Tranzystory typu BDP 279, BDP 281, BDP 283, BDP 285

Transkrypt

1 UKD ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystry typu BDP 279 BDP 281 BDP 283 BDP 285 BN /23 Grupa katalgwa Przedm it nrm:i... P rzedmitem nrmy sę krzemwe z epi t aksj al nę bazę t ranzys try mcy ma ł ej c zęstt l iwści n_ p_n t ypu SDP 279 SDP 28 1 S DP 283 SDP 285 w bu_ dwi e p last ykwej E 30( TO220AS) d zas t sw ań w sprzęc i e pwszechneg uży t ku raz w u rzędzen l ach w któr ych wym aga s i ę zastswania e lementów wyskiej i bardz wyskiej j akści zgdn ie z kreś l en iam i wg P N _ 78/ T T ranzys try p r zeznaczne sę d pracy w uk ł adac h prze_ łęczajęcych mcy w szeregwych i równ l eg ł ych regu l a 3. echwanie tranzystrów pw i nn zawierać nas t ępu jęce dane: a) nazwę prducenta lub znak fabryczny b) zn aczeni e typu c ) znakwani e ddatkwe d l a t ranzys t rów wyski ej bardz wysk i ej jakśc i. T ranzystry wyskiej jakści pwinny być znakwan e cyfrę 3 a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrę 4 umieszczni p znaczeniu typu. 4. W y miary i znaczenie wyprwadzeń tra nzystra _ wg t rach we wzma cniaczach rn. cz. mcy i w s tpniach ste r ys. 1 i tabl. 1. rujęcych i k ń cwych wzmacniaczy. T ranzystry typu SDP 279 SDP 28 1 SDP 283 S DP 28 5 sę kmpl e ment arne dpwi edni d tranzyst rów SDP 280 SDP 282 SDP 284 SDP 286. Kat egria k li mat yczna d l a t r anzystrów: standar dwej jakśc i (pzim jakści ) 4 0/ 100/ 10 _ wyskiej j a kści (pzim jakści ) _ 4 0 / 100 /2 1 bardz wyskiej j akści (pzim j a kści ) 4 0/ 100/ P rzyk ł ad znaczenia tranzystrów: a) s tanda r dwe j j ak ś ci: TRANZY S TOR SDP 28 5 b ) w yskiej jakśc i: BN87/337532/23 TRAN Z Y STOR SDP 28 5/ 3 S N 87/ /23 O znaczeni e budwy stswane przez prducenta E 30. :i' A e: [ [ F El <:!t '>< [ W \. <łp l' J b c) b a rdz wyski e j j akśc i: BNB7/337532/231 TRANZYSTOR SDP 28 5/4 SN87/ /23 R ys. 1. Obudwa E J'.. b :1 "" Zg łsz n a przez F abry k ę P ół p rze w d nik ó w T EWA Ustanwina przez Dy rektra NaukwPrdukcyj neg entrum P ółp r zewdn ik ó w dn ia 15 kwietnia 1987 r. jak nrma b w iązu j ąca d d nia 1 paźdz i e rni ka 1987 r. (Dz. Nrm. i M iar nr 11/ 1987 pz 27) WYDAWNT WA NORMALZAYJNE A LFA' Olu k. Wyd. Nrm Wwa Ark wyd. 150 Nakl ' 40 Zam. 1248/ 87 ena Zł 4500

2 2 BN 87j337S 32j23 S ymbl wymiaru Wymiary mm m in nm max T ablica 1 Wym iary budwy E 3 0 S ymbl wymiaru Wymiary mm min nm max A b b D e e F 127 H L L 127 L p Q z E E EZ B adania w grupie A B D wg B N 80j337S32jOO dl badania pdgrupy A4 sprawdzenie parametrów e lek_ p Wymagania szczegó ł we d badań grupy A B i D : al badania pdgrupy A l sprawdzenie wymiarów A b b D) e w d l eg ł :ki ;. 650 mm d budwy wg 1 rys. 1 i tabl 1 bl badania pdgrupy A2 sprawdzenie pds tawwych par ametrów e lektrycznych wg tab l 2 trycznych w temperaturze ( pzim ) wg tab l 4 e) badanie pdgru py B i D wg tabl 5 f) paramet ry e lek t ryczne spr awdzan e w czasie p badaniach grupy B i D wg tab l. 6 g) wartść AQL d la jakści pdstawwej w badaniu 2 _ 4 0 % w badan iu 4 _ 25 % c) badani a pdgrupy A3 sprawdzeni e drugrzędnych parametrów elek t r ycznych wg tab l. 3 7 Pzstałe pst anwi eni a wg B N8 0 j 337S32jOO T ab lica 2 Parametry elek t ryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A 2 (pzim l ) War t ści graniczne Oznaczeni e Metda p L p l iterwe miaru wg W arunki pm iaru J edns tka pa r ametru P N 74j S D P 279 SDP 28 1 B DP 283 BDP 28 5 T min ma x mi n max m i n max min max '7 8 g l EO ark Og U EO = l U EO = 40 ma l. U EO = ) p 6 ry s. 2 = loo ma = O U( BR) EO B U a r k 0 4 E = l ma = (SR )ES O.. 4 h 21E 1) ark 08 U E = 4 = l A ) p. 6 rys 2 U ( S R)ER U E = 4 l = 2 A U E = 4 l = 25 A U E = 4 = 3 A = O l A R BE = ER ark 09 U 3 0 ER U 5 0 p.a 100 ER U ER = ) P miar impu lswy: t p 300 P. s;!5 2'.

3 SN8 7/337532/23 3 a) Ucc = + 12!O D Przekaźnik W J 100st OSW UrBR)EO OmH Hiller Nr45JJ lub rwnrzędnlj Odchlj/anie: Q 1% 05 W } (bezindllkc. pinwe y y pollme xx Oseljlskp HP Mdel /30B lllb rdwflrzędny b) Je (ma) 1 l?.s 100 t<;)<r<;)\ i 0 ''::'::::':= Napięcie klektr emiter Ucd) mel7lj)]s R ys. 2. Metda p miaru napięć p r zebicia k l ektremiter U (BR) eeo i U ( BR) ER a) p ds tawwy układ pmiarw y b) scy lgram napięć przebic ia Tablica 3. Parame t r y elektryczne s prawdz ane w badaniu pdgrupy A3 i 2 (pzim l ) Lp. Jed nstka Ozna c zenie literwe parametru Warunki pmiaru Metda pmiaru w g PN74/ T01504 Wart ści g ranicz ne SDP 279 SDP 281 SDP 283 SDP 285 min max min max min max min max l l l l U 1) ark. 06 = l A = O l A ee sal B l Le = 2 A B = 02 A l e =2SA B = 025 A l le = 3 A B = 03 A l U 1) ark. 06 = l A lb = O 1 A l 8 BE s al ' f T a r k. 24 re = 2 A L B = 0 2 A 18 e =2SA = 025 A l 8 B =;$ A B = 03 A 18 ' U =4 = 05 A E f = 1 MHz MHz e BO a r k. 22 UB = 10 f = 1 MHz pf ) P miar im p ulswy t p 300 s; es 2 %.

4 4 8N87/ /23 lablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdqrupy A4 (pzim i Wartś ci graniczne Metda p Oznac zenie miaru wg Jedliterwe Warunki pmiaru BDP 27DP 281 BDP 283 BDP 285 PN _74/ nstka parametru T01504 min max min max min max min max l l l 12 eer ark. 09 U eeo = = ma 2 tamb = 100 U EO= 50 Lp. Pdgrupa badań R BE = 100Q' \JEO = 70 2 Tab i ca 5 Wvmaqani a szczeqó ł we d badań q rupv B D Rdzaj badań W ymagania szczegółwe l B sprawdzenie wytrzyma ł ści mechanicznej próba Ub' metda 2; 5N 3 cyk le próba U a1 wyp r wadzeń 10 N sprawdzeni e szczelnści próba Q 2 B3 sprawdzenie wytrzymałści na spadki swbd pł żenie tranzystra w czasie spadania wypra_ ne wadzeniami d góry 3 B 4 i 4 sprawdzenie wyt rz y małści na udary wiel mcwanie za budwę krtne 4 B6 i 6 sprawdzenie dprnści na narażenia elek wg PN78/T P tabl. 5 metda tryczne badania układ t amb =25 OB; BDP 279 U E =175; e = 100 ma BDP 281 U = 2 1 E re =85 ma BDP 283 U = 35 ; e E = 50 ma BDP 285 U = 50 E ' Zc = 36 ma 5 3 sprawdzeni e masy 2G 6 4 sprawdzeni e wytrzyma ł ści na przyśpi eszen i e kierunek p r bierczy; stałe bydwa kierunki wz dłu ż s i wyprwadzeń mcwanie za budwę sprawdzeni e wytrzymałści na udar y wielkrtne sprawdzenie wytrzyma łś ci na wibracje stał ej częstt li wści mcwanie za budwę 7 5 sprawdzenie wy t r zymałi;c i na ci epł lutwa temperatura kępie li 350 nia 8 l0 sprawdzenie wymiarów wg r ys. 1 i tab. 1 9 Dl (pzim sprawdzeni e dprnści na niskie ciśnienie temperatura narażenia 25 i ) atmsferyczne 10 D2 sprawdzenie wytl'zymałści na rzpuszczalniki alkhl ety l wy acetn 1 1 D3 sprawdzenie pa ln ści palnść zewnętrzna 12 D4 (pz i mja spra wdzeni e wytrzymałści na pleśń brak prstu pleśni p badaniu kści " i ) 13 D5 (pzim ja sprawdzenie wyt r zymałści na mgłę slnę płżenie tranzystra dwlne kści i )

5 8N87/337532/23 5 Tablica 6. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy 8 i O (pzim i ) Oznacz... Metda Wartści graniczne nie lite pmiaru Jed_ Lp rwe wg Warunki pmiaru POdgrupa badań 8DP 279 8DP 281 8DP 2B3 nstka para_ PN74/ metru T01504 min max min max min max B 9 to ark ER ) p.a O B R al00qu =50 BE ER B p.a i } ma 2 70 h 21E 1) ark 08 la A S ) 1) W czasie badania 25 A A U 4 E e = la 86 6 B A 25 A A la 2 1 ) 10 2A 25 A 15 3A 15 8DP 2B5 min max KON E nfrmacje ddatkwe

6 6 nfrmacje ddatkwe d SN87j337S32j23 NFORMAJE OODATKOWE l ns tytuc ja pracwu jęca nrmę _ NaukwPrduk_ cyjne entrum Półprzewdników Fabryka Półprzewdników PN7Bj T01515 Elementy półprzewdnikwe Ogólne wymagania i badani a TEWA Warszawa SN80j337S32jO Elementy półprzewdnikwe Tranzys try mcy małej częsttliwści Wymagania badania 2 Nrmy zw ięzane PN74jT01504j04 Tranzystry Pmiar ilpięć przebicia. (BR )BO (BR)EBn PN74jT01504j06 Tranzystry Pmiar napięć nasycania E sat BEsat metdę impulswę P stanwienia gólne 3 Symbl KTM wyrbu: SDP SDP PN74jT_01504j08 Tranzystry Pmiar h 21E impul s wę PN75jT01504j09 Tranzystry P miar prędów metdę SDP SDP resztkwych ER ' prędu zerweg E O PN74jT 01504j22 BO i EBO Tranzystry Pmiar PN74jT01504j24 Tranzystry Pmiar mdułu w zakresie w cz i częsttliwści f T pjemnści h 21e 4 Wartści dpuszczalne _ wg tabl ll rys ll S Dane charakterystyczne wg tabl 12 rys Tablica ll Wartści dpuszczalne Lp Oznaczenie Jed Nazwa parametru parametru nstka Wartści dpuszczalne SDP 279 SDP 281 SDP 283 SDP B 1 2 BO l'er napięcie klektrbaza przy E = O BO napięcie klektremiter przy R BE = EO napięcie klektremiter przy = O B U EBO napięcie emiterbaza przy = O pręd klektra przy te as e.:s O 100 A l B pręd bazy przy t ease 125 A P t 1 ca łkwita mc wejściwa t case 25 W (sta ła lub średnia) na wszystkich elektrdach t ease 100 W tamb 25 W 1 B l B l B 18 6 t j temperatura złęcza tamb temperatura tczenia w czasie pracy Oc 40.; ;. 100 _ ; t slg temperatura pr;!echwywani a 40.;.+15! 40.; _40.;

7 nfrmacje ddatkwe d BN87j337532j23 7 Tablica 2 Dane charakterystyczne Lp Oznaczenie Nazwa Warunki pmiaru Jedparametru parametru tamb = 250 nstk.. Typ BDP 279 BDP 281 BDP 283 BDP 285 min typ max min typ max min typ max min typ max \ 1 U U ER ER = l/) kwy klek N tra U ER = 50 /la " ER pręd reszt.c 1 O U = U l) U ER = 30 5OQ 200 O..:: U ER = 50 ma 2.c..." U = ER 2 EO pręd zer U UEO = O 1 1 wy klektra O l/) N UEO = 40 ma O 1 1.c... " UEO = 60 O U napięci e = 1 ma (BR )EBO 1) U(BR)EO przebicia E emiterbaza napięci e = O 1 A przebicia pmiędzy = O B klektr emiter ) 5 U (BR)ER napięci e 1 = O 1 A przebicia klektr R " 100 BE a emiter 6 h 1) statyczny = 1 A 25 21e wspó!czyn U = 4 nik wzmc E nienia prę c = 2 A dweg l = 25 A = 3 A c = 7 A UEsat 1) napięcie = 1 A' B = O 1 A nasycenia klektr_ emiter = 2' A; B = 02 A 1 1 = 25 A B = 025 A 1 = 3 A = 03 A B 1 = 7' = 3 A B

8 8 nfrmac j e ddatkwe d 8N87/337532/23 cd. tabl. 12 Tznaczenie Nazwa Warunki pmiaru Jed Lp. t nm. h = 25 0 SOP 279 SOP 281 SDP 283 SDP 285 parametru parametru nstka T yp min typ max min t yp max min t yp max min typ max ) napięcie = 1 A l = O l A 1 8 UBEsat nasycenia baza_emi t er 9 U 1) napięcie BE bazaemiter U = 4 E B ' l = 2 A B = 02 A = 2 SA l B = 0 25 A 18 l = 3 A l = 03 A B 18 ' c = 1 A 1 5 = 2 A 15 lc=25a = 3 A 1 5 = 7 A h 21 e zwarciwy c = 05 A U = E ' wspó ł czyn. 1 1 f T nik przenszeni a prę d we g f = 50 khz częstt li = O 5 A U =4 MHz 3 E ' wść g r a niczna f = 1 /vhz 12 BO pjemnść U = 10 f = 1 MHz pf klektr_ baza B 13 R _ thi c rezystancja l = 1 A U =10 B f j : termi czna złęczebu dwa t = los /W R thj _ a złęcze t = 180 ma U = B czenie 1) Pmiar impulswy t p E 03 ms; /J.:::. 2 0/0.

9 nfrmacje ddatkwe d BN87/337532/ t }50 (re cmax O f'tat max = 40 W D l l Q Q "" c<> 2. "'.J a /OmlM/e slb r. '.!. :BDP 28/ L. 1\ BDP 283 1""1 i ' BDP 285 i f) Napięcie międlij klektrem a emiterem () ri B"'N "8""7/J3=75 "'32'"'/27"'3_:[ ""11 BN 87!3375'3lln''31 Rys. 11. Dpuszczalny bszar pracy Rys. 13. Maksymalnie dpuszczalna i lść cykli termicz_ nych w wyniku grzania mcę elektrycznę 125 (% ) 100 t.... r " <> "b" :... ""Q + 0 q '. f"'. BOP279 r'i'??: i" " '.. " r... " J... k; i ci> i Si "... ) J J././ / O 0.2 D BNB7/ /231' 21 Napięcie bala emiter U BE () l=en8=7/=33=75321"' 23""'41 Rys. 12. Dpuszczalny zakres % wartści ' prędu w funkcji Rys. 14. Typwe charakterystyki wejściwe temperatury budwy tranzystóra 5 150mA " / cs e 25 [ li 100 ma... "( SOmA 1'/... r 1 '/' ma 1 8 = 10 ma "' '!/JhY'<?... /y f m U 16 Napięcie mldzlj klektrem emtferem U f () Rys. S. Typwe c ha'rakterystyki wyjściwe mi 8""'N ;8"'7/"'33"'7"' "3"'2/"'23" ' r=''''5

10 10 lnfrmacje ddatkwe d BN87/337S32/23 5 D Uu: 4; tease 25 [ 4 02 U E = 4 er.. / / / \rf>/ ą sy j Jlr"/ Y / / / / / / / / l Napięcie baza emiter UB! ( ) / r;@jnns"'77"'33;;;75"'32"'12;;3t "'61 O ao al l Prqd klektra Je (A) llif'81z (23H Rys. 16. Typwa charakterystyka przejściwa Rys. 17. Typwa charakterystyka częsttliwści granicznej w funkcji prędu klektra U. =4 fe r.... /: r... "<?S' ć' $(> "l' r?o' " '..... r"'<' r... " ". '" r\. " 1'\ \... " '\ "\\ 02 Q l e (AJ t BN r si Rys. 18. Typwa charakterystyka statyczneg współq'ynnika wzmcnienia prędweg w funkcji prędu klektra