BN PÓŁPRZEWODNI KOWE

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "BN PÓŁPRZEWODNI KOWE"

Daniel Przybysz
7 lat temu
Przeglądów:

1 UKO 62182! ELEMENTY PÓŁPRZEWODN KOWE N O R M A BRANZOWA Tranzystry typu BO 54 BN Grupa katalgwa 192 l Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są szczegółwe wymagania dtyczące krzemwych tranzystrów 'n-p-n mcy małej częsttliwści wyknanych technlgią epiplanarną typu BD 54 w budwie metalwej przeznacznych d sprzętu pwszechneg użyt- ku raz urządzeń wymagających zastswania elementów wyskiej i bardz wyskiej jakści Tranzyst- ry przeznaczne są d pracy w stpniach kńcwych i sterujących wzmacniaczy mcy m cz regulatrach napięcia raz układach przełączających mcy Tranzystry mcy n-p-n typu BD 54 są kmplementarne z tranzystrami p-n-p typu BD 55 Kategria ' klimatyczna - wg PN-/E dla tranzystrów: - istandardwej jakści (pzim jakści ) 40/ wyskiej jakści (pzim jakści ) - 40/ bardz wyskiej jakśi (pzim jakści ) - 40/ Przykład znaczenia tranzystrów: a) standardwej jakści TRANZYSTOR BO 54 BN-8/5-202 b) wyskiej jakści TRANZYSTOR BO 54/ BN-8/5-202 c) bardz wyskiej jakści TRANZYSTOR BO 54/4' BN-8/5-202 Cechwanie tranzystrów pwinn zawierać następujące dane: a) nazwę prducenta lub znak fabryczny b) znaczenie typu (pdtypu) c) znakwanie ddatkwe dla tranzystrów wys kiej i bardz wyskiej jakści Tranzystry wyskiej jakści pwinny być znakwa- ' ne cyfrą a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrą 4 umieszczną p znaczeniu typu 4 Wymiary i maczenie wyprwadzeń tranzystrów - wg rys i tab! l Oznaczenie budwy stswane przez prducenta - CE 24 A h 2 0D d F B f! ;0 & b2 i N-Ulut-UD2-fl Rys Obudwa CE 24 TabUca l Wymiary budwy CE 24 Symbl wymiaru '"- '==----- Symbl Wymiary w mm Wymiary w mm wymiamin nm max ru min nm max p q s U U Badania w grupie A B C i D - wg BN-SO p 51 6 Wymagania szczegółwe d badań grupy A B CiO a) badania pdgrupy Al - sprawdzenie wymiarów: h 2 q s - wg rys l i tab! l b) badania pdgrupy A2 A A4 i C2 - wg tab! 2 c) badania pdgr}lpy B C i D - wg tab! d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D - wg tab! 4 Pzstałe pstanwienia - wg BN-80/5-200 Zgłszna przez Naukw-Prdukcyjne Centrum Półprzewdników ' Ustanwina przez Dyrektra Ośrdk!l Badawcz-Rzwjweg Pdstaw Technlgii i Knstrukcji ' Maszyn TEKOMA dnia 15 marca 198 r Jak nrma bwiązująca d dnia 1 października 198 r (Oz Nrm i Miar nr 9/198 pz 18) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" 198 Druk Wyd Nrm W-we Ark wyd 115 Nakl Zam 1916/8 Cena zł 1800

2 2 BN-8/5-202 rabka l Para_try elektryczne sprawdzane w badaniach pdlrupy Al A; A4 i Cl Pdgrupa Rdzaj Kntrlwany badań badania parametr Metda pmiaru wg PN-4/T Warunki pmiaru Jednstka Wartści mm graniczne max A Sprawdzenie pdstaw- CM> ark 05 Uc;=4O 1t=0 wych parametrów elektrycznych U(BRłCO') wg rys 2 h=oo ma t=o U(BRłEBO ark 04 1t=1O JlA 1c=0 na i hm ') 2) ) ark 08 1c=1 A Uct=2 A - B A Spra wdzenie drug- U CE a') ark 06 1c=2 A 1;=02 A rzędnych parametrów elektrycznych USE SQl') ark 06 1c=2 A 1;=02 A /r ark 24 1c=200 ma Uct=1O f=1o MHz MHz C / A4 Spra wdzenie parame- cb ark 05 UcBa=4O 1t=0 trów elektrycznych tamb=155 C w tmb=155 C (pzim i ) pa - 50 C2 Sprawdzenie drug- CCM> ark 22 Uc;=1O 1=1 MHz rzędnych parametrów t ark 41 1c=1 A 1;=50 ma elektrycznych tf! ark 41 Tc=1 A TB=-TBz=50 ma pf JS JS ') Pmiar impulswy: ' 00 ps 6 2 % ') Selekcja w klasach wzmcnienia (A B C) tylk na zamówienie dbircy l) Tranzystry mgą być dbierane w pary na zamówienie dbircy Stsunek statyczneg współczynnika wzmcnienia prądweg dla pary tranzystrów h 2lE1 /h" = aj r-----' :J f80q aw --c:::)-_ u'c to 50Hz ł J 25mH f Q Q5W _H-f ir O{KTtlk dbierany takablj Dtrz!Jl'l4Ć wartć le -250mA t::==-_-ucc b) fe r ala UB/łJCO (lu B-'1ZJ-2 m-i Rys 2 Metda pmiaru napięcia przebicia klektr-emiter U(BRłCEO a) pdstawąwy układ pmiarwy b) scylgram napięć przebicia

3 BN-8/5-202 TabUca Wymalania uc%ekółwe d badaj\ grupy B C D Lp Pdgrupa badań Rdzaj badania Wymagania szczegółwe 2 4 Bl C Sprawdzenie wytrzymałści mechanicznej wyprwadzeń próba Ub metda l jeden cykl zginania Sprawdzenie szczelnści próba Qk pzom nieszczelnści 15 ' lo-s Pa 'dm'/s 2 B Sprawdzenie wytrzymałści na spadki swbdne płżenie tranzystra w czasie spadania: wyprwadzeniami d góry B4 C4 Spra wdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne mcwanie za budwę 4 BS CS Sprawdzenie wytrzymałści na nagłe zmiany temperatury T A =-5S C Ta=15 C 5 B6 C6 Sprawdzenie dprnści na narażenia elektryczne Układ OB wg PN-8/T tabl S tcase=25 C -1=450 ma UcF2 6 C Sprawdzenie masy wyrbu 8 g C4 Sprawdzenie wytrzymałści na przyspieszenia stałe kierunek prbierczy wzdłuż?si wyprwadzeń mcwanie za budwę Sprawdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częsttliwści (dla pzimu jakści 1) """ mcwanie za budwę Sprawdzenie wytrzymałści na wibracje zmiennej częsttliwści (dla pzimu jakści i ) 8 C5 Sprawdzenie wytrzymałści na ciepł lutwania temperatura kąpieli 50 C 9 C Spra wdzenie wytrzymałści na zimn s " mln=-55 C 10 C8 Sprawdzenie wytrzymałści na suche grąc t sl m=15 C CO Spra wdzenie wymiarów wg ry i tabl 12 Dl Sprawdzenie dprnści na niskie ciśnienie atmsferyczne temperatura naraźenia 25 C 1 04 Sprawdzenie wytrzymałści na pleśń brak prstu pleśni p badaniu Sprawdzenie wytrzymałści na mgłę slną płźenie tranzystra dwlne TabUca 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie p badaniach Krupy B C D (pzim Oznaczenie Metda pmia- Warunki Pdgrupa Wartści graniczne literwe ru wg Jednstka pmiaru badań parametru PN-4/T min max e ark 05 Uca=40 B B B4 B5 1=0 C C4 C5 C - 05 C9 D11) B6 C6 JlA C8 C2 2 ) - 50 h21;) ) ark 08 UcF2 ' B B B4 B c= A C C4 C5 A C C9 011) - B B6 C6 C8 C C2') 60 A B ' lo 180 ) C ') W czasie badania ') W czasie ba<jania dprnści na suche grąc - / ') Pmiar impulswy: ' ;;; 00 /AS /} ;;; 2 % ') Badanie w klasach wzmcnienia (A B C) tylk na zamówienie dbircy ') W czasie badania dprnści na zimn " nfrmacje ddatkwl' KONEC

4 4 nfrmacje ddatkwe d BN-8/5-202 NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja pracwujlłca nrmę - Naukw-Prdukcyjne Cen PN-S(T-OS0441 Tranzystry Pmiar czasów przełączania td t" tr)lm Półprzewdników 2 Nrmy zwbtzane PN-8/T-OSS Elementy półprzewdnikwe Ogólne wymagania PN-/E Wyrby elektrtechniczne Próby ś rdwi skwe i badania PN-4/ T-OS0404 Tranzystry Pmiar napięć przebicia UBR }CBO BN-80/S-200 Elementy półprzewdnikwe Tranzystry mcy i U1BR}EBO małej częsttliwści Wymagania i badania PN-4/T-OS040S Tranzystry Pmiar prądów wstecznych CB Symbl wg KTM ilebo BO 54 S PN-4/TS04 06 Tranzystry Pmiar napięć nasycenia Ua sa BO S4A - JlS i U BE sa' metdą impul s wą BO S4B - S PN-4/T Tranzystry Pmiar [h21e] metdą impul swą BO S4C - S PN-4/T-OS0422 Tranzystry Pmiar pjemnści C c Bi CEBO 4 Wartści dpuszczalne - wg tab! - i rys - + -S PN-4/T-OS0424 Tranzystry Pmiar mdułu h 21J ' W zakresie wcz i częsttliwści f T S Dane charakterystyczne - wg tab! 1-2 i rys ts i tf Lp Oznaczenie parametru U CBO Napięcie klektr-baza Nazwa 2 U CEO Napięcie klektr-emiter UEBO Napięcie emiter baza ' 4 l c Prąd klektra S lem Prąd szczytwy klektra 6 ls Prąd bazy TabUca -l parametru PłO t ' Całkwita mc wejściwa na wszystkich elektrdach przy a" ;;; 4S C przy UCE d O d 6 8 l} Temperatura złącza 9 ts" Temperatura przechwywania 10 lamb Temperatura tczenia w czasie pracy Jednstka Wartści dpuszczalne A A 4S A OS W 12S C 15 C C Rezystancja termiczna złą c ze-tczenie RJj-a ;;; 5 C/ W Rezystancja termiczna złącze-budwa R Jj_ ;;; 104 C/W Ptt W] ( f O g 8 6 i- 5 " 2 1 O f\ :\ 1\ fo l \ \ 15 \ 20 : ' J(J 40!!! '\ : i 1-- : : O rj 4 t'} 6 \ r-\ tf"' l\ - Rthi-a "- - l""- f W _ 120 #1'0 160 t::' C] tambl"c] Rys -l Zależnść N-il/Si" -$' temperaturwa mcy strat d temperatury p=fll) )

5 fit [W} e laj 1( len 4 2 fof H: 0 Q6 as d4 a a2 at "' "' ""'" '\" W1 -t--t--t--t-t u " " r jlu t9 < "' "''' 1""'1\- _ - ":"" ''''ę:-----"-- "0 '< ' ' "'" "'\ \ \ \ "\ " \ "l':\::'\ '\ \\ \ 1\ r--t---t---+-+"-4-"'\'\ \ \ \ -+r--+-4' ' i\\" '- '_1 1 " "\ \' ' tca 45-C " ""\ i\ \ - \ \ 2 " '\ \ \ \ \ \ \ \ -(faca c "" ' - - tarzalna ptaca mpuls0w4 " 'i\ \ "i\ =aał t \ \ NN\J l 89r f f02 (JaM BN-8m$-n02 -r- fłt t ac w O 1 / " f-os / v# --- W () / / / -- / : _ tc4s1(f5oc tp : : : Q! l r l- T ł - - p/$l - '" O' "' P P O> g cle w / w t" '" BN-aatU-S202r-'1 Rys 1-2 Obszar bezpiecznej pracy tranzystra Rys 1- Rezystancja termiczna tranzystrów przy pracy impulswej

6 6 nfrmacje ddatkwe d BN-8/S-202 tcase 45 C 5r r=--_ g f1sb r """ Jpa 1 '" 06 " 10-2 w ' lin_iłlun lin-ap' t5-rt 0'1-%-41 Rys 1-4 Mntnik prądwy pszerzenia bszaru bezpiecznej pracy (SOAR) dla pracy iinpulswej w funkcji parametrów impulsu MSBv=f{lp ) p - T - parametr Rys 1-5 Mntnik napięciwy pszerzenia bszaru bezpiecznej pracy (SOAR) dla praey impulswej w funkcji parametrów impulsu MSBr = f{l p ) 'p - - parametr T Tablea l-z WartŚci Oznaczenie Jedn- Lp Nazwa parametru Warunki pmiaru parametru parametru stka mm typ max ! CBO Prąd zerwy klektra Uc;=4O 1=0 \la - -!OO l U1BR)CBO Napięcie przebicia klektr-baza 1c=100 pa 1= U1BR)CEO ) Napięcie przebicia klektr-emiter 1c=OO ma 1= UBREBO Napięcie przebicia emiter-baza 1=10 pa 1c= h2lł!) ') Statyczna wartść współczynnika Uc=2 c=o1 A A wzmcnienia prądweg w układzie - B wspólneg emitera C Uc=2 c= A A B C!OO Uc=5 1c=2 A A B C UCE 1) Napięcie nasycenia klektr-emiter 1c=2 A 1;=02 A Uu 1) Napięcie nasycenia baza-emiter 1c=2 A 1;=02 A fr Czc;sttli wść graniczna Uc=1O 1c=200 ma MHz /=10 MHz 9 CCBO Pjemnść złącza klektra Uc;=O /=1 MHz pf Czas włączania 1c=1 A 1!F50 ma ps laf! Czas wyłączania 1c=1 A181=-B=50 ma ps ') Pmiar impulswy: p ;; 00 JJS; 6 ;; 2 % ') Selekcja na klasy wzmcnienia (A B C) raz dbieranie w pary 2BD S4 lub pary kmplementarne BD 54/BD 55 tylk na zamówienie dbircy

7 nfrmacje ddatkwe d BN-8/5-202 UCE[] OmA le [ty "'" '0 tamb25dc l"" 22mA - ZOmA - - lbma t6ma' t4ma f2ma toma ljma a6ma O4mA [s Q2mA Ucd] 20 BN-a/ BN -8/5 - ' Rys 1-6 Prąd klektra w funkcji napięcia klektr-emiter lc=j{uce) Rys 1- Prąd klektra w funkcji napięcia klektr-emiter lc=j{uce) l B parametr l B parametr 15 \ E '- ;- "'" _ tambl' l "'1 ef 2 "" '\ Q5 l\ BD54A \ \ 8DJ54C al f lcfa] SN-9/S Rys 1-8 Współczynnik wzmcnienia prądweg w funkcji prądu klektra t5 ao h 21E ---- =j{lc) h2lt(/= A) OJ U B J4t /:--10 UeE 5at - łamó 25 C 1/ / /" f / /" BN - 8/15-2 OZ-t-Si Rys 1-9 Napięcie nasycenia w funkcji prądu klektra UCE arj{ e) U BE arj{lc)

Podobne dokumenty

BRANŻOWA. Tranzystory typu BF 182, BF 183

BRANŻOWA. Tranzystory typu BF 182, BF 183 UKD 62182 N O R M A BRANŻOWA BN8 ELEMENTY 75;105 PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystry typu BF 182 BF 18 Grupa katalgwa 192 L Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są szczegółwe wymagania dtyczące krzemwych tranzystrów npn