Objaśnienia stosowanych oznaczeń znajdzie Czytelnik w nr 1/61 naszego. Wszystkie tranzystory produkowane obecnie przez Fabrykę Tranzystorów

Transkrypt

1 m g r in ż. R u t k o w s k a m g r in ż. J. L e w k o w i c z T r a n z y s t o r y p r o d u k c j i k ra jo w e j C z ę ś ć 1 PARAMETRY 1 CHARAKTERYSTYKI Z godnie z zapowiedzią rozpoczynamy cykl artykułów, omawiających dane techniczne, charakterystyki i przykłady zastosowania tranzystorów, produkowanych w kraju przez fabryką TEWA". Dane te posłużą naszym czytelnikom nie tylko dla zapoznania się z krajową produkcją tranzystorów, ale również pomogą w opracowaniu własnych konstrukcji. Cykl artykułów podzielony jest na kilka części. Pierwsza część omawia parametry i charakterystyki tranzystorów. JAK wiadomo tranzystor trójelektrodowy (rys. 1) posiada następujące elektrody: e emiter, k kolektor, b baza. Rys. 1. Tranzystor trójelektrodowy a symbol tranzystora typu P N P, b symbol tranzystora typu N P N Ponieważ tranzystory zostały wynalezione przez Amerykanów, w literaturze zagranicznej i katalogach spotyka się zwykle skróty oznaczające elektrody według oznaczeń języka angielskiego, a więc E emitter, C eoolector, B base. Ze względu na łatwość porównania z danymi zagranicznymi tranzystorów proponujemy przy oznaczeniach stosować symbolikę międzynarodową oraz spotykaną w naszej literaturze (cykl Układy tranzystorowe ) i tak np. UCB oznacza napięcie pomiędzy kolektorem a bazą itp. Objaśnienia stosowanych oznaczeń znajdzie Czytelnik w nr 1/61 naszego pisma. Wszystkie tranzystory produkowane obecnie przez Fabrykę Tranzystorów TEWA są tranzystorami germanowymi warstwowymi PNP typu stopowego, wykonane w hermetycznej obudowie metalowej. Jeżeli nie zaznaczono inaczej, wartości wszystkich parametrów podano dla ta = 25 C. TRANZYSTORY MAŁEJ MOCY, MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI, TG1-PTG6 Dane typowe tej grupy tranzystorów podane są w nr 1 rocznika 1960 i nr 1/1961 RADIOAMATORA. W numerze 1/61 podano dokładne charakterystyki tranzystorów TG5 i TG6. W tym numerze uzupełnimy charakterystykami tranzystory TG2 i TG4. Ogólnie biorąc tranzystory tej grupy przeznaczone są do pracy w układach : wzmacniających m. częstotliwości (TG2, TG3, TG4) generacyjnych (TG1, TG2) przełączających (multiwibratory) (TG1). TRANZYSTOR TG2 * Wymiary zewnętrzne podano na rys. 2. Maksymalny ciężar wynosi 0,9 g. Układ połączeń przedstawiony jest na rys ,3 Ll mu min m ax13 Czerwona kropko Rys. 2. Wymiary tranzystorów XG1 % C XGf> Charakterystyki podane są w kolejnych rysunkach 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9- Dane maksymalne (wartości graniczne) U CBmax ~ 15 V U CBMmax = 15 V UcEmax Patrz rys. 7. U c E M m a x ~ P a t r z r y s. 7.

