UKD 6 8 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE NORMA BRAN.żOWA c c T ranzysłry typu Be 7 Be 8 Be 9 BN8 750.05 Grupa katalgwa 9. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy sę szczegół we wymagania dtyczęce krzemwych tranzystrów npn małej mcy małej częsttliwści wyknanyd technólgię epitaksjalnplanarnę typu BC 7 BC.l8BC 9 w budwie plastykwej przeznacznych d sprzętu pwszechneg użytku raz urzędzeń wymagajęcych zastswań element6w wyskiej; bardz wyskiej jakści. Tranzystry typu BC 7 i BC 8 przeznaczne sę d pracy w stpniach wejści wych i sterujęcych wzmacniaczy małej częsttl iwści. Tranzystry typu BC 9 przeznaczne sę d stpni wejścivvych niskim pzimie szumów. Tranzystry typu BC 7 BC 8 BC 9 mgę być stswane jak pary kmplementarne z tranzystrami typu BC 57 BC 58 BC 59. Kategria klimatyczna wg PN7/E05'50 dla tranzystrów: standardwej jakści ( pzim Jakści ) 0/5/0 wyskiej jakści (pzimu jak.śc:j ) 0/5/ bardz wyskiej jakści (pzim ' j akści V) O/t:!56;. Pr zykład znaczania tranzystn6w: a ) standardwej jakści: TRANZYSTOR BC 7 B BN8/750/05 b) wyskiej jakści: TRANZYSTOR BC 7B/ BN8 /750/05 c).bardz wyskiej jakści: TRANZYSTOR Be 7B/ BN8/750/05. Cechwanie tranzy str6'pwinn zawierać następujęce dane: a) znaczenie typu ( podtypu) b) znakwanie ddatkwe dla tranzystrów wyskiej i bardz wyskiej jakści. Tranzystry wyskiej jak ści pwinny być znak0wane c yfrę a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfr?_ umieszcznę p znaczeniu typu.. Wymiary i znaczenia wyprwadzeń ranzystra wg rysunku i tabl. l. Oznaczenie budwy stswane p r ze z prducenta CE 6. Zgłszna przez NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników Ustanwina przez Naczelneg Dyrektra Zjednczenia Przemysłu Pdzespłów i Maleria/ów Elektrnicznych UNTRAELEKTRON dnia 6 sierpnia 98 r. jak nrma bwiązująca d dnia l stycznia 98 r. (Dz. Nrm. i Miar nr 9/98 pz. 77) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE 98. Duk. Wyd Nm. Ww. Ak wyd. 00 N.kl.&OO+5S Z.m 898 Cena zł t O.80
BN8j750.05 t _.c E... r e ł e "". D. J Zj z. p. lit "'. b... :;e... b f B C.J e... e b BN 8/75005 Obudwa CE6 Tablica. Wymi ary budwy CE6 Symbl wymaru Wymiary mm min nm max A 5 Al 75 A 0 b 75 6 ) 85 b z 5 5 b' 07 08 c 0 7 0 D 75 E Symbl wymiaru Wymiary mm min nm max e 5 ) e 0 e Z 5 j L 0 L 85 z 5 75 5 5 ) Wymiar teretyczny. 5. Badania w grupie A B C i D wg BN80j750. 00 p. 5.. 6. Wymagania szczegółwe d badań grupy A. B C i D a) badanie pdgrupy Al sprawdzene wymiarów: A D L Wg rysunku i tabl.. b) badania pdgrupy A A A C wg tabl. c) badania grupy B C D wg tabl. d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p ba_ danach grupy B C i D wg tabl.. 7. Pzstałe pstanwienia wg BN80j750. 00.
T.abllca. Parametry elektryczne pdstawwe s[lrawdzn yv badaniach p'dgrupy A A A i e Pdgrupa badań Rdzaj badania Kntrlwany parametr Metda pmiaru wg Warunki pmiaru Jednstka PN7/T 050 War tści graniczne Be 7 Be 8 min max min max mln Be 9 max 5 6 7 A Sprawdzenie pdstaw ark. 09 U C!: 50 V R = O BE wych parametrów CES na ektrycznych U = 0 V R = O CE BE U ark. 0 le = ma B = O V 5 U(BR)EBO ark. 0 E = l )JA c = O V 6 h ark. 0 c '" ma 0 E U =SV CE klasa A 0 8 9 0 5 5 0 5 80 0 850 0 0 0 5 0 5 00 850 klasa B 00 80 00 80 00 80 A Sprawdzenie drugrzędnych parametr'ów klasa e h E ark. 0 c = 0)JA klasa B 0 U CE =5V klasa e F ark. 6 C = 0. ma U CE = S V db Rg = kołaf = 0Hz T 5 khz UCRsat arl'<. 0 c = 0 ma B = 05 ma V elektrycznych U ark. O:l c = 0 ma B = 05 ma V BE al 00 850 0 00 OS 05 08 08 00 850 0 00 05 08 D ' t.> 'f' ;S (J U BE ark. 0 = ma U = 5 V C ' CE mv 550 700 550 700 550 700 F ark. 6 = O mauc = 5 V g ko f = Hz db M = 00 Hz 0 0 A Sprawdzenie parame trówelektrycznych lces ark. 09 U CE 50 V RBE = O w lamb S e U CE = 0 V R BE = O (pzim i V) )JA 0 0 0 e Sprawdzenie drugf ark. [ = 0 ma U = S V T rzędnych param'etrów t 00 MHz CE elektrycznyh MHz 59 SO 50 Cl
BN8j750. 05 Tablica. Wymagania szczegółwe d badań grupy Ba C i D. Lp. Pdgrupa badań Rdzaj badania Wymagania szczegółwe B C Sp r awd ze re wy tr zyrńałścl m@!chancznej ''''Yprpwadzeń Sprawdzęnie szczeln.ści próba Ub metda ' 5 N próba U : 5 N a próba QL B C9 Sprawdzenie wytrzymałśc na spadkl płinie tranzy stra w czasie spadania: swbdne wyprwadzeniami d góry l B C Sprawdzenie wytrzymałści na udary umcwanie za budwę wielkrtne B5 C5 (pzim Sprawdzenie wytrzymałśc na nagłe TA = _55 OC ; T B S C jakśc i JJ) zmiany temperatury 5 B6 C6 Sprawdzenie dprnści na naraienia układ OB wg PN78jT 055 tabl. 5; elektryczne bcienie: dla BC 7: le = lo ma UCB = 0 V dlabc8 i 9: le = 5 ma UCB = 0 V 6 C SpraWdzenie masy wyrbu 09 7 C Sprawdzenie wytrzymałści na kierunek prbierczy: bydwa kierunki pr zyśpieszeni a stałe wzdłuż si wyprwadzeń mcwanie za budwę SpraWdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częsttliwści ( dla pzimu jakści ) mcwanie za budwę Sprawdzenie wytrzymałści na wibracje zmiennej częsttliwści ( dla pzimu jakści i V) 8 CS SpraWdzenie wytrzymałści na ciepł temperatura kępiell S0 C lutwania 9 C7 Sprawdzenie wytrzmałści na zimn t r fl min lo CS Sprawdzenie wytr zymałśc i na suche tstg max gręc = 55 C = 5 C " CO Sprawdzenie wymiarów wg ry sunku i tab!. Dl ( pzim SpraWdzenie dprnści na niskie temperatura naraieni a 5 Oc jakści i V) ciśnienie atmbsferyczne 0 Sprawdzenie wytrzymałści na rz alkhl etylwy acetn sprawdzane puszczalnikl wymiary A D L wg tabl. i rysunku masa tranzystra 0 g 0 Sprawdzenie paln ścl wg PN78jTO55 zał;jcznik p.. 5 0 SpraWdzenie wytr zymałści na pleśń brak prstu pleśni ' p badaniu 6 05 Sprawdzenie wytrzymałści na mgłę pł!enie tranzystra dwlne slnę
BNS /750.05 5 Tablica. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D ( pzim i V) Wartści graniczne Oznaczenie Metda pmiaru Warunki Pdgrupa literwe wg pmiaru badań parametru PN7/T 050 Jednstka BC 7 BC 8 BC 9 min max min max mln max 5 6 7 8 9 0 CES ark. 09 UCE = 50 V Bl C B na 5 5 5 R BE =0 B B5 C dla BC 7 C es C7 C9 Dl ) lice = 0 V 86 C6 C8 na 75 75 75 RBF: =0 C ) dla BC 89 ).JA 0 0 0 h E ark. Ol l = ma Bl C B klasa A 0 0 0 0 l'e =5V B B5 C C C5 C7 klasa B 00 80 00 80 00 80 C9 0 ) klasac 00 850 00 850 B6 C6 C8 klasaa 90 90 90 90 klasa B 60 580 60 580 60 580 klasac 0 00 0 00 C ) klasa A 5 5 klasa B 80 80 80 klasac '60 60 ) W czasie badania. K ONEC NFORMACJE DODATKOWE. nstytucja pracwujpca nrmę Nali<wPrdukcy j PN7/T 050. Tranzystry. Pmiar pjemnści CCBO ne Centrum Półprzewdnikó w.. Nrmy zwięzane PN7/T050. 0 Tranzystry. P miar n a pięcia lj BE PN7/T 050.0 Tranzystry. Pmiar napi ęć PN7/E0550 Wyrby elektrtechniczne. Próby śrdwiskwe nasyceni a U i U CESQL BEsuL PN7/T 050.0 Tranzystry. Pmiar napięć przebici a V(BR)CEO U(BR)CES' U(BR)CER' llibrlcex PN7/T 050.0 Tranzystry. Pmiar napięć przebicia U i U (BR)CBO (BR)EBO PN75/T 050.09 Tranzystry. Pmiar prędów resztkwych l l l CER' CES' CEV i prędu zerweg CEO i CEBO PN7/T050. Tranzys try. Pmiar modułulh E lw zakresie w. cz. i częsttt iwści f T PN76/T 050.6 Tranzystry. Pm;ar parametrów szumów. Elementy półprzewdnikwe. i badania Og6ne wymagania PN78/T 055 Elementy "półprzewdnikwe. Ogólne wymagani a i badani a BN80/750.00 Elementy półprzewdnikwe. Tranzystry małej mcy małej częsttliwści. Wymagania i badania. Symbl" wg KTM BC 7 5600 BC 7A 5606
6 nfrmacje ddatkwe d BNB / 750. 05 BC 7B 5609 BC 8 ' 6500 BC 8A 56507 BC 8B 56500 BC t8c 5650 BC 9 566005 BC 9B tt 56608 BC 9C 56600.. Wartśc i dpuszczalne wg rys. tab!.. 5. Dane charakterystyczne wg t:"ys... tabl. Rezystancja termiczna złę.cze tczenie R'hj_a 0 K/W 0 Plt [mw] 0 00 60 0 80. 0 " i BCH7 SCł.8 BC9 0 60 O tallb rc/ 5 SN8!750.C5 Rys.. Zależnść temperaturwa mcy strat d temperatury P tl = f(tmb) Tablka lt Lp. Oznaczenie parametru Nazwa parametru Je d Wartści dpuszczalne nstka BC 7 BCt8 BC 9 t 5 6 7 Vcs Napięcie stałe między klektrem a bazę. V 50 0 0 U CES Napięcie stałe między klektrem a emiterem przy VBE=O V 50 0 0 VCEO VEBO Napięcie stałe między klektrem a emiterem V 5 0 0 Napięcie stałe między emiterem a bazę. V 6 5 5 5 lc Prę.d stały klektra ma 00 6 lcm Prę.d szczytwy kle!<tra ma 00 7 lb 8 P rl 9 tj P 'rild. stały bazy ma 50 Całkwita mc wejściwa ( stała lub średnia) na wszystkich elektrdach przy tamb 5 0 C mw 00 Temperatura złę.cza Oc 5 to tt t slg t mb Temperatura przechwywania Oc 55.. +5 Temperatura tczenia w czasie pracy Oc 0.. + 5
_ 'H nfrmacje ddatkwe d 8N8/750. OS 7 fso SC 7 Be.8 t+++++++ le 8CĄ9 brt.++ 60 8e7 8CłB 8C9 0 U Cf "'5' tq!b.. 5 "C 00 ł 80 80 " 0. LLJ 0 0.8 f U(E V] BN8775t.05 Z 60.... r.. 0. r c fr O'.. f 0 V 0 0 08 U BE :[Y..!BNa/S0.05 Rys.. Charakterystyka wyjściwa Je = f (U CE ) ; la parametr R ys.. Charakterystyka przej ściwa lc = f(u BE ) 6 e [rrv] 0 a 6 Ą7 BC.f8 BCU9 l!!. J'" """"... O tambz5't _0 A f' "'" ; ".. 5 }t i""'". r..0 5!!A_! 0)AA 8'" 5)JA Ą 6 Uc v} 'O BN 87750.OSED i cn C ESC (PFJ f. 0 8 6 lc7 8C8 8C9 f= MHz!famb""5"C i i.... CE80 l...... ;: Ą 6lJ. U. L rj; rbo EllO 'O!BNSl750.05 5 Rys.. Charakterystyka wyj śc iwa la parametr lc =! (. E); Rys. S. Zależnść pjemnści złę.cz d napięcia C ::. f(u ) ca = f(ucb)cea= EaO
s nfrmacje' ddatkwe d BNS /750. OS Ą h;'e (fton' ) 0 7 8C8 8(.9 UCE tamb= 5"C... 0 l c mlu 00 [BN8!S75D. 05 S D 0 h 'J 0r m) 0 0 qf ) " '? Uet: =5V r..<hz t.tnb E':5 c... "' l'i "... r.. hłp t 8C7 BC8 8C9 'j. 't ;;... V l/ h(e 7' "l. ile... T '?"" '' r. / V i ma 0 8N8i!75 0.05 si Rys. 6. Zale::nść statyczneg współczynnika wzmc Rys. 8. Zale::nść parametró w macierzy h ije d prędu nienia prędwg d prędu klektra klektra qs Be 7 8C8 BCU9 UE:.a!.... a k=0 ls t/rlb5 C qz Rys. 7. Zale::nść 6Clt J l 0 f[ma} 00 BN 8/75 0.05 7 napięć nasycenia d prę.du klektra U CE = (lc); V BE = f(cl sa l sal O 8C9 5 Ą a 5 q q q. /0 BeĄ7 8C8 J C... ma t = khz t amtj"'s"c h.. " hflle t::... U ;[VJ > O BNSł!'750.0S9 Rys. 9. Zaletnść parametrów macierzy hij d napięcia h. ) Je(U CE klektremiter h. ( == le nrm ) h ii (U =5 V) CE
nfrmacje ddatkwe d BN6j750. 05 9 0 r [d8j {O 5 0 8Cf9 i i. " c =QmA U C &=5V R O ""kr tq(jj/) = 5 "C ".K_.. ' t F[KHi} 00 SNa!/750.05D Rys. 0. Zależnść współczyn nika szumów d częsttliwści F = f (f) ++H+ tł q 0 BCf7 BCf8 8CĄ9... ::..?... 7 Uc 5V i'.. f khz tmh 5"C.. /... "... fx.:5' V 5 " 'l:. " " "" r. ' 0 R.[kSl} 0 BN 8J750.05 Rys.. Krzywe stałej wartści współczynnika szumów ++++++H fłl!+ł+ł+ł +ł+t++h+ f H++f 0 BN8!75D.05 Rys.. Zależnść współczynnika szumów d napęca F ; J(U c /: ) 0 (/ 8e8 BC 0' d $Clł9 rł Vcf5V /adv V " / V' i. '/! V H / T ł._. _. / t" "" O 50 foo t['c SO BN B775005 Rys.. Zależnść temperaturwa prędu zerweg BC=f(t amb ) BC'H7 '%' 8CB BCH9 8 tamh=5 C " t/n;.. 0V 'd V 8 6 Ucr:5V 0 '00 Z d! 0"' '.le!"'" BN 8!7 5 0.05 Rys.. Zależnść częsttl iwści granicznej d prędu klektra f T ; f(l); U CE Parametr
Tablica Typ Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pmi aru Jednstka Be 7 Be 8 Be 9 min typ max mln typ max min typ max 5 6 7 6 9 0 'CES Prę.d resztkwy klektra U CES = 50 V 0 przy U BE = O na U CES = 0 V 5 0 5 0 5 l'cbr)ceo Napięcie przebica l = ma C V 5 klektre_miter l B = 0 0 l'cbr)ebo h ZE Statyczny współczynnik wzmcnienia prę.dweg Napięcie przebicia =ljja E V 6 emiterbaza C = f C =00 ma klasa A 90 w układzie wspólneg U CE =5V klasa B 0 50 emitera klasa C O C = ma klasa A O 60 U CE =5V klasa B 00 90 klasa e f c ; 00 ma klasa A 0 U CE = 5 V ) klasa B 00 klasa C 5 90 0 50 00 70 80 0 650 0 0 60 0 80 00 90 80 50 50 e50 0 00 80 5 0 50 00 70 00 00 90 50 50 650 80 650... 5'.. D 0 D> ń D Z CD " (l (l "' Ot Ot 5 U Napięcie stałe bazaemiter le = O ma BE 055 U = 5 V CE 055 055 &= ma V 055 06 CE = 5V e = 00 ma 06 U = 5 V ) CE 070 055 06 070 06 055 06 06 070 6 U Napięcie nasycenia = 0 ma CEsal C 009 klektremiter f =05mA B V 05 009 05 009 05 J = 00 ma C ) 0 J = 5 ma B 0
cd. tabl. Typ Lp. Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pmiaru Jednstka Be 7 Be 8 Be 9 mln typ max min typ max min typ max l 5 6 7 '8 9 0 7 U Napięcie klankwe C'l = 0 ma CEK U CE "'V V C = ma 0 06 0 06 0 06 8 U Napięcie nasycenia = 0 ma BEsal C ) baza.emiter = 05 ma B V = 00 ma C ) c 5 ma B 9 h Małsygnałwa zwarciwa = ma 6 e C.impedancja wejściwa U CE = 5V w ljdadzie wspólneg klasa A kil 6 emitera f =lkhz klasa B klasa e 0 h Małsygnałwy rzwarciwy klasa A e współczynnik wsteczneg pt'zen06zenia napięciweg klasa B xl0 w układzie wspólneg emitera klasa C li h e Malsygnałwy zwarciwy C = ma 5 współczynnlk przenszeni a U CE =5 prędweg N układzie f khz klasa A 5 wspólneg emitera. klasa B 0 07 08 07 09 05 09 85 6 0 5 6 0 60 85 60 6 90 5 5 500 5 0 60 5 0 0 500 0 0 08 05 5 5 85 5 6 900 0 60 500 0 07 09 60 90 0 08 05 5 85 5 900 500 a 0.. D>.." a. a. D> a. m t OJ... t! t!.j '(' V klasa C 50 600 900 50 600 900 h e Małsygnałwa rzwarciwa admltancja wyjściwa w układzie wspólneg emitera klasa A klasił B J.lS '_. kl asa e 60 8 0 8 0 60 0 50 ' 0 0 60 0 0 60 0 60 0
cd. tabl. N Typ Lp. Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pmiaru Jednstka BC 7 BC 8 BC 9 mln typ max mln typ max mln typ max 5 6 7 ł 9 0 F Współczynnik szumów T C = 0 ma; U CE = 5 V Rg = ko; [ khz M = O khz f T 5 6 CCBO CiBO Częsttliwść graniczna ) Pmi ar impul sowy: t p ':::; 00 JJsi %. le = O ma; 6. = 0 Hz.;. 5 khz U cr = 5 V R ko c = 0 ma; f = 00 MHz U CE = 5 V db MHz 50 00 Pjemnść złęcza U CB = 0 Vi l = O E pf 5 klektrba?:a f= l MHz Pjemnść złęcza U EB 0.5 V; T c = O emiterbaza f= MHz pf 8 H" 0 50 00 5 5 5 8 50 00 5 8 5 ::l O Dl _. e Dl Ą cd Q. D CD... '" '". 'f'?'" Ol