U kłady scalone typu UCY 7407N
|
|
- Franciszek Bednarski
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 UKD MKROUKŁADY SCALONE N O R M A B R A N Ż OWA U kłady scalone typu UCY 7407N BN /13 Grupa katalogowa' Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych, bipolarnych układów scalonych cyfrowych TTL typu UCY 7407N pełniących funkcję sześciokrotnego wzmacniacza z wysokonapięciowym (30 V) otwartym obwodem kolektora tranzystora wyjściowego, przeznaczonych do pracy w elektronicznych urządzeniach profesjonalnych oraz urządzeniach wymagających zastosowania układów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z PN-78/T-O6 5 Kategoria klimatyczna dla układów: - podwyższonej jakości (poziom jakości ) 00/070/10, - wysokiej jakości (poziom jakości ) 00/070/21, - bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 00/070/56 Schemat rys l elektryczny jednego wzmacniacza - wg Schemat logiczny i rozkład wyprowadzeń układu - wg rys 2 Układy T scalone 2 stopnia (l-s2) - wg PN-78/ A 0---' ~ ~ua 3,451 1,6k1l,, Y Y=A L ~~ ~ ~ --om1~ ~831331~ ~2/13-11 Rys Schemat elektryczny (jednego wzmacniacza) 6A 6Y SA SY 4A 4Y BN-83/337~-'2/13-21 Rys 2 Schemat logiczny i układ wyprowadzeń (widok z góry) 2 Przykład oznaczenia układów a) podwyższonej jakości: UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7407N b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7407N/3 c) bardzo wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7407N/4 3 Cechowanie układów powinno zawierać następujące dane: a) znak lub nazwę producenta, b) oznaczenie typu, c) oznaczenie wyprowadzeń (znak odniesienia dla identyfikacji numerów wyprowadzeń zgodnie z PN-73/ T-O 1602), d) datę produkcji dla wyrobów mających nadany znak jakości Q Ponadto układy wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3, a układy bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układu - wg rys 3 i tabl 1 Mikroukład kompletny A49B wg PN-73/ T-01603/16 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE70 Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-Rozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 29 grudnia 1983 r jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1987 r (Dz Norm i Miar nr 16/1986, poz 33) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE,ALFA" 1987 Druk Wyd Norm W-wa Ark wyd 0,90 Nakł Zam 61/87 Cena zł 27,00
2 2 BN-83/ / 13 --_, B b c Rys 3 Obudowa CE 70 r--" Tablica 1 Wymiary <,budowy CE 70 Symbol Wymiary, mm Kąt wym;ctru mm nom max w stopniach A - - 5,10 - A, 0, b 0,38-0,59 - c 0,20-0,36 - D ,32 - e - 2, B - - 1,77 - e, - 7, L 2,54-4,50 - ME - - 8,30 - z - - 2,54 - () O 15 E - 6, Badania w grupie A, B, C i D - wg BN-801 ',1 7 'i-52/00 p 51 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A, B, C i D: a) badania podgrupy A - sprawdzenie wymiarów: Al, n i b wg rys 3 i tabl, b) badania podgrupy A2 i A3 wg tabl 2, c) badania podgrupy B, C i D wg tabl 3, d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniu grupy B, C i D wg tabl 4, e) dodatkowe wymagania dla pomaru parametrów elektrycznych wg rys 4 -T 10 &N - 8l/3m - ~i7i3:=jl Pomiar UO L Rys 4 + l /Ol Uee Pomiar - " Ul >----<"l W~jście ciwarte Rys 5 lll >--ow,,}ście otwarte BN - 83/337~ - ~ Pomiar /H Rys fi Ue! ln - 8!j' /13-71 Pomiar l OR Rys 7 /lcc ~ lee >-_owjjście otwarte BN Pomiar lec Sygnał wejściowy jest podany na wszystkie wzmacniacze jedn ocz eśnie Rys 8
3 3 Ucc Wejście WJiwe Ucc Pomiar -Ul Rys 9 WlJj$de >--Ool~arte - dla lplh i lphl wg rys 10, parametry impulsu wejściowego: amplituda U g = 3,5 V poziom podstawy O V, czas trwania w == 500 ns, częstotliwość powtarzania fg == l MHz, czas narastania l, == 10 ns, czasopadania 11 == 5 ns; impedancja wyjsclowa generatora Zo == 50 n, wartość C L uwzględnia pojemność sondy pojemność montażu 6enerator im{xjlsów O-+--i ~ ~ r el ty~1 ~,tt jf,------~"=' 27Y--- -3,5Y -1,5V 1,5V - Q'7V Wejście 1 t'v, ' OV Wlljście --J t PlH tpl :0!~:J ~----H /1,5Y t5v --L BM - B3J317~ ~27f3-101 Każdy wzmacniacz jest testowany oddzielnie Rys 10 Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 A3 Podgrupa badań Kontrolo- Rodzaj wany pa- badania rametr Metoda pomiaru wg BN-74/ Warunki pomiaru Jednostk a Wartości graniczne mm max A2 Sprawdzenie pod- V OL ark oraz V cc = 4,75 V; V = 0,8 V na wejścia V - 0,4 stawowych parame- wg p 6 rys 4 l al = 16 z wyjścia mierzonego trów elektrycznych VOL ark oraz Ucc = 4,75 V; Ul = 0,8 V na wejścia V - 0,7 wg rys 4 OL = 40 z wyjścia mierzonego -L ark 03 oraz Ucc = 525 V; Ul = 0,4 V na wejścia - 1,6 wg p 6 rys 5 mierzone, na pozostałe wejścia 4,5 V H ) ark 04 oraz Ucc = 5,25 V; V = 2,4 V na wejścia ~A - 40 wg p 6 rys 6 mierzone, na pozostałe wejścia O V lth (2) ark 04 oraz V cc = 525 V; V = 5,5 V na wejścia - wg p 6 rys 6 mi erzone, na pozostałe wejścia O V l OR ark 06 oraz V cc = 4,75 V; V = 2,0 V na wejścia ~A wg p 6 rys 7 Uo = 30 V na wyjście mierzone lecl ark O oraz V cc = 5,25 V; Ul = O V na wszystkie - 30 wg p 6 rys 8 wejścia układu jednocześnie l ech ark O oraz U cc = 5,25 V; V = 5 V na wszystkie - 41 wg p 6 rys 8 wejścia układu jednocześnie -Ul ark 20 oraz Ucc = 4,75 V; - = 12 z każde- V - 1,5 wg rys 9 go wejścia mierzonego po kolei; na pozostałe wejścia O V; tmb = 25 C t PHL ark 16 o raz V cc = 5 V; R L= 110 O; Ci= 15 pf ns - 30 wg rys 10 mb = +25 C; każde wejście po kolei tplh sterowane sygna łem impulsowym, na ark 16 o raz pozostałe wejścia 2,4 V wg rys 10 ' ns A3 Sprawdzenie typu V OL stan wg równania 10- Ucc = 5 V; UlL = O wyjścia połączone V - 0,4 układu niski glcznego rys z V cc przez rezystor 3,9 ko V OH stan V cc = 5 V; VH = 5 V wyjścia po- V 2,4 - wysoki łączon e z Ucc przez rezystor 3,9 ko
4 ~ - -~ l>n-!l3/ /13 Tablica 3 Wymagania szczegółowe do badali grupy B, C D ~~PJ- Podgrupa bada,', Rodzaj badania Wymagania szczegółowe l, B C i Sprawdzeni e wytrzymałości mechanicznej wypro- próba Uh, metoda 2; 2,5 N wadzeń 1 [''' ) " ('Q Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne położenie układu w czasie spadania: wyprowa- dzeniami do góry 3 H4 ('4 Sprawdz,enie wy tr zymałości na udary wielokrotne mocowanie sztywno za wyprowadzenia wodległości 3 mm od dolnej płaszczyzny obudowy 4 B~ ('5 Sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany tem- TA C (pc''l i, '!11 jakości!l i V) pl:ratury TB l = 125 C r,, i~ '\,",\' Spnlwd/cnic od purności na narażenia elektryczne metoda badania A, l amb = 70 C badaną próbkę,! i podzieli ć na dwie częśc i i badać w warunkach: ł - O V na wszystkie wejścia, wyjścia otwari, te, zasilanie układu 5 V! ł - 5 V na wszystkie wejścia, wyjścia otwar-, i te, zasilanie układ L 5 V, ł---~-! ' C? i ' - Sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tab! 4 r:-j-' 7 ' '\ Sprawdzenie masy \vyrobu 11 g i, " < i i '-- ~ L Sprawdzenie trwałości (TChOWa lli~ wg PN-78/T p, 53,6, l a) '4 Sprawdzenie wy! rz y lllil10śc i na przyśpieszenie stałe k ierunek probierczy prostopadły do płaszczy z- ny korpusu układu, mocowame za ob ud owę Sprawdzenie wy! rzymałości na wibracje o stałej mocowanie sztywno za wyprowadzenia w odleczęslot i wości (dla poziom L j a kośei ) głości 3 mm od dolnej płaszczyzny obudowy Spr;lwdzcnie wytr/ ymałośc i la wibracje ( zmicnnej W, cz,stoll i wości (dla pollo mu jak ości V) 9 ('7 Sprawd/enie wytrzymałości na zi mno ~ = -55 C '11 mm, 10 ex Sprawdzenie wytrzym<lłośc i n(j suche gorąco sg m ~lx = 125 C ('H:;iom jakośt:i i V) 1--- r-'--- < (! i) Sprawdzenic wymiarów wg rys, 3 tab!,- ~ D l Sprawdzenie odporności na nisk ie ciśnienie atmo- temperatura narażellla C (po/iom jakości 111 i V) sj'erygne 13 O~ Sprawdzenie wytrzyma łości na rozpuszczalnik aceton sprawdzane wymiary A D wg tab rys, 3 masa układu 1,1 g i4 03 Sprawdzenie pa l ności wg PN-78/T-016l5 za łą cznik 2 p 4,3 ; < i ( poi'(nm!:j k ości i V) i 1 (, J)'i ( p,)!iom j,<""śó i V) Sprawdzenie wytr7yma ł ości na p l eś ń brak porostu p l eśni po badaniu Sprawd/cni,' wy t r/ ynw ł ośc i na mg/, so l ną położenie ukladu dowolne!- Tablica 4 Parametrv elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy C, D r,)dfnlf1~1 Sprawdzany Metod" pomiaru wg Warunki pomiaru h;jd~111 parametr 13N ~ 74/ 1:;75-24 Wartości Jed- gralllcznc nostka mm max , l ~ 114 BS UOl l, N \V' tab C' 2 ; C~ U lj,,, l oj\: --, l11 j W!! lab! 2! (' ~ (",l l W' f Dl C2 Ul)/ sta isk i \Ą ' O tabl, ~ (podgrupa ;\1 ) C' V O sw n wysoki, B6 ('6 U(Jl sla 11 niski wg ta bl 2 ( podgrupa A3) e7 cg V un stan wysoki Um ark oraz wg ry"i 4 U,, = 4 75 V ' Ul = 0,8 V na wejścia V (n = 16 z wyjśt:ia njcrzonego
5 5 cd tabl Podgrupa Sprawdzany Metoda pomiaru wg badań parametr BN-74/ Warunki pomiaru Jednostka mm Wartości graniczne max , C6, -lll ark 03 oraz wg rys 5 U cc :; 5,25 V; Ul:; 0,4 V na wej ś cie mierzo- C7, C8 ne na pozostałe wejścia 4,5 V l/h ) ark 04 oraz wg rys 6 Ucc :; 5,25 V; Ul:; 2,4 V na wejście mierzone, na pozostałe wejścia O V 1/H(2 ) ark 04 oraz wg rys 6 Ucc :; 5,25 V; Ul:; 5,5 V na wejście mierzone, na pozo s tałe wejścia O V lor ark 06 oraz wg rys 7 Ucc :; 4,75 V; Ul:; 2,0 V na wejścia Uo :; 30 V na wyjście mierzone 5 1A 1A 6 7-1, ,2 ł Pozostałe postanowienia - wg BN-80/ /00 KONEC NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca normę - Naukowo-Produkcyjne Centrum 3 Symbol wyrobu wg KTM Półprzewodników Warszawa, ul Komarowa 5 UCY 7407N l Normy związane 4 Wartości dopuszczalne - wg tabl -l PN-73/ T Elementy półprzewodnikowe Zasady podawania parametrów geometrycznych na rysunkach 5 Dane charakterystyczne - wg tabl 1-2 (przy lamb:; O - 70 C jeżeli nie podano inaczej) PN-73/T-01603/16 Mikroukłady scalone Zarysy i wymiary MikroukłąJi kompletny A49 Tablica -l Wartości dopuszczalne PN-78/T Mikroukłady scalone Ogólne wymagania i badania Oznaczenle dopuszczalne Warto ś ci BN-74/ /01 Cyfrowe układy scalone Metoda pomiaru prądu Jedzasilania w stanie niskim lecl Lp_ Nazwa nostka mm max BN-74/ /02 Cyfrowe układy scalone Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie wysokim lcch BN-76/ /03 Cyfrowe układy scalone Uklady kombinatoryjne Ucc Napięcie zasilania V - 7 Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie niskim ll 2 Ul Napięcie wejściowe V - 5,5 BN-76/ /04 Cyfrowe układy scalone Układy kombinatoryjne Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie wysokim llh 3 - Ujemny prąd wej ściowy - 12 BN-76/ / Cyfrowe układy scalone Układy kombinatoryjne 4 lamb Temperatura otoczenia oc O +70 Metoda pomiaru napięcia wyjściowego w stanie niskim U OL w czasie pracy BN-76/ /16 Cyfrowe układy scalone Układy kombinatoryjne Metoda pomiaru czasów propagacji ml i PLH 5 tstg Temperatura przecho- oc BN-76/ /20 Cyfrowe układy scalone Metoda pomiaru ujemnego wywania napięcia wejściowego Ul BN-76/ / 06 Cyfrowe układy scalone Układy kombinatoryjne 6 UOH Metoda pomiaru zwrotnego prądu wyj ś ciowego l OR BN-80/ /00 Cyfrowe układy scalone Wymagania i badania Maksymalne napięcie V - 30 wyj ś ciowe w stanie wysokim Tablica 1-2 Dane charakterystyczne Oznaczenie Lp Nazwa Warunki pomiaru Jednostka Wartość mm typ max l Ucc Napięcie zasilania - V 4,75-5,25 2 l ec Prąd zasilania w stanie niskim na wyj ś - U cc :; 5,25 V Clll Ul :; O V 3 l CCH Prąd zasilania w stanic wysokim na U c:c :; 5,25 V w yj ś ciu Ul :; 5 V 4 UlH Napięcie wejści o we w stanic wysokim - V U/L Napięcie wejściowe w stanic niskim - V - - 0,8
6 6 nformacje dodatkowe do BN-83/ 337:i-52/ 13 cd tab! 1-2 Lp Oznaczenie Nazwa Warunki pomiaru Jednostka Wartość mm typ max i ",~ l 6 Nap i ~ci e wyjściowe w stanie niskim Ucc = 4,75 V V - - 0,4 Ul = 0,8 V; l al = 16 7 U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 4,75 V Ul = 0,8 V; lal = 40 V 0,7 8 lal Prąd wyjściowy w stanie niskim Ucc = 4,75 V Ul = 0,8 V 40 9 Prąd wejściowy w stanie wysokim Ucc = 5,25 V Ul = 2,4 V fla llh21 Prąd wejściowy w stanie wysokim Ucc = 5,25 V Ul = 5,5 V 11 Ujemne napięcie wejściowe Ucc = 4,75 V - = 12 'amb = 25 C V 1, L Prąd wejściowy w stanie niskim Ucc = 5,25 V Ul = 0,4 V 1,6 13 lor Zwrotny prąd wyjściowy Ucc = 4,75 V; Ul = 2 V Uo = 30 V Czas propagacji sygnału przy przejściu od stanu wysokiego do stanu niskiego na wyjściu Ucc = 5 V; CL = 15 pf RL = 110 fl lamb = +25 C ns Czas propagacji sygnału przy przejściu od stanu niskiego do stanu wysokiego na wyjściu Ucc = 5 V; CL = 15 pf R L =llofl 'amb = +25 C ns 10 15
BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:
UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE N O R M A BRANŻOWA Układy scalone typu UL 1601 N BN-83 337-39/04 Grupa katalogowa 192 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są monolityczne bipolarne, analogowe układy
Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A
UKD 621.38.049.77 N O R M A.- B R A N L OWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UCY 7406N - " BN-83 3375-52/12 Grupa katalogowa 1925 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -
UKD 621 382.2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Diody typu BA 182 i BA 152P BN-81 3375-29.01 Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot nonny. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania i badania dotyczące
BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61
UKD 6213822 N O R M A BRANŻOWA BN-83 ELEMENTY 33-290 PÓŁPRZEWODNKOWE Diody typu BAP 61 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące miniaturowych, krzemowych
NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla
UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE Układy NORMA BRANŻOWA Układy scalone cyfrowe typu UCY 7402N BN-81 3375-52.05 Grupa katalogowa 1925,. Przedmiot normy. Przedmiotem normy sę szczeg6łowe 2. Przykład oznaczania
BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc
UKD 621.38.049.77 N O R M A BRANŻOWA MIKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UCY 7404N BN83 337552/11 Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych
I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY
UKD 621 3822'621.. 387.3232 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 3375-36/02 ELEMENTY Stabilistory typu BZP 6. PÓŁPRZEWODNIKOWE Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE
UlW 62 382 2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA \ BN83 Dio9Y typu: BA P 94 33752906 BAP 94A BAP 95 BAP 95A Grupa katalogowa 923 _ l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30
UKD 61.38.3 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 ELEMENTY 3375-31/09 PÓŁPRZEWODN KOWE Tranzystory typu BF 196 Grupa katalogowa 193 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące tranzystorów
BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y
UKD 621.382.049.77 MIKROUKŁADY SCALONE NORMA B. R A N Ż O W A BNBO Układy scalone cyfrowe 337552.01 Układy typu UCY 7400N, UCY 7410N, UCY 7420N, UCY 7~30N Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem
BN-81 3375-39.01 UL 1403L I UL 1405L
UKD 21,82.09. N O R M A BRANŻOWA BN-81 Układy scalone analogowe 5-9.01 MKROUKŁADY SCALONE Układy typu UL 101L, UL 102L, UL 10L UL 105L Grupa katalogc Na 1925 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe
Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy
UKD 621 382 04977 N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UL 1111 N BNBB 337539/07 Grupa katalogowa 1925 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy sę monolityczne bipolarne analogowe układy
l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.
UKD 6213823 N O R M A BRANŻOWA BNB7 337531/11 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystory typu BF 245 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące krzemowych epitaksjalno
N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -
UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BC 337, BC 33B BN-B7 3375-30/09 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04
UKD 6213823 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N ORMA Trańzystory BF 458 BRANŻOWA typu. BF 457. BF 459. BN-83 3375-31/07 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe planarne tranzystory
ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2
GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N UCY 74S424N RESETE i U 16 3*UCC RESIN C 2 RCVIN 3 15]]XTAL1 143XTAL2 REACtf 4 UCY 13. 74S424N SYNC 5 123osc ci>2(ttl)e 6 7 g n d 8 3t a n k 11I
Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241
UKD 621 3823 ELEMENTY PÓŁ~RZEWODN'KOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BF 240 BF 241 BN83 337531/06 / Grupa katalogowa 1923 ł Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemo we epitaksjalnoplanarne tranzystory
S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ
i 8 M S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ PA5fII$ STAIA ROM 4K MCY 7304N XX^ Rys. lo Obudowa CE-73 dla MCY 7304N XX Pamięć MCY 7304N XX3&'> jest statyczną pamięcią stałą ROM 4096-bitową, o organizacji
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ
IC E M I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ PAMięĆ STAŁA ROM 16K MCY 7316N XX1^ Pamięć MCY 7316N XX jest statyczną pamięcią stalą ROM 16K (16384) bitów, zorganizowaną jako 2048 słów 8-bitoyych, wykonaną
P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2
ib UIN "]lh Bipolarny cyfrowy układ saalony TTL-S pełni «nkej 4-bitowego aadajniks/odbiornika ssyay danyoh syste»> nu mikroprocesorowego wykorsystująeego jednostkę oentrslną MCY 788QN. Wszystkie wejścia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4
UKD 62 38204977. N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UL 480P BN83 3373903 Grupa katalogowa 92. l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznego
Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:
Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Kondensatory elektrolityczne
UKD 621.319.45 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328150 URZĄDZEŃ ELEKTRONICZNYCH aluminiowe niebiegunowe Odmiany BPU, BPE, BPT Grupa katalogowa 1921 l. WSTĘP 1.1. Przedmiot
BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.
UKD 621 3204977 N ORM A BRANŻOWA MKROUKlADY U kłady scalne SCALONE typu UL 7741 N BNBB 337539/12 Grupa katalgwa 1925 l Przedmit nrmy: Przedmitem nrmy są mnlityczne analgwe układy scalne typu UL 7741N Uklady
N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.
UKD 621 31945 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328149 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH aluminiowe biegunowe Odmiany 02/T i 02/TS Zamiast BN83/ 328146 1 ) Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP
Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE
UKD 621.387.122:621.382.2 NORMA BRANŻOWA BN-81 ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe 3375-33.00 Diody prostownicze NIKOWE Zamiast O prądzie do 10 A BN-76/3375-33.00 Ogólne wymagania i Grupa katalogowa 1923
Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:
UKD 621 3823 PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BNB8 Tranzystory typu 337532/25 BDP 392 BDP 394 BDP 396 Grupa katalogowa 1923 i Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczególo: we wymagania dotyczące
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND
Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia
Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,
PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Tranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
BRANŻOWA. Mikroukłady scalone cyfrowe. Wymagania i badania
UKD 62138204977 ELEMENTY N O R M A BRANŻOWA BN-BO Mikroukłady scalone 3375-5200 I PODZESPOŁ Y Układy scalone Zamiast ELEKTRONICZNE " cyfrowe BN-76/3375-3400 BN-76/3375-3700 BN-76/3375-3800 Wymagania i
3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy
. el ćwiczenia. Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy elem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości filtrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów filtru.. Budowa
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l
UKO 621 3194 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY Kondensatory papierowe 328108 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH hermetyczne KH Zamiast napięcia stałego BN80/328108 Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP 11 Przedmiot normy
t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A
UD 621.9-41.232 OBRABIARI l U RZĄDZEN I A NORMA B RA N ŻO W A BN-78 Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych 4454-01 DO OBRÓBI Wytaczadło z gniazdem METAI kwadratowym i okrągłym Grupa katalogowa łv 27 1.
Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -
UKO 621.382.3 NORMA BRANŻOWA BNBO ELEMENTY Tranzystory 337530.03 PÓŁPRZEWOON. KOWE typu BC 211 BC 211A Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe epitaksjalnoplanarne tranzystory
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie
Badanie właściwości multipleksera analogowego
Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/
UKD 621.385 SWW 1155111 LAMPY ELEKTRONOWE NORMA BRANŻOWA BN75 337105 Lampy elektronouje Zamiast typu EY88 i PY88 BN 68/337105 Grupa katalogowa XIX 22 I. Przedmiot normy. Przedmiotem nol'my :są diody usprawni.ające
S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:
UKD 629..06 :62.643.4 N O R M A B R A N ŻO WA BNB7 ŚRODK TRANSPORTU Kołnierze wzmacn lające 37343 WODNEGO okrętowe URZĄDZENA na csnienie Zamiast PŁYWAJĄCE nominalne 0,63; ;,6; 4 MPa., BN74/373 43 Grupa
LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 7 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH TTL I. Zagadnienia
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Systemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.
Nanoeletronika Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang. Active probe Wydział EAIiE Katedra Elektroniki 17 czerwiec 2009r. Grupa:
płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
jm ST Y T U T TECHNOLOGII E LE K T
jm ST Y T U T TECHNOLOGII E LE K T KONTROLER SYSTEMU I DWUKIERUNKOWI BUFOR DLA MAGISTRALI DANICH UCY 74S428 r u 28' * UCC 0-T7OW UCY 74 S 428 MEMW i7or 3-mImR 3-1FW f 3-6 u sen 3-D6 15-5 3-DB6 3- D5 3-DB5
Liniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
ż ć ż ń Ń Ż ń ń ć ż ż ć Ż
Ś Ą Ą Ł Ś Ł ż ć ż ń Ń Ż ń ń ć ż ż ć Ż ń Ż Ł ż ń ń ń Ę Ł Ż Ł Ł ż ż ć ń Ę ń ż Ć ń ŁĄ Ą ń ń Ć ć Ż ż Ń Ż Ż Ł ć Ę ń Ł ż Ś ć Ż ńę ń ż ń Ł Ż Ą ń ż Ź ż ć ż ń ć Ś Ż ń Ą ż Ą ć ć ńż Ś ń Ś Ż Ś ń ń Ł Ż Ł ż ń Ż Ś Ś
Ćw. 8 Bramki logiczne
Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.
Ś Ó Ą Ó Ó Ż ć Ó Ż Ó Ą Ź Ź Ó Ó Ó Ź Ó Ź Ó
Ś Ó Ą Ó Ó Ż ć Ó Ż Ó Ą Ź Ź Ó Ó Ó Ź Ó Ź Ó Ź Ż Ż Ć ć Ź Ź Ż Ó Ó Ź ć ć Ż Ź Ó Ą Ó ć ć Ż ć Ó ć ć Ź ć ć ć Ż Ś Ć Ę Ć ć Ę Ó ć Ż Ż Ę Ż Ę Ź ć Ó Ó Ś ć Ł Ś Ó ć Ż Ś Ó Ó Ś Ż ć ć Ó Ó ć Ś Ó Ś Ć ć Ó Ó Ó Ą Ą Ą Ą Ą Ą Ą Ą ź
Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej
Designator Part Type Description AM2 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V zasilanie logiki AM3 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V ujemne zasilanie drivera U23 Przetwornica DC/DC 12V/5V
ÓŁ Ą Ś Ą Ś ę ń Ń ę ę ą ó Ź Ł ó ą ę ę ó ó ą ę Ś Ą ŚÓ ą ą ę Ó ó ę Ł ę ą ą ą Ż ęś ą ń Łą ó ń ó ó ą ę ą Ż ę ę ę ę ó ę ę ę ę ę ę ó ę ą ę ć ę ą ó ź ę ę ó ó óź ę ę ń ą ę ó ó ń ą ę ó ę ą ę ó ó ó ó ó ę ę ę ę ę
A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania
A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania 1 Zakres ćwiczenia 1.1 Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET. 1.2 Projekt, montaż i badanie układu: 1.2.1 sterowanego dzielnika napięcia,
LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając
Ą ź Ą ń ź Ł Ł ń Ł ń ń ź ń Ł Ś Ą Ń ń ŁĄ Ś ń ń ń ń ń ń Ł Ą ń ń ń ń Ą Ą Ś ń Ó Ł ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń ń Ł ń Ą ŁĄ Ś Ł Ś Ł ń ń ń ń Ń Ą ć ń ń Ł Ń ń Ł Ł ń Ł ń ń ń ń ń ń Ź Ł ń ń Ź Ł ń ń Ł
WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.
Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
ń ń ś ń ę ę Ś ę Ż ę ę ś ń ę ż ń ęś ę ż ń ń Ą Ę ś ś ś ż Ż ś Ś ś ę ś Ś
ę ę Ą Ą ń Ó ś ś ś ń ń Ż ń Ą Ż śó ŚĆ ś ę ę ś ś ś Ż ś ść ń Ż Ś ń ń ś ń ę ę Ś ę Ż ę ę ś ń ę ż ń ęś ę ż ń ń Ą Ę ś ś ś ż Ż ś Ś ś ę ś Ś ę ę ś ń Ż Ż Ż ę ś ć Ą Ż Ż ś Ś Ą Ż ś Ś Ą Ż ś ś ś Ę Ą ę ń ś ę ż Ż ć Ś ń ę
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych
4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/
9 2. Przeznaczenie przyrządu Częstościomierz-czasomierz cyfrowy typ KZ 2025A, KZ 2025B, KZ2025C,K2026A, KZ2026B i KZ 2026C jest przyrządem laboratoryjnym przeznaczonym do cyfrowego pomiaru: - częstotliwości
Ł Ł ż Ś ż Ś Ź ć
Ł Ę Ł Ł ż Ś ż Ś Ź ć ć Ść Ż ż ż ż Ś Ś Ć ć Ś Ę ĘĆ Ł Ł ŚĆ ŚĆ Ą ż ć ĘŚ Ą Ą Ę ż Ć Ś ć Ż Ż ć Ś Ą ż ż Ż Ą Ą Ś Ż ż ż Ś Ś Ę ż Ś Ś ż Ś Ż Ść Ś ż ć ż Ł ż ż ż Ł ż Ł Ż ż Ą Ą Ą ć Ś ż ż ż Ż Ś ż Ł Ś ź ż ż ź Ź ź ź Ź Ź Ę
Ł ć Ą ć ć ć ć ć Ł
Ł Ś Ą Ś Ą Ł Ś Ś Ł Ł Ó Ą Ł ŚĆ Ń Ó Ł ć Ą ć ć ć ć ć Ł Ó Ł Ń Ś Ó ć Ś Ó Ń ŁĄ Ł Ó Ó Ł Ń Ś Ś Ó Ó Ó Ł Ń Ó Ł ć ć Ó Ó Ó Ł ć ż ż ć ć ż ż Ź ż ć ć ć Ó Ó Ó Ł Ń Ł Ó Ó Ó Ł ć ż ż ż ć ż ć ż Ł Ó Ó Ó Ł ż ż ć ć ć ć ć ć Ó Ż
ż ć ć ć ż ń ć ż ć ż Ę ć ż
Ł Ł ŁĄ Ł ż ż ź ż Ą ż ć ć ć ż ń ć ż ć ż Ę ć ż ń ń ż ć ć ż ć ć Ź ż ń ń ć Ę ż Ą Ę ż ń ć Ą Ą ż Ź ż ć ć ż ć ć ż ż ż ć ń ż ć ż ż ż Ę ć Ę Ł Ł ź ń Ź Ę ż ć Ą ń ć ż ź ż Ą Ź ń ż Ź Ą Ą ż ć ż ć ć Ą ż ć ć ż Ł ż ć ż
Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).
WFiIS LABOATOIM Z ELEKTONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: OK GPA ZESPÓŁ N ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Zaprojektowanie i zbadanie
WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Ż ż ż ź ś ż ś ż ż ż ż ż ś ż ź ś ś ż ść ż ś ż ż ż Ż ż ż ż ż ć ś ż ż ż ć ż ż ż ś Ż ć ś ż ś ż ż ż ś ż ś ż ś ś ż ż ś ś ść ż ść ść ś ś ś ś ś ś ż ć ż Ł ż Ń ź ź ś ś ś ż ć ś Ź ść ść ż ż ć ż ż Ą Ż ś Ń Ł ż ś ż ż
ń Ł ń ź ń ć Ż Ż ć Ż Ż ć Ą Ź ń Ś ń Ż ź ć Ż ź Ż Ż ć Ż Ź Ś Ż Ł Ź Ż ć Ś ń Ż ń Ść ń Ż Ś Ż Ś ć Ź ń Ł Ż ć Ż Ż Ś ć Ł ń Ż ć Ś ń Ł ć Ż Ż ć ć ć Ż ć ń ź Ż Ż Ż ń Ż Ż ń Ć Ź ń Ź ć Ż ć ć ć Ń ć Ł Ż Ż ć Ż Ż Ż ć Ż ć Ś ć
TRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
N O R M A B R A N Ż O W.A. . Elementy optoelektroniczne /01
UKD 6213822 N O R M A B R A N Ż O WA BNB6 ELEMENTY Elementy optoelektroniczne 337551/01 PÓŁPRZEWODN KOWE Diody elektroluminescencyjne Zamiast BN78/337551 100 Wymagania i badania Grupa katalogowa 1923 l
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar