P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE"

Włodzimierz Wilk
6 lat temu
Przeglądów:

1 UlW ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA \ BN83 Dio9Y typu: BA P BAP 94A BAP 95 BAP 95A Grupa katalogowa 923 _ l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące miniaturowych krzemowych diod przełączających małej mocy typu BA YP wykonanych techniką epiplanarną w obudowie całoszklanej przeznaczonych dó zastosowań w sprzęcie profesjonalnym oniz w uwidzeniach wymagających zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości Diody przeznaczone są do pracy w szybkiah układach przełączających oraz jako diody ogólnego zastosowania Kategoria klimatyczna wg PN73E04550 dla diod: podwyższonej jakości 5525 wysokiej jakości bardzo wysokiej jakości Przykład oznaczenia diod typu BA YP 94: a podwyższonej jakości DODA BAYP 94 BN b wysokiej jakości DODA BA YP 943 BN c bardzo wysokiej jakości DODA BA YP 944 BN Cechowanie diod powinno zawierać następujące dane: a oznaczenie typu wykonane drukiem (wg rys l na podkładzie koloru: niebieskiego dla diod o podwyższonej jakości pomarańczowego dla diod wysokiej jakości ' białego dla diod bardzo wysokiej jakości lub x >< >< ~ x: >< kx < c e BAY P94 A łh!@'7324oh Rys 't:: :: alternatywnie (tylko dla diod o podwyższonej jakości niżej podanym kodem kolorowym w postaci paska naniesionego na obwodzie obudowy: BA YP 94 pasek brązowy BA YP 94A pasek czerwony BAYP 95 pasek pomarańczowy BA YP 95A pasek żółty b oznaczenie wyprowadzenia katody określone za pomocą paska naniesionego na obwodzie obudowy od strony katody (przy zastosowaniu kodu kolorowego katodę wskazuje pasek kodu 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń diody wg rys 2 i tab! l Obudowa element kompletny A24 wg PN73 TOl Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 02 Maksymalna dopuszczalna długość niepocynowanego odcinka wyprowadzenia przy obudowie wynosi 3 mm Kod barwn (j o Rys 2 Tablica l Wymiary diody SN8lll739Dfzl \ Symbol Wymiary mm wymaru mm nom max 0b D G Zgłoszona przez NaukowoProdukcyjne CElntrum Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka BadawczoRozwojOwego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 5 marca 983 r jako norma obowiązująca od dnia października 983 r (Dz Norm i Miar nr 9983 poz 8 WYDAWNCTWA NORMALZACYNE ALFA 983 Druk Wyd Norm Wwa Ark wyd 0 Nakł Zam 983 Cena zł 200

2 2 BN Badania w grupie A B C i D wg BN p 5 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B C i D a badania podgrupy Al sprawdzenie wymiarów D G l wg rys 2 i tabl b badania podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg tabl 2 e badania podgrup B C i D wg tab 3 d parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D wg tabl 4 7 Pozostałe postanowienia wg BN8l Podgrupa badań Rodzaj badania Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 A3 A4 i C2 2 3 ' Kontmlo Metoda ed Wartości gramczne ' wany para pomiaru wg nost Warunki pomiaru BAYP 94 BAYP 94A BAYP 95 BAYP 95A metr PN74 ka TO504 f mm max mm max mm max mm max A2 Sprawdzenie h= O ma podstawowych para F = 30 ma 'v 0 A3 A4 C2 metrów elek UF ark '57 h= 2 ma 062 Q70 trycznych F = 50 ma 0 h= ma Sprawdzenie R ark 56 U R wg tab! na lp R ark 56 UR wg tab! A lp 2 Q ark 6 h= ma pc drugorzędnych parame COl ark 58 UR=Of=MHz pf trów elektrycznych Sprawdzenie parametrów elektrycznych R ark 56 UR wg tab! A W Qm b = 25 oc (poziom lp Sprawdzenie drugorzęd R ' = ma; nych parame l ark 59 R L = 0 n ns trów elek UR = 6 ; trycznych i = ma Tablica 3 Wymagania szczegółowe do badań grupy B C D Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe B C prowadzeń Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wypróba Ua 5 N Sprawdzenie szczelności' detergent Q 2 B3 C9 3 B4 4 B5 C5 5 B6 C6 Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swo położenie diody w czasie spadania wyprowadzenia rówbodne noległe do kierunku spadku Sprawdzenie wytrzymałości na udary wieo mocowanie za obudowę w sposób sztywny nie niszczący krotne (dla poziomu obudowy diody Sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany temperatury TA = 55 oc Ts = 25 oc alternatywnie wg jednej z poniżej podanych metod: a pracll w u<ładzie prostownika jednopołówkowego z obcią Sprawdzanie odporności na narażenia elek żeniem rzeczywistym wg PN78T055 tab! 5 metryczne toda f UR wg tab! lp l o = 50 ma b praca przy maksymalnej polaryzacji wstecznej wg PN78T055 tab! S metoda g UR wg tab! lp tdmb = 25 oc

