ma lb = O V Na p ięcie przebicia emiterbaza fe = 10 la l e = O V 5 5 Napięc ie prze bic ia le = 10 la V kolektoremiter UB = O Napięci e nasyceni a lc = 10 ma 0,10 0,20 0, 10 0,20 kolektoremiter ls = 0,5 ma V le = 100 ma) 0,30 0,95 0,30 0,95 ls = 5 m A N a p ięcie nasycenia lc = 10 ma 0,70 0,80 0,70 0,80 bazaemiter ls = 0,5 ma V le = 100 ma') 0,90 1,20 0,90 1,20 = 5 ma Napięci e kolanko we le = 10 ma V 0,3 0,6 O,; 0;6 (rys 13) le2 == ma U CE = V N a pięcie baza le = 10 la m V e miter UCE = 5 V le = 2 ma mv VCE = 5 V Jc = 100 ma) UCE = 5 V mv Statyczny w spół le = 10 la V czynnik wzmocnle UCE = 5 V f A nla prąd o wego w f układzie wspólnego B / \ f e ,10 0,20 0,70 0,80 0,3 0,

7 nformacje dodatkowe do BN87/337530/08 7 cd tab! 12 Oznaczenie Lp Nazwa parametru parametru Warunki pomaru Wartości parametrów Jednostka mary BC 307 BC 308 BC 309 mm typ max min typ max mm typ max l 2 5~ h2';) Statyczny współ le = 2 ma czynnik wzmocnie UCE = 5 V V ' nia prądowego w, układzie wspólnego A B ~ C le = V = 100 ma UCE=5V') Ā B ,C hill) Małosygnalowa le = 2!llA 0,4 15,0 0,4 15,0 1,2 15,0 zwarciowa impe UCE= 5 V V ko 0,4 1,4 2,2 0,4 1,4 2,2 dancja wejściowa w f= khz układzie wspólnego A 1,2 2,7 4,5 1,2 2,7 4,5 1,2 2,7 4,5 ~ B r 3,0 4,5 8,0 3,0 4,5 8,0 3,0 4,5 8,0 C 6,0 8,7 15,0 6,0 8,7 15,0 6,0 8,7 15,0 h'2}) Małosygnałowy roz le = 2 ma V 2,5 2,5 warciowy współ UCE= 5 V t A x 10 3,0 3,0 3,0 czynnik wstecznego f= khz r przenoszenia napię B 3,5 3,5 3,5 ci owego w układzie t C 4,0 4,0 4,0 wspólnego 12 h 2d) Małosygnałowy le = 2 ma 75 zwarciowy współ UCE= 5 V o czynnik przenośze f= l', khz ma prądowego w r układzie wspólnego V A r B r C h2'}"') Małosygnalowa le = 2 ma V zwarciowa admitan UCE=5V r Ą!lS cja wyjściowa w f= khz układzie wspólnego r B r C F Współczynnik szu UCE=SV db mów le = 200!lA R = 2 ko f= khz t:if = 200 Hz UCE=5V db 2 4 c = 200!lA Rg = 2 ko f= 30 Hz O 15 khz 15 /T Częstotliwość gra UCE =5V MHz nic zna le = 10 ma f= 100 MHz 16 CCBO Pojemność złącza UeB= 10V pf kolektora h=o f= MHz

8 s cd tab! 12 Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru nformacje dodatkowe do BNS7/J37530/08 Warunki pomiaru Wartości parametrów Jednostka mary Be 307 Be 308 Be 309 mm typ max mm typ ma x mm typ max l CEBO Pojemność złącza UE = 0,5 V pf 11 łl łl c=o f= l MHz ) Pomiar impulsowy p ;; 300 1s, l ;; 2% ') Selekcja 11a klasy (V, A, B, e) tylko na życzenie odbiorcy,