TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
|
|
- Bartłomiej Zając
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 4-4-3 TANZYSTOY BPOLAN ZŁĄCZOW Bipolar Juctio Trasistor - BJT Trazystor bipolary to odpowiedie połączeie dwóch złącz p p p p kolektor baza emiter kolektor baza emiter Budowa trazystora w techologii plaarej: Trazystor miter () Kolektor () Baza (p)
2 4-4-3 NAC (947) 8 lamp elektroowych masa: poad 7 to, powierzchia ok. 4 m "Nature abhors the vacuum tube." J.. Pierce, Bell Labs egieer who coied the term 'trasistor'
3 4-4-3 Działaie trazystora bipolarego złączowego pp a) kład iespolaryzoway (brak wymuszoej polaryzacji zewętrzej) Bariera potecjału a złączu emiter-baza i a złączu kolektor-baza dziury z emitera ie przeikają do kolektora, rówowaga dyamicza prądów rekombiacji i geeracji kolektor p potecjał Φ baza emiter p Φ b) Zewętrze źródło polaryzacji układu emiter-kolektor (baza a potecjale ieustaloym zewętrzie) Napięcie C odkłada się a zaporowo spolaryzowaym złączu baza-kolektor Wysokość bariery potecjału a złączu emiter-baza bez zmia. Brak przepływu prądu w obwodzie C potecjał Φ C - B C Φ Działaie trazystora bipolarego złączowego pp c.d. c) Złącze emiter-baza spolaryzowae w kieruku przewodzeia apięciem B - C Bariera potecjału a złączu -B maleje, Dziury z emitera dyfudują do bazy, Następie dziury dyfudują do kolektora, Płyie prąd C w gałęzi kolektora (waruek: iewielka rekombiacja dziur w bazie) Napięcie B określa wysokość bariery potecjału a złączu -B, czyli opór między emiterem i kolektorem TANSSTO TANSfereable ressto. C - B B C C B potecjał Φ- B Φ C Trazystor p działa aalogiczie przy odwrotej polaryzacji; kieruek przepływu prądu jest przeciwy; ośikami prądu kolektora są elektroy 3
4 4-4-3 C prąd kolektora złącze B-C złącze B- kolektor baza emiter prąd emitera C B ozkład prądów w trazystorze bipolarym B prąd bazy prąd rekombiacji elektroów w emiterze prąd rekombiacji dziur w bazie Prąd emitera - dyfuzja dziur z emitera do bazy Procesy rekombiacyje: część dziur rekombiuje w bazie elektroy z bazy dyfudują do emitera, gdzie także rekombiują jeśli baza odpowiedio cieka, większość dziur z emitera dociera do złącza B-C dziury wpływające do kolektora tworzą prąd kolektora C Wypływ prądu B z bazy do zewętrzego źródła: rówoważy procesy rekombiacyje utrzymuje wysokość bariery potecjału baza - emiter a stałym poziomie fekt trazystorowy zachodzi gdy: oba złącza mookrystalicze dioda (złącze) emiterowa spolaryzowaa w kieruku przewodzeia dioda (złącze) kolektorowa spolaryzowaa w kieruku zaporowym grubość bazy mała w porówaiu z długością drogi dyfuzji ośików większościowych z emitera ( <<.. mm ) obszar emitera musi zawierać zaczie więcej ośików większościowych iż obszar bazy; prąd płyący od stroy emitera 3 5 razy większy iż prąd od stroy bazy C C B C C B B potecjał Φ - B Φ C - B - 4
5 4-4-3 Zachodzi relacja: C B oraz prąd C jest proporcjoaly do prądu B C Współczyik wzmocieia prądowego trazystora: β h B zwykle β, o ile zewętrze źródła zezwalają C.5 A B ma C C Charakterystyka prądowo-apięciowa trazystora P B Prąd kolektora C arasta β-razy szybciej iż prąd bazy B Prąd kolektora słabo zależy od apięcia kolektor-emiter ( C ). Wprowadzeie prądu do bazy (wywołaie przepływu prądu kolektora) jest możliwe, gdy apięcie B przekroczy apięcie przewodzeia złącza daego typu (.65 V dla krzemu,.35 V dla germau) WZMACNACZ TANZYSTOOW Wzmaciacz to układ elektroiczy, w którym eergia z układu zasilaia jest zamieiaa a eergię sygału wyjściowego ZASLAN Sygał wyjściowy jest fukcją sygału wejściowego WJŚC JŚC POWADZN WSPÓLN Wzmaciacz trazystorowy : specjaly, steroway dzielik apięcia zasilającego Jedym z rezystorów w tym dzieliku jest trazystor 5
6 4-4-3 Trzy podstawowe układy wzmaciające z trazystorem bipolarym: zasilaie W L L W L W o wspólym emiterze o wspólym kolektorze o wspólej bazie e wyspecjalizowae wzmaciacze: są modyfikacjami, ewetualie kombiacjami układów podstawowych. zasilaie W L L WŁASNOŚC WZMACNACZY W L W o wspólym emiterze o wspólym kolektorze o wspólej bazie Zakładamy kształt sygału wejściowego (sterującego): u W (t) W cos(t) W podkład stały W składowa zmiea harmoicza o amplitudzie W Sygał użyteczy (iosący iformację): składowa zmiea Zakładamy : tę samą postać apięcia wyjściowego i wejściowego tę samą postać prądu wyjściowego i wejściowego czyli wzmaciacz pracuje w zakresie liiowym 6
7 4-4-3 Przypomieie: β C B C B ( β ) B Wzmaciacz o wspólym emiterze: prąd wejściowy prąd bazy prąd wyjściowy prąd kolektora > W β duże wzmocieie prądowe * L o wspólym emiterze Dla dużego oporu rezystora L astępuje a im duży spadek apięcia, a więc: duże wzmocieie apięciowe duże wzmocieie mocy zachodzi odwróceie fazy apięcia wyjściowego względem wejściowego Wzmaciacz o wspólym kolektorze (wtórik emiterowy) W - B W W W B < czyli: brak wzmocieia apięciowego prąd wejściowy prąd bazy prąd wyjściowy prąd emitera czyli W ( β ) o wspólym kolektorze wzmocieie prądowe jest duże zgode fazy sygału wyjściowego i wejściowego 7
8 4-4-3 Wzmaciacz o wspólej bazie: prąd wejściowy prąd emitera: W B ( β ) prąd wyjściowy prąd kolektora: B β β β wzmocieie prądowe: < W o wspólej bazie brak wzmocieia prądowego! przy odpowiedio dużym oporze rezystora L moża uzyskać duże zmiay apięcia a wyjściu czyli możliwe duże wzmocieie apięciowe apięcie wyjściowe zgode w fazie z apięciem wejściowym PODSMOWAN N r Wzmaciacz o: WSPÓLNYM MTZ WSPÓLNYM KOLKTOZ WSPÓLNJ BAZ Wzmocieie apięciowe duże < duże Wzmocieie prądowe duże duże < 3 Przesuięcie fazowe W- 8 4 Pasmo przeoszeia wąskie średie szerokie 8
9 4-4-3 ZNACZAN PNKT PACY TANZYSTOA W. (ustalaie wejściowego prądu składowej stałej) efekt prostowaia jedopołówkowego - trazystor pracuje liiowo tylko wtedy, gdy apięcie B przekroczy apięcie przewodzeia złącza (p..65 V) czas uzyskaie wzmaciaia peło-okresowego wymaga dodaia stałego podkładu (stały prąd bazy) do wejściowego sygału zmieego (zmieego prądu bazy) W W czas kład automatyczego dodawaia podkładu stałego jest układem polaryzacji (określeie puktu pracy trazystora) Przykład: prąd polaryzacji bazy trazystora ze źródła zasilaia przez oporik b ustalający składową stałą a wejściu. Kodesatory C i C służą do odseparowaia podkładu stałego od wejścia i wyjścia wzmaciacza (sprzężeie AC). W b C L C układ wspóly emiter STALAN OPTYMALNGO PNKT PACY TANZYSTOA graficza aaliza charakterystyk Hiperbola mocy Schemat postępowaia: P MAX C C C. Przestrzeń puktów pracy ( C, C ) trazystora jest ograiczoa przez / hiperbolę maksymalej dopuszczalej L cieplej mocy strat trazystora, PNKT PACY B określoej w katalogu przez produceta: P MAX C * C. Trazystor pracuje w układzie dzielika apięcia z rezystorem L prosta obciążeia - L C C przestrzeń puktów pracy ograicza się do prostej opisaej rówaiem: C - L * C (tzw. prosta obciążeia) Napięcie zasilaia oraz opór L dobieramy tak, by prosta obciążeia była stycza do hiperboli mocy (lub przebiegała poiżej) 3. Odczytujemy optymaly prąd stałego podkładu B, wyzaczamy wartość oporika b z r-ia : -.65V B * b W b C L C układ wspóly emiter 9
10 4-4-3 PASMO WZMOCNNA PASMO PZNOSZNA Pasmo wzmocieia (przeoszeia) wzmaciacza określoe jest przez: własości trazystora (wielkości pasożyticze) sposób współdziałaia trazystora z obwodem wzmaciacza podłączeia wejścia i wyjścia wzmaciacza Pasożyticze elemety trazystora rzeczywistego: rozproszoa rezystacja bazy r bb, pojemości emiter-baza C eb i kolektor-baza C kb B K < > B Skutek: współczyik wzmocieia prądowego trazystora maleje wraz ze wzrostem częstości r bb C kb C eb Pasmo wzmocieia trazystora jest ograiczoe przez częstość graiczą f T: powyżej częstości f T współczyik wzmocieia prądowego β < K r bb i C eb tworzą filtr góroprzepustowy, który boczikuje złącze baza-emiter zmiejszeie prądu sterującego trazystor przy wysokich częstościach β,, częstość graicza trazystora : β(f T) częstość f T fekt Millera Sprzężeie między kolektorem a bazą w postaci filtra góroprzepustowego tworzoego przez: C kb, r bb oraz rezystację źródła sygału G ograiczeie pasma przeoszeia wzmaciacza w układzie o wspólym emiterze sygały wyjściowe i wejściowe są przeciwe w fazie G źródło sygału ujeme sprzężeie zwrote wyjścia (kolektor) z wejściem (baza) W układzie o wspólym kolektorze słaby wpływ efektu Millera, gdyż kolektor trazystora jest połączoy z iskorezystywym źródłem zasilaia C kb r bb wzmaciacz W układzie o wspólej bazie ie ma oddziaływaia wyjścia wzmaciacza a wejście przez pojemość C kb, gdyż baza ma ustaloy potecjał. Pasmo przeoszeia wzmaciacza określa się podobie jak pasmo przeoszeia filtra: dla częstości graiczych wzmaciacza wzmocieie jest miejsze o w stosuku do wzmocieia maksymalego wy we Pasmo przeoszeia g k k( ) j W / MAX Częstość g