2 UEBOmax V ' '^Cmax nia 1CMmax 00 ma 1Emax 11 ma. ~~^EMmax 05 ma 1"B M m a x 0 ma Pmax P'atrz rys- 8 ł 9 ^jmu = 05 C ta = -Hł0 -r- +60 C Dane statyczne (ta = 25 C) Icbo ^ 15 [ia przy UCB = 5 V ICE0 ^ 400 ua przy UCE = 5 V : EB0 ^ h-a przy V EB0 = 5 V Dane dynamiczne (ta - 25 C, f = 1 khz) Układ OE ( UCE = 5 V, lc = = 1 ma) 7ille = 700 -i Q h12e łi2ie -1-80?l22e 0 jts Układ OE ( UCE = 1 V, lc = = 0,5 ma, Rg = 600 Q) F < 30 db Układ OB ( UCB = 5 V, lc = = 1 m A) /a = 300 khz Rys. 3. Charakterystyki statyczne TG2 Rys. 5. Zależność parametrów h od prądu TRANZYSTOR TG4 Wymiary zewnętrzne jak na rys. 2, ciężar ok. 0,9 g. Jest to (tranzystor małej mocy, do układów małej częstotliwości, charakteryzujący się małym współczynnikiem szumów. Może on być stosowany w układach wzmacniających, w których wymagany jest mały poziom szumów, np. w aparatach dla słabosłyszących. Charakterystyki przedstawiono na rys. -r-. Dane maksymalne (wartości graniczne) Rys. 4. Zależność parametrów hg od napięcia Rys. 6. Zależność prądu zerowego od temperatury złącza UCBmax = 15 V 15 V u C&nax Patrz rys. 18. u CEMmtix ~ patrz rys. 18. ~ UEB0Mmnx = V lcmax ma 1(71/max ma J max = U m A ^ Mmax 55 ma lfl.l/]nax 9 ma pmax patrz rys. 19 i. ^jmax 65 C ta = 40 CH- +60 C) Dane statyczne (ta = 25 G) rcbo ^ (xa przy Ucb = 5 V rce0 < 2 P-A przy UCE = 9 V *ebo [ia Przy Hebo = 9 V Rys. 7. Zależność maksymalnych napięć od oporności zewnętrznej między emiterem a bazą Dane dynamiczne (ta = 25 C, f = 1 khz) Układ OE ( UCE = 2 V, Ic = 0,5 ma) hlle = Q h12e < 30-4 ^21e = r- /l 2e ^ 00 ąs

3 Pmax [m W ] Chłodźeme /?o turalrie 0 25 ~ ta[ C] Rys. 8. Zależność maksymalnej mocy strat od temperatury otoczenia Rys. 9. Zależność maksymalnej mocy strat od m aksy, malnego napięcia Układ OE ( UCE = 1 V, Ic = 0,5 ma, Rg = 600 Q) F < db Układ OB ( UCB = 2 V, IG = 0,5 ma), fa = 300 khz TRANZYSTORY MAŁEJ MOCY, ŚREDNIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI TG, TG Tranzystory TG o mniejszej częstotliwości granicznej są przeznaczone zasadniczo do pracy w układach wzmacniaczy pośredniej częstotliwości, a tranzystory TG do układów mieszających i generacyjnych (heterodyna). Ciężar tych tranzystorów nie przekracza 0,9 grama. Główne ich wymiary podane są na rys. 21. Dopuszczalne wartości graniczne dla obu typów są identyczne. Dane maksymalne (wartości graniczne) UCBMmax = 15 V -UcBma* = 15 V u CEMmax Patrz wykresy na rys. 25 i 26 u CEmax patrz wykresy na rys. 25 i 26 ÊBMmax = 6 V ~- ^CMmax = ma ^Cmax = 5 ma ÊMmax = ma Êmax = 5 ma Pmax patrz [wykresy na rys. 26 i 27 tjmax = 65 C Rt = 0,6 C/mW ta = 40 C -=- +65 C Wartości pozostałych parametrów charaktery żujących tranzystory TG, TG są na ogół różne. Zestawiono je w tablicy 1. Przeciętne 'Charakterystyki dla tranzystorów, obu typów przedstawiają rysunki 22e-38. TRANZYSTORY ŚREDNIEJ MOCY, MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI TG-j-TG53 Do tej grupy tranzystorów zalicza się trzy typy: TG, TG52 i TG53. Tranzystory TG i TG53 są zasadniczo przeznaczone do pracy w układach wzmacniających średniej *1 Rys. 12. Charakterystyki 1^ = f(ir) 1 U0E = f(ip) przy UCF = const dla małych wartości IR. Rys. 11. Charakterystyki: = f(u^r) 1 UBE = 1(UCF) przy I R = const dla małych wartości

