NORMA BRANŻOWA. T ranzystory typu BFP 519, BFP 520 i BFP 521. Symbol wymiaru. ąl b 3 (/JD (/J D 1 F.. 1) Wymiar teoretyczny.

Transkrypt

1 UKD NORMA BRANŻOWA ELEMENTY T ranzystory typu BFP 519 BFP 520 i BFP 521 PÓŁPRZEWODNKOWE BN /03 Zamiast BN 72/ A L Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe F wymagania dotyczące krzemowych tranzystorów npn malej mocy wielkiej częstotliwości wykonanych technologią epitaksjalnoplanarną typu BFP 519 BFP 520 BFP 521 w obudowie metalowej przeznac'zonych do sprzętu powszechnego użytku oraz urządzeń wymagających zastosowania elementówo wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory przeznaczone są do pracy w układach wzmacniających i generacyjnych wielkiej częstotliwości w zakresie do 100 MHz oraz w układach przeiączających średniej szybkości działania Kategoria klimatyczna wg PN73/E04550/00 dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości 1) wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125/ 04 40/125/21 bardzo wysglkiej jakości (poziom jakości ) 40/125/56 2 Przykład oznaczania tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BFP 519 BN81/337531/03 b) wysokiej jakości: TRANZYSTOR BFP 519/3 BN81/ c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BFP 519/L BN81/337531J03 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) nazwę producenta lub znak fabryczny b) oznaczenie typu (podtypu) c) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej' i Symbol wymiaru A a ąl b 3 (/JD (/J D 1 F J k l oc fi 1) Wymiar teoretyczny Grupa katalogowa Tablica l Wymiary Wymiary mm min nom max ) ) L 18N117117$ 31/031 Kąt stopnie nom 45 1 ) 90 1 ) 5 Badanie w grupie A B C i D wg ark 00 p 51 bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń tranzystora wg' rysunku i tab! L Elementy obudowy wg PN72/ T01503: arkusz 28 podstawa Bll arkusz 55 obudowa C7 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 22 6 Wymagania szczegółowe dla badań grupy A B C i D a l badanie podgrupy Al sprawdzenie wymiarów: A ąl D l wg rysunku i tab! 1 b) badanie podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg tab! 2 c) badania podgrupy B C i D wg tab! 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D wg tab! 4 7 Pozostałe postanowienia wg ark 00 niniejszej normy ZgłolZona przez Naukowa Produkcyjne Centrum PÓłprzewodników Uatanowiona przez Nanelnego Dyrektora Zjednoczenia Przemyału Podzeapołów Materiałów Elektronicznych UNTRA ELEKTRON dna 26 lierpnia 1981 t jako norma obowiązująca od dnia 1 atycznia 1982 r (Dz Norm Miar nr 19/1981 poz 77) Wydanie 2 WYDAWNCTWA NOĘMALZACYJNE ALFA198ł Druk Wyd Norm W wa Ark wyd 150 Nakł Zam179/84 Cena zł 3000

2 Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 A3 A4 i C2 tv Wartości graniczne Podgrupa Kontrolowany Metoda pomiaru Rodzaj badania badań parametr wg PN74/T01504 Warunki pomiaru Jednostka BFP 519 BFP 5 20 BFP 521 max min max min max min A2 Sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych lcbo ark 05 U =20; CB l = O na E U(BR)CEO ark 03 c = 10mA; l B = O U(BR )CBO ark 04 l = 10 )la' C le = O U(BR) EBO ark 04 l = 10 )la ; E lc = 10 ma; h ZlE ark 01 U =6 CE l C = O 5 5 :J ljj Z CP w W 'J W o w h Z 'l ark 21 l = 10 ma; U =6'1 f = 1 khz C CE A3 Sprawdzenie CEsa' drugorzędnych C2 parametrów UBEsa' elektrycznych ark 02 l C 20 ma' lb = 2 ma f T ark 24 lc=5 ma; U CE = lo; f= 100 MHz MHz A4 Sprawdzenie parametrów elektrycznych w t amb = 125 Oc ark 05 U CB = 20 ; l E = O (poziom i ) CBO JlA '