3 cd tabl 3 BN Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe C2 Sprawdzanie odporności na suche gorąco l amb 25 PC Sprawdzanie odporności na zmno mb = 55 oc 7 C3 Sprawdzenie masy wyrobu kg Sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenie jeden kierunek prostopadły do osi diody mocowanie w tustałe lejkach 8 C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary pojedyn mocowanie za obudowę w sposób sztywny me mszczący AQL = 25 cze i wielokrotne obudowy diody Sprawdzenie wytrzymałości zmiennej częstotliwości na wibracje o stałej mocowanie za wyprowadzenia 9 C5 Sprawdzenie wytrzymałości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 260 ±5 oc Spra~dzenie wytrzymałości na zimno (dla polo C7 l = 65 oc zlomu C8 Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco t stg = 200 oc 2 CO Sprawdzenie wymiarów wg rys 2 i tabl f' Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie 3 Dl temperatura atmosferyczne (poziom narażenia 25 oc 4 04 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu 5 05 Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie diody dowolne Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy B C D (poziom Oznaczenie Metoda ed Wartości gramczne parariletrqw literowe pomiaru nost Warunki pomiaru Podgrupa badań parametru BAYP 94 BAYP 94A BAYP 95 BAYP 95A wg PN74 ka T 0504 min max min max min max min max h ark 56 UR wg tabl 5 lp 2 B B3 B4 B5 c C lamh = 25 oc C4 C5 C8 C9 Dl na B6 C UR wg tabl 5 lp 2 C2 la SO lamb = 25 oc UF ark 57 h wg tabl 5 B B3 B4 B5 C C lamh = 25 oc C4 C5 C7 C9 B6C h wg tabl 5 C lamh = 55 oc KONEC NFORMACE DOD~TKOWE l nstytucja opracowująca normę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa 2 Normy związane PN73E04550 Wyroby elektrotechniczne Próby środowiskowe PN73T Elementy półprzewqdnikowe Zarysy i wymiary Element kompletny A24 PN74 T Elementy półprzewodnikowe Metody pomiaru parametrów tranzystorów i diod Postanowienia ogólne PN75T Diody Pomiar prądu wstecznego R PN75T Diody Pomiar napięcia przewodzenia UF PN75T Diódy Pomiar pojemności C PN75T Diody Pomiar czasu ustalania się prądu wstecznego l i prądu wstecznego i po przełączeniu impulsowym PN75T05046 Diody Pomiar ładunku przełączania Q PN78T055 Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagama i badania BN Elementy półprzewodnikowe Diody przełączające Wymagania i badania 3 Symbol wg KTM BA YP BAYP 94A BAYP ?09007 BAYP 95A

4 4 nformacje dodatkowe ~do BN WartidopUszczalne wg tab\ rys Lp Tablica l Oznaczenie para Nazwa parametru edno Wartości dopus'zczalne w lomb '= metru ska BAYP 94 BAYP 94A BAYP 95 UR Napięcie wsteczne URM Szczytowe napięcie wsteczne h Prąd przewodzenia ma 200' lo ' Sredni prąd wyprostowany ma 50' hsm Niepowtarzalny szczytowy prąd przewodze A 2 nia ( p :;;; ls POł Moc całkowita wejściowa mw 500' 25 oc BAYP 95A } Temperatura złącza oc 200 s Temperatura przechowywania oc ~5 200 mb Temperatura otoczenia w czasie pracy oc Rlio Rezystancja termiczna złączeotoczenie OCmW :;;;035 ' Obowiązuje dla diod mocowanych za wyprowadzenia w odległości 4 ±l mm od obudowy ~ nane charakterystyczne ' 'P'ot mw BAYP 949' ; 600 ' ' 200 ~ ~ 0 r o fam' C!etH'M3! 290&+ Rys l Charakterystyka mocy w funkcji temperatury otoczenia P o' = f{r ' wg tab\ 2 i rys 2 ; '6: TabBca 2 Lp Ozna led Wartość parametrów w mb = 25 oc czeme Nazwa nos Warunki pomiaru BAYP 94 BAYP 94A BAYP 95 BAYP 95A para paramemetru tru mm typ max mm typ max mm typ max mm typ tka max h= 0 ma UF Napięcie F = 30 ma ' i F = 2 ma dzenia h= 50 ma mb = 25 oc na 5 0 U R = 25 mb = 25 oc!a 8 0 UR = ~O mb = 25 oc!a 8 50 h= ma R Prąd 'amb = 25 oc na R wstęczny Prąd UR = 50 mb = 25 C na mb = 25 oc!a UR = 35!A wsteczny UR = 40 A 0Q2 5 UR = 75 A 0Q2 5 0Q2 5 4 Crot Pojem UR = O f= MHz pf 4 l ność przewo całkowita \

5 nformacje dodatkowe do BN s cd tab\ 2 Lp Oznaczenie parametru Nazwa parame tru l 2 3 S t Czas ustalania charakterystyki wstecznej 6 Q Ladunek Warunki pomiaru przełączania ednostka min = ma Uli = 6 R L = 0 fi ns ; = ma [p= ma pc BAYP 94 typ Wartość parametrów w tmb = 25 oc BAYP 94A BAYP 95 BAYP 95A max min typ max mm typ max min typ max BAYP }0+}5 Ctgt (U COt (O BAYP 94+(5 ( 0 00 O ~ ' ~ ~ i 'f~ ' : t: 08 UF \ r ~ 07 O B f=nffz tamb25 C 2 4 Rys: 2 Charakterystyki przewodzenia = j{ UF Rys 3 Zmiany pojemności w funkcji napięcia wstecznego Co(U '' = j{ U R Co(O

6 6 nformacje dodatkowe do BN na 00 0 BAYP 95 8AYP 95A il j oj 'i'!x na AYP 94 j ' ~ i v _ ł25 o 20 O l 20 6( fj C Rys 4 Zależność prądu wstecznego w funkcji temperatury złącza ~ ~ j(t Rys 5 Zależność prądu wstecznego w funkcji temperatury złącza R = j{tj 8'YP 94A 00 0 ' ' O O tj C NW5290H6 Rys 6 Zależność prądu wstecznego w funkcji temperatury złącza R = j(t

Podobne dokumenty

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - - UKD 621 382.2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Diody typu BA 182 i BA 152P BN-81 3375-29.01 Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot nonny. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania i badania dotyczące