11 4-4-3 strukcja do ćwiczeia Trazystor bipolary wzmaciacz trazystorowy Część Napięcie z geeratora: sygał liiowo arastający od V do 5 V i częstości około Hz (sygał trójkąty) Zbudować obwód: Napięcie W : stałe apięcie z zasilacza regulowae w zakresie od do V mierzymy za pomocą woltomierza C L B W.65V B C wyzaczyć charakterystyki C ( C ); parametr: prąd bazy B wykreślić rodzię charakterystyk trazystora. C.5 A C B ma Część Zbudować wzmaciacz w układzie wspóly emiter : zasilić układu apięciem stałym 8 V zmierzyć za pomocą woltomierza apięcie kolektora dobrać wartość oporika regulowaego B by C 4 V optymaly pukt pracy trazystora we wzmaciaczu W zmiey sygał sterujący bazą apięcie a kolektorze Wyzaczeie charakterystyki amplitudowej wzmaciacza ( W ) Wejście układu: sygał siusoidaly o częstości około Hz Mierzymy ( W ) w całym zakresie mierzalych amplitud wejściowych. Określamy zakres amplitud W, dla których wzmaciacz pracuje liiowo. Dla tego zakresu wyzaczamy wzmocieie wzmaciacza k, dopasowując do daych doświadczalych prostą typu k * W Wyzaczeie charakterystyki częstościowej wzmaciacza: wzmocieie w fukcji częstości: k () Amplitudę sygału wejściowego ależy dobierać tak, by w całym zakresie badaych częstości ( Hz - MHz) sygał był przetwarzay liiowo
12 4-4-3 ANALZA Wyzaczyć częstości graicze kład różiczkujący W j g j g Pojemość i rezystacja wejściowa wzmaciacza wzmocieie k -/ k max wpływ sprzężeia wpływ trazystora kład całkujący kład całkujący W j g Pojemość i rezystacja wyjścia g pasmo g częstość Filtr góro- dolo-przepustowy: g C ZJAWSKA LNOW NLNOW X przyczya (t) > POCS > X skutek (t) X s X s X p X p Proces liiowy: X s (t)k*x p (t) Proces ieliiowy: X s (t) ieliiowa fukcja [X p (t)] ezystory, kodesatory i cewki to elemety liiowe (w dobrym przybliżeiu) Większość elemetów elektroiczych to elemety ieliiowe. Przykłady: diody, trazystory, tyrystory, lampy elektroowe itd.
13 4-4-3 Liiowy Nieliiowy f ( ) ( ) cost ( ) cost f ( ) Nieliiowe układy elektrycze elemet ieliiowy X r d f ( ) rezystacja zwykła: r d X rezystacja różiczkowa (dyamicza): dla elemetów ieliiowych: X X d d r d X X X w elemetach ieliiowych amplituda atężeia prądu ie jest liiową fukcją amplitudy apięcia w ogólości wyraża się wielomiaem: s 3
14 4-4-3 ZJAWSKA NLNOW X przyczya (t) > POCS > X skutek (t) Proces ieliiowy (przykład): X s (t)k*[x p (t)ε*x p (t)] ε<< Założeie: X p (t) cos(t) X s X s (t) k*[cos(t) ε*cos (t)] X S ε ε ( t) k[cost cos(t)] cos θ ( cosθ ) W procesie ieliiowym powstała fala o dwóch składowych częstości: podstawowej: drugiej harmoiczej: stała ε/ przesuięcie wartości średiej wyprostowaie (rektyfikacja) Procesy ieliiowe dodatkowe częstości X p Mieszaie częstości w układzie ieliiowym (przykład) ( t) A cos t B cos t X p POCS NLNO: X s (t)k*[x p (t)ε*x p (t)] ε<< X ( t) k X s k X ( t) k ε( A p p ( t) k ε( Acos t Bcos t) cos t B cos t ABcos t cos t) AB[cos( ) t cos( ) t ] składowe sygału X s :,,,,, modulacja amplitudy u(t) π π jeśli zaczie większe od (ale porówywale) modulacja amplitudy fali o częstości z częstością C ( t) cos t czas fukcja modulacji amplitudy fali podstawowej 4
15 4-4-3 WDMO SYGNAŁ, SKŁADOW HAMONCZN Twierdzeie Fouriera : jeżeli fukcja u(t) jest periodycza o okresie T, to moża ją przedstawić w postaci sumy szeregu harmoiczego: a T ) T T u( t) a u( t dt o cos( t) b si( t) a T a T Po przekształceiach i podstawieiu: u ( t )cos( t ) dt T C a b T b T u ( t )si( t ) dt T b φ arctg a Każdą fukcję periodyczą możemy przedstawić w postaci: u( t) a o C cos( t φ ) - częstości kolejych składowych harmoiczych gdzie: Zbiór trójek liczb: ( C, φ ) φ, C π T - fazy kolejych składowych harmoiczych amplitudy kolejych składowych harmoiczych jest widmem sygału składowe o częstościach składowe harmoicze Fukcja okresowa charakteryzuje się widmem dyskretym!!! f (t) si t si 3 3 t si 5t 5 u(t) 4 f t) (si t si3t si5 t π 3 5 ( C...) t