3 BN81 / / 03 3 Tablica 3 Wymagania szczegółowe do badań grupy B C i D Lp Podgrupa JiJd (ł 1 Rodza j badania Wymagania szczególowe Hł C Sprawdzen ie wytrzymałości mechanicznej próba Up metoda 2: 2 5 N; w y prow ad zeń próba UP:l : 5N Spr~wd ze nie s z czeln ośc próba Qk; goziom nieszcze ln ości Pa ' dm3 / s 2 łu 5pr~wdzenie wytrzymał ości na spadki polo ż enie tranzystora w c ~asie spadania:!>wl'l bodne wyprowad zeniami do góry ) H4 C4 Sprawd zenie wy t r zymak1śc i na udary wielo mocowanie za obudowę kr'ot ne 4 B6 C6 Spra\d ze nie odpolności na narażenia elek uklad OB wg PN78/T01515 tabl 5 fl'ycz H~ E = 15mA U CB = 20 5 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 05 g 6 C4 Sprawu ze Jlie wyl r7ymaloś c i na pr 7y śpie kierunek probierczy : obydwa kierunki szenin s lałe wzdłuż o s i wyprowadzeń mocowanie za obudow ę Sprawdzenie w Y t r zymalości na udary wielokrotne mo cowanie z a obudow~ Sprawdzenie wy t rzymałości na wi bracje mocowanie za obudo w ę o stałej czc;stotli\ośc i 7 C O Sprawd zenie wymiarów wg rysunku i tabl l 8 Dl Sprawdzenie odpornoś c i na ni skie c iśni e temper atura nara żenia 25 Oc ( poziom ja kośc i nl~ atmosfe r yczne i ) 9 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na p l eśń brak porostu pleśni po badaniu lo D5 Spra\ d zenie wytrzymałości na mgle; solną polo że nie tranzystora dowolne Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D (poziom l 111 i ) Oznaczenie Metoda Warunki literowe pomiaru wg pomiaru parametru PN74/ Podgrupa badań Jednostka T OEi04 Wartości graniczne HFP 519 BFP 520 BFP 521 min max min max min max l r CBO ark 05 U CB = 20 B1 B3 B4 B5 C C2 na C4 CS C7 C9 D11 ) r E = o B6 c6 C8 na C2 1) pa

4 4 BNB1) /03 cd tab! 4 Wartości graniczne pznac zenie Metoda literowe pomiaru wg Warunki Podgrupa badań Jednostka BFP '519 BFP 520 BFP 521 parametru PN74/ pomiaru T01504 min max min max min max l 2 J B1 B3 B4 B5 C C C4 C5 C7 C J e = 10 ma U CE = 6 h Z1E ark 01 B6 C6 c CĄ 1) ) W czasie badania KONEC NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca normę _ Naukowo Produkcyjne Centrum PóŁprzewodników Warszawa PN 74/ T 01504/03 Tranzystory Pomiar napięć (BR)CEO' U (BR) CES U(BR) CER U(l3R)CEX PN74/ T Q1504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia przebicia 2 Normy z wiązane PN 73/E04550/00 Wyroby elektrotechniczne Próby środow iskowe Postanowienia ogóine PN 72/ T 01503/28 Elementy półprzewodnikowe Zarys l wymiary Podstawa BU PN72/T01503/55 Elementy półprzewodnikowe Zarys i wymiary Obudowa C7 PN74/ T01504/01 Tranzystory Pomiar h 21E i U RE napięcie PN 74/ T 01504/02 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia U CEsat' U REsat U(BR)CBO i U(BR)EBO PN74/ T01504/05 Tranzystory Pomiar prądów wstecznych CBOi r EBO PN74/T01504/21 Tranzystory Pomiar [h z1e ] w zakresie mcz PN74/ T01504/24 Tranzystory Pomiar modułu h 21e w zakre sie w cz i czę stotliwości f T PN 78/ T Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania BN 80/ /00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory małejmocy wielkiej częstotliwości Wymagania i badania

