Tranzystory typu Be 237, Be 23B, Be 239

Transkrypt

1 UKD ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu Be 237 Be 23B Be BNB /07 Grupa kataogowa Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegó Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta łowe wymagania dotyczące tranzystorów NPN małej CE 35. mocy małej częstotiwości wykonanych technoogią epitaksjanopanarną typu BC 237 BC 238 BC 239 Tabit:a. Oznaczenie typu (podtypu) kodem W obudowie pastykowej do zastosowań powszechnego wymagających zastosowa użytku oraz w urządzeniach nia eementów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory przeznaczone są do pracy w stopniach wejściowych i sterujących wzmacniaczy małej częstotiwości. Tranzystory BC 239 przeznaczone są głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów. Tranzystory BC 237 BC 238 BC 239 mogą być stosowane jako pary kompementarne z tranzystorami typu BC 307 BC 308 BC 309. Kategoria kimatyczna da tranzystorów: standardowej jakości (poziom ' jakości ) 40/125/04 wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/ bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 40/125/ Przykład oznaczenia a) tranzystora standardowej jakości: TRANZYSTOR BC 237 A BN!'i'Y337530/07 b) tranzystora wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 237 A/3 BN87/337530/07 c) tranzystora bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BC 237 A/4 BN87r337530/07 3. Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) oznaczeni typu (podtypu) kodem wg tab!. b) oznakowanie dodatkowe da tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tab!. 2. '. Typ tranzystora BC 237 BC 237A BC 237B BC 238 BC 238A BC 238B BC 238C BC 239 BC 239B BC 239C n AA 2 A.. c:::. Kod A 237B A 238B 238C B 239C 'V/konanie f1 W/konanie 11 f1 BM 87/ dopuszcza się śad (ubytek tworzywa) po wypychaczu na powierzchni korpusu obudowy 2 dopuszcza się ubytki na krawędziach wyprowadzeń h :;:;; 005. Zgłoszona przez Zakłady Przemysłu Eektronicznego KAZEL Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 21 istopada 1987 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 ipca 1988 r. (Dz. Norm. i Miar nr 4/1988 poz. 10) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE.. ALFA" Druk. Wyd. Norm. Wwa. Ark. wyd. 100 Nakł Zam. 621/88 Cena zł

2 2 BN87/ / 07 Tabica 2. Wymiary obudowy CE 35 Sym np Wymiary mm Symbo Wymiary mm wymia ru Kąt o... wymaru mn nom max mn nom max nom A b OJ5 055 M b 04 E D k d n 2 ) 26 3 e' ) a 20 0 ') Wymia r kontr.\?owa ny w o di' g ośc i 2 mm od pł as zczyz n y podstawy obudowy.. 2) Dotyc zy oceny ut ownośc i. 5. Badania w grupie A B C i D wg BN p Wymagania szczegółowe do badań grupy A B CiD a) badania podgrupy A sprawdzenie wymia rów: A 0D. wg rysunku i tab!. 2 b) badania podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg tab!. 3 c) badania grupy B C i D wg tab!. 4 d) parametry eektryczne sprawdzane w czase po badaniach grupy B C i D wg tab! Pozostałe postanowienia wg BN80/ Tabica 3. Parametry eektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 A3 A4 C2 1 P pd " ł r" nadań Rodzaj bada nii Kontroo Metoda pomiaru Je W a rt oś ci graniczne wa ny pa wg PN74/ dno Warunki pomiaru BC 237 BC 238 BC 239 ra metr T stka! miary mn max mn max mn max A2 Sp"" wd 7. ni e e80 a rk. 05 Ue. = 45 V 15 pods t" w wych h= O na UeB = 20 V h =O pmłc trów d'kt.ycznych U( BR) cm a rk. 03 e = 2 ma V B = O U(8Rł EBO a rk. 04 fe = J. A V e = O h21e' ) a rk. O c=2 ma A ! B C e = 10 J.A A : j B C F ark. 46 e = 02 ma fi= khz tj.f = 200 Hz e = 0 2 ma 4 f = 30 Hz+15 khz A3 Spra wdzenie UBE a rk. O e = 2 ma V ('2 dr u. () rzęd nyc h parametrów U CE j a a rk. 02 e = 10 ma V = 05 ma eek tryc znych U SE sa ark. 02 e = 10 ma. = 05 ma V fr a rk. 24 f e = 10 ma UeE = 5 V MHz f= 100 MHz e CBO ark. 22 UeB = 10 V pf f= MHz db

