BRANŻOWA. Tranzystory typu BF 182, BF 183

Transkrypt

1 UKD N O R M A BRANŻOWA BN8 ELEMENTY 75;105 PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystry typu BF 182 BF 18 Grupa katalgwa 192 L Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są szczegółwe wymagania dtyczące krzemwych tranzystrów npn małej mcy bardz wielkiej częsttliwści wyknanych technlgią epitaksjalnplanamą typu BF 182 i BF 18 w budwie metalwej przeznacznych d sprzętu pwszechneg użytku raz urządzeń wymagających zastswania elementów wyskiej i bardz wyskiej jakści Tranzystry typu BF 182 są przeznaczne d pracy w stpniach przemiany częsttliwści dbirników telewizyjnych w zakresie VHF Tranzystry typu BF 18 są przeznaczne d pracy w stpniach heterdyny dbirników telewizyjnych w zakresie VHF Kategria klimatyczna wg PN7/E04550 dla tranzystrów: standardwej jakści (pzim jakści ) 40/1254 wyskiej jakści (pzim jakści ) 40/125/21 bardz wyskiej jakści (pzim jakści V) 40/ l Przykład zuczema tranzystr6w a) standardwej jakści TRANZYSTOR BF 182 BN8/7S10S b) wyskiej jakści TRANZYSTOR BF 182/ BN8/7S10S c) bardz wyskiej jakści TRANZYSTOł BF 182/4 BN8/7S10S Cechwanie tranzystr6w pwinn zawierać następujące dane: a) nazwę prducenta lub znak fabryczny b) znaczenie typu (pdtypu) c) znakwanie ddatkwe dla tranzystrów wyskiej i bardz wyskiej jakści Tranzystry wyskiej jakści pwinny być znakwane cyfrą a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrą 4 umieszczną p znaczeniu typu 4 Wymiary i znaczenia wyprwadzeń tranzystra wg rysunku i tabl l Elementy budwy wg PN72/T0150: ark 29 pdstawa B12 ark 55 budwa C7 Oznaczenie budwy stswane przez prducenta CE 25 5 Badania w grupie A B C i D wg BN p 51 6 Wymagania szczegółwe d badań grupy A B CiD a) badania pdgrupy Al sprawdznie Wymiarów A 0 D wg rysunku i tabl l na str 2 ' b) badania pdgrupy A2 A A4 i C2 wg tabl 2 na str 2 i c) badania grupy B C i D wg tabl na str d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i 0 wg tabl 4 na str i 4 Zgłszna przez NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników Ustanwina przez Dyrektra Ośrdka BadawczRzwjweg Pdstaw Technlgii i Knstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 15 marca 198 r Jak nrma bwiązująca d dnia 1 październ i ka 198 r (Dz Nrm i Miar nr 9/198 pz 18) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE LFA 198 Druk Wyd Nrm Wwa Ark wyd 150 Nakł Zam 195/ 8 CeN zł 2000

2 2 BN8/75105 \ A F _ l L Klektr (C) tranzystra jest płączny elektrycznie z budwą Symbl wymiaru TabUea 1 Wymiary mm min nm max nm A ') Kąt stpnie 0b) 05 0D D F 10 j ' ) 116 k a 45') P 90') ) Wymiar teretyczny Tablica l Parametry elektryczne pdstawwe sprawdzane w badaniach pdgrupy Al AJ A4 C4 " Pd Metda p Wartści granieme Kntrlwany Jedgrupa Rdzaj badania miaru wg Warunki pmiaru parametr nstka BF 182 BF 18 badań PN74/T01504 min max min maj( l 2 4 S A2 Sprawdzenie C80 ark OS UC8 = 20 V 18 = O ma 0 0 pdstawwych U8R)CBO ark 04 c =!la h=o V 0 0 parametrów elektrycznych U/) a ark 0 c = 2 ma l = O V U/)EBO ark 04 E =!la lc = O V lc = 2 ma UCE = V h2'e ark Ol Jc = ma Ua = OV A Sprawdzenie c = 2 ma UCE = OV C2 drugrzędnych f= 0 MHz f T ark 24 parametrów (c = ma Ua = OV MHz 500 elektrycznych 550 f= 0 MHz c = l ma UCE = OV f= l MHz C'2" ark 2 pf TbJ' te ark 25 c = 2 ma UCE = OV f = 50 MHz c = ma U CE = OV f = 50 MHz ps 6 6

3 cd tabl 2 Pd Metda p Kntrlwany grupa Rdzaj badania miaru wg Warunki pmiaru parametr badań PN74/T O 1504 BN8/ Jed Wartści graniczne nstka BF 182 BF 18 mm max min max A4 Sprawdzenie c ark 05 U CB = 20 V h= O A parametrów elektrycznych w tumh = 125 c (pzim i V) : Tablica Wymagania szczegółwe d badań grupy B C D Lp Pdgrupa badań Rdzaj badania Wymagania szczegółwe' 2 4 próba Ub: metda 2: 25 N Sprawdzenie wytrzymałści mechanicznej wyprwadzeń cykle B C próa Ua: 5 N Spra wdzenie szczelnści 2 B Spra wdzenie wytrzymałści na spadki swbdne próba Qk: pzim nieszczelnści 665 O Pa dm)/s płżenie tranzystra w czasie spadania: wyprwadzeniami d góry 84 C4 Spra wdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne mcwanie za budwę 85 C5 4 (pzim jakści Sprawdzenie wytrzymałści na nagłe zmiany temperatury TA = 55 C T = 155 C i V) 5 86 C6 Sprawdzenie dprnści na narażenia elektryczne układ OB wg PN78/T01515 tab 5 h = 20 ma UCB = 8 V 6 C Sprawdzenie masy wyrbu 05 g r Sprawdzenie wytrzymałści na przyspleszema ' stałe kierunek prbierczy: bydwa kierunki wzdłuż mcwanie za budwę si wyprwadzeń 7 C4 8 C5 Sprawdzenie wytrzymałści na ciepł lutwania Spra wdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częso t1iwści (dla pzimu jakści ) mcwanie za budwę Sprawdzenie wytrzymałści na wibracje zmiennej częst t1iwści (dla pzimu jakści 1l i V) mcwanie za budwę AQL = 4 0/0 temperatura kąpieli 9 C7 Spra wdze nie wytrzymałści na zimn sg max = 55 C C8 Sprawdzenie wytrzymałści na suche grąc ts/f{ max = 155 C CO Sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl 50 C Dl 12 (pzim jakści Sprawdzenie dprnści na niskie ciśnienie atmsferyczne temperatura narażenia 25 C i V) 1 04 Spra wdzenie wytrzymałści na pleśń brak prstu pleśni p badaniu 14 OS Sprawdzenie wytrzymałści na mgł slną płżenie tranzystra dwlne TabUcl 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie p badaniach grupy B C D (pzim V) Wartści gramczne Oznaczenie literwe Metda pmiaru Warunki Jed Pdgrupa badań parametru wg PN74/T01504 pmiatu nstka BF 182 BF 18 mm max mm max CB ark 05 B C B B4 B5 C2 na 0 0 Uc = 20 V C4 C5 C7 C9 Dl h=o B6 C6 C8 na C2 1 ) A 50 50

4 4 BN8/7510S cd tabj 4 Wartści graniczne Oznaczenie literwe Metda pmiaru Warunki Jed Pdgrupa badań parametru wg PN74/T01504 pmiaru nstka BF 182 BF 18 min max min max h"e ark Ol e = 2 ma UCE = OV B B 84 B5 C le = ma C2 C4 C5 C7 C9 UCE = OV le = ma UCE = lo V B6 C6 CS le = ma U CE = OV 7 7 le = 2 ma 5 UeE = OV C2') lc = ma 5 UCE = lo V ') W czasie badania dprnści ') W czasie badania dprnści na suche grąc na zimn 7 Pzstałe pstanwienia wg BN80/75 KONEC

5 nfrmacje ddatkwe d BN8/ NFORMACJE DODATKOWE 1 nstytucja 'pracwujlca nrmę NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników 2 Nrmy zwilzane PN7/E Wyrby elektrtechniczne Próby śrdwiskwe Pstanwienia gólne PN72/T Elementy półprzewdnikwe Zarysy i wymiary Pdstawa B2 PN72/T Elementy półprzewdnikwe Zarysy i wymiary Obudwa C7 PN74/T Tranzystry Pmiar hz1e i napięcia U BE PN74/T O Tranzystry Pmiar napięć przebicia U ibr CEO U(BR CES U(BR CER U(BR CEX PN74/T O Tranzystry Pmiar napięć U(BR EBO przebicia U(BR CBO PN74/T Tranzystry Pmiar prądów wstecznych cb i hb" PN74/T Tranzystry Pmiar parametrów [y] w zakresie wcz PN74/T Tranzystry Pmiar mdułu h z1 1 w zakresie wcz i częsttliwści fr PN74/T O Tranzstry Pmiar stałej czaswej sprzężenia zwrtneg rbb Cc PN78/T01515 Elementy półprzewdnikwe Ogólne wymagania i badania BN80/75 Elementy półprzewdnikwe Tranzystry małej mcy wielkiej częsttliwści Wymagania i badania Symbl wg KTM BF ; BF Rezystancja termiczna złączetczenie Rth}a ;; 00 C/W Rezystancja termiczna złączebudwa Rthjc;;:' 400 C/W 400 Ptt [mw} BF182 BFt8 \ \ \ Rthja \ \ 1\ ' r Rtllic _\ " 50 " " 1\ t [CJ 200 BN85175łJH Lp 4 Wartści dpuszczalne wg rys i tabl 1 5 Dane charakterystyczne wg tabl 12 i rys 12 1 Oznaczenie parametru Nazwa parametru TabUca ll Rys l Zależnść dpuszczalnej wartści całkwitej mcy wejściwej na wszystkich elektrdach d temperatury P = f (tamb); P = f (tas<) Jednstka Wartści dpuszczalne BF 182 i BF UCBO Napięcie klektrbaza V 0 2 UEBO Napięcie emiterbaza V UCEO Napięcie klektremiter V 20 4 c Prąd klektra ma 20 5 P Całkwita mc wejściwa (stała lub średnia) na wszystkich elektrdach tamb = 25 C 150 mw tcase = 25 C 75 6 tj Temperatura złącza C tamb Temperatura tczenia w czasie pracy C t tr Temperatura przechwywania C

6 Tablica 12 Typ Lp Jed nstka Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pmiaru BF 182 BF 18 min typ max min typ max CBO Pręd zerwy klektra U = 20 V CB 2 A U(BR )CBO U (BR )EBO' U(BR)CEO Napięcie przebicia klektrbaza C = ł!a V Napięcie przebicia emiterbaza E = lo la V Napięcie przebicia klektl"emi c = 2 ma V ter na i C a 2 ma 5 Statyczny współczynnik wzmc U CE = V h 21E nienia prędweg (w układzie wspólneg emitera) lc ma U = V CE m 2 ma E U = V CE V :s O'!l " O 8 Ol "" O O O 6 U BE Napięcie bazaemiter JE ma U CE = V lc = 2 ma U CE = V f 0 MHz 7 f T J ma C U = V OE Częstt wść graniczna f 0 MHz V MHz MHz ' te Z 00 w la M la 8 Pbjemnść sprzężenia zwrtneg lc l ma (przy wejściu zwartym dla prze C U = V 12es bieg6w zmiennych) w układzie CB pf 9 A wspólneg emitera Maksymalny współczynnik wzmcnienia mcy f MHz c = 2 ma U CB =V f800 MHzRg00 1 ' ma C db U CB = V db f 900'MHz R g

7 ' cel tab _ 12 / 50 MHz 200 MHz 500 MHz 1900 MHz ' 1 " Mełsygnałwa zwarciwa gb knqlktancja wejściwe w ukła ms dzle wspólnej bazy Mełsygnałwa zwarciowa b 5Usceptancja wejściwa N fłb!!kładzie wspólnej bazy ' ' y Zb Mduł zwarciwej admltancji przenszenla wsteczneg w układzie WSpólnej bazy Feza zwarclcwej admltancjl "lł2b przenszenia wsteczneg w 1 układzie wspólnej bazy _ 2 ma ' E UCB lo V Y Z1b Mduł zwarciwej admitancjl przenszenia wprzód w układzie wspólnej bezy ms fls ms = O'! Q & lo<" Q te Z d : " Zlb Feza zwarciwej edmiearicjl przenszenie wprzód w układzie wspólnej bazy " 92Zb Małsygnałwa zwerclciwa knójktancja wyjściwa w układzie wspólnej bazy C 22bs Pjemnść wyjściwa (wejście zwarte dla przebieg6wzmien_ nych) w ' układzie wspólnej bazy pf ' ' 1

8 cd tab l 1_2 " OC> f 50 MHz 200 MHz 500 MHz 900 MHz Małsygnałwa zwarciwa gub knduktancja wejściwa w ms układzie wspólnej bazy b Ub Małsygnałwa zwarciwa susceptancja wejściwa w układzie wspólnej bazy ms :s O' Mduł zwarciwej admitancjl Y Ub 'przenszenia wsteczneg w S układzie wspólnej bazy 15 "1/12b 16 _ Paza zwarciwej admltancji przenszenia wsteczneg w układzie wspólnej bazy ama E U =V CB Mduł zwarciwej admltancji Y21b przenszenia wprzód w układzie ms wspólnej bazy Faza zwarciwej admitancjl "1/11 b przenszenia wprzód w układzie r wspólnej bazy " Q Q 1 1 Q tt :z: OC> Ut (:) Vł / 17 'Małsygrałwa zwarciwa ; 9 22b knduktancja wyjściwa w układzie wspólnej bazy Pjemnść wyjściwa (wejście C 22bS zwarte dla przebiegów zmlen pf nych) w układzie wspólnej bazy

9 nfrmacje ddatkwe d BN8/7S10S 9 00 Ym [ps] 0 ;; Ol' V UCE=flv fe =2mA t am b=25'1 J!t b " [J ' 00 V tooo gub [ps] f 00 BF18Z 8ff8 UCE= V fc =2mA t mb=25 C C Z2b j J CZ2b [pfl f L' 'P ido [fiiit 00 '8N""'816' '" 7 / f 00 j ([11Hz] at B/ 9'71 Sł 0$14 Rys 12 Zależnść zwarciwej admitancji przenszenia wsteczneg Rys 14 Zależnść admitancji wyjściwej d częsttliwści gm; d 'częsttliwści Yl2b; 'l'yl2b = f (f) C22b = f (f) 00 Y21b [ms] 0 BF182 8F18 LA f!ima t am b=251 r Yz'J) \ 1y21b [J fr {fhz] f 00 BF82 BN18 / UCE=fOV łamb"2c f01fhz '" f O 0 f[1hz] 00 Nn/S"' 1D'1 01 OZ 0 f 2 lc[m}} SN 8/)75105 l 51 Rys 1 Zależnść zwarciwej admitancji przenszenia wprzód d częsttliwści Y2lb; 'l'y2lb = f(j) Rys S' Zależnść częsttliwści granicznej d prądu klektra f T = f (Je)

10 nfrmacje ddatkwe d BN8/75105! 8 F [d8] 2 l ljf18z 8F18 UeE= V lc'= ZmA tqmb =25 C " 1tJi) f [NHz] '716 '01111 Rys 16 Zależnść współczynnika szumów d częsttliwści F= f (f) 8ff8Z 8F18 J 0 h Z1E 40 D BF1ez 8F18 UCE: V t fll1l b=25 C f c[ma] fa 18" ' Rys 19 Zaletnść statyczneg współczynnika wzmcnienia prądweg d prądu klektra h 2lE = f (le) lliił$11!s1ółt7! Rys 17 Zależnść admitancji wejściwej d częsttliwści g b; b : Cl1b = f (f) f6 fe [ma] 12 f O 8f18Z BF18 V L V / V Jj V V tamb25 r \O ''ło)l 0;JA SapA 60PA 4OpA ' ł= ZOł1 A Rys 18 Charakterystyka wyjściwa l parametr UrEfVl /"' lc f (UCE) C [ma] 4 2 l Q5 04 lu 02 8F1SZ 8F18 UeE" V t amb Z5 C UliCY Rys 1 Charakterystyka przejściwa 1"11"łdif " le = f (Uu) l