5 nformacje dodatkowe do BN81/337531/ Symbole K TM BFP BFP BFP 519 lu BFP BFP BFP BFP BFP BFP BFP BFP i BFP BFP BFP 521 ~ BFP Wartości dopuszczalne wg rys ll i tab! l Rezystancja termiczna złącze otoczenie R th (1_ a) E;; 500 kiw 300 Ft (W] ZOO r ~(; ~ 8FP S19 FP S20 B~P O tmb N] 175 BNS ]1103=%11 Rys 11 Zależność temperaturowa mocy strat P c = f(t) Tablica ll Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednostka Wartości dopuszczalne BFP 519 BFP 520 BFP U CEO 2 U CBO 3 U EBO 4 lc 5 lcm 6 lb Napięcie kolektoremiter Napięc;ie kolektorbaza Napięcie emiterbaza 5 Prąd kolektora ma 50 Prąd szczytowy kolektora ma 200 Prąd baiy ma 5 7 P tot Całkowita moc wejściowa (stała lub średnia) na w szystkich elektrodach przy t amb ~ 25 Oc ma li 9 t amb 10 taty Temperatura złącza Oc 175 Temperatura otoczenia w czasie pracy Oc Temperatura przechowywania Oc

6 6 nformacje dodatkowe do BN 81/337531/03 5 Dane charakterystyczne wg rys 12; 19 i lab re [lila] zo BFP 519 UP sza BFP 521 _ / 1/ 1~~~ to : 25'C t~~~ 1 lnnll~ l '~)oa 1111)110 A 10 l' fi 04 1~A ~B~F~P~51~9r~r~~r~~ FP 5Z0 (m~~b~f_p~5~r+~r+~ +~~ tal'll~ = 25'C 6r+++~r+;~ 5 r++ł+++ ;:::orj ~t:: c:: A '041 A_ 6041 A 40«04 r DJA U CE [v] l BN 61/ /0321 BN81/ f03fĄ) Rys 12 Charakterystyka wyjściowa lc ~ f(u CE ) l B parametr Rys 14 Charakterystyka wejściowa la ~ f(u BE ); U CE parametr 16 e [rna] B~PS9 BFPSZO BFPS21 tqlllb 160~A = 25'C r _141ll'A ~ iolt~~ ~ _11511 A ~ 100ll~ r r 90~~ 8Ou A 70)' A GO)/oA!lO4A 40 A 30)lA ZO)lA r = ld4la UCE[] 20 BNs /03131 łoo e [na] lo FP 519!FP 520 afp 521 / ~ ' ~/ 7 ~~ Z5 50 BNB11337s 31JQ:t=rS Rys 13 Charakterystyka wyjściowa lc ~ f(u CE ) ; B parametr Rys ls Zależność temperatura prądu zerowego lcbo ~ f (tamb)

7 nformacje dodatkowe do BN Bl / / 03 7 ZOO h Zlr FP 519 FP 510 FP 521 U Cl :S + l00c + zs C ;$ 10 F [d] s '5t9 '581 Filt ' lin' sw re : 12 A ts Ziest tu' UC t (lila] 100 BN 81/ /03161 t 11\ł117337S Rys 16 Za leżność statycznego wspólczynnika wzmocnienia prądowego od prądu kolektora h 2 1E = f (Je) częstotli Rys lb Za le żność współczynnika szumów od wości F= f( f) 'DO f r [M H) BFP 519 SFP ~zo afp 521 3DO ZDO 100 J t ll : ZS C / J' / /' i' u : D f 100 MHz F [etl) 4 l'\ '\ '\ t l L11l1 519 Urt: 5 r = 1tM t~ : Z5C 'ł' '~ l\'~ [op ~ ił 7' '1 z 9 8 SlO FP l re [lila] 10 BN811337S 31/o3=71 BN81/317s gl Rys 17 Zależność częstotliwości granicznej od prądu kolektora f T f ( c) Rys ~ Za l eżność wspólczynnlka szwnów od prądu kolektora F = f ( c>

8 8 nformacje dodatkowe do BN 131 /337531/03 Tablica 12 Typ Oznacze Nazwa Warunki Jed Lp nie pa BFP 519 BFP 520 BFP 521 parametru pomiaru nostrametru ka min typ max min typ max min typ max l CBD Prąd zerowy U CB ~ 20 na kolektora 2 U(RR)CEO Napięcie prze e = 10 ma bicia kolektor emiter = B O 3 U(BR)CBO 4 U(BR)EBO 5 UCEsat Napięcie prze c= lo łla bicia kolektor baza Es O Napięcie prze E = 10»A bicia emiter baza C = O Napięcie nasy le= 20 ma cenia kolektor emiter B = 2 ma 6 UBEsat Napięcie nasy c = 20 ma cenia baza ' emiter B = 2 ma 7 h 21E l) Statyczny w spółczynnik wzmocnienia prądowego (w układzie wspól nego emitera) C = 10 ma UcE! 6 ł3 h Zl e Małosygnalowy r C = 1 m' zwarciowy w spółczynnik ee przenoszenia f= 1 khz prądowego w układzie wspólnego emitera r r 1l r ~ U = h 11e Małosygnałowa zwarciowa impedancja wejś kq ciowa w układzie wspólnego emi \ tera 10 h 12e Małosygnałowy rc 2 ma rozwarciowy w spółczynnik UCE s 5 w ste'cznego f= 1 khz ic1o 4 przenoszenia napięciowego w układzie wspóln:ego emitera 11 hi2e Malosygnałowa zwarciowa admitancja wyjściowa w \ls układzie wspólnego emitera

9 nformacje dodatkowe do BN81/337531/03 cd tabl 12 Nazwa parametru Warunki pomiaru Oznacze Lp nie parametru ' Jednost ka Y Małosygnalowa llr ' zwarciowa admitancja wejśms ciowa w układzie bile wspólnego emitera Typ BFP 519 BFP 520 BFP 521 min typ max min typ max min typ max ł Y12e Małosygnałowa zwarciowa admitancja przenoszenia w s'tecz w układzie wspólnego emitera lc 5 ma U CE 6 14 Y 21e Małosygnałowa f 35MHz zwarciowa admitancja 'przenoszenia w przód w układzie wspólnego emitera g12e b 12e g21e b 21e ms ms D Y22e Malosyg~łowa wa w układzie wspólnego emitera g22e b 22e zwarciowa admttancja wyjścioms lon 2) Czas włączania C a 200 ma ns 17 loh 2) Czas wyłączania 1~1 ~ 2 B2 a 40 ma 18 fr CzęstotliwoŚć C 5 ma graniczna U CE 10 f 100 MHz 19 ecbo Pojemność złą UCB Wv cza kolektor baza fs MHz ns MHz 20 Tbb Cc Stała czasowa c 25 ma sprzężenia zwrotnego przy UCB 10 ps wielkiej częstof = 5 tliwości MHz pf ' ) Selekcja na grupy wzmocnienia!l m tylko dostawę elementów półprzewodnikowych zgodnych z BN t~ do ceny wyrobów nieselekcjonowanych ) Układ do pomiaru czasów przełączeń : 4 na zamowienie odbiorcy Zgodnie z cennikiem CEM za ale wg określonych grup selekcji pobiera' się dodatkowo dopła +5 +fzv JL JlF zoo n nr ~ 4 ~{1 =:]1 O1}lF Oscyloskop /2 Wł = 502 tr ~1 ns

10 / 10 lruormacje dodatkowe do BN81/337531/03 6 Wydanie 2 stan aktualny: grudzień 1983 uaktualniono normy związane oraz poprawiono błędy /