4 m n TABLICA 1 Parametr Jedn. TG Wartość TG Warunki pomiaru ~! cbo (ta <15 <15 ~ U CB = 6 V ~! ceo (J.A <600 <800 - U CE = 6 V ^ EBO PA <30 <30 - U EB = 6 V f a MHz > 3 > 7 \ - V c = 6 V ^21e > > / 1 khz _ 7c _ Q)5 ma ił <0 <2 - UCB = 6 V, Ic = 1 ma / = 0,5 MHz (^21e) ma/v >13 >11 1/gIle kił 0,5-3,5 >0,3 1/g12e kił >75 >15 1/g 22e kił >25 > 5 Ł^ce = 6 V, lc = 0,5 ma ^lle pf <00 <400 / = 0,5 MHz dla TG ^12e pf <15 <15 / = 2 MHz dla TG ^22e pf <40 <40 * jmax C C/mW 0,6 0,6 TABLICA 2 h so P rzil tj-po lcbaprzp t;=25 C Parametr Jedn. Wartość TG TG52 TG53 Warunki pomiaru tj[ C ] Rys. 14. Zależność prądu zerowego od temperatury złącza ^CEMmax V patrz wykresy na rys. 45 i 46 ^CEmax V ^EBmax V ^CMmax ma ~ ^Cmax ma P r max ma patrz wykresy na rys. 46 i 47 *jmax C 75 * t C/mW 0,3 *CBO (ta < 2 0 ^c eo (ta <400 <600 <400 P i 30 1 P t > 2 0 P3 fa ^C E, khz V 300 <0.4 t = - 40 C C ,3 0,33 < < - U CB = 12 V -I>CE = 6 V Vnv. = 6 V, In = ma UCE = 1 V, Ic = 125mA >15 >15 UCE = 0,'lV, Ic = 2 ma Ł7CB = 6 V, lc ma <0,4 <0,4 l c = 125 ma mocy (wzmacniacze m. cz., stopnie końcowe). Tranzystory te są dobierane parami, aby je można było stosować w układach przecdwsobnych. Tranzystory TG52 są przeznaczone do pracy w układach przełączających i przetwornicach. Ciężar wszystkich wymienionych wyżej tranzystorów nie przekracza 1,8 g, a ich obudowa jest jednakowa, przy czym jedna z elektrod baza jest galwanicznie połączona z obudową. Główne wymiary tranzystorów TG TG53 są podane na rys. 39. Dane typowe tych tranzystorów zestawiono w tablicy 2. Rys. 15. Zależność parametrów hfi od napięcia Przeciętne charakterystyki dla tranzystorów TG, TG52 i TG53 są przedstawione na rys Radioamatorom poleca się stosowanie do wzmacniaczy tranzystorów TG53, dla których dopuszczalna moc strat jest większa, niż w przypadku tranzystorów TG, TG52, a cena znacznie niższa. TRANZYSTORY DUŻEJ MOCY, MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI TG70 Tranzystory TG70 są przeznaczone do pracy we wzmacniaczach mocy (stopnie końcowe w odbiornikach samochodowych) oraz w przetwórni-

5 OS os r. he przy - l c ~ Priranr7. he przy - I c - 0 bm A t h l e typ Rys. 16. Zależność parametrów prądu I H J jtia] od Parametr Jedn. Wartość Warunki pomiaru ^CEMmax V ^CEmax V patrz wykresy na rys. 51 i 52 - ÊBmax V ^CMmax A 3 ^Cmax A 1,5 ÊMmaS A 3,3 1 Emax A- 1,6 W m a i A 0,5 P max W patrz wykresy na rys. 52 i 53 t. jmax C 75 - fcbo [J.A <0 - t/cb = 14 V V/ 00 o TABLICA 3-7ceo ma < 2,5 - UCK = 14 V 7ebo [ia < - ÊB = 7 V ^CeO V - 1q = 3 A Pi CE = 7 V,- f c = 0,3 A > 6,5 - Ł?ce = 1 V, - /c = 3 A fa khz 0 - f/cb = 7 V, - /c = 0,3 A A = 40 C + 75 C 6 ll UwM -W -5 V 4 M 0-25 J [aja] Iebo I / L5 / 15 >Ka V, 5? Ś BE[kQ] Bys. 17. Charakterystyka diody emiterowej Rys. 18. Zależność maksymalnych napięć od oporności zewnętrznej między emiterem a bazą Pmax Ryś. 19. Zależność maksymalnej mocy strat od temperatury otoczenia

6 cach. Są one dobierane parami 'd o układów przeciwsobnych. Ciężar tych tranzystorów wynosi max g. Kolektor tranzystorów TG70 jest połączony z obudową. Główne wymiary są podane na rys. 48. Dane typowe tych tranzystorów zestawiono w tablicy 3, a przeciętne charakterystyki przedstawiono na rys NAJBARDZIEJ ZBLIŻONE ODPOWIEDNIKI TRANZYSTORÓW FIRM ZAGRANICZNYCH > - / ceo Przy ti J L -/cnn przy ti -2 i T / ~ f TB-TG Są one zestawione w tablicy 4. TABLICA 4 Typ tranzystora f-my,.tewa Najbliższy odpowiednik zagraniczny f-my Philips f-my Telefunken TG 2, TG 4 OC 70 OC 602 TG 5, TG 6 OC 71 OC 603 TG OC 45 OC 612 TG OC 44 OC 613 TG OC 72 TG 52 OC 76 TG 53 TG 55 *) OC 74 OD 602 spec. TG 60 *) OC 30 TG 70 OC 16 OD 603 Rys. 23. Charakterystyki statyczne tranzystora TG tj[ C ] Rys. 24. Zależność prądu zerowego tranzystorów TG i TG od temperatury złącza *) Tranzystory w opracowaniu. W opracowaniu znajduje się fotodioda FG2, której najbliższym odpowiednikiem zagranicznym jest fotodioda OAP12 firmy Philips. 00,35 _ L Czerwona kropka c min 38- max 13 Rys. 21. Główne wymiary tranzystorów TG i TG p rmox [mln] 60 TG, TB 30 f i ~Uc[milkj Rys. 26. Zależność maksymalnego napięcia tranzystorów TG i TG od mocy strat Rys. 22. charakterystyki statyczne.tranzystora TG

7 Im W j Chłodźenie nattiralne TG, TG fnm 25 Rys. 27. Zależność maksymalnej mocy strat tranzystorów TG 1 TG od temperatury otoczenia V9ne f o l M O cm [c=0,5ma t - M 400 ~UCe~6 1/ 1400 ta=25 C , fim Hz] Rys. 30. Zależność parametru 1/S11p tranzystora TG od częstotliwości Rys. 33. Zależność parametru l/g,2e tranzystora TG od częstotliwości

8 Rys. 35. Zależność parametrów charakterystycznych tranzystora TG od napięcia Rys. 36. Zależność parametrów charakterystycznych tranzystora TG od napięcia Rys. 37. Zależność parametrów charakterystycznych tranzystora TG od prądu Rys. 38. Zależność parametrów charakterystycznych tranzystora TG od prądu Rys. 39. Główne wymiary tranzystorów TG-KTG53 Rys. 40. Charakterystyki statyczne tranzystorów TG, TG53 TG-TB53 3 I cboprzyti parom. n łu p n ij t;=25 C Rys. 42. Charakterystyki statyczne tran zystorów TG, TG53 dla małych napleć Bys. 41. Charakterystyki statyczne tran. zystora TG52 1W BO 80 tj[ C ] Rys. 43. Zależność prądu zerowego tranzystorów TG5(K-TG53 od temperatury złącza

9 1 1 IG5U -U c fw t a -25 C 40 Rys. 44. Zależność współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora TG od prądu TG- rg53 TG53 TG TG52-0 -U, ce max M - Rys. 46. Zależność maksymalnego napięcia tranzystorów TG5(M-TG53 od mocy strat fow S. m 0 Rys. 45. Zależność maksymalnego napięcia tranzystorów TG5IK-TG53 od oporności między bazą a emiterem Chłodź me nnturalnt JG53 TG5o \ TG52 TG5 0 - TG53 w ta[ C] 75 Rys. 47. Zależność maksymalnej mocy strat tranzystorów TG5(K-TG53 od temperatury otoczenia 4>1 T ' 25 -warm n l i U - i 11 max26-~4 5 Rys. 48. Główne wymiary tranzystora TG70 TG/'0 -HxmmM 3 0 Rys. 52. Zależność maksymalnego napięcia tranzystora TG7Ó od mocy strat p, Rys. 49. Charakterystyki statyczne tranzystora TG70 Rys.. Zależność prądu zerowego tranzystora TG70 od temperatury złącza O *,CPo "y ś - ' k w V p Rys. 51. Zależność maksymalnego napięcia tranzystora TG70 od oporności między bazą a emiterem \-5 V \ ' Y % Ą V > Rys. 53. Zależność maksymalnej mocy strat tranzystora TG70 od temperatury otoczenia 45 55