3 cd. tab!. 3 Podgrupa badań Rodzaj badania BN87/337530/ 07 3 Kontroo Metoda pomiaru Je Wartości graniczne wany pa wg PN74/ dno Warunki pomiaru BC 237 BC 238 BC 239 rametr T01504 stka miary mm max mm max mn max /O 12 A4 Sprawdzenie C80 ark. 05 U C8 = 40 V A 5 parametrów h=o. eektrycznych W 10mb = 125 C (poziom i V) UC8 = 20 V 5 5 h=o ') Seekcja na kasy wzmocnienia A B C tyko na życzenie odbiorcy. Tabica 4. Wymagania szczceółowe do badań grupy B C D.. Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe B C Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowa próba Ub: metoda 2 25 N cyk próba Ua: 5 N d ze ń Sprawdzenie szcze n ości próba Q wodny roztwór a'enou 2 B2 C3 Sprawdzenie utowności wyprowadzeń ocena ut owności nie obejmuje czół wyprowadzeń (po wycięciu beki) oraz bocznej powierzchni nu wymiarze n (po WycięCU mostków) 3 B3. C9 Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne po ł oże nie tranzystora w czasie spadania: wyprowadzeni ami do góry 4 B4 C4 Sprawdzenie wytrzymał ośc i na udary wieokrotne mocowanie zu o budowę 5 B5 C5 Sprawdzenie wytrzymałości na nagł e zmiany tempera T A = 55 C; T 8 = 155 C (poziom jako tury śc i V) 6 B6. C6 Sprawdzenie odporn ośc i na narażenia eektryczne układ OB w U e PN 78/T tab!. 5; obciążenie: d a BC 237: U C8 = 30 V fe = 10 ma da BC 238 i da BC 239: UC8 = 15Vh=20mA 7 C3 Sprawdzenie masy wyrobu O 20 :Q 25 g / 8 C4 Sprawdzenie wytrzymałości.. na przyspeszen3 s t a ł e kierunek probieczy: obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowadzeń mocowae na obudowę Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stijłej często moc owa 111 e za obudowę tiw ości (da poziomu ) Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o zmiennej częstotiwości (da poziomu V) 9 C5 Sprawdzenie wytrzymałości na ciepło utowania temperatura kąpiei 350 C /O C7 Sprawdzenie wyt rzymałości na zimno ; (sg min = 55 C (poziom jakości V) " C8 Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco (poziom ja kości V) sg mix 155 C 12 CO Sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tab! D Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosfe temperatura narażenia 25 C (poziom jako ryczne ści V) Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczaniki a koho izopropyowy ub aceton; A i 0 D wg rysunku i tab! Sprawdzenie paności paność zewnętrzna 16 04') Sprawdzenie wytrzymałości na peśń brak porostu peśni (poziom jakośc i V) Sprawdzenie wytrzyma ł ości na mgę soną poożenie tranzystora dowone (poziom jakości i V) ) Badanie stosuje S i ę przy zamówieniu wyrobów w w)konaniu tropikanym ub da kimatu morskiego.

4 4 BN87/337530/07 Tabica 5. Parametry eektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B e i D OZaczc Jed Wartości graniczne Mt'toda pomiaru nic paraw[! PN74/T01504 Podgrupa badań BC 237 BC 238 BC 239 Warunki nostmetru pomiaru ka miary mm max mm max mm max ark. 05 UCB = 45 V B C 20 na h = O B3 B4 B5 C2 C4 C5 D 15 U CB = 20 V B C na h=o B3 B4 B5 C2 C4 e5 D CBO U CB = 45 V B6 C6 C8 na 100 h=o C2 1 ) A 5 UCB = 20 V B6 C6 C8 na h= O C2 1 ) 5 5 h21 E ark. O Je = 2 ma B B3 B4 B5 C C2 C C5 C7 A B ; () e C6 C A B C C2 2 ) A B C ' ) W ciasit.: badania odporności ' J W ":.asu: badania odporności na suche gorąco. na zimno. KONEC NFORMACJE DODATKOWE. nstytucja oprdcowująca normę NaukowoProdukcyjne Cenru' 1'(1!'rz wodnió\v. Zakłady Przemysłu Eektronicznego KAZEL w h:.':./i'. 2. \<Jrmy związane 1!'. 7V O504 / ()! Tra.ystory. Pomiar h21e i napięca UBE!'N74/ T01504/ 02 Tranzystory. Pomiar napięć nasycenia UCEa.! UO/:"'t 1't\74/ T01504/ 03 Tranzystory. Pomiar napięć U1BR) CES U 1BR) CER U 1BR) CEX '."' 74/T {)1504/ 04 Tranzystory. Pomiar napięć U 1HH ) f80 przebicia U1BR) CEO przebicia U1BR) CBO " 1>; 7VTO 504/ 05 Tranzystory. Pomiar prądów wstecznych CBo i J:.HO ' 74/ TO 1504/ 22 Tranzystory. Pomiar pojemności ':' 74/ T0 1504/24 Tranzystory. Pomiar modułu C CBO i Cuo h 2.1 w zakresie '.\ cz. i czstotiwości fr '" ': /T Eementy półprzewodnikowe. Ogóne wymaganw ; ""b ia BN76/T01504/46 Tranzystory. Pomiar parametrów szumów BN80/337530/00 Eementy półprzewodnikowe. Tranzystory małej mocy małej częstotiwości. Wymagania i badania 3. Symbo wyrobu wg KTM BC BC 237 A BC 237B BC BC 238A BC 238B BC 238C BC BC 239B BC 239C Wartości dopuszczane wg rys. i tab.. 5. Dane charakterystyczne wg rys. 12;(5 i tab. 12.

