Przyrządy półprzewodnikowe część 4
|
|
- Nadzieja Kowal
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011
2 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publ., B.G. Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall, W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, A. Świt, J. Pułtorak, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT, B.G. Streetman, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT
3 Przyrządy wzmacniające Rozdział 4 Tranzystory bipolarne (2). cd Ograniczenia obszaru pracy Praca w zakresie w.cz. Przełączanie tranzystora Klasy wzmacniaczy Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
4 Ograniczenia polaryzacji tranzystora Limit prądu, napięcia i mocy tranzystora: - Dopuszczalne napięcie przebicie złącza CB lub przebicie skrośne bazy (punch-through) - Dopuszczalny prąd kolektora - efekty termiczne, wytrzymałość materiałów - Dopuszczalna moc - rozpraszanie ciepła ( P = IU ) - efekty termiczne Charakterystyki wyjściowe: układ WB układ WE Q-point WB napięcie przebicia BV CBO BV CBO >> BV CEO (Breakdown Voltage) WE napięcie przebicia BV CEO typowe wartości: 50V 100V (ale także 800V - tranzystory wysoko-napięciowe) Source: B.C.Streetman Solid State Electronic Devices, Prentice Hall.
5 Polaryzacja stałoprądowa tranzystora - przykład Ustalony potencjał BAZY za pomocą dzielnika napięcia na rezystorach R1 i R2. Jest to układ polaryzacji tranzystora stabilizujący pkt. pracy ze względu na zmiany temperatury C 1 V B = [R 1 /(R 1 + R2)] V CC I C V B B Wej. V BE R C C V CE E V CC Wyj. C 2 Zadanie (analiza dc): Oblicz wartości R 1, R 2 tak, aby V CEQ =10V Oblicz I C oraz I B przy założeniu, że wzmocnienie tranzystora =100. Wykreśl prostą pracy. Dla wyznaczonego punktu pracy określ maksymalną amplitudę sygnału prądu kolektora i c i napięcia v ce. Oblicz wzmocnienie napięciowe układu. R E C E Układ WE+R E, wzmocnienie napięciowe: A v = R C /R E i nie zależy od tranzystora Dodanie kondensatora C E, tworzy układ WE dla sygnałów zmiennych Pojemności, C 1, C 2 ograniczają przepływ prądu stałego polaryzacji tranzystora do sąsiednich układów (np.stopni wzmacniacza), a jednocześnie umożliwiają prznoszenie sygnału zmiennego. Source: J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill
6 Praca tranzystora dla wielkich częstotliwości Układy filtrów RC i ich odpowiedzi częstotliwościowe: Filtr górnoprzepustowy (high pass filter) Filtr dolnoprzepustowy (low pass filter) Nie ogranicza sygnału od góry f H oo Nie ogranicza sygnału od dołu f L =0 f L - low (dolna) 3-dB frequency, f H - high (górna) 3-dB frequency, pasmo częstotliwości: Δf = f H f L wzmocn. napięciowe: A v = V o /V i lub w [db]: A v [db] = 20 log A v dla f L or f H spadek wzmocnienia: lub o 3dB w skali log A v Source J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill
7 Praca tranzystora dla wielkich częstotliwości Tranzystor filtr dolnoprzepustowy : Model dla m.cz. Dokładniejszy model dla m.cz. zł. CB Odpowiedź częstotliwościowa tranzystora jak dla filtru RC: C eb + A v C cb E E h fe =h 21e - wzmocn. prądowe (WE) [db] nachylenie charakterystyki B r b C h 21e(x) Model dla w.cz. uwzględnia pojemności złącz p-n i oporność bazy r b (r bb ) zł. EB zł. CB f - częstotliwość 3dB dla spadku h 21e o 3dB pasmo Δf 3dB = f przebieg rzeczywisty f x [skala log] f T - częstotliwość f T (cut-off frequency) dla aproksymacji liniowego spadku do wartości h 21e =1 (0 db) f T = h 21e(x) f x = const. (iloczyn: wzmocnienie x pasmo częstotliwości)
8 Tranzystor jako przełącznik Tranzystor - przełącznik prądu sterowany prądem lub napięciem WYŁ. (OFF) ZAŁ. (ON) Przykład: LED driver przełącznik prądu zasilania diody świecącej High low voltage signal ON- OFF state Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp. Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
9 Przełączanie tranzystora Switch ON Switch OFF Sygnał wejściowy (sterujący) Zmiana położenia pkt. pracy podczas przełączania Prąd wejściowy (prąd bazy) Prad wyjściowy (prąd kolektora) Wyłączenie wymaga usunięcia ładunku dziur z bazy -opóźnienie- czas wyłączania nasycenie Ładowanie bazy nośnikami mniejszościowymi od strony emitera i kolektora Tutaj - dla tranzystora npn, więc nośniki mniejszościowe w bazie dziury. 0.2V aktywny odcięcie Source: J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill
10 Układy pracy tranzystora n-p-n Relacje prądowe: I C + I E + I B =0 I E = -(I B + I C )= - (1+ ) I B Wspólna baza wzm. prądowe ~1 Gdy potrzebne duże wzmocnienie prądowe: R output R input Wspólny emiter wzm. prądowe» 1 R output R input Wspólny kolektor (wtórnik emiterowy) wzmocn. prądowe: Układ Darlingtona para tranzystorów E 1 B 2 wzmocn. prądowe: A I 1 2 Bardzo duża rezyst. wej. R input R input R output Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
11 Rodzaje wzmacniaczy: klasa-a, klasa-b Klasa-A sygnał sinusoidalny jest wzmacniany w całym zakresie amplitudy. Ulokowanie punktu pracy (Q-point) centralnie w obszarze aktywnym pozwala na pracę z dużymi sygnałami. Ograniczenie stanowi wartość napięcia zasilania V CC Maksymalna amplituda sygnału wyjściowego = (V cc 0.2V)/2 i C i B - prądowy sygnał wejściowy V cc Prądowy sygnał wyjściowy i C = i B U CEsat ~ 0.2V klasa-a Napięciowy sygnał wyjściowy v CE klasa-b Maksymalna amplituda sygnału wyjściowego = (V cc 0.2V) Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
12 Wzmacniacz dużych sygnałów: klasa- B Wzmacniacz klasy B (lub AB) Punkt pracy-q w odcięciu (klasa B) lub w pobliżu odcięcia (klasa AB) Tranzystor wzmacnia tylko 1 połowę sygnału sinusoidalnego Par komplementarna tranzystorów (npn and pnp) pracująca przeciwsobnie - push-pull amplifier zapewnia wzmocnienie pełnego symetrycznego sygnału i wymaga symetrycznego zasilania ±V cc Source:J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
13 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny OP-AMP (podstawowy analogowy układ scalony ) V o = A vd ( V s1 -V s2 ) A vd różnicowe wzmocnienie napięciowe V s1 -V s2 różnicowy sygnał wejściowy v out = - R F /R S ( v s ) Parametry wzmacniacza op.: R 0 R output input Source:J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
14 Wzmacniacz operacyjny OP-AMP ( kość, chip) na przykład:741 op-amp V o = A Vd ( v+ - v - ) = A Vd ( v in ) Wzmocnienie z otwartą pętlą sprzężenia zwrotnego (no R F ): A V(OL) Ze sprzężeniem zwrot.: v out = - R F /R S ( v in ) V o = A vd ( V s1 -V s2 ) A vd differential voltage gain V s1 -V s2 - differential input signal A vd = - R F /R S R 0 R out in Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
15 Układy pracy wzmacniacza operacyjnego Wzmac. nieodwracający Wzmac. odwracający (fazę sygnału o 180 ) v out = 1+ R F /R S ( v s ) v out = - R F /R S ( v s ) A vd = 1+ [R F /R S ] Source:J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
16 Układy pracy wzmacniacza operacyjnego Wzm. odwracający sumacyjny Wzm. odwracający v out = - R F /R S ( v s ) v out = - R F /R S1 ( v s1 ) - R F /R S2 ( v s 2 )... - R F /R SN ( v s N ) Source:J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
Przyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.
WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoSpis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28
Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące
Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz operacyjny
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz operacyjny Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych wzmacniaczy operacyjnych. 2. Układów pracy wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoZastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne.
Wzmacniacze operacyjne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Polecam dla początkujących! Piotr Górecki Wzmacniacze operacyjne Jak to działa? Powtórzenie: dzielnik napięcia R 2 Jeśli pominiemy prąd płynący przez wyjście:
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄCZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn: p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy elektroniczne
Podstawowe układy elektroniczne Nanodiagnostyka 16.11.2018, Wrocław MACIEJ RUDEK Podstawowe elementy Podstawowe elementy elektroniczne Podstawowe elementy elektroniczne Rezystor Kondensator Cewka 3 Podział
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.
ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o
Bardziej szczegółowoWykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoWzornictwo Przemysłowe I stopień ogólnoakademicki studia stacjonarne wszystkie specjalności Katedra Automatyki i Robotyki Dr inż.
Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Nazwa modułu w języku angielskim Fundamentals
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoRok akademicki: 2018/2019 Kod: IET s Punkty ECTS: 6. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne
Nazwa modułu: Analogowe układy elektroniczne 1 Rok akademicki: 2018/2019 Kod: IET-1-306-s Punkty ECTS: 6 Wydział: Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja Specjalność:
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego
Bardziej szczegółowoWzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE RÓŻNICOWE
WZMACNIACZE RÓŻNICOWE 1. WSTĘP Wzmacniacz różnicowy działa na zasadzie układu mostkowego składającego się z dwóch tranzystorów. Układ taki już od dawna znany był w technice pomiarowej. Z chwilą pojawienia
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Bardziej szczegółowoIndywidualna Pracownia Elektroniczna 2012
ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowo