wymiaru A 4,3-5,3 - a - 2,54' ) - - 0b) - - 0,53 - 0D 5,3-5,8-0D, 4;5-4,9 - F - - 1,0 - j 0,92 1,04' ) 1,16 - k 0,51-1,21 - I 12,

Transkrypt

1 UKD NORMA BRANŻOWA BN-80 ELEMENTY Tranzystory typu Be 107 Be 108 Be 109 PÓŁPRZEWODNKOWE Zamiast BN-72/ Grupa katalogo!ta 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemowe epi'taksjalno-planarne tranzystor)' n-p-i małej mocy małej częstotliwości Be 107 Be 108 Be 109 w obudowie metalowej do zastosowań powszechnego użytku oraz w urządzeniach w których wymaga się zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z określeniami wg PN-78/T-015l5 Tranzystory przeznaczone są do pracy w stopniach wejściowych i sterujących wzmacniaczy małej częstotliwości Tranzystory Be 109 przeznaczone są głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów Tranzystory BC 107 Be 108 Be 109 są komplementarne do tranzystosów Be 177 Be 178 Be 179 Kategoria klimatyczna wg PN-73/E dla tranzystorów o: - standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04 - wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/ bardzo wysokiej jakości (poziom jakości ) - 40/125/56 2 Przykład oznaczenia tranzystorów a) o standardowej jakości : TRANZYSTOR Be 107 BN-80/ / 125/ 04 b) o wysokiej jakości: TRANZYSTOR Be 107/3 BN-80/ /125/21 c) o bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR Be 107 BN-80/ /125/56 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać nazwę producenta oraz oznaczenie typu (podtypu) Ponadto tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory o bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń tranzystora - wg rysunku i tabl l Elementy obudowy wg PN-72/ T-01503: ark 28' - podstawa Bl l ark 35 - obudowa e7 obudowy stosowane przez producenta CE 22 Q r-- - i Kolektor tranzystora (C) jest połączony z obudową Tablica l Ą t!- l elektrycznie Symbol Wymiary mm Kąt o wymiaru mm nom max A a - 254' ) - - 0b) D D 4; F j ' ) k Ci ') fj ") ') Wymiar teoretyczny Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Naczelnego Dyrektora Zjednoczenia Przemysłu Podzespoł6w i Materiałów Elektronicznych UNTRA-ELEKTRON dnia 28 października 1980 r jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1981 r (Dz Norm i Miar nr 28/1980 poz 113) WYDAWNCTWA NORt4ALZACYJNE 1981 Druk Wyd Norm W-wa Ark 150 Nakł lam Cena zł 900

2 2 BN S Badania w grupie A B C i D - wg BN p 51 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B ' CiD a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów: o D 0 Dl A wg rysunku i tabl b) badania podgrupy A2 - sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl 2 c) badania podgrupy A3 - sprawdzenie drllt': lj/dnych parametrów elektrycznych wg tabl 3 d) badania podgrupy A4 - sprawdzenie parametrów elektrycznych Wlum" = 125 C (poziom i ) wg tabl 4 e) badania podgrupy B i C : - spra wdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń - próba Ub metoda 2 25 N 3 cykle; próba Ual 5 N - sprawdzenie szczelności - próba Qk poziom nieszczelności Pa dm 3 /s f) badania podgrupy B3 i C9: sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne - położenie tranzystora w czasie spadania - wyprowadzeniami do góry g) badania podgrupy B4 i C4 - sprawdzenie wy trzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę h) badania podgrupy B6 i C6 - sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne: układ OB wg PN-78/T tabl 7 tli/ni> = 25 C h= 10 ma UCH = 30 dla BC 107 oraz U CH == 15 dla BC 108 i BC 109 i) badania podgrupy C2 - sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl 3 j) badania podgrupy C3 - sprawdzenie masy wyrobu: 05 g k) badania podgrupy C4: - spra wdzenie wytrzymałości na przyspieszenie stałe - kierunek probierczy - obydwa kiemnki wzdłuż osi wyprowadzeń mocowanie za obudowę - sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej częstotliwośc i - mocowanie za obudowę ) badania podgrupy CO - sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl ł m) badania podgrupy Dl - sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatura narażania 25 C (poziom i ) n) badanie podgrupy B4 - spra wdzenie wytrzymałości na pkśj1: po badaniu brak porostu pleśni o) badanie podgrupy 05 - sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną: położenie tranzystora dowo'lne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i O wg tabl 5 7 Pozostałe postanowienia - wg BN-80/ Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom l J ) Lp literowe parametru Metoua Wartości gral1l<;znc pomiaru wg Jedno- Warunki pomiaru Be 107 BC 108 Be 109 PN-74/ stka T mln max m 111 max m 111 max las ark 09 Un = 50 RE = O na Uel' = 30 R81: = O U8N ) C"" ark OJ fe= 2 ma 18 = O U8R ) E80 ark 04 h=!la 18 = O h2'1:' ) ark Ol 1 = 2 ma Un := !l " k A k B k C R50 5 h2'e' ) ark Ol fe= 10!lA U('E= 5 k A k B CJ k C F ark 46 fe = 02 ma Uc= 5 ; R = 2 kn; 4[= 30 Hz + db khz l e= 02 ma U('E= 5 R = 2 kn db f= khz :lf= 200 Hz ') Selekcja na klasy wzmocnienia (A B C) tylko na życzenie odbiorcy

3 BN-80/ Tablica 3 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A3 C2 (poziom ) Wartości graniczne Metoda Lp literowe pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BC 107 BC 108 BC 109 parametru PN-74/T -O 1504 mm max mm max mm max UCE$Q ark 02 lc= 10 ma s = 05 ma UaEsa/ ark 02 c =lomals =O5mA UBE ark Ol c = 2 ma U CE = fr ark 24 c = 10 ma U CE = 5 f= 100 MHz MHz ecbo ark 22 UCB = 10 ; f = MHz pf Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A4 (poziom 1 ) Lp literowe Metoda pomaru wg PN-74/T Wartości graniczne Warunki pomaru Jednostka BC 107 BC Oli BC 109 m 111 max mm max mm łllax l CEs ark 09 Ua = 50 R sc = O /la 4 nmh = C Ua = 30 RaE = O tumh = /la (: Tablica S Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy B C D (poziom ) Metoda literowe pomiaru wg Warunki pomaru parametru PN-74/T-O 504 Podgrupy badań Wartości gramcznc Jednostka BC 107 BC lor BC 109 mm max mln max mm max las ark 09 Ucc = 50 R SE = O B C B3 84 na UCE = 30 RBE = O B5 C2 C4 C5 C7 C9 Dl') Ua = 50 Rac = O B6 C6 C8 na UCE = 30 Rsc = O Ua = 50 Rsc =0 C2' ) Amj Un: = 30 R BE = O h2'e ark Ol lc = 2 ma Ua = 5 B C B3 84 k A B5 C2 C4 C5 k B C7 C9 Dl') - ') W czasie badania k C B6 C6 C8 k A 'ki B k C C2' ) k A k B RO - k C KONEC nformacje dodatkowe

4 nformacje dodatkowe do BN-80/ ; :1;"11 PtłtP' ''" wpdnil)\\" _!stutnl' llllially \\ t"wllku dl! BN-721:U NFORMACJE DODATKOWE 1 11lslylUcjll opraco\luj"eil lornw - ' r-;" 11\llw(l-Producvine Cen doprowa ' : /;' :{ p" lilnp\\'inlil nini j:-i/\'j hu'llly do i":!odnost'i / ł:łn-xoj : :' : ij OU PN-74/T Tranzystory Pomiar modllłlllh2l w zakresie wcz i czc;stotliwości /r \()'łll " iąziin ":' : ;il (l:j5() \yroby ckktrotechnicllt' Próby środowiskowe ;' ><?'/ T O 15(L;2 Elementy półprzewodnikowe Zarys wymiary 4 Normy zagraniczne PN-76/T Tranzystory Pomiary parametrów szumów PN-78/T Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania PN-80/ Elementy półprzewodnikowe Tranzystory malej mocy małej częstotliwości Wymagania i badania!'ud:'\l'\\-a B t RWPG CT C3B TpaH3HcTopbl THOB BC 107 BC O! :' \ 7 / T \ O 55 Ekl11ellt półprzewodnikowc Zarys wymary BC 109 : norma zgodna ( FH1 d i\\ a C if 5 Symbole KTM tranzystorów \ ' 1/T!()4 01 Tranzystory Pomiar lilie i napęca UBE BC :':\ :'l/ T O5(l HJ2 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia Uet a BC 107A i { li } ' : BC 107B ": 71 / l-0150luj Tranzystory Pomiar napięć przebicia UBR ew BC lob' l : i;k } (:' (i/lrt U ::k UUN(J n ;-x BC 10BA j' :'-'- -U 15()04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U BR1 CBO BC 10KB i C!łiN J ':8(1 BC OBC P\ 7 4/T 1l1504m Trall/ystory Pomiar prądów resztkowych feer BC l l " '''' i pnłdll zerowego Jao BC 109B ';- 71/ -O T ranl)'slory Pomiar hl'" w zakresie mcz BC 109C ':\ 4 / T O5ll4::! TralZ}tl1ry Pomiar pojemności CeBo i C EBO 6 Warłości dopusll'7alne tranzystorów - wg tab\ - i rys -! ' i -' l J i i 5 l OlllaLlt' ni c pa ra nw fu 1 ': U l'u s ( '('fu l :"/ " ' ' Na/wa parametru WplliCC swk midzy kolektorem a bazą Tablica l-l napi'l'ic stale midz)' kolektorem" emiterem przy U = O napll;"e swlc między kolektorem" emiterem nap"'!: stale midzy emiterem a bazą pri)d staly kolektora pro/d szczytowy kolektora l i! i lił prijd stal y bazy' Jednostka Wartości dopuszczalne BC 107 BC 108 BC ma 100 ma 200 ma l' calkllwita moc wejściowa (stala lub średnia) na wszyt;dl elcktrodm:h przy 'n"/o = 25 (' mw 300 temperatura zlącza OC 175 cmperatul'il otoczenia w czase pnlcy oc t _cl_np_c_r(_il_u_n_lp_r_z_cc_ _l'_'wyw_'_an_i_a 'oc ' _J Rczystancja termiczna złącze - otoczenie R'h i_n ; 500 kiw Rezystam:ja termiczna złącze - obudowa R'hj_' ''; 200 kiw A_ ( "- 0 ; [' " M'" r" " " i'l -5 l :5 t Cl 115 l /33' R': - Zakżl10ść tcmp:raturowa mocy strat od temperatury p"" = f(l)

5 nformacje dodatkowe do BN-80/ Dane charakterystyczne - wg tab! oraz rys Lp parametru Tablica 1-2 Typ tranzystora Nazwa parametru Warunki pomiaru Jednostka Be 107 Be 108 Be 109 min; typ max mn typ max mn typ max lus prąd resztkowy Un = 50 RE= O na kolektora Un:=30RBf"=0 na ; U(BRCEO napięcie przcbi- cia kolektor - lew = 2mA emiter 3 U(BR EBO napięcie przebi- Cia emiter - h" = JlA baza 4 h21e) statyczny wspól- le = 10 JlA k A czynnik wzmoc- U ee = 5 k B nienia prądowe- go w ukladzie k e wspólnego emlle = 2 ma X50 tera - k B Ue!' = 5 k A k C H50 le= 100 ma2) k A U CE =5 k B k e UBC napięcie stale 1c = 01 ma emiter - baza UCH = 5 c = 2 ma Un = l17 lc = 100 mn) Ucc = 5 6 UCEK napięcie kolan- C = ma \ kowe J ) UeE = - OJ l e<l = 10 ma OO'! UCE sq napęcie nasyce- c= 10 ma nia kolektor - lb = 05 ma emiter le 100 ma2) l = 5 ma USEs(l' na pięcie na syce- lc= 10 ma )0 nia emiter - l = 05 ma baza lc= 100 ma2) l = 5 ma 9 hlll) malosygnalowa e = 2 ma zwarcowa im- Ue!' = 5 k A pedancja wej- f= l khz kil ściowa w ukla- k B tu dzie wspólnego k e emitera ' 10 h2}) malosygnalowy lc = 2 ma k A zwarcowy współczynnik Ucc = 5 k B X przenoszeola napięciowego w f= khz k e układzie wspólnego emitera j

6 6 nformacje dodatkowe do BN-80/ cd tabl 1-2 L p pa rametru Typ tra nzystora Nazwa para metru Wa runki pomia ru Jednostka BC 107 BC 108 BC 109 mm typ ma x mln typ max min typ max lo hu') malosygnalowy l e = 2 ma zwa rcowy ws półc zyn n ik Ua = 5 k A przenoszenia - prądowego w 1= khz k B układzie wspólnego emitera k C '12 hn ) m a l os ygnało wa fe = 2 ma lło - - lło rozwarcowa admitancja U CE = 5 k A wyjściowa w S układzie wspól- 1= khz k B nego emitera k C l czę s totliw ość l e = 10 ma gra nczna U CE = 5 MHz f= 100 MHz 14 CC80 p ojemność zją - Ue8 = lo h = O cza kolektor - 1 = MHz baza 15 C E80 poj e mnoś ć zją- UE8 = 5 pf cza emiter - 1= MHz ba za pf F w spółcz y nnik le= 02 maj= khz slmów R = 2 k!l Ua = Ar = 200 Hz db l e = 02 ma R = 2 kil Ua = = 30 H z khz ' ) Selekcja na klasy wzmocnena (A B C) tylko na ż yczen i e 2) Pomiar impulsowy: p 300 s ćj 2% ' ) Określeni e napu;cl3 kola nkowego UCEK wg tabl 1-3 odbio rcy e (mą] 8 li 'r 4 2 o r r S 10 o tlllftb= 25'1: Z r: 5) Ue! t1 BC107 łz / (/ 1/ " 't' 4 f D fqlllb"z5"t 60 SD 40 3D zo =llllla la %4 Ua [J Be 108 Bt 109 BN ;80/ H-zl SN-BO/ Rys 1-2 Chankterystyka wyj ś ci owa 18 - para metr fe =f{ua) Rys 1-3 Chara kterystyka wyj śc i owa 18 - pa rametr l e = 1 (UcEl

7 0 0 rm%f le Bt 109 Al to \ 25"C nformacje dodatkowe do BN-80/ Bt 107 Bt 108 Bt 109 DO aft '/ t;:; :[4:U uw r - " 10 -"'" D ll 04 h - a:oz'a o t k-ł-hłltltt--h-łt ZO 1 O 04 oa 1Z G Ut :J l BN-80/ " BN-80/ H-61 Rys 1-4 Charakterystyka wyjściowa / - parametr c = f( Ucd Rys 1-6 Zależność napięcia nasycenia lce "a' od prądu kolektora UCE s" = /(1) ella] s 8t tn7 Bt 101 acoq Ucs:l 5 t ulb: 2!1 "t " L 0' 06 Bt ' 11 : J a O511A t Z5"C / z O' o J oz UK[J BN-6Ql OZ Q-! lo" lal e [ma BN - 80/ J Rys -S Charakdrystyka przej śc i owa l = f(ue) Rys 1-7 Zależność napięci a nasycenia UBE w' od prądu kolektora UBEa = f(lel

8 8 nformacje dodatkowe do BN-80/337S-3001 et (PF] l 2 1 r- at 'DT = - ' f:'mlłz t6111b 25 C lo"' t ' t ' Uta[yJ ro BN-80! sl t 07 at OJ t ' fil" l ł:4! UU ZO / 50 / / / " / ;/ 100 tł/llb("cj 150 BN-80/337S / Rys 1-8 Zależność pojemności złącza kolektora od napięcia U CB CeBO = (UeB) Rys 1-10 Zależność temperaturowa prądu zerowego lebo = l(tamb) Bt '07 5 BtO at 09 h 11 Zt -111\- Utl" 5Y t6mb : t5 C /11 / ' h '11 "" _ Be ' ł5d t zs c c Zrd h1 \ "" h L 'od " ro 50 lillll 10"l lo"' 10' to' lt BN-80/ i to ZO lo lu [J BN-80/ ot--111 Rys 1-9 Chara;terystyczny kształt przebiegu znormalizowanego współczynnika wzmocnienia prłdowego Rys 1-11 Zależność parametrów macierzy hij od napięcia kolektoremiter hij = l(ua)

9 nformacje dodatkowe do BN-80/ ac '0' ae 1111 ae 101 "!' Z r++H ac 107 Be 108 le :oza Rg"Zk2 t S l ' tajdb = 25 C \ '\ 1 1'1 "- 1O-'-Z-'>"'-4-:6!-'-:'' !4:'-t[m-!A::'J +-"0' BN-SO!s37S t 10 '1 10 ((thz] to BN -80/ <11 Rys 1 12 Zależność parametrów macierzy hij od prądu kolektora hij = f Ud Rys 1-14 Zależność współczynnika szumów od częstotliwości F = f(f) t 101 rj at 101 Bt 109 ł 4 10 t 6 4 / ' tamil: 25 C llcloy - Utł s5 Be log 15 -rrmlłłt-+t+ F (dl) l-++hłm z : z ' z ' BN - 80/ BN-80 /3YS-go Rys 1-13 Zal eż ność częstotliwości granicznej od prądu kolektora fr = fuc) U - parametr Rys -S Zależność współczyn n ika szumów od częstotliwości F = f(f)

10 ;!': 10 nformacje dodatkowe do BN-80/ l Tablica 1-3 Nazwa parametru Określenie \ literowe Napięcie wartość napllcla kolektor -- emiter wyznaczona przez określoną war- U CEK kolankowe ( ość prądu kolektora l C2 na takiej charakctrystycc wyjściowej tranzystora l e ==!(Ua ) przy n :o const która przechodzi przez punkt: - C = kn Uet' - określone (np k = l l ; Ua = l ) t ; le ez (' _""t'" v la = consł --'" - UCEK UCE =1 Uce