5 nformacje dodatkowe do BN87/ / 07 5 P tot mw O ['\ BC 237 BC 238 Be 239 " :;..o " " i'. Rys. SN 87 / /07111 Je Je Jez /' 1/ rt f/. "... Rys. 12 VeE.. Bi e /oer21 Obj aś n ie ni e do rys. 12: N a pi ęc i e koankowe UCEG... Wartość na pi ę cia koektoremiter wyznaczona przez ok reś o n ą wartość prądu koe kto ra e na takiej charakterystyce wyjśc i owej tra nzystora e = = f (UCE) przy. = const która przechodzi p rzez punkt: f e2 = k e (np. k = 11 ) UCE o k reś o n e np. U ee = V fe ma 8 6 1/... i"'" f4j 8C rombl.n Lł' Tabica. Wa rtości dopuszczane Ozna J edno Wa r tości Lp. czeme Nazwa parametru stka dopuszczane para miary BC BC BC met ru Ucoo N apięc i e koek V torbaza 2 UCES Napi ęc i e koek V toremiter przy U BE = O 3 UCEO Napięc i e koek V to rem iter 4 UEBO Nap ięcie emiter V baza 5 c Prąd koek tora ma em Prąd szczytowy ma 200 koektora 7 o Prąd bazy ma 50 8 Pot C a łk o w i t a moc mw 300 wej ściowa (s t ał a ub średn ia) na wszystkich e k.. trodach tamb2 5 C 20 c ma 12 8 O '/ '" Rys. 13 " 19 1&11 1 1/ hz/e NORf !ił 18" 81/3315'30/01 'O :g 1 12 " " ' 20 'u V Rys H871337!3D/ j Temperatura oc 150 złą cza 10 tstg Temperatura oc przechowywama o 11 amb Temperatura oc otoczenia w czasie pracy / Rys. 15

6 nformacje dod a tkowe do BN87/ / 07 O /14h.:/.:!\. Lp. i\o / \\;.1 pij 'a mt..: ru rw ra h:tru po miaru..\ COt) 'r/ d cr.. 'wy k() UCH = 45 V k kt"." h = O n A Ucs = 20 V fe = O 2 U ( HR) CE..'U Napi<; ci' prz' h i fe = 2 ma V c ia k "kk to. / s = O 'nikr 3 U(SR ESO Nup i c i p. zbi fe =!A V Cia emitnhaw. = O 4 U CEs/ Napic;ci nas y c = 10 ma V C' J1J ko ekto r s = 05 ma m i k. e = 100 m A) V /. = 5 ma 5 V BE SU Napięc i e nasy e = 10 ma V C'! '1 haza em i. = 05 ma tn c= 100 m A ) V = 5 m A! fi U!) Napięci e ko an ei = 10 m A V ko wc Uc< = V 1C2 = ma 7 Ust.' Napięc i ' baw e = 01 m A V t..' 11 c r c= 2 ma V e = 100 m A ) V h 2 E» Sta tyczny e = 10!A A współc zy nnik B wzmocnie nia p rą d o we go C w uka d zie Tabica (2. Dane charakterystyczne Jedno Wa rt ości parametrów Warunki s tka Be 237 Be 238 Be 239 mia ry mm typ max m m typ max mm typ max fe = 2 m A em tera A ws pó nego B C f c = 100 m A) A B C h } ) Ma osyg na o wa c = 2 ma zwarciowa m pedancja f = wej khz kn A ś c i owa w uka B d zie wspónego C e m ite ra " ) M aosygnaowy f c = 2 m A A i rozwa rcowy x 10' B w s półczy n ni k f= khz wstecznego C p rzenoszenia n a pi ęcowe go wspó nego emitera

7 nformacje doda tkowe do BN87/3375JO/ 07 7 cd. tab!. 12 Lp. Oznaczenie parametru Na zwa parametru Warunki pomiaru J edno War t oś ci parametrów stka BC 237 BC BC 239 miary mm typ max mm typ max mm typ max h2e') Mał osyg nał owy f e = 2 ma zwa rcowy A w s pó łczy n nik f= khz przenoszema B p rą dowego w ukł a d z i e wspónego emitera " C hn) Mał osyg n ałowa f e = 2 ma rozwa rcowa admifancja wyj A f = khz S śc iowa w ukł a B dzie wspónego emitera 13 F Współc zy nnik c = 02 ma 3 10 szumów f= khz t1f = 200 H z C db f e = 02 m A 2 4 f = 30 Hz 7 15 khz. 14 f T C zę s to ti wość f c = 10 ma MHz gra mczna f = 100 MHz 15 CCHO Poj e mn ość złą UCH = OV pf cza koektora h=o f = MHz 16 CCHO Poje m ność złą UCH = 05 V p F cza emitera f e = O f= MHz ' ) Pomiar impusowy t p 300 S. 6 2%. 2) Okre ś en ie wg rys. 12. ) Seekcja na k asy A B C ty ko na ż ycze nie odbiorcy.