Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA



Podobne dokumenty
Fotolitografia. xlab.me..me.berkeley.

Procesy technologiczne w elektronice

Prawa optyki geometrycznej

Ćwiczenie: "Zagadnienia optyki"

Optyka geometryczna MICHAŁ MARZANTOWICZ

Ćw.6. Badanie własności soczewek elektronowych

Technologia planarna

Wstęp do astrofizyki I

Wstęp do astrofizyki I

OPTYKA GEOMETRYCZNA I INSTRUMENTALNA

Technologia elementów optycznych

Najprostszą soczewkę stanowi powierzchnia sferyczna stanowiąca granicę dwóch ośr.: powietrza, o wsp. załamania n 1. sin θ 1. sin θ 2.

Światło ma podwójną naturę:

Falowa natura światła

Ćwiczenie 12 (44) Wyznaczanie długości fali świetlnej przy pomocy siatki dyfrakcyjnej

Technologia w elektronice

TECHNIKI OBSERWACYJNE ORAZ METODY REDUKCJI DANYCH

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

WPŁYW POSTĘPU TECHNICZNEGO NA WYDAJNOŚĆ SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH ML SYSTEM S.A.

Dr Piotr Sitarek. Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska

Badanie zjawisk optycznych przy użyciu zestawu Laser Kit

17. Który z rysunków błędnie przedstawia bieg jednobarwnego promienia światła przez pryzmat? A. rysunek A, B. rysunek B, C. rysunek C, D. rysunek D.

Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka).

Opis matematyczny odbicia światła od zwierciadła kulistego i przejścia światła przez soczewki.

pobrano z serwisu Fizyka Dla Każdego zadania z fizyki, wzory fizyczne, fizyka matura

LABORATORIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE

Natura światła. W XVII wieku ścierały się dwa, poglądy na temat natury światła. Isaac Newton

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Fotonika. Plan: Wykład 2: Elementy refrakcyjne i dyfrakcyjne

Optyka. Optyka geometryczna Optyka falowa (fizyczna) Interferencja i dyfrakcja Koherencja światła Optyka nieliniowa

Problemy optyki falowej. Teoretyczne podstawy zjawisk dyfrakcji, interferencji i polaryzacji światła.

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

SCENARIUSZ LEKCJI Z WYKORZYSTANIEM TIK

Załamanie na granicy ośrodków

Optyka. Optyka falowa (fizyczna) Optyka geometryczna Optyka nieliniowa Koherencja światła

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

- 1 - OPTYKA - ĆWICZENIA

Techniki analityczne. Podział technik analitycznych. Metody spektroskopowe. Spektroskopia elektronowa

ŚWIATŁO I JEGO ROLA W PRZYRODZIE

Wzmacniacze optyczne

Dyfrakcja. Dyfrakcja to uginanie światła (albo innych fal) przez drobne obiekty (rozmiar porównywalny z długością fali) do obszaru cienia

Ć W I C Z E N I E N R O-6

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego

Rentgenowskie elementy optyczne. soczewki, monochromatory, lustra, optyka polikapilarna

Struktura CMOS Click to edit Master title style

20. Na poniŝszym rysunku zaznaczono bieg promienia świetlnego 1. Podaj konstrukcję wyznaczającą kierunek padania promienia 2 na soczewkę.

Optyka. Wykład IX Krzysztof Golec-Biernat. Optyka geometryczna. Uniwersytet Rzeszowski, 13 grudnia 2017

Fluorescencyjna detekcja śladów cząstek jądrowych przy użyciu kryształów fluorku litu

Plan wykładu. 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD

h λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s)

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Procesy technologiczne w elektronice

Propagacja światła we włóknie obserwacja pól modowych.

Wstęp do fotografii. piątek, 15 października ggoralski.com

Wielomodowe, grubordzeniowe

Szkła specjalne Wykład 17 Właściwości optyczne Część 1 Optyczne właściwości liniowe

FIZYKA III MEL Fizyka jądrowa i cząstek elementarnych

Zastosowanie deflektometrii do pomiarów kształtu 3D. Katarzyna Goplańska

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

ZAGADNIENIA na egzamin klasyfikacyjny z fizyki klasa III (IIIA) rok szkolny 2013/2014 semestr II

Interferencja. Dyfrakcja.

Całkowity strumień pola elektrycznego przez powierzchnię zamkniętą zależy wyłącznie od ładunku elektrycznego zawartego wewnątrz tej powierzchni.

autor: Włodzimierz Wolczyński rozwiązywał (a)... ARKUSIK 34 OPTYKA GEOMETRYCZNA. CZĘŚĆ 2. ZAŁAMANIE ŚWIATŁA. SOCZEWKI

Pomiar długości fali świetlnej i stałej siatki dyfrakcyjnej.

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Wykład XI. Optyka geometryczna

TERAPIA PROTONOWA. Proseminarium magisterskie 18 X /36. Marta Giżyńska

Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni

Optyka. Wykład XI Krzysztof Golec-Biernat. Równania zwierciadeł i soczewek. Uniwersytet Rzeszowski, 3 stycznia 2018

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

Ćwiczenie 3. Elementy fotometrii i testy rozdzielczości obiektywów fotograficznych. Wprowadzenie teoretyczne. Elementy fotometrii

Rodzaje obrazów. Obraz rzeczywisty a obraz pozorny. Zwierciadło. Zwierciadło. obraz rzeczywisty. obraz pozorny

XL OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP I Zadanie doświadczalne

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej

Spektroskopia fotoelektronów (PES)

Podstawy fizyki wykład 8

Przykłady pomiarów wielkości ogniska Lamp rentgenowskich

Falowa natura materii

Oddziaływanie cząstek z materią

PL B1. Aberracyjny czujnik optyczny odległości w procesach technologicznych oraz sposób pomiaru odległości w procesach technologicznych

Ćwiczenie 53. Soczewki

Drukarki Laserowe CO2 Seria LM

Technologia cienkowarstwowa

Szczegółowy rozkład materiału z fizyki dla klasy III gimnazjum zgodny z nową podstawą programową.

Ćwiczenie Nr 11 Fotometria

Ćwiczenie 2. Wyznaczanie ogniskowych soczewek cienkich oraz płaszczyzn głównych obiektywów lub układów soczewek. Aberracje. Wprowadzenie teoretyczne

Polisilany. R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne

Przedmiotowy system oceniania z fizyki dla klasy III gimnazjum

OPTYKA GEOMETRYCZNA I INSTRUMENTALNA

Zjawisko interferencji fal

Powłoki cienkowarstwowe

MICRON3D skaner do zastosowań specjalnych. MICRON3D scanner for special applications

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW

39 DUALIZM KORPUSKULARNO FALOWY.

POMIAR APERTURY NUMERYCZNEJ

Optyka. Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat. Dyfrakcja. Laser. Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018

WYMAGANIA EDUKACYJNE Z FIZYKI

Plan wykładu. 1. Budowa monitora CRT 2. Zasada działania monitora CRT 3. Maski 4. Wady i zalety monitorów CRT 5. Testowanie monitora

Wykład 17: Optyka falowa cz.2.

Transkrypt:

Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA 1

Układy cienkowarstwowe Wafer krzemowy Warstwa Tlenku Warstwa tlenku Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Maska Wafer krzemowy Maska Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Warstwa tlenku UV Warstwa tlenku Warstwa tlenku Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Maska 2

Układy cienkowarstwowe Warstwa tlenku UV Utwardzona warstwa fotorezystywna Wafer Krzemowy Wafer Krzemowy Wafer Krzemowy Nieutwardzona warstwa fotorezystywna Nieutwardzona warstwa fotorezystywna Maska Specjalny rozpuszczalnik Utwardzona warstwa fotorezystywna Warstwa tlenku Rozpuszczalnik warstwy nieutwardzonej Utwardzona warstwa fotorezystywna Warstwa tlenku 3

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia Fotolitografia 4

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia 5

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia Zapis wzoru za pomocą lasera. Odkryte obszary chromowe są usuwane, pozostałe obszary polimeru są rozpuszczane. Rezultatem jest maska szklana z chromowym wzorem. Promienie UV przechodzące przez maskę padają na soczewkę. Soczewka redukuje rozmiar strumienia UV padającego na warstwę fotorezystywną Wynik fotolitografii chipy krzemowe 6

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia Metoda kontaktowa Zalety: nieskomplikowany, niedrogi, szybki, zminimalizowane efekty dyfrakcji Wady: maska ma ten sam rozmiar co wafer duża i droga, zużywanie maski Metoda bezstykowa Zalety: maska nie dotyka wafera brak zużycia maski, szybka Wady: większa dyfrakcja, mniejsza rozdzielczość, maska tego samego rozmiaru co wafer 7

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia Metoda projekcyjna Zalety: maska nie styka się z waferem, pomniejszenie 1-10 razy, większa możliwość realizacji bezdefektowej maski przy większym pomniejszaniu wzoru maski Wady: bardzo droga, złożona, wymaga zastosowania silników krokowych, długi czas zapełniania wafera 8

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia 9

Układy cienkowarstwowe - fotolitografia Problem!!! Konwencjonalne soczewki stosowane w fotolitografii nie są w stanie przepuścić fal o mniejszych długościach 10

Układy cienkowarstwowe litografia rentgenowska Litografia rentgenowska Światło widzialne Optyka Absorber Poziom wyrównania a Membrana Rezyst Ukryty obraz 11

Układy cienkowarstwowe litografia rentgenowska 12

Układy cienkowarstwowe litografia rentgenowska 13

Układy cienkowarstwowe litografia rentgenowska Wady i zalety litografii rentgenowskiej Zalety: Proces szybki Rozdzielczość ~0.5µm Brak wpływu organicznych defektów maski Znika problem kurzu (jest niewidoczny dla promieni rentgenowskich) Redukcja efektów dyfrakcji, refleksji i rozpraszania Wysoki współczynnik kształtu Niewielki koszt źródła promieniowania Wady: Błąd powiększenia Druk cienisty Wymagana bardzo czuła warstwa rezystywna dla wyższej rozdzielczości przy słabym źródle promieniowania Wieloetapowy proces dla negatywnej warstwy rezystywnej Długi czas naświetlania dla pozytywnej warstwy Skomplikowane wytwarzanie masek Wymagane większe ekranowanie źródła promieniowania Wysoki koszt wytwarzania masek 14

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa Litografia elektronowa 15

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa Szczelina modulacji Deflektor Szczeliny o zmiennej szerokości Soczewki iluminatora Płaszczyzna siatki Soczewki kolimatora Soczewki projektora Szczelina kontrastu 16

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa 17

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa 18

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa 19

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa 20

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa Substancje rezystywne 21

Układy cienkowarstwowe litografia elektronowa Zalety i wady litografii elektronowej Zalety: Duża rozdzielczość: od kilku nm do 1 µm Komputerowo sterowana wiązka Możliwość wyeliminowania maski Zredukowany czas od projektu do wykonania Mała dyfrakcja Wady: Koszt systemu Proces skanowania jest bardzo wolny 22

Układy cienkowarstwowe litografia jonowa Litografia jonowa Wodór lub hel Rozmiar wirtualnego źródła Źródło jonów Elektrody metalowe Izolator Elektrostatyczna optyka jonowa Maska System iluminacji strumienia jonowego 4-krotna redukcja kolumny optyki jonowej Rozmycie chromatyczne Rozmycie stochastyczne Rozmycie geometryczne 23

Układy cienkowarstwowe litografia jonowa Wykorzystanie jonów: H + H 2 + H 3 + He + Rodzaje wykorzystywanej wiązki: szeroka skupiona 24

Układy cienkowarstwowe litografia jonowa Zalety i wady litografii jonowej Zalety: Komputerowo sterowana wiązka Brak maski Warstwa rezystywna wrażliwsza niż przy wiązce elektronowej Zminimalizowane efekty dyfrakcji Mniejsze rozproszenie wsteczne Wyższa rozdzielczość Wady: Wymagane niezawodne źródło Wolniejsze niż system fotolitografii Droższe niż fotolitografia Wymagany proces trójpoziomowy 25

Układy cienkowarstwowe litografia EUV Litografia EUV 26

Układy cienkowarstwowe litografia EUV 27

Układy cienkowarstwowe litografia EUV Przykładowe lustro 81 cienkich warstw 28

Układy cienkowarstwowe litografia EUV 29

Układy cienkowarstwowe litografia EUV 30

Układy cienkowarstwowe Podsumowanie Rodzaj litografii Długość fali Energia cząstek [kev] Rozdzielczość minimalna [nm] Fotolitografia 300-600 nm do 0,01 1000 Rentgenowska 0,01-4,0 nm 0,5 10 < 100 Elektronowa < 1nm 10 100 250 100 Jonowa ~50µm 10 150 100 50 EUV (w fazie testów) 10-14 nm ~ 0,1- ~100 50 (docelowo 7) 31

Układy cienkowarstwowe Literatura 1. Nanosphere Lithography, Anat Hatzor Penn State Nanofabrication Facility, The Pennsylvania State University, PA, www.nnf.cornell.edu/nnun/2002nnunpg52.pdf 2. One-step lithography for various size patterns with a hybrid mask-mold Xing Cheng, L. Jay Guo, Solid Sate Electronic Laboratory, Department of Electrical University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109-2122, USA, www.eecs.umich.edu/~guo/online-pub/ 2004%20Hybrid%20mold_ME.pdf 3. http://www.techfak.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/index.html 4. 4. Deep X-ray Lithography Developed at SRRC, Yao Cheng, Bor-Yuan Shew, Ching-Yao Lin, and Der-Hsin Wei, Synchrotron Radiation Research Center Science Based Industrial Park Hsinchu, Taiwan, R.O.C. nr.stic.gov.tw/ejournal/proceedinga/v23n4/537-543.pdf 5. http://www.lrsm.upenn.edu/~frenchrh/download/9905vacuumthinfilmh5.pdf 6. http://www.research.ibm.com/litho/ 7. http://www.unibas.ch/phys-meso/education/projektstudien/lithographie/litho-m1-lithography.html 8. http://www.csl.usc.edu/research/nanostructures/flowchart_files/slide0001.htm 9. http://www.nanophys.kth.se/nanophys/education/e-beam/gromov_99/index.htm 10. http://cuervo.eecs.berkeley.edu/volcano/ 11. http://www.leb.e-technik.uni-erlangen.de/lehre/mm/html/litho_anim.htm 12. Introduction to MEMS, Choongho Yu, Sanghoon Lee, Univ. of Texas at Austin http://www.me.utexas.edu/~lishi/l19b-mems1.ppt 13. http://www.semiconductorfabtech.com/features/lithography/articles/body7.147.php3 14. Large-Field Particle Beam Optics for Projection and Proximity Printing and for Mask-Less Lithography (ML2) www.ims.co.at/app_423_2002-02_spie-vol-4688_ JM3-2003_Large-Field-Particle-Optics.pdf 15. http://willson.cm.utexas.edu/research/sub_files/tsi/files/background_on_tli.pdf 16. Lithography Strategy for 65nm Node, Y. Borodovsky, R. Schenker, G. Allen, E. Tejnil, D. Hwang, F. C. Lo, V. Singh, R. Gleason, J. Brandenburg, R. Bigwood www.intel.com/research/silicon/ BorodovskyPhotomaskJapan0402doc.htm 32

Układy cienkowarstwowe 17. Lithography Strategy for 65nm Node, Y. Borodovsky, R. Schenker, G. Allen, E. Tejnil, D. Hwang, F. C. Lo, V. Singh, R. Gleason, J. Brandenburg, R. Bigwood www.intel.com/research/silicon/ BorodovskyPhotomaskJapan0402doc.htm 18. http://www.intel.com/research/silicon/lithography.htm 19. PREVAIL Electron projection technology approach for next-generation lithography, http://www.research.ibm.com/journal/rd/455/dhaliwal.html 20. X-Ray and E-beam Lithography by Maggie Snowel and Nima Ghalichechian, http://www.ece.umd.edu/~nima/ebeam.pdf 21. http://www.molecularimprints.com/ 22. Electron-Beam Lithography: From Past to Present, David J. Grant, www.davidgrant.ca:81/files/ebeamlith.pdf 23. Photolithography (II), J.Wang, http://www2.ece.jhu.edu/faculty/andreou/495/2003/lecturenotes/photolithographyii.pdf 24. X-ray lithography in IBM, 1980-1992, the development years, by A.D.Wilson http://domino.research.ibm.com/tchjr/journalindex.nsf/0/2a51d4b16888350385256bfa0067fc58?opendocument 25. http://dot.che.gatech.edu/henderson/introduction_to_electron_beam_lithography.htm 26. http://ece.pdx.edu/~jeske/litho/electronbeamlitho.html 27. http://ece.pdx.edu/~jeske/litho/ionbeamlitho.html 28. High aspect ratio UV photolithography for electroplated structures S Roth, L Dellmann, GA Racine and NF de Rooij, www.iop.org/ej/article/0960-1317/9/2/001/jm9201.pdf 29. Fabrication Technology, Part I (lecture 4, 3 September) EEL 5225 - Fall 2003, http://www.mems.ece.ufl.edu/xie/ 30. Multicusp Ion Source for Ion Projection Lithography, http://epaper.kek.jp/p99/papers/wep144.pdf 33