16 4-4-3 W przypadku, gdy fukcja u(t) ie jest okresowa, jej widmo ma charakter ciągły i opisywae jest fukcją: S( ) S ( ) A ( ) B ( ) u( t) e jt dt S( ) e B( ) ϕ( ) arctg A( ) jϕ ( ) A ( ) u( t)cos( t) dt B ( ) u( t)si( t) dt S() mowa S() szum u(t) S() t WZBOGACAN WDMA SYGNAŁ W KŁADACH NLNOCH u W (t) u (t) t t C W C układ ieliiowy 4 5 ( φ Źródło: sygał harmoiczy t) Acos( t ) W sygał wyjściowy obwodu: spadek apięcia a rezystorze ( t) ( Acos( t φ ) ) D Zgodie z twierdzeiem Fouriera: ( ) t C cos( t ) Widmo sygału wyjściowego jest bogatsze iż widmo sygału wejściowego!!! (pojawiają się składowe o częstościach,, 4 itd.) WAGA: kłady liiowe (p. układy LC) zmieiają widmo sygału oddziaływując a amplitudę i fazę poszczególych składowych harmoiczych. Jedak układy liiowe ie wzbogacają widma sygału φ 6
17 4-4-3 POWLACZ CZĘSTOŚC Zastosowaia układów ieliiowych,, 3,... sygał siusoidaly geerator układ ieliiowy filtr rezoasowy kombiacja harmoiczych sygału wejściowego wybór składowej o daej częstości MSZACZ CZĘSTOŚC,, 3,...,, 3,..., -,......,,..., -,... m składowe o częstościach iterkombiacyjych układ ieliiowy filtr rezoasowy wybór określoej składowej Zjawiska ieliiowe podstawą elektroiki kwatowej - techiki laserowej, radiotechiki Filtr rezoasowy szeregowy W Y / W LC L m H, C F, 5 Ω,8,6 3 Ω,4,, Pasmo przeoszeia zlokalizowae jest w okolicach częstości rezoasu: LC ν 8 g ν g częstość [H z] faza [rad] π/ 5 Ω π/4 3 Ω -π/4 -π/ ν 7 g ν g częstość [Hz] Pasmo przeoszeia filtru rozciąga się od νg do νg - częstości graicze Dla częstości graiczych: wy we π ϕ 4 Dobroć: Q L C 7
18 4-4-3 MODLACJA AMPLTDOWA (AM) modulacja amplitudy: przekazywaie iformacji o częstości Ω za pomocą fali ośej o częstości u(t) π Ω π [ m si( Ωt) ] si( ) u( t) t m Po przekształceiach t) si( t) m { cos[ ( Ω) t] cos[ ( ) t] } czas ( Ω Widmo fali zmodulowaej amplitudowo złożoe z trzech składowych o częstościach: (fali ośej) oraz Ω i -Ω (wstęg boczych) Nadajik (radiowy) geerator powielacz głębokość modulacji modulator (mieszacz) filtr rezoasowy wzmaciacz Ω -Ω mikrofo / wzmaciacz Ω, Ω -Ω atea ODBONK: DMODLACJA FAL ZMODLOWANJ AMPLTDOWO Techika ieliiowa odbiór iformacji przekazywaej drogą radiową Najprostszy odbiorik atea Ω - Ω detektor Ω słuchawka wybór stacji adawczej czyli częstości filtr rezoasowy detektor - elemet ieliiowy filtr doloprzepustowy wybór sygału iformacyjego o częstości Ω W układzie ieliiowym: mieszaie składowych przebiegu zmodulowaego amplitudowo w widmie wyjściowym: składowa iskiej częstości Ω (iformacja) Odbioriki detektorowe: wykorzystywae do odbioru tylko bardzo silych stacji 8
TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TANZYSTOY BPOLAN ZŁĄCZOW Bipolar Juctio Trasistor - BJT Trazystor bipolary to odpowiedie połączeie dwóch złącz p: p p p kolektor baza emiter kolektor baza emiter Budowa trazystora w techologii plaarej:
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY POLOWE Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ
4-3-9 TANZYSTOY POLOW TANZYSTOY POLOW ZŁĄCZOW (Jucio Field ffec Trasisors) ezysacja wejściowa (GAT SOC) razysora sięga 9 TANZYSTOY POLOW Z ZOLOWANĄ BAMKĄ solaed Gae Field ffec Trasisors Meal Oxide Semicoducor
Bardziej szczegółowoENIAC (1947) Tranzystor Emiter (n) Kolektor (n) Baza (p)
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW iolar Juctio Trasistor - JT Trazystor - 947 Trazystor biolary to odowiedie ołączeie dwu złącz : miter () Kolektor () aza () udowa trazystora w techologii laarej: PRZYKŁAD STRKTRY
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄCZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn: p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE
WYKŁA 6 RANZYSORY POLOWE RANZYSORY POLOWE ZŁĄCZOWE (Juctio Field Effect rasistors) 55 razystor polowy złączowy zbudoway jest z półprzewodika (w tym przypadku typu p), w który wdyfudowao dwa obszary bramki
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoIndywidualna Pracownia Elektroniczna 2012
ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone
Bardziej szczegółowoZasilacz przetwarza energię elektryczną pobieraną z sieci. Standardowy schemat blokowy zasilacza: filtr. prostownik
Zasilacze Źródło eergii elekryczej dla układu wykoawczego: źródło apięciowe, źródło prądowe (ograiczik prądu), zabezpieczeie przed przegrzaiem, zapaleiem, porażeiem ip. Zasilacz przewarza eergię elekryczą
Bardziej szczegółowoENIAC (1947) Tranzystor. Baza (p) Pierwszy tranzystor John Bardeen, Walter Brattain, William Shockley
TANZYSTOY POLAN ZŁĄZOW iolar Jucio Trasisor - JT Trazysor Trazysor biolary o odowiedie ołączeie dwóch złącz : mier () Kolekor () kolekor baza emier kolekor baza emier udowa razysora w echologii laarej:
Bardziej szczegółowoZJAWISKA LINIOWE I NIELINIOWE
5/8/ ZJAWISKA LINIOWE I NIELINIOWE X przyczya (t) => POCES => X skutek (t) X s X s X p X p Proces liiowy: X s (t)=k*x p (t) Proces ieliiowy: X s (t)= ieliiowa fukcja [X p (t)] ezystory, kodesatory i cewki
Bardziej szczegółowoFILTRY FILTR. - dziedzina pracy filtru = { t, f, ω } Filtr przekształca w sposób poŝądany sygnał wejściowy w sygnał wyjściowy: Filtr: x( ) => y( ).
FILTRY Sygał wejściowy FILTR y( ) F[x( )] Sygał wyjściowy - dziedzia pracy filtru { t, f, } Filtr przekształca w sposób poŝąday sygał wejściowy w sygał wyjściowy: Filtr: x( ) > y( ). Działaie filtru moŝe
Bardziej szczegółowoElementy nieliniowe w modelach obwodowych oznaczamy przy pomocy symboli graficznych i opisu parametru nieliniowego. C N
OBWODY SYGNAŁY 1 5. OBWODY NELNOWE 5.1. WOWADZENE Defiicja 1. Obwodem elektryczym ieliiowym azywamy taki obwód, w którym występuje co ajmiej jede elemet ieliiowy bądź więcej elemetów ieliiowych wzajemie
Bardziej szczegółowoZnikanie sumy napięć ïród»owych i sumy prądów w wielofazowym układzie symetrycznym
Obwody trójfazowe... / OBWODY TRÓJFAZOWE Zikaie sumy apięć ïród»owych i sumy prądów w wielofazowym układzie symetryczym liczba faz układu, α 2π / - kąt pomiędzy kolejymi apięciami fazowymi, e jα, e -jα
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMA ÓRNCZO-HTNCZA M. TANŁAWA TAZCA W KRAKOWE Wydział formatyki, Elektroiki i Telekomuikacji Katedra Elektroiki ELEMENTY ELEKTRONCZNE dr iż. iotr ziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-7-, piotr.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoZjawiska kontaktowe. Pojęcia.
Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).
Bardziej szczegółowoPOMIAR WARTOŚCI SKUTECZNEJ NAPIĘĆ OKRESOWO ZMIENNYCH METODĄ ANALOGOWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU
POMIAR WARTOŚCI SKTECZNEJ NAPIĘĆ OKRESOWO ZMIENNYCH METODĄ ANALOGOWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁ CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczeia jest zwróceie uwagi a ograiczeie zakresu poprawego pomiaru apięć zmieych wyikające
Bardziej szczegółowoPrzetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo- analogowe
Przetworiki aalogowo-cyfrowe i cyfrowo- aalogowe 14.1. PRZETWORNIKI C/A Przetworik cyfrowo-aalogowy (ag. Digital-to-Aalog Coverter) jest to układ przetwarzający dyskrety sygał cyfrowy a rówowaŝy mu sygał
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA, WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY, INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I INFORMATYKI. Wykresy w Excelu TOMASZ ADRIKOWSKI GLIWICE,
POLITECHNIKA ŚLĄSKA, WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY, INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I INFORMATYKI Wykresy w Excelu TOMASZ ADRIKOWSKI GLIWICE, -- EXCEL Wykresy. Kolumę A, B wypełić serią daych: miesiąc, średia temperatura.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE nr 4. Pomiary podstawowych parametrów sygnałów
Politechika Łódzka Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych WWW.DSOD.PL LABORATORIUM METROLOGII ELEKTROICZEJ ĆWICZEIE r 4 Pomiary podstawowych parametrów sygałów Łódź 00 CEL ĆWICZEIA: Ćwiczeie
Bardziej szczegółowoOBWODY LINIOWE PRĄDU STAŁEGO
Politechika Gdańska Wydział Elektrotechiki i Automatyki 1. Wstęp st. stacjoare I st. iżyierskie, Eergetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechiki i Elektroiki Ćwiczeie r 1 OBWODY LINIOWE PRĄDU STAŁEGO Obwód
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowou t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY
Drgaia sieci krystaliczej FONONY 1. model klasyczy (iekwatowy) a) model ośrodka ciągłego (model Debye a) - przypadek jedowymiarowy - drgaia struy drgaia mogą być podłuże (guma, sprężya) i dwie prostopadłe
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE nr 2 CYFROWY POMIAR MOCY I ENERGII
Politechika Łódzka Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych WWW.DSOD.PL LABORATORIUM METROLOGII ELEKTROICZEJ ĆWICZEIE r CYFROWY POMIAR MOCY I EERGII Łódź 009 CEL ĆWICZEIA: Ćwiczeie ma a
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY. WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY
TRANZYSTOR BIPOLARNY. WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY Indywidualna Pracownia Elektroniczna Michał Dąbrowski asystent: Krzysztof Piasecki 14 X 2010 1 Streszczenie Celem doświadczenia jest zapoznanie się z tranzystorem
Bardziej szczegółowoPOMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW CHARAKTERYZUJĄCYCH KSZTAŁT SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH
ĆWICZENIE NR POMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW CHARAKTERYZUJĄCYCH KSZTAŁT SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH.. Cel ćwiczeia Celem ćwiczeia jest pozaie metod pomiaru współczyików charakteryzujących kształt sygałów apięciowych
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowo1. Modulacja analogowa, 2. Modulacja cyfrowa
MODULACJA W16 SMK 2005-05-30 Jest operacja mnożenia. Jest procesem nakładania informacji w postaci sygnału informacyjnego m.(t) na inny przebieg o wyższej częstotliwości, nazywany falą nośną. Przyczyna
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoElementy nieliniowe występujące w układach elektronicznych można podzielić na następujące grupy:
ZESZYTY NAUKOWE POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ Seria: AUTOMATYKA z. 18 1971 Nr kol. 303 WŁODZIMIERZ SZMELCER Katedra Elektroiki NUMERYCZNE WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW SZEREGU FOURIERA FUNKCJI OKREŚLONEJ PRZEZ WARTOŚCI
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoPracownia Fizyczna i Elektroniczna 2014
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK ozbłysk gamma GB 08039B 9.03.008 teleskop Pi of the Sky sfilmował najpotężniejszą eksplozję obserwowaną przez człowieka pierwszy
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
Bardziej szczegółowoTERAZ O SYGNAŁACH. Przebieg i widmo Zniekształcenia sygnałów okresowych Miary sygnałów Zasady cyfryzacji sygnałów analogowych
TERAZ O SYGNAŁACH Przebieg i widmo Zniekształcenia sygnałów okresowych Miary sygnałów Zasady cyfryzacji sygnałów analogowych Sygnał sinusoidalny Sygnał sinusoidalny (także cosinusoidalny) należy do podstawowych
Bardziej szczegółowoSiła elektromotoryczna
Wykład 5 Siła elektromotoryczna Urządzenie, które wykonuje pracę nad nośnikami ładunku ale różnica potencjałów między jego końcami pozostaje stała, nazywa się źródłem siły elektromotorycznej. Energia zamieniana
Bardziej szczegółowoZadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?
Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem
Bardziej szczegółowof = 2 śr MODULACJE
5. MODULACJE 5.1. Wstęp Modulacja polega na odzwierciedleniu przebiegu sygnału oryginalnego przez zmianę jednego z parametrów fali nośnej. Przyczyny stosowania modulacji: 1. Umożliwienie wydajnego wypromieniowania
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA OPOLSKA
POLITCHIKA OPOLSKA ISTYTUT AUTOMATYKI I IFOMATYKI LABOATOIUM MTOLOII LKTOICZJ 7. KOMPSATOY U P U. KOMPSATOY APIĘCIA STAŁO.. Wstęp... Zasada pomiaru metodą kompesacyją. Metoda kompesacyja pomiaru apięcia
Bardziej szczegółowo2. Schemat ideowy układu pomiarowego
1. Wiadomości ogóle o prostowikach sterowaych Układy prostowikowe sterowae są przekształtikami sterowaymi fazowo. UmoŜliwiają płya regulację średiej wartości apięcia wyprostowaego, a tym samym średiej
Bardziej szczegółowoBADANIE DRGAŃ WYMUSZONYCH PRZY POMOCY WAHADŁA POHLA
I PRACOWNIA FIZYCZNA, INSTYTUT FIZYKI UMK, TORUŃ Istrukcja do ćwiczeia r 3 BADANIE DRGAŃ WYMUSZONYCH PRZY POMOCY WAHADŁA POHLA. Cel ćwiczeia Celem ćwiczeia jest pozaie szeregu zjawisk związaych z drgaiami
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowo1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego
RAZYSORY POLAR SMK WYKŁAD 8 a pdstw.: W. Marciiak, W 1978, Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe razystor elemet trasformujący rezystację (trioda 1948 ardee, ratai trazystor ostrzowy). razystor warstwowy
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoPrzykładowe pytania na egzamin dyplomowy dla kierunku Automatyka i Robotyka
Przykładowe pytaia a egzami dyplomowy dla kieruku Automatyka i obotyka Aktualizacja: 13.12.2016 r. Przedmiot: Matematyka 1 (Algebra liiowa) 1. Wiemy że struktura (Gh) jest grupą z elemetem eutralym e.
Bardziej szczegółowoLTS 6-NP., LTS 15-NP...LTS 25-NP. LTS 6-NP., LTS 15-NP...LTS 25-NP.
19 9 9 LTS -NP., LTS 1-NP...LTS -NP. LTS -NP., LTS 1-NP...LTS -NP. [] LTS -NP., LTS 1-NP...LTS -NP. LTS -NP., LTS 1-NP...LTS -NP. LTS -NP, LTS 1-NP, LTS -NP LTSR, LTSR 1, LTSR -NP. LTSR, LTSR 1, LTSR -NP.
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoWykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy
Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoUkłady elektroniczne II. Modulatory i detektory
Układy elektroniczne II Modulatory i detektory Jerzy Witkowski Modulacja Przekształcenie sygnału informacyjnego do postaci dogodnej do transmisji w kanale telekomunikacyjnym Polega na zmianie, któregoś
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.
Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE PRĘDKOŚCI DŹWIĘKU W POWIE- TRZU METODĄ FALI STOJĄCEJ
Ć w i c z e i e 6 WYZNACZANIE PRĘDKOŚCI DŹWIĘKU W POWIE- TRZU METODĄ FALI STOJĄCEJ 6.1 Opis teoretyczy W ośrodkach sprężystych wytrąceie pewego obszaru z położeia rówowagi powoduje drgaia wokół tego położeia.
Bardziej szczegółowoPytanie 1. Pytanie 2. Pytanie 3. Pytanie 4. Pytanie 5
Pytaie 1 Belka AB obciążoa jest siłami P 1 = 10 N, P 2 = 20 N oraz dwiema parami sił działających w płaszczyźie sił P 1 i P 2 o mometach M 1 = 10 Nm i M 2 = 20 Nm. Pomijając ciężar belki, wyzaczoo w położeiu
Bardziej szczegółowo06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające Wiadomości podstawowe Budowa wzmacniaczy pośredniej częstotliwości
06 Tor pośredniej częstotliwości, demodulatory AM i FM Pytania sprawdzające 1. Jakie są wymagania stawiane wzmacniaczom p.cz.? 2. Jaka jest szerokość pasma sygnału AM i FM? 3. Ile wynosi częstotliwość
Bardziej szczegółowo(opracował Leszek Szczepaniak)
ĆWICZENIE NR 3 POMIARY POŁOśENIA I PRZEMIESZCZEŃ LINIOWYCH I KĄTOWYCH (opracował Leszek Szczepaiak) Cel i zakres ćwiczeia Celem ćwiczeia jest praktycze zapozaie się z metodami pomiarowymi i czujikami do
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoEA3 Silnik komutatorowy uniwersalny
Akademia Góriczo-Huticza im.s.staszica w Krakowie KAEDRA MASZYN ELEKRYCZNYCH EA3 Silik komutatorowy uiwersaly Program ćwiczeia 1. Oględziy zewętrze 2. Pomiar charakterystyk mechaiczych przy zasilaiu: a
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoLaboratorum 2 Badanie filtru dolnoprzepustowego P O P R A W A
Laboratorum 2 Badanie filtru dolnoprzepustowego P O P R A W A Marcin Polkowski (251328) 15 marca 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Techniczny i matematyczny aspekt ćwiczenia 2 3 Pomiary - układ RC
Bardziej szczegółowoRozwinięcie funkcji modulującej m(t) w szereg potęgowy: B PM 2f m
Wąskopasmowa modulacja fazy (przypadek k p x(t) max 1) Rozwinięcie funkcji modulującej m(t) w szereg potęgowy: m(t) = e jk px(t) = 1 + jk p x(t) +... Sygnały zmodulowane: z PM (t) Y 0 [1 + jk p x(t)]e
Bardziej szczegółowoKADD Metoda najmniejszych kwadratów
Metoda ajmiejszych kwadratów Pomiary bezpośredie o rówej dokładości o różej dokładości średia ważoa Pomiary pośredie Zapis macierzowy Dopasowaie prostej Dopasowaie wielomiau dowolego stopia Dopasowaie
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoNajprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.
Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem
Bardziej szczegółowoRealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowo) I = dq. Obwody RC. I II prawo Kirchhoffa: t = RC (stała czasowa) IR V C. ! E d! l = 0 IR +V C. R dq dt + Q C V 0 = 0. C 1 e dt = V 0.
Obwody RC t = 0, V C = 0 V 0 IR 0 V C C I II prawo Kirchhoffa: " po całym obwodzie zamkniętym E d l = 0 IR +V C V 0 = 0 R dq dt + Q C V 0 = 0 V 0 R t = RC (stała czasowa) Czas, po którym prąd spadnie do
Bardziej szczegółowoPracownia fizyczna i elektroniczna. Wykład 1. 9 marca Krzysztof Korona
Pracownia fizyczna i elektroniczna Wykład. Obwody prądu stałego i zmiennego 9 marca 5 Krzysztof Korona Plan wykładu Wstęp. Prąd stały. Podstawowe pojęcia. Prawa Kirchhoffa. Prawo Ohma ().4 Przykłady prostych
Bardziej szczegółowoDemodulator FM. o~ ~ I I I I I~ V
Zadaniem demodulatora FM jest wytworzenie sygnału wyjściowego, który będzie proporcjonalny do chwilowej wartości częstotliwości sygnału zmodulowanego częstotliwościowo. Na rysunku 12.13b przedstawiono
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoWYBRANE METODY REDUKCJI ODKSZTAŁCENIA PRĄDÓW I NAPIĘĆ POWODOWANYCH PRZEZ ODBIORNIKI NIELINIOWE
WYBRANE METODY REDUKCJI ODKSZTAŁCENIA PRĄDÓW I NAPIĘĆ POWODOWANYCH PRZEZ ODBIORNIKI NIELINIOWE mgr iż. Chamberli Stéphae Azebaze Mbovig Promotor: prof. dr hab. iż. Zbigiew Hazelka Kraków, 3.05.06 Pla Wykładu.
Bardziej szczegółowo(1.1) gdzie: - f = f 2 f 1 - bezwzględna szerokość pasma, f śr = (f 2 + f 1 )/2 częstotliwość środkowa.
MODULACJE ANALOGOWE 1. Wstęp Do przesyłania sygnału drogą radiową stosuje się modulację. Modulacja polega na odzwierciedleniu przebiegu sygnału oryginalnego przez zmianę jednego z parametrów fali nośnej.
Bardziej szczegółowoPracownia fizyczna i elektroniczna. Wykład lutego Krzysztof Korona
Pracownia fizyczna i elektroniczna Wykład. Obwody prądu stałego i zmiennego 4 lutego 4 Krzysztof Korona Plan wykładu Wstęp. Prąd stały. Podstawowe pojęcia. Prawa Kirchhoffa. Prawo Ohma ().4 Przykłady prostych
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoSygnały pojęcie i klasyfikacja, metody opisu.
Sygały pojęcie i klasyfikacja, meody opisu. Iformacja przekazywaa jes za pośredicwem sygałów, kóre przeoszą eergię. Sygał jes o fukcja czasowa dowolej wielkości o charakerze eergeyczym, w kórym moża wyróżić
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)
LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem
Bardziej szczegółowoLaboratorium Sensorów i Pomiarów Wielkości Nieelektrycznych. Ćwiczenie nr 1
1. Cel ćwiczeia: Laboratorium Sesorów i Pomiarów Wielkości Nieelektryczych Ćwiczeie r 1 Pomiary ciśieia Celem ćwiczeia jest zapozaie się z kostrukcją i działaiem czujików ciśieia. W trakcie zajęć laboratoryjych
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude
Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Opracował: Mgr inż. Marek Staude Część 2 Analiza obwodów w stanie ustalonym przy wymuszeniu sinusoidalnym Przypomnienie ostatniego wykładu Prąd i napięcie Podstawowe
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoMODULACJE ANALOGOWE. Funkcja modulująca zależna od sygnału modulującego: m(t) = m(t) e
Nośna: MODULACJE ANALOGOWE c(t) = Y 0 cos(ωt + ϕ 0 ) Sygnał analityczny sygnału zmodulowanego y(t): z y (t) = m(t)z c (t), z c (t) = Y 0 e jωt Funkcja modulująca zależna od sygnału modulującego: j arg
Bardziej szczegółowoAnaliza właściwości filtra selektywnego
Ćwiczenie 2 Analiza właściwości filtra selektywnego Program ćwiczenia. Zapoznanie się z przykładową strukturą filtra selektywnego 2 rzędu i zakresami jego parametrów. 2. Analiza widma sygnału prostokątnego..
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWE PODSTAWOWYCH CZŁONÓW LINIOWYCH UKŁADÓW AUTOMATYKI
CHARAKERYSYKI CZĘSOLIWOŚCIOWE PODSAWOWYCH CZŁONÓW LINIOWYCH UKŁADÓW AUOMAYKI Do podstawowych form opisu dyamii elemetów automatyi (oprócz rówań różiczowych zaliczamy trasmitację operatorową s oraz trasmitację
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoG:\AA_Wyklad 2000\FIN\DOC\Fourier.doc. Drgania i fale II rok Fizyki BC. zawierają fazy i amplitudy.
Elemety aalizy ourierowskiej: W przypadku drgań było: () t A + A ( ω t + φ ) + A os( 2ω t + φ ) gdzie + A ω 0 os 2 2 os( ω t + φ ) +... 2π Moża zapisać jako: [ ] () t A + C exp( iω t) + C ( iω t) gdzie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoDetektor Fazowy. Marcin Polkowski 23 stycznia 2008
Detektor Fazowy Marcin Polkowski marcin@polkowski.eu 23 stycznia 2008 Streszczenie Raport z ćwiczenia, którego celem było zapoznanie się z działaniem detektora fazowego umożliwiającego pomiar słabych i
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET
POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora
Bardziej szczegółowoDrgania i fale II rok Fizyk BC
00--07 5:34 00\FIN00\Drgzlo00.doc Drgania złożone Zasada superpozycji: wychylenie jest sumą wychyleń wywołanych przez poszczególne czynniki osobno. Zasada wynika z liniowości związku między wychyleniem
Bardziej szczegółowoPodstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej. wykład 23, Radosław Chrapkiewicz, Filip Ozimek
Podstawy Fizyki IV Optyka z elemetami fizyki współczesej wykład 23, 21.05.2012 wykład: pokazy: ćwiczeia: Czesław Radzewicz Radosław Chrapkiewicz, Filip Ozimek Erest Groder Wykład 22 - przypomieie ieliiowe
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowo