BN-BB. BO 650 Grupa katalogowa Tranzystory typu /24. r [2. r N O R M A B R A N Ż O WA I BN-S8/ Ą-1I .-- ' M '\ -, "~,o N

Transkrypt

1 UKD N O R M A B R A N Ż O A BNBB Tranzystry typu 33753/4 PRZYRZĄDY PóŁPRZEODNKOE BO 644 BO 646 BO 648 BO 650 Grupa katalgwa 93. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są szczególwe wymagania dtyczące krz.mwych tr:nzystrów mcy PNP małej częsttliwści ' w ukladzie Oarlingtua typu BO 644 BO 646 BO 648 wyknanych techniką e pitaksjalnej bazy w budwie plastykwej CE 30/T00AB/. Przeznaczne są ne d zastswali w sprzęcie pwszechneg użytku raz w urządzeniach wymagających stswania elementów wyskiej i. bardz wyskiej jakśc zgdnie z kreśleniami wg PN78/T 0')5 a zwłaszcza: w stpnia<::h sterujących i kńcwych wzmacniaczy mcy m.cz.. c l znakwanie ddatkwe dla tranzystrów wyskiej i bardz wyskiej jakści. Tranzystry wyskiej jakśc i pwinny być znakwane cyfrą 3 a trynzystry bardz wyskiej jakści cyfrą 4 umies z czną p znaczeniu typu. 4. ymiary i znaczenia wyprwadzeń tranzystra i schemat płączeń wg rys. : i tabl. raz rys.. Oznaczenie budwy stswane przez prducenta CE 30. regulatrach napi ęcia. Tranzystry typu BD 644 BD 646 BD 648 BO 650 są kmplementarne dpwiedni d tranzyst.r ów BD 643 BD 645 BD 647 BO 649. Kategria klimatyczna dla tranzystrów : standardwej jakści (pzim jakści l l 40/00/0 wyskiej jakści ( pzim jakści L l 40/ 00/ bardz wyskiej jakści ( pzim jakści V l 40/ Przykład znaczenia tranzystrów [ A t r [ M ' N / c:: a l standardwej jakś Ci: TRANZYSTOR BD 644 BN88'!3375 3/ 4 ) r b bl wyskiej jakści: TRANZYSTOR BD 644/3 BN88/33753/4 cl bardz wyskiej jakści: TRANZYSTOR BD 644/4 BN88/33753/ 4 3. Cechwanie tranzystrów pwinn zawierać następujące dane: C.. '. ' b [ r.. r... ' 8 e e BNS8/337537Ą a l nazwę prducenta lub znak fabryczny h l znaczenie typu Rys.. Obudwa CE 30 Zgłszna przez Fabrykę Półprzewdników TEA Ustanwina przez Dyrektra NaukwPrdukcyjneg Centrum Półprzewdników dnia 9 marca 988 r. jak nrma bwiązująca d dnia października 988 r. (Dz. Nrm. i Miar nr 9/988 pz. 3) YDANCTA NORMALZACYJNE ALFA 988. Druk. yd. Nrm. wa. Ark. wyd. 90 Nakł OZam. 35/88 Cena zł 00

2 BN88/33753/4 Tablica. ymiary budwy CE 30 Symbl wymiaru min ymiary mm nm max Symbl wymiaru ymiary mm min nm max A 406 b 0 64 b C 038 D 46 e 03 e 457 F H L 7 L ej) P Q z 0 5 E E E B.._ c e) badania pdgrupy B C i DOwg tab!. 5 f) parametry elektryczne sprawc!żane w czasie i p badaniach grupy B C i D wg tab!. 6 g) wartść AQL dla jak'ści pdstawwej dla pdgrupy C 4% dla pdgrupy C4 5%. BN8S/33753!4 [ typ R = 6k! Typ. R = 00! 7. Pzstale pstarrwlenia wg lln 80/ /00. Rys.. Schemat płączeń 8 T + p Badania w grupie A B C D wg BN 80/33753/ ymagania szczegółwe d badań grupy A B C i D R8. Re a) badania pdgrupy Al sprawdzenie wymiarów A b b D e (w dległści mm d budwy) wg rys. l i tab!. l b) badania pdgrupy A sprawdzenie pdstawwych parametrów elektrycznych wg tabl. c) badania pdgrupy A3 sprawdzenie drugrzędnych parametrów elektrycznych wg tabl. 3 d) badania pdgrupy A4 sprawdzenie parametrów e lektrycnych w temperaturze tumb = 00 0 C (pzim i V) wg tab!. 4 BN8B/ Rys. 3. Układ d pmi«ru napięcia U BE metdą impulswą G generatr (źródł prądu impulsweg bazy) T mierzny tranzystr V wltmierz impulswy napięcia szczytweg V wltmierz napięcia stałeg klektr emiter V 3 wltmierz impulswy napięcia szczytweg bazaemiter wskaźnik równwagi Zźródł stałeg klektremiter R B ' Re rezystry napięcia

3 Tablica. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A (pzim l l V) artść graniczna Oznaczenie literwe Metda pmiaru parametru. wg arunki pmiaru Jednstka BD 64L BD 646 BD 648 min max min max min max min max 3 4 :) CBO PN74/T 0504/05 U CB = 45 V /la 00! CBO PN74/T 0504/05 UCB = 60 V A 00 3 CBO PN74/T0504/05 U cn = 80 V!lA 00 4 [CBO PN74/T0504/05 U CB =00V!lA 5 U(BR)CEO ) PN74/T 0504/07 lc = 0 A V r UeBR)EBO PN74!T 0504/04 le = 5 ma V 5 :) 5 00 :) 00 i.. 0: Z CP CP vi N N ' 7 h E ) PN74/T0504/08 lc = 3 A U CE = 3 V u ) p. 6 rys. 3 lc = 3 A U CE = 3 V V BE 5 9 U(BR )CBO PN74/T0504/04 lc = 00!lA V )Pmiar impulswy: tp 300 s ts %. w

4 Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A3 i C (pzim l V ) artść graniczna Oznaczenie literwe parametru Metda pmiaru wg arunki pmiaru Jednstka BD 644 BD 646. BD 648 min max min max min max min max l l U C E sat ) PN74/T0504/06 l C = 3 A l B ma V U sat ) BE PN74/ T0504/06 C =3A B = ma V :. 3 ecbo PN74/T0504/ U =lov E =O f = l MHz pf CB ' 00 lc= 3 A U 4 ' PN74/ T0504/4 CE = 3 V l = MHz ) Pmiar iinpulswy: t p 300 p.s: 6 %. MHz l l l Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A4 ( pzim i V ) ljj Z t t Ul ł:) artści graniczne Oznaczenie literwe parametru Metda pmiaru wg arunki pmiaru Jednstka BD 644 BD 646 BD 648 min max min max min max min max U CB = 45 V ma c::. = O CB E l CBO PN 74/T0504/05 t amb = 00 C U = 60 V ma 5 U CB = 80 V ma 5.. Ucs =loo V ma 5 J

5 BN88/33753/4 5 Tablica 5. yma gania szcze gó ł we d badań grupy B C i D Pdgrupa badań Rdzaj badania ymagania szczególwe l 3 4 l Bl Cl Sprawdzenie wytrzymałści mechanicznej próba Ub. 5 N ±O5 N wyprwadzeń liczba cykli 3 próba Va O N Sprawdzenie szczelnści próba Q B3 Sprawdzenie wytrzymałści n a spadki płżenie tranzystra w czasie spadan ia swbdne wyprwadzeniami d góry 3 B4 i C4 Sprawdzenie wytrzymałści na udary wie lkrtne mcwanie za budwę 4 B6 i C6 SprClwdzenie dprnści na wg PN78/T 05l5 p tabl. narażenia 5; elektryczne metda badania a) układ OB BO 644 V ee = 35 V le = 07 A BD 646 U CE = 45 V le =O.3 A BO 648 U ee = 60 V le = 05 A U ee = 80 v le =O A t case lub = 5 +C J U ee = 0 V le = 009 A t a m b =SC 5 3 Sprawdzenie masy g 6 C4 Sprawdzenie wytrzymałści na przyspie kierunek prbierczy: bydwa kierunki szenie stale wzdlu ż si wyprwadzeń; mcwanie za budwę stałej częstt liw ści Spr awdzenie wytrzymałści na udary wie lkrtne Sprawdzenie wytrzymałści na wibracje mcwanie za budwę mcwanie za budovę!!: 7 C5 Spr awdzenie wytrzymałści na ciepł lut temper atura kąpieli 350 C wania czas regeneracji 6 h 8 CJO Spr awdzenie wym iarów wg rys. i tabl. 9 Dl Spr awdzenie dp rnści na niskie ciś (pzim jakści nienie atmsferyczne łll ilv ) temperatura naraże n ia SC 0 D Sprawdzenie wytrzymałści na r zpusz a l khl etylwy. acetn czalniki D3 Sprawdzenie pa l nści pal nść zewnętrzna 04 S prawd zenie wytrzymałści na pleśll b r ak prstu pleśni p badaniu (pzim jakści l V) 3 05 Spr awdzenie wytrzymałści na mgłę płżenie tranzystra dwlne (pzim jakśc i s l ną i V)

6 Tablica 6. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D (pzim LV) CT. artści graniczne Oznaczenie literwe parametrów Metda pmiaru wg arunki badań Pdgrupa badań Jednstka BD644 BD 646 BD 648 min max min max min max min max l Z 3' lcbo PN74/ T0504/ 05 E = O U CB = 45 V B B3 B4 B5 ZOO 60 V C CZ C3!lA ZOO 80 V C4 C5 '=7 ZOO 00 V 45 V 0 60 V B6 C6 C8 ma 0 80V.0 00 V V CZ ) ma V V Z 3 ZOO tr Z O> O> w.] Ul N h Z E ) PN74 / T 0504/ 08 le = 3 A B B3 B4 B5 C CZ C3 C U = 3 V C5 C7 Dl CE B6 C6 C CZ Z ) ) Pmiar impulswy: t p 300 p.s Z%. ) czasie badania. KONEC nfrmacje ddatkwe

7 nfrmacje ddatk';e d BN 88/ 33753/4 7 NFORMACJE DODATKOE. nstytucja pracwująca nrmę Naukw Prduk PóŁprzewdni cyjne Centrum Pólprzewdników Fabryka ków TEA arezawa ul. Kmarwa 5. 8D644 8D646 t case =!?C [ C A 0. Nrmy związane PN74/T0504/0 Tranzystry. Pmiar h E i U BE PN74/T0504/04 Tranzystry. Pmiar napięć przebicia '... r' l fo@. U(BR) CBO i V (BR) EBO...ll PN74/r0504/05 Tranzystry. Pmiar prądów nych CBO i EBO wstecz PN74/T 0504/06 Tranzystry. Pmiar napięć nasycenia 0 V i V metdą impulswą CE sat BE sat PN74/T 0504/07 Tranzystry. Pmiar napięć przebicia V(BR)CEO' V(BR)CER' V(BR)CESV(BR)CEX' metdą impulswą PN74/T0504/08 Tranzystry. Pmiar h E impulswą metdą PN74/T 0504/ T'imzystry. POQiar pjemnści CCBO i C EBO PN74/T 0504/4 Tranzystry. Pmiar mdułu h e w zakresie.cz. i częsttliwści f T PN78/T 055 Elementy półprzewdnikwe. Ogólne wymagania i badania BN80/ /00 Elementy półprzewdnikwe. Tranzystry mcy malej częsttliwści. ymagania i badania D646 _i 0 too V U CE BN 88/3375 3m4 / Rys. l. Dpuszczalny bszar pracy tranzystra B D 644 Je A 0 BD 646 lc = f(u CE ) SD 648 SD650 fcase5 C. DC ' llt!j. 3. Symbl wg KTM lm BD BD El BO artści dpuszczalne wg tab. l i rys. l BD6s V Uel BN88f337SJ43 Rys. 3. Dpuszczalny bszar pracy tranzystra BD 648 lc j(u CE )

8 Tablica ll. artści dpuszczalne CJj artści dpuszc zalne Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednstka BD 644 BD 646 BD 648 l 3 L l U CSO Napięcie klektr baza przy E = O V BO 00 U CEO Napięcie klektremiter przy l B = O V [.. 3 l> n. () 3 UEBO Napięcie emiter baza przy lc = O V 4 C Prąd klektra A :J B Prąd bazy A t case ::::;' SC q P tt Całkwita mc wejściwa na wszystkich elektrdach tamb 5 C S 65 6S S 78 O l>? (!) O ljj Z CP CP CH..J Ul CH N 7 t j Temperatura złącza Oc tam b Temperatura tczenia w czasie pracy Oc : t stg Temperatura przechwywania Oc

9 Tablica '. Dane charakterystyczne (t amb = 5 C) Typ Oznaczenie parametru Nazw'u parametru arunki pmiaru tamb = 5 C Jednstka BD 644 BD 646 min typ max min typ BD 648 max min typ max min typ max l Napięcie przebicia l U(BR)cEO ) klektremiter przy lc =0 A lb = O V UCE = 5 V lceo '. 3 lcbo. 4 U(BR)EBO Prąd zerwy klektra przy lb = O Prąd zerwy bazy przy le = O Napięcie prze bicia emiterbaza przy LC = O U CE =30V U CE = 40 V U CE = 50 V U CE = 45 V U CE = 60 V U CE = 80 V U CE = 00 V le = 5 ma pa p.a V O. n. fi> P 8. fi> P O c: Z w Ul id N lc = 3 A; Napięcie 5 u ) BE bazaemiter U =3V CE V UCEsat ) Napięcie nasycenia lc = 3 A; klektremiter lb = ma V. 7 UBEsat ) Napięcie nasycenia. bazaemiter l C = 3 A; lb = ma V D

10 cd. tab!. Oznaczenie parametru Na zwa parametru a r unki p0ltj.ru tmb SC J edns' kił Bll 6L.4 min ty p max. Typ BD 646 BD 6.'8 min typ max min typ ' max min BO 650 typ max... O l 3 4 J 7 S h E ) Statyczny wspól'czyn. l e ' O3A UCE =J! nik wzmcnienia prą c=3 A U CE =3V 750 dweg l c = 6 A U CE 3! C= 3 A. + B = B = 9 tn C zas w lą c zania = ma j.l U CE = l i) V 0 t thfe CCBO 3 Rth;c C=3 A. +lb = lb = Czas wył ąc z ania = ma 'S 5 Częsttliwść d cięcia U CE = 0 V lc= 3 A U CE = 3 V k Hz.00 Pjemnść kl ektr le = O U CB = 0 pl' 00.. baza Rezystancja termicz l = 5 A C C n a złącz ebud wa U CB = 5 V : l> n.. 8 l> M ;< P tt:! Z ():) ():)... Ul p. ' ' 4 C= 078 A Rezystancja ter mic z R th; a C/.. 70 na złącze. tczenie U CB = 0 V Napięcie 5 U ) przewdze F nla didy lf = 3 A V ) Pmia r impuls wy : t p 300 j.l.5 ; 6 %.

11 nfrmacje ddatkwe d BN88/337S3/4 S. Dane chal'aktcryslyc zne wg lab L ; rys. BD 648 BO BD 644 BD 646 P tt UCE D<?5 V : l 30V 4SV V 5 l ' ' i t C tcase BtF r Rys.. Mc całkwita w funkcji temperatury BD BD hć = f(cj UCf U?;V ' l' 30V l 0 Bar 5 '. 45V r. i'..... ' : too C t case BN88/33753/4r 4 Rys. 4. Mc całkwita w funkcji temperatury P tt =!(tcaae) fam 000 / le ma f 0000 BNSB/33'753/H 5 Rys. S. Charakterystyka statyczneg współczynnika wzmcnienia prąd weg w funkcji prądu klektra

12 nfrmacje ddatkwe d BNBB/33753/4 8D644;650 Uccsat=f(Jc) t; = le A BNBB!3375 3/4b Rys. 6. Naplęcie nasycenia klektr emiter w flmkcji prądu klektra BO 644.;.650 UBEsat=f(Je) fa = Je A BN 68/33753/4 Rys. 7. Napięcie nasycenia baza emiter w funkcji prądu klektra

13 nfrmacje ddatkwe d BN88/33753{4 3 t case 5C Je A UC[:3V / J / V J J... V V V V 5 0 UF 5V BN88f33SJ)B 8N88/337S3m4+9 Rys. lb. Charakterystyka przej ciwa :le!(u BE ) Rys. 9. Prąd przewdzenia w funkcji napięcia przewdzenia didy F f( U F)