BRANŻOWA. Tranzystory BC 313 i BC 313A. Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. Symbol wymiaru A a - 5,08' ) o b 3 - -
|
|
- Feliks Sławomir Bednarski
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 UKD ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE N O R M A typu BRANŻOWA Tranzystry BC 313 i BC 313A BNBO Grupa katalgwa 1923 I l. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są krzemwe epitaksjalnplanarne tranzystry małej mcy małej częsttliwści typu BC 313 i BC 313A w budwie metalwej d zastswań pwszechneg użytku raz w urządzeniach w których wymaga się zastswania elementów wyskiej i bardz wyskiej jakści. zgdnie z kreśleniami wg PN78/T Tranzystry przeznaczne są d pracy w układach przełączających średniej mcy średniej szybkści i wzmacniaczach małej częsttliwści dchylania pzimeg OTV w stpniach wyjściwych wzmacniaczy mcy d 3 W raz w stpniach sterujących wzmacniaczy HiFi. Tranzystry BC 313 i BC 313A są kmplementarne d tranzystrów BC 211 i BC 211A. Kategria klimatyczna wg PN73/E04550 dla tranzystrów : standardwej jakści (pzim jakści. I) 40/125/04 wyskiej jakści (pzim jakści III) 40/125/ 21 bardz wyskiej jakści (pzim jakści IV) 40/125/ Przykład znaczenia tranzystrów a) standardwej jakści: TRANZYSTOR Be 3 3 BN80/ /125/04 b) wyskiej jakści: TRANZYSTOR Be 33/3 BN80/ Q4 40/ c) bardz 'Wyskiej jakści: TRANZYSTOR Be 313/4 BN80/ /125/56 3. Cechwanie tranzystrów pwinn zawierać nazwę prducenta raz "znaczenie typu (pdtypu). Pnadt tranzystry wyskiej jakści pwinny być znakwane cyfrą 3 a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrą 4 umieszczną p znaczeniu typu. 4. Wymiary i znaczenie wyprwadzeń tranzystra wg rysunku i tab. l. Elementy budwy wg PN72/T01503: ark. 53 budwa C4 ark. 23 pdstawa' B4C. budwy stswane przez prducenta CE f.. I.+ & " A l!. L... 80/ Klektr (C) tranzystra jest płączny elektrycznie z budwą. Symbl wymiaru mm A 6.1 Tablica l Wymiary. mm nm a 508' ) b 3 0D 864 D 801 F j ') k 074 I Ci f3 ') Wymiar teretyczny. max Kąt nm ') 90') Zgłszna przez NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników Ustanwina przez Naczelneg Dyrektra Zjednczenia Przemysłu Pdzespłów i Materiałów Elektrnicznych. UNITRAELEKTRON dnia 28 października '1980 r. jak nrma bwiązująca d dnia 1 lipca 1981 r. (Dz. Nrm. i Miar nr 28/1980 pz. 113) WYDAWNICTWA NORMALIZACYJNE Druk. Wyd. Nrm. Wwa. Ark. wyd. 110 Nakł Zam. 13/81 Cena zł 720
2 2 BN80/ S. Badania w grupie A B C i D wg BN p Wymagania szczegółwe d badań grupy A B C id a) badania pdgrupy Al sprawdzenie wymiarów: D Dl A l wg rysunku i tabl. l b) badania pdgrupy A2 sprawdzenie pdstaw. wych parametrów elektrycznych wg tabl. 2 c) badania pdgrupy A3 sprawdzenie drugrzędnych parametrów elektrycznych wg tabl. 3 d) badania pdgrupy A4 sprawdzenie parametrów elektrycznych w t""i> = 125 C (pzim III i IV) wg tabl. 4 e) badania pdgrupy BI i CI sprawdzenie wytrzymałści mechanicznej wyprwadzeń: próba Ub metda 2 25 N 3 cykle próba.ual 5 N; sprawdzenie szczelnści: próba Qk pzim nieszczelnści Pa'dm 3 /s O badania pdgrupy B3 i C9 sprawdzenie wytrzymałści na spadki swbdne: płżenie tranzystra w czasie spadania wyprwadzeniami d góry g) badania pdgrupy B4 sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne: mcwania za budwę h) badania pdgrupy B6 i C6 sprawdzenie dprnści na narażenia elektryczne: układ OB wg PN78/T O 1515 tabl. 7 tamh = 25 C fe =. 30 ma UCB = 27 V dla BC 313 raz h = 20 ma UCB = = 40 V dla BC 313A i) badąnia pdgrupy C2 sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl. 3 j) badania pdgrupy C3 sprawdzenie masy wyrbu: 11 g k) badania pdgrupy C4 sprawdzenie wytrzymałści na przyspieszenie stałe: kierunek prbierczy bydwa kierunki wzdłuż si wyprwadzeń mcwanie za budwę; sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne: mcwanie za budwę; sprawdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częsttliwści: mcwanie za budwę I) badania pdgrupy CIO sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl. I m) badania pdgrupy Dl (pzim III i IV) sprawdzenie dprnści na niskie ciśnienie atmsferyczne: temperatura narażania 25 C n) badanie pdgrupy D4 sprawdzenie wytrzymałści na pleśń: p badaniu brak prstu pleśni ) badanie pdgrupy D5 _. sprawdzenie wytrzymałści na mgłę slną: płżeni e tranzystra dwlne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D wg tabl Pzstałe pstanwienia wg BN80/ Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A2 (pzim I II III IV) literwe parametru / Wartśc i gramczne p mia ru wg Warunki pmiaru J ednstka BC 313 BC 313A PN74/T01504 m 111 max mlll max Mtda I g 9 I las ark. 09 U CE = 40 V U CE = 60 V na U1BRI C H() ark. 04 le = 100 J.lA h=o V 60 ' 80 3 U1BR) CW l) ark. 07 le = 30 ma lc= O V U 1BR ) CBO ark. 04 h = 100 J.lA V 5 5 lc= O 5 h ' IE 2) ark. O I le = 150 ma U CE = 2 V ki ki ki h 21 E(1) 2) ark. Ol le = 150 ma U CE = 2 V h IEI2 ).. l) Pmiar impulswy: /" :;; 300 fls: :;; 2%. 2) Selekcja na klasy wzmcnienia (b ) raz dbieranie w pary tylk na życzenie c;xlbircy
3 'BN80/337S Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A3. C2 (pzim I II III i IV) literwe parametru Wartści gramczne Metdtla pmiaru wg Warunki pmiaru Jednstka BC 313 BC 313A PN74/T min max mm max I I h21e l) ark. 08 le = 500 ma U CE = 2 V UCE sal l) ark. 06 le = I A l. = 0 1 A V /T ark. 24 le = 50 ma U CE = 10 V MHz f = 50 MHz 4 CeB ark. 22 U CE = lov h=o pf f= I MHz ') Pmiar impulswy: l" 300 s ; { 2%. Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A4 (pzim III IV) Wartści gramczne. Metda pmiaru p. literwe wg Warunki pmiaru Jednstka BC 313 BC 313A parametru PN74/T mm max mm max " 1 ICES ark. 09 Un = 40 V tamb = 125 C!lA 20 U CE = 60 V ".." IJ<. R'E = O 20 l amb = 125 C Tablica 5. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie I p badaniach grupy B C i D (pzim I II III IV) Wartści gramczne Metda pmiaru Warul1ki literwe wg Pdgrupa badań Jednstka BC 313 BC 313A pmiaru parametru PN74/T01504 mm max mm max Icu ark. 09 Va = 40 V BI B3 B4 85 CI. R.! = O C2 C4 C5 C7 C9 Dl') Ua = 60 V Ua = 40 V R'E = O Ua = 60 V B6 C6 CS na U CE = 40 V C2'). U CE = 60 V!lA 20 20
4 4 BN80/ cd. tabl. 5 iterwe parametru Wartści graniczne Metda pmiaru. Warunki " wg Pdgrupa badań Jednstka BC 313 BC 313A pmiaru PN74/Tł604 mm max mm max I h21e ark. Ol Ic = 150 ma BI B3 B4 B5 CI U CE = C2 C4 C5 C7; C9 ki = 2 V Dl I) ki ki B6 C6 C ki ki ki C2 I) ki ki ki. 16 J I) W czasie badania. KONI. EC INFORMACJE DODATKOWE I. Instytucja pracwująca nrmę NaukwPrdukcyjne Cen 'trum Półprzewdnik ó w. 2. Nrmy związane. PN73 / E4550 Wyrby elektrtechniczne. Próby śrdwiskwe PN72/T Elementy półprzewdnikwe. Zarys wymiary. Pdstawa B4 PN72/T Elementy półprzewdnikwe. Zarys wymiary. Obudwa C4 PN74/T Tranzystry. Pmiar h)ie i napięci a U HE PN74/T Tranzystry. POl)1iar napięć przebicia UIBRICBO i U IBR I EBO PN 74/ T Tranzystry. Pmiar napięć nasycenia U CE i UBE sa' metdą impul swą PN74/ T Tranzystry. Pmiar napięć przebicia U IBRI CEO U(BRI' CER U l SRI CES Ul BN) CEl: m e tdą impulswą PN74/T Tranzystry. Pmiar hm' metdą impulswą PN75/TI Tranzyśtry. Pmiar prądów resztkwych lcer. lces lcev i prądu zerweg lew PN74/ T Tranzystry. Pmiar pj e mnśc i C CHO i CEB. PN74/T Tranzystry. Pmiar mdułu I h 2" I w zakresie w.cz. i częsttliwści /T PN78/T1515. Elementy półprzewdnikwe. Ogólne wymagania i badania B80/ Elementy półprzewdnikwe. Tranzystry małej mcy malej c zęsttliwści. Wymagania i badania 3. Nrmy zagraniczne RWPG CT C3B TpaH3HcTpbl THnOB BC 313 H BC 313A nrma zgdna. 4. Symble K'FM tranzystrów: BC BC 313A / Wartści dpuszczalne wg tabl. II i rys. I L.. parametru Nazwa parametru Tablica Il Jednstka Wartści BC 313 dpuszczalne I I UCBO napięci e stałe między klektrem a bazą f BC 313A V l' UCEU napięcie stałe między klektrem a emiterem V UEBO napięcie stałe między emiterem a bazą V le prąd stały klektra A I I.. 5 IB prąd stały bazy A O I 01
5 Infrmacje ddiukwe d BN80/ cd. tab. II parametru I 2 6 POI 7 Ij 8 Igmb 9 1 st Nazwa parametru Jednstka " " 3 4 <:ałkwita mc wejściwa (stała lub średnia) na wszystkich lłlmb 25 (' W elektrdach przy: 1««25 C W temperatura tempera tura temperatura złącza tczenia w czasie pracy przechwywania C C C Wartśc i dpuszczalne BC 313 BC 313A 5 6 OI! " Rezystancja termiczna złącze tczenie Rh j_u 187 KIW Rezystancja :amiczna złącze budwa Rh j _ 35 KIW 3 I U li Z; 7 Z/I Z l t' '5 5 U DJ ts... O lo 4ł 1... r r r. 'f I: 11 at 313 BC3UA 1 "... r... II 50.!lO UD '40 W[HDD I Bii8D/3:rT530.DN1I Rys. li. Zależnść temperaturwa mcy strat d temperatury p"" = lu)
6 6 Infrmacje ddatkwe d BN80/ Dane charakterystyczne wg tab. 12 i rys. 12 : 16. TabUca IZ Typ parametru Nazwa parametru Warunki pmiaru Jednstka BC 313 BC 313A. mm typ max 'min typ max U('II) el na pięcie przebicia le = 100 j.1a V klektr baza h=o 2 U(BII) eeo l) napic;cie przebicia le = 30 ma V klektr emiter '1. = O 3 U(BR) EBO napięcie przebicia le = 100 j.1a emiter baza. le = O 4 ICEs prąd resztkwy k UCE = 40 V lektra UCE = 60 V V 5 5 na h2le 2) statyczny współ le = ISO ma czynnik wzmcnie Ola prądweg w UeE = 2 V 1 kl układ1:ie wsp6lneg ki emitera ki h2le l) le = 500 ma UeE =' 2 V czynnika UCE = 2 V 7 h2lell) 2) stsunek wsp6ł le = 150 ma wzmcnienia prądweg h2lel2 dwóch tranzystrów twrzących parę 8 UCE.łlll l) napięcie nasycenia le = 1 A V klektr emiter IB = 01 A 9 fr cllisttliwść gra le = 50 ma niczna UeE = IOV MHz f = 50 MHz 10 CeB pjemnść klektr UCE = IOV baza h=o pf f= 1 MHz 11 CElO pjemnść UEB = 05 V emiter baza le = O pf f= 1 MHz 12 tn czas włączania le = 100 ma h = 5 ma ns tf! czas wyłączania le = 100 ma 'IBl = 5 ma ' ns In = 5 ma l) Pmiar impulswy: t p.;;; ;;; 2%. 2) Selekcję na klasy wzmcnienia (6 lo 16) raz dbieranie w pary (2 X BC 3/3; 2 X BC 313A; BC 211/BC 313; BC 211A1BC JI3A) wyknuje się tylk na tyczenie dbircy.
7 Infrmacje ddatkwe d BN80/ t AJ lu s I "' If J 'I "I t..:25 C '"' Be 313 at 31lA ZOl hzl' Be 31l at l13a I T t.. =25"' IIlV Sy 'f/"""'" "Y " " I' 3 OD 'III z OD l ID.. J.liliA 10 to 30 Un [vj / Rys. 12. Charakterystyka wyjściwa l = j{u CE ) I. parametr 10 l ł 10 IBN80/33753D Rys. 14. Zależnść statyczneg współczynnika wzmcnienia prądweg d prądu klektra hm = luc) Be 313 at 313 Ą tqii zsc f. = USBnł 05 UtEQ.t 10 I 10 1 IB"80/ Rys. 15. Zależnść n ap I ęcia nasycenia d prądu klektra U : "" U BE"" = luc) 10 z ICES In (na] 10 ae l13 Be lila 1Ic.=40V Uus=40V Q rj'... IJ 'I Cm [pf] BI: B Bt 13A 1 tnlnb'2s"t IJ V' ZII O 1 '" 10" O 100 IBN80/a Z to IZ UtBj UEB [vj ZO IS"80/ Rys. 13. Zależnść temperaturwa prądów zerwych I'ES ICIJtl = /( ) Rys. 16. Zależnść p jemnśc i Zl'lczy d napięcia CEBO = fi U EHO ). CC8" =.fi U es)
BRANŻOWA. Tranzystory typu BF 182, BF 183
UKD 62182 N O R M A BRANŻOWA BN8 ELEMENTY 75;105 PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystry typu BF 182 BF 18 Grupa katalgwa 192 L Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są szczegółwe wymagania dtyczące krzemwych tranzystrów npn
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Elementy półprzewodnikowe T ranzysłory BUYP 52, BUYP 53, BUYP 54. zastosowań
UKD 6282 LMNTY PODZSPOt Y LKTRONZN NORM BRNŻOW BNSO lementy półprzewdnikwe 7520 T ranzysłry BUYP 52 BUYP 5 BUYP 54 Zamiast BN 72/75 606 Grupa katalgwa 92 Przedmit nrmy Przedmitem nrmy s szczegółwe wymagania
Bardziej szczegółowoBN PÓŁPRZEWODNI KOWE
UKO 62182! ELEMENTY PÓŁPRZEWODN KOWE N O R M A BRANZOWA Tranzystry typu BO 54 BN-8 5-202 Grupa katalgwa 192 l Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są szczegółwe wymagania dtyczące krzemwych tranzystrów 'n-p-n
Bardziej szczegółowoBN-BB. BO 650 Grupa katalogowa Tranzystory typu /24. r [2. r N O R M A B R A N Ż O WA I BN-S8/ Ą-1I .-- ' M '\ -, "~,o N
UKD 6.38.3 N O R M A B R A N Ż O A BNBB Tranzystry typu 33753/4 PRZYRZĄDY PóŁPRZEODNKOE BO 644 BO 646 BO 648 BO 650 Grupa katalgwa 93. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są szczególwe wymagania dtyczące krz.mwych
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Diody typu BB 104, BB 104B, BB 104G. typu. epiplanarnę. wysokiej jakości. Diody wysokiej jakości powinny być znakowane.
UKD 621822 ELEMENTY PÓŁPZEWODNKOWE NOMA BANŻOWA Didy typu BB 10 BB 10B BB 10G BN81 702 Grupa katalgwa 192 1 Przedmit nrmy Przedmitem nrmy sę szczegółwe wymagania i badania dtyczęce krzemwych pdwójnych
Bardziej szczegółowoT ranzysłory typu Be 147, Be 148, Be 149
UKD 6 8 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE NORMA BRAN.żOWA c c T ranzysłry typu Be 7 Be 8 Be 9 BN8 750.05 Grupa katalgwa 9. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy sę szczegół we wymagania dtyczęce krzemwych tranzystrów
Bardziej szczegółowoNORMA BRANtOWA. T ranzysłory BF 257, BF 258, BF Tranzystory przeznaczone sę do pracy we wzmacniaczach
UKD 621.382.3 LMNTY PÓŁPRZWODNKOW NORMA BRANtOWA T ranzysłry BF 257 BF 258 BF 259 BN80 337531.01 Grupa katagwa 1923 PrzeÓ11it nrmy PrzeÓ11item nrmy sę krzemwe panarne tranzystry npn wysknapiędwe małej
Bardziej szczegółowoUKD , I 1403P 1401P, ' dane,: , ' d) datę produkcji. dla, wyrobów mających nadany znak. jakości Q.
UKD 61804977 MKROUKŁADY SCALONE ' NORMA BRANŻOWA Układy scalne typu UL 1401P UL 140P UL 140P BNBB 75910 ' Grupa katalgwa 195 1 Przedmit nrmv Przedmiem nrlny są mnlitycz ne biplarne analgwe układy scalne
Bardziej szczegółowoUkłady scalone typu UL 1482K UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1482K. Przeznaczone. powszechnego UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1482K /3.
UKD 621 38209 77 N O R M A BRANŻOWA Układy scalne typu UL 182K BNBB MłKROUKŁADY 337539/11 SCALONE Grupa katalgwa 1925 1 Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są mnlityczne biplarne analgwe układy scalne typu UL
Bardziej szczegółowor-! i, b -" I, B' C E e,
UKD 62 1.382.3 O R M A BRAŻOA B8? ELEMETY Tranzystry 337532/22 PÓŁPRZEODKOE typu SDP 280 SDP 282 SDP 284 SDP 286 Grupa kata lgwa 1923 1. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są szczegó Oznaczenie budwy stswane
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Układy scalone cyfrowe układów: _ podwy:tszonej jakości (poziom jakości II) - 00/070/10,
UKD 621 3804977 MKROUKŁADY SCALONE NORMA BRANŻOWA BN-81 Układy scalne cyfrwe 3375-52.04 Układy typu UCY 7401N i UCY 7403N, Grupa katalgwa 1925 Kategria ki ima tyczna - wg PN-73/E-04550. 00 dla układów:
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.
UKD 621 3204977 N ORM A BRANŻOWA MKROUKlADY U kłady scalne SCALONE typu UL 7741 N BNBB 337539/12 Grupa katalgwa 1925 l Przedmit nrmy: Przedmitem nrmy są mnlityczne analgwe układy scalne typu UL 7741N Uklady
Bardziej szczegółowoDiody typu BAVP17, BAVP18, BAVP19, BAVP20, BAVP21
UKD 6213822. ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE NORMA BRANŻOWA Didy typu BAVP17 BAVP18 BAVP20 BN81 337529.02 Grupa katalgwa 1923 1. Przedmit nrmy. Przedm item nrmy sę szczegółwe wymagania dtyczce miniaturwych krzetlwych
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. Układy scalone. typu /09 UL 1490N, UL 1495N, UL 1496K, UL 1497K, UL 1498K, UL 1496R, UL 1497R, UL 1498R
UKD 61 804977 MKROUKŁADY SCALONE N O R M A BRANŻOWA BNBB Układy scalne typu 75909 UL 1490N UL 1495N UL 1496K UL 1497K UL 1498K UL 1496R UL 1497R UL 1498R Grupa katalgwa 195 1 Przedmit nrmy Przedmitem nrmy
Bardziej szczegółowoWymagania i badania Grupa katalogowa arkusza szczegółowego. P P
UKD 6138 ELEMENTY PÓŁPRZEOON KOE BN83 Elementy półprzewdnikwe 33753/00 N O R M A BRANŻOA Tyrystry mcy. dchylania pzimeg układów ymagania i badania Grupa katalgwa 193 1. STElP 3.3. Cechwanie wg PN78jT01515
Bardziej szczegółowoBN oqu cc. Układy typu UCY 7437N, UCY 7438N i UCY 7440N 4M2 4Y 38 JA JY NORMA BRANŻOWA. MIKROUKlADY SCALONE. fooq.
UKD 621. 382 049. 77 MKROUKlADY SCALONE NORMA BRANŻOWA BN81 Układy scalne cyfrwe 337552.02 Układy typu UCY 7437N UCY 7438N i UCY 7440N Grupa ka/algwa t 925 l. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy sę szczegółwe
Bardziej szczegółowoKolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -
UKO 621.382.3 NORMA BRANŻOWA BNBO ELEMENTY Tranzystory 337530.03 PÓŁPRZEWOON. KOWE typu BC 211 BC 211A Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe epitaksjalnoplanarne tranzystory
Bardziej szczegółowoTranzystory typu BDP 279, BDP 281, BDP 283, BDP 285
UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystry typu BDP 279 BDP 281 BDP 283 BDP 285 BN87 337532/23 Grupa katalgwa 1923 1. Przedm it nrm:i... P rzedmitem nrmy sę krzemwe z epi t aksj
Bardziej szczegółowo"- '""'"I ~,~ ~. ~ ~ I BN T ranzystory typu BF 194 i BF ~ e ~ E B' C IBN b1 ~ I I I NORMA BRANŻOWA
UKO 61383 ELEMENTY POLPRZEWODNKOWE NORMA BRANŻOWA T ranzystry typu BF 19 i BF 195 BN81 3375310 r Grupa kala!gwa 193 l Przedmit nrmy Przedmitem nrmy Sil szczeg6łwe wymagania dtyczfce tranzystrów krzemwych
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -
UKD 621 382.2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Diody typu BA 182 i BA 152P BN-81 3375-29.01 Grupa katalogowa 1923 l. Przedmiot nonny. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania i badania dotyczące
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Elementy półprzewodnikowe. częstotliwości, 3.7. Wymagania niezawodnościowe - wg PN-78jT-OISIS. p. 3.7.
UKD 61383 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE NORMA BRANŻOWA BNBO Elementy półprzewdnikwe 3375300 T ranzystry mcy małei częsttliwści Wymagania i badani Zamiast BN75/3375 300 Grupa katalgwa j 93 1 WSTĘP 1 1 Przedmit
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. 2. Pr zykład oznaczenia tyrystorów. a) standardowej j a kości: 3. Cechowanie tyrystorów powinno zawierać następujące
UKD 6.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BN3 Elementy półprzewdnikwe 33730 Tyrystry typu BTP. BTP 9 Grupa katalgwa 93 l.. Przedmit nrmy. 'Przedmitem nrmy są krzemwe mnlitycznie zintegrwane z
Bardziej szczegółowoBN-81. Stabilistory. Wymagania i badania. NORMA 8RANtOWA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe PÓŁPRZEWODNIKOWE
UKD 61.387.3. NORMA 8RANtOWA '. ~ BN81 ELEMENTY Elementy półprzewdnikwe 337536.00 PÓŁPRZEWODNKOWE Stabilistry Wymagania i Zamiast BN 77 /3375 36.00 Grupa katalgwa 193 1. WSTĘP 1. " Przeanit nrmy Przeanltem
Bardziej szczegółowo., 1) lnymiar teoretyczny. '
UKD 62.382.3 LMNTY PÓŁPRZWODNKOW N O R M A BRANŻOWA Tranzystry typu BF 97 BNB7 33753/0 Grupa katagwa 923. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy sę szczegółwe wymagania dtyczęce tranzystrów krzemwych np_n małej
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04
UKD 6213823 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N ORMA Trańzystory BF 458 BRANŻOWA typu. BF 457. BF 459. BN-83 3375-31/07 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe planarne tranzystory
Bardziej szczegółowoTranzystory. typu, BF 240 I BF 241
UKD 621 3823 ELEMENTY PÓŁ~RZEWODN'KOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BF 240 BF 241 BN83 337531/06 / Grupa katalogowa 1923 ł Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemo we epitaksjalnoplanarne tranzystory
Bardziej szczegółowoUkłady, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy
UKD 621 382 04977 N O R M A BRANŻOWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UL 1111 N BNBB 337539/07 Grupa katalogowa 1925 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy sę monolityczne bipolarne analogowe układy
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -
UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BC 337, BC 33B BN-B7 3375-30/09 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoI I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY
UKD 621 3822'621.. 387.3232 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 3375-36/02 ELEMENTY Stabilistory typu BZP 6. PÓŁPRZEWODNIKOWE Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30
UKD 61.38.3 N O R M A BRANŻOWA BN-B7 ELEMENTY 3375-31/09 PÓŁPRZEWODN KOWE Tranzystory typu BF 196 Grupa katalogowa 193 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące tranzystorów
Bardziej szczegółowoBN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:
UKD 621.38.049.77 MKROUKlADY SCALONE N O R M A BRANŻOWA Układy scalone typu UL 1601 N BN-83 337-39/04 Grupa katalogowa 192 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są monolityczne bipolarne, analogowe układy
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA. Urządzenia. klinowe BN-74/ Zespoły. 5. Mater i ał. Klin l, płyta wsporcza?, ):>rzetyczka 3-
UKD 69101564 ŚRODK TRANSPORTU WODNEGO URZĄDZENA PŁYWAJĄCE N O R M A Urządzenia Zespły BRANŻOWA ktwiczne BN-8 378-03 Zamiast klinwe BN-74/ 378-03 Grupa katalgwa 0546 l Przedmit nrmy Przedmi tem nrmy s zespły
Bardziej szczegółowoBAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61
UKD 6213822 N O R M A BRANŻOWA BN-83 ELEMENTY 33-290 PÓŁPRZEWODNKOWE Diody typu BAP 61 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące miniaturowych, krzemowych
Bardziej szczegółowoBN-B6. Transoptory. Wymagania i badania Grupa katalogowa wg tab!. 5. N O R M A BRANŻOWA. ELEMENTY Elementy optoelektroniczne /01
UKD 621.382 N O R M A BRANŻOWA BNB6 ELEMENTY Elementy ptelektrniczne 337550/01 PÓŁPRZEWODN KOWE J Transptry Wymagania i badania Grupa katalgwa 1923 1. WSTĘP 1.1. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są wymagania
Bardziej szczegółowoP94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE
UlW 62 382 2 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA \ BN83 Dio9Y typu: BA P 94 33752906 BAP 94A BAP 95 BAP 95A Grupa katalogowa 923 _ l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoOpis i zakres czynności sprzątania obiektów Gdyńskiego Centrum Sportu
O p i s i z a k r e s c z y n n o c is p r z» t a n i a o b i e k t ó w G d y s k i e g o C e n t r u m S p o r t u I S t a d i o n p i ł k a r s k i w G d y n i I A S p r z» t a n i e p r z e d m e c
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Aparaty typu zbiornikowego. Wymiary KONIEC INFORMACJE DODATKOWE
KD 66.023 APARATURA ORMA BRAŻOWA B-64 Aparaty typu zbirnikweg 2222-02 CHEMCZA Dna stżkwe z wybleniem Wymiary Grupa kalalgwa 0447 1. Przedmit n Przedmitem nrmy są wymiary den stżkvvych z wybleniem średnicach
Bardziej szczegółowoBN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY
UKD 621 3823 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY 337530/08 " Tranzystory PÓŁPRZEWODN KOWE typu Be 307, Be 308, Be 309 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowoUKD : SWW NORMA BRANŻOWA 1. WSTEP
UKD 621.32.2:621.3.04 SWW 1156 1 ORMA BRAŻOWA B75 33752 ELEMETY Didy sygnałwe Arkusz 00 PÓŁPRZEWODKOWE Wymagania i badania Pstanwienia gólne Grupa katalgwa XX 23 1. WSTEP 1.1. Przedmit n0'l!!l. Przedmitem
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoBN-81 3375-39.01 UL 1403L I UL 1405L
UKD 21,82.09. N O R M A BRANŻOWA BN-81 Układy scalone analogowe 5-9.01 MKROUKŁADY SCALONE Układy typu UL 101L, UL 102L, UL 10L UL 105L Grupa katalogc Na 1925 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe
Bardziej szczegółowoBRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l
UKO 621 3194 N O R M A BRANŻOWA BN87 ELEMENTY Kondensatory papierowe 328108 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH hermetyczne KH Zamiast napięcia stałego BN80/328108 Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP 11 Przedmiot normy
Bardziej szczegółowoKondensatory elektrolityczne
UKD 621.319.45 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328150 URZĄDZEŃ ELEKTRONICZNYCH aluminiowe niebiegunowe Odmiany BPU, BPE, BPT Grupa katalogowa 1921 l. WSTĘP 1.1. Przedmiot
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów Rozdział 3. Przedmiot zamówienia
Z n a k s p r a w y G O S I R D Z P I 2 7 1 0 1 0 2 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f S p r z» t a n i e i u t r z y m a n i e c z y s t o c i g d y
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.
Bardziej szczegółowoS I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ
i 8 M S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ PA5fII$ STAIA ROM 4K MCY 7304N XX^ Rys. lo Obudowa CE-73 dla MCY 7304N XX Pamięć MCY 7304N XX3&'> jest statyczną pamięcią stałą ROM 4096-bitową, o organizacji
Bardziej szczegółowoI I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:
UKD 621 3823 PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BNB8 Tranzystory typu 337532/25 BDP 392 BDP 394 BDP 396 Grupa katalogowa 1923 i Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczególo: we wymagania dotyczące
Bardziej szczegółowo, , , , 0
S T E R O W N I K G R E E N M I L L A Q U A S Y S T E M 2 4 V 4 S E K C J I G B 6 9 6 4 C, 8 S E K C J I G B 6 9 6 8 C I n s t r u k c j a i n s t a l a c j i i o b s ł u g i P r z e d r o z p o c z ę
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.
Z n a k s p r a w y G O S I R D Z P I 2 7 1 03 3 2 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f U d o s t p n i e n i e t e l e b i m ó w i n a g ł o n i e n i
Bardziej szczegółowoz.awi:esia linowe nośne z sercówką samozaciskową. oo TRANSPORTU. ~, :::::::._----Jr~ ci. Naczynia Wyciągowe A-A.
UKD 6226736/7:621 86 078 :N O R M A B :R A N t O W A BNa MASZYNY URZĄDZENIA TRANSPORTU Nazynia Wyiągwe zawi:esia inwe nśne z sercówką samzaiskwą 172712 Zamiast BN77 /172712 Gr"pa katagwa 0441 Przedmit
Bardziej szczegółowoI n f o r m a c j e n a t e m a t p o d m i o t u k t ó r e m u z a m a w i a j» c y p o w i e r z y łk p o w i e r z y l i p r o w a d z e p o s t p
A d r e s s t r o n y i n t e r n e t o w e j, n a k t ó r e j z a m i e s z c z o n a b d z i e s p e c y f i k a c j a i s t o t n y c h w a r u n k ó w z a m ó w i e n i a ( j e e ld io t y c z y )
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów
Z n a k s p r a w y G C S D Z P I 2 7 1 01 82 0 1 5 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A P r o m o c j a G m i n y M i a s t a G d y n i a p r z e z z e s p óp
Bardziej szczegółowoCzujnik Rezystancyjny
Czujnik Rezystancyjny kmpaktwy ze złączem M, Typ TOPSPTM Karta katalgwa TOPSPTM, Edycja 0 Zastswanie Budwa zbirników Instalacje prcesów technlgicznych we wszystkich gałęziach przemysłu Budwa maszyn Instalacje
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. UL 1621N. zastosowanip. układów o wysokiej j akości i bardzo wysokiej. l621n. jakości wg PN-78/T-016l5.
UKD 621 382 049 77 N O R M A BRANŻOA BNBB 337539/13 MKROUKŁADY U kłady scalne typu SCALONE UL 1621N Grupa katalgwa 1925 1 Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są mnlityczne biplarne analgwe układy scalne typu
Bardziej szczegółowoK R Ó L O W I E PD Ż N I IPWP.P K J S O L D U N G O W I E P 1 0
1 0 A Królowie Danii K J O L D U N G O W I E. S K J O L D U N G O W I E. E S T R Y D S E N O W I E K R Ó L O W I E D Ż N I IW. S. U N IŻ KŻ L MŻ R S KŻ. O L D E N B U R G O W I E. G L Ü C K S B U R G O
Bardziej szczegółowoNORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/
UKD 621.385 SWW 1155111 LAMPY ELEKTRONOWE NORMA BRANŻOWA BN75 337105 Lampy elektronouje Zamiast typu EY88 i PY88 BN 68/337105 Grupa katalogowa XIX 22 I. Przedmiot normy. Przedmiotem nol'my :są diody usprawni.ające
Bardziej szczegółowo3. Unia kalmarska IE W O EN MAŁGORZATA I 116 ERYK VII POMORSKI 119 KRZYSZTOF III BAWARSKI ESTRYDSII IE DAN W LO KRÓ 115
K R Ó L O W I E D ~ N I IW. S TE R Y D S E N O W I E 1 1 4 3. Unia kalmarska K R Ó L O W I E D ~ N I IW. S TE R Y D S E N O W I E M~ Ł G O R Z~ T~ I E R Y K V I I O M O R S K I K R Z Y S Z T O F I I I
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoT00o historyczne: Rozwój uk00adu okresowego pierwiastków 1 Storytelling Teaching Model: wiki.science-stories.org , Research Group
13T 00 o h i s t o r y c z n Re o: z w ó j u k 00 a d u o k r e s o w e g o p i e r w i a s t k ó w W p r o w a d z e n i e I s t n i e j e w i e l e s u b s t a n c j i i m o g o n e r e a g o w a z e
Bardziej szczegółowoObjaśnienia stosowanych oznaczeń znajdzie Czytelnik w nr 1/61 naszego. Wszystkie tranzystory produkowane obecnie przez Fabrykę Tranzystorów
m g r in ż. R u t k o w s k a m g r in ż. J. L e w k o w i c z T r a n z y s t o r y p r o d u k c j i k ra jo w e j C z ę ś ć 1 PARAMETRY 1 CHARAKTERYSTYKI Z godnie z zapowiedzią rozpoczynamy cykl artykułów,
Bardziej szczegółowoGdyńskim Ośrodkiem Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa
W Z Ó R U M O W Y z a w a r t a w G d y n i w d n i u 2 0 1 4 r po m i d z y G d y s k i m O r o d k i e m S p o r t u i R e k r e a c j i j e d n o s t k a b u d e t o w a ( 8 1-5 3 8 G d y n i a ), l
Bardziej szczegółowowymiaru A 4,3-5,3 - a - 2,54' ) - - 0b) - - 0,53 - 0D 5,3-5,8-0D, 4;5-4,9 - F - - 1,0 - j 0,92 1,04' ) 1,16 - k 0,51-1,21 - I 12,
UKD 6213823 NORMA BRANŻOWA BN-80 ELEMENTY Tranzystory 3375-3001 typu Be 107 Be 108 Be 109 PÓŁPRZEWODNKOWE Zamiast BN-72/3375-1605 Grupa katalogo!ta 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemowe
Bardziej szczegółowol i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.
UKD 6213823 N O R M A BRANŻOWA BNB7 337531/11 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystory typu BF 245 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące krzemowych epitaksjalno
Bardziej szczegółowow ww cic oz F o r p U0 a A Zr24 H r wa w wa wa w o UazQ v7 ; V7 v7 ; V7 ; v7 rj. co.. zz fa. A o, 7 F za za za 4 is,, A ) D. 4 FU.
1 68. E E E E 69 69 69 E ) E E E E be 69 69 E n c v u S i hl. ' K cic p. D 2 v7. >- 7 v7 ; V7 v7 ; V7 ; v7 J.. ~" unli. = c.. c.. n q V. ) E- mr + >. ct >. ( j V, f., 7 n = if) is,, ) - ) D. lc. 7 Dn.
Bardziej szczegółowoLaboratorium systemów wizualizacji informacji
Labratrium systemów wizualizacji infrmacji Badanie charakterystyk statycznych i dynamicznych raz pmiar przestrzenneg rzkładu kntrastu wskaźników ciekłkrystalicznych. Katedra Optelektrniki i Systemów Elektrnicznych,
Bardziej szczegółowoS.A RAPORT ROCZNY Za 2013 rok
O P E R A T O R T E L E K O M U N I K A C Y J N Y R A P O R T R O C Z N Y Z A 2 0 1 3 R O K Y u r e c o S. A. z s i e d z i b t w O l e ~ n i c y O l e ~ n i c a, 6 m a j a 2 0 14 r. S p i s t r e ~ c
Bardziej szczegółowo. pomosty. Rodzaje i wymiary Grupa katalogowa spawana - 2, - zgrzewano-spawana - 3.
.. UKD 625 2 046 ŚRODKI N O R M A BRANŻOWA 86 Tabr klejwy - 3519-12 Siatki. kraty stpnie. pmsty TRANSPORTU l na SZYNOWEGO Zamiast l BN-68/3519-12 Rdzaje i wymiary Grupa katalgwa 0555 L Przedmit nrmy. Przedmitem
Bardziej szczegółowoRozkaz L. 7/ Kary organizacyjne 11. Odznaczenia Odznaczenia harcerskie
C h o r ą g i e w D o l n o l ą s k a Z H P W r o c ł a w, 3 1 l i p c a 2 Z w i ą z e k H a r c e r s t w a P o l s k i e g o K o m e n d a n t C h o r ą g w i D o l n o 6 l ą s k i e j Z H P i m. h m.
Bardziej szczegółowoLAMP LED 6 x REBEL IP 68
PX 3 LAMP LED x REBEL IP 8 INSTRUKCJA OBSŁUGI R SPIS TREŚCI. Opis gólny.... Warunki bezpieczeństwa... 3. Infrmacje na temat wersji... 3 4. Opis mdelu... 4 5. Schemat pdłączenia... 5. Wymiary... 7 7. Dane
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa w Gdyni Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów
Z n a k s p r a w y G C S D Z P I 2 7 1 0 2 8 2 0 1 5 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f W y k o n a n i e ro b ó t b u d o w l a n y c h w b u d y n k u H
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów
Z n a k s p r a w y G C S D Z P I 2 7 1 07 2 0 1 5 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f U s ł u g i s p r z» t a n i a o b i e k t Gó w d y s k i e g o C e n
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Układ przełączający. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 15 Poznanie zasady pracy tranzystorowego układu przełączającego. Pomiar prądu kolektorowego, gdy tranzystor jest w stanach włączenia i wyłączenia. Czytanie
Bardziej szczegółowoM& ( " A;P M ' ">? Z>? :JZ>? "UVM >? " ; = ;FY O " & M >? [S A\ A E D, 8 "V* >? " # ) "V* >? " 678>? ( 9/ I JK 4? 9RS/ > " " P &' ` &
9 789 45M&(" A;P M ' ">? Z>?:JZ>?"UVM >?" ; > @, = ;FYO" & M >? [SA\ )@ A ED, 8 "V* >?" # ) "V* >?" 678>?( 9/ IJK 4? 9RS/> " " P &' ` & > " P &' ) G 9 + :;J K : H 34I!JK Y 4 \ < 3b 2 I \ $GH ( 9 9"3?F
Bardziej szczegółowo2 ), S t r o n a 1 z 1 1
Z a k r e s c z y n n o c i s p r z» t a n i a Z a ł» c z n i k n r 1 d o w z o r u u m o w y s t a n o w i» c e g o z a ł» c z n i k n r 5 d o S p e c y f i k a c j i I s t o t n y c h W a r u n k ó w
Bardziej szczegółowon ó g, S t r o n a 2 z 1 9
Z n a k s p r a w y G O S I R D Z P I2 7 1 0 6 3 2 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A D o s t a w a w r a z z m o n t a e m u r z» d z e s i ł o w n i z
Bardziej szczegółowoPODSTAWOWE WYMAGANIA TECHNICZNE ELEKTROWNI FOTOWOLTAICZNYCH
PODSTAWOWE WYMAGANIA TECHNICZNE ELEKTROWNI FOTOWOLTAICZNYCH WYMAGANIA TECHNICZNE DOTYCZĄCE PODZESPOŁÓW ELEKTROWNI FOTOWOLTAICZNYCH, WYKONAWCÓW, DOKUMENTACJI ORAZ PROCEDUR REALIZACJI, NADZORU I KONTROLI.
Bardziej szczegółowoBN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE
UKD 621.387.122:621.382.2 NORMA BRANŻOWA BN-81 ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe 3375-33.00 Diody prostownicze NIKOWE Zamiast O prądzie do 10 A BN-76/3375-33.00 Ogólne wymagania i Grupa katalogowa 1923
Bardziej szczegółowoBN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y
UKD 621.382.049.77 MIKROUKŁADY SCALONE NORMA B. R A N Ż O W A BNBO Układy scalone cyfrowe 337552.01 Układy typu UCY 7400N, UCY 7410N, UCY 7420N, UCY 7~30N Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowo2 7k 0 5k 2 0 1 5 S 1 0 0 P a s t w a c z ł o n k o w s k i e - Z a m ó w i e n i e p u b l i c z n e n a u s ł u g- i O g ł o s z e n i e o z a m ó w i e n i u - P r o c e d u r a o t w a r t a P o l
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoF u l l H D, I P S D, I P F u l l H D, I P 5 M P,
Z a ł» c z n i k n r 6 d o S p e c y f i k a c j i I s t o t n y c h W a r u n k ó w Z a m ó w i e n i a Z n a k s p r a w yg O S I R D Z P I 2 7 1 02 4 2 0 1 5 W Z Ó R U M O W Y z a w a r t a w G d y
Bardziej szczegółowoNaczynia cylindryczne stalowe. niskociśnieniowe. z dnem stożkowym bez wyoblenia
KD 66.023:672.42 APARATURA CEEMICZNA NORMA BRANŻOWA Naczynia cylindryczne stalowe niskociśnieniowe z dnem stożkowym bez wyoblenia 13N... ~ 2221...Q7 -- Grupa katalogowa IV47 1. Przedmiot no~~y. Przedmiotem
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.
Z n a k s p r a w y G O S I R D Z P I 2 7 1 0 5 32 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f W y k o n a n i e p r z e g l» d ó w k o n s e r w a c y j n o -
Bardziej szczegółowoAgregaty pompowe 2324-01
UKD 621.651.001.33:621.689.1 N O R M A BRANŻOWA BN86 MASZYNY Agregaty pompowe 232401 l URZĄDZENIA Zamiast CHEMICZNE nurnikowe dozujące BN77/ 232401 Podział i główne wymiary Grupa katalogowa 0447 l. WSTĘP
Bardziej szczegółowoPlatynowe rezystory termometryczne Pt100 i 2xPt100 typu RP i 2RP
Platynwe rezystry termmetryczne Pt100 i 2xPt100 typu RP i 2RP Platynwe rezystry termmetryczne znajduj¹ zastswanie w przemys³wych i labratryjnych pmiarach temperatury, szczególnie tam gdzie wymagana jest
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowo2 0 0 M P a o r a z = 0, 4.
M O D E L O W A N I E I N Y N I E R S K I E n r 4 7, I S S N 1 8 9 6-7 7 1 X A N A L I Z A W Y T R Z Y M A O C I O W A S Y S T E M U U N I L O C K 2, 4 S T O S O W A N E G O W C H I R U R G I I S Z C Z
Bardziej szczegółowo8.10. Podzial tranzystorów bipolarnych i ich zastosowanie
8.10. Podzial tranzystorów bipolarnych i ich zastosowanie Najwazniejszymi parametrami tranzystorów sa: wzmocnienie pradowe w ukladzie OE, przy okreslonym pradzie kolektora i napieciu kolektor-emiter; napiecie
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoNawiewnik z filtrem absolutnym NAF
SMAY SP. z.. 31-587 Kraków, ul. Ciepłwnicza 29 tel. (0-12) 378 18 00 fax. (0-12) 378 18 88 www.smay.pl DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Nawiewnik z filtrem abslutnym NAF s DTR - nawiewnik z filtrem abslutnym
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowo'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.
UKD621 38204977 MKROUKŁADY SCALONE NO' R MA B R A N Ż O '1 BN88 3375'39/06 'Układy scalone' typu UL 1101N UL 1102N W A Grupa katalogowa 1925 ne bipolarne analogowe układy calone typu UL lloln 1 Przedmiot
Bardziej szczegółowoZJAWISKO TERMOEMISJI ELEKTRONÓW
ĆWICZENIE N 49 ZJAWISKO EMOEMISJI ELEKONÓW I. Zestaw przyrządów 1. Zasilacz Z-980-1 d zasilania katdy lampy wlframwej 2. Zasilacz Z-980-4 d zasilania bwdu andweg lampy z katdą wlframwą 3. Zasilacz LIF-04-222-2
Bardziej szczegółowoN O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.
UKD 621 31945 N O R M A BRANŻOWA BNgO ELEMENTY Kondensatory elektrolityczne 328149 URZĄDZEŃ ELEKTRONCZNYCH aluminiowe biegunowe Odmiany 02/T i 02/TS Zamiast BN83/ 328146 1 ) Grupa katalogowa 1921 l WSTĘP
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoN O R M A, BRANŻOWA. Elementy optoelektroniczne /01. , Fototranzystory, Wymagania i badania. i tab!. 2. i tab!. 3. i tab!. 4. s z czegółowego.
UKD 61 38353 N O R M A BRANŻOWA BN86 \ ELEMENTY Elementy optoelektroniczne 337558/01 PÓŁPRZEWODNKOWE Fototranzystory Wymagania i Grupa katalogowa 193 1 WSTĘP J l Przedmiot normy Przedmiotem normy są wymagania
Bardziej szczegółowo