., 1) lnymiar teoretyczny. '

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "., 1) lnymiar teoretyczny. '"

Karol Niemiec
4 lat temu
Przeglądów:

1 UKD LMNTY PÓŁPRZWODNKOW N O R M A BRANŻOWA Tranzystry typu BF 97 BNB /0 Grupa katagwa 923. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy sę szczegółwe wymagania dtyczęce tranzystrów krzemwych np_n małej mcy wiekiej częsttiwści wyknanych techng i ę a nazwę prducenta ub znak fabryczny, b znaczenie typu,. c znaczenie ddatkwe da tranzystrów wyskiej bar_ epi taksjanpanarnę typu BF 97 w budwie pastykwej dz wyski ej jakś c i. T ranzystry wyski ej jakści pawi nny być znakwane przeznacznych d sprzętu pwszechneg użytku raz urzędzeń wymagajęcych zastswania eementaw wyskiej cyfrę 3, a tranzystry bardz wyskiej jakś c i cyfrę bardz wyskiej jakś c i. Tranzystry BF 97 przeznaczne sę d stswania we wzmacniaczach pśredniej częsttiwści i w stpniach niereguacyjnych OTV. Kategri"a kimatyczna da tranzystrów: standardwej jakści (paz i m jakśc i ) 0/25/0, wyskiej jakści (pzim jakści ) 0/25/2, bardzq wys.kiej jakści (pzim jakści V) 0/25/56. 2, Przykład znaczenia tranzystrów a) standardwej jakści TRANZYSTOR BF 97 BN87/33753/0 b) wyskiej j akś ci TRANZYSTOR BF 97/ 3 BN87/33753/ 0 c bardz wyskiej jakści umieszcznę p znaczeniu t ypu.. Wymiary i znaczenia wyprwadzeń tranzystrów wg rysunku i tab.. Oznaczeni e budwy stswane C 36. _c,,.!j e.,". C... przez,j ' Z, prducenta TRANZYSTOR BF 97/ BN87/33753/ 0 3, Cechwanie tranzystrów pwinn zawierać następu jęce da,.e: Obudwa C 36 Tabi c a Wymiary budwy C 36 " Wymiary w mm Wymiary w mm S y mb S ymb wymi aru wymiar u min nm max min nm max A 5,60 e 2, 5 ) A 7,80 e 2,00 2,50 A 2,00 e 2,35, 75 b 6, ) j, 0,30 b Z, 5,25 L,00,30 b 3 0,70 0,80 L,85 2, 5 c O, 7 0,22 N 3, D 7,50 Z 2,30., ) Nymiar teretyczny. '...., 25 Zgłszna przez Fabrykę Półprzewdników TWA Ustanwina przez Dyrektra NaukwPrdukcyjneg Centrum Półprzewdników dnia 5 kwietnia 987 r. jak nrma bwiązująca d dnia października 987 r. (Dz. Nrm. i Miar nr 8/ 987, pz. 22) WYDAWNCTWA NORMALZACYJN..ALFA" 9B7. Druk. Wyd. Nrm. Wwa, Ark. wyd..0 Nakł Zam. 29B/ B7 Ce na zł 36,00

2 2 BN8 7/337!>3/ O 5, Badania w grupie A, B, C i Owg BN8q337!>3/00. c badania grupy B, C i O wg tab. 3, 6. Wymagania szczegółwe d badań grupy A. B. C i O a) badania pdgrupy A sprawdzenie vj'ymiaró.w A, D, d) parametry eektryczne sprawdzane w czasie p badaniac h grupy B, C i O wg tab.., wg r ysunku i tab., b) badania pdgrupy A2, A3, A i C2 wg tab. 2, 7. Pzstałe pstanwienia _ w g BN80/337!>3/00. TabiCa 2. Parametry eektryczne pdstawwe sprawdzane w badaniach pdgrupy A2, A3. A i C2 Metda Pdgrupa Kntrwany pmiaru Rdzaj badania badań parametr wg PN7/ T 050 Wartści graniczne Warunki pmiaru Jednstka BF 97 min max A2 Sprawdzenie pd ark. 05 V = 0 V ea = O na 00 ca stawwych parame_ tróweektrycznych V(aR )CBO V (BR)CO ) ark. 07 = C V(BR)BO ark. 0 C = 0 J.A = O V 0 7mA B = O V 25 ark. 0 = 0 /LA e = O V h 2 ") ark. 08 e = 7 ma V 0 V 0 C A3 Drugrzędne para_ h 2 ) ark. 08 e = ma U C = 2 V 5 C2 metry eektryczne V B ark. 0 C = 7 ma V C = 0 V V 0,9 f T ark. 2 rc = 7 ma U C =0V MHz 350 f = 00 MHz C 2es ark. 23 [ = ma V e = 0 V pf 0,35 f = MHz T bb, C c ark. 25 = 7 ma e V C = 0 V ps 0 f = 50 MHz A Sprawdzenie para ark. 05 V = O V CBO CB metróweektrycznych t amb = 25 0 C [ = O (pzim i V) J.A 50 ) Pmiar impuswy. t p 300 J.s, J2%. Tab ica 3. Wymagania szczegółwe d badań grupy B, C O Lp. Pdgrupa badań Rdzaj badania Wymagani a szczegółwe 2 3 B, C Sprawdzenie wytr:;;ymałści mechanicznej wy próba Ub, metda 2' 2,5 N próba Ua. 5N ' prwadzeń Sprawdzeni e szcze nści próba Q

3 BNS7j j 0 3 cd. tab. 3 L p. Pdgr upa badań Rdzaj badani a Wymagania szczegółwe B3, C9 Sprawdzeni e wytrzyma ł ści na s padki swbdne p ł żenie tranzystra w czasie spa dani a wyprwadzeni am i d góry 3 B, C Sprawdzeni e wytrzymałści na udary wie mcwanie za bu d wę krtne B5, C5. S prawdzenie wytrzymałści na nagłe zmiany T = 55 C; = ( pzim jakści t emperatury i V) A Ta 25 C B6, C6 Sprawdzenie wytrzyma ł ści na narażenia układ OB wg PN 7SjT0 5 5 t ab, 5 eektryczne = 2 ma, U = 2 0 V ca C3 S p r awdzeni e masy wy r bu 0 C Sprawdzenie wytrzymałści na przyspi eszeni a kierunek prbierczy; bydwa kierunk i, 2 g stałe wzdłuż si wyprwadzeń; mcwani e za budwę Sprawdzenie wytrzyma ł śc i na wibracje sta ł ej c zęst t i wśc i (d a pzimu jakści ) mcwanie za budwę Sprawdzenie wy t rzyma ł ści na wibracje zmien nej częs t t iwści (d a pzimu jakści i V) S C5 Sprawdzeni e wytrzyma ł śc i na ci epł utwani a temperat ura kępie i 350 C AQL =, 0 9 C7 (pzim jakśc i V) S p r awdz enie wytrzym a łśc i na zimn t s t g m i n = 55 C 0 CS Sprawdz eni e wytrzymałśc i na suche gręc t = 25 0 C st g max (pzim j akści i V) 2 C O S prawdzenie wymiarów wg rysunku i t ab, D S prawdzeni e dprnści na niskie ciśnienie temperatura narażan i a 25 C (pz i m j akści a t msferyczne i V) 3 D 2 Sprawdzenie wytrzy m a ł śc i na rz puszcz a niki akh ety wy, acetn; sprawdza n e wymiary A, D i L wg tab, i rysunku; masa tranzystra 0,2 g D 3 S pra wdzenie pa nści pa nść zewnętrzna 5 D Sprawdzenie wytrzym a łśc i na peśń brak prst u p eśni p badaniu 6 D5 S p r awdzenie wytrzym ał ści na mg ł ę s nę pżenie tranzystra dw ne, T ab i ca, P arame t ry e ektryczn e sprawdzane w czasie p badaniach grup y B, C D (pzim " i...!.y L p, O znaczeni e i t e r we parametru Metda pm i aru wg P N 7jT050 W artści gra ni czn Warunki pmi aru P d grupa badań Jednstka BF 9 7 mi n max S ark, 05 U = 0 V, = 0 B, C, B 3, B, B5, e BO CB na 00 C 2, C, C 5, C 7, C9, D 8 6, C 6, CS na 500 C2 i ) p.a 50

4 BN_S 7j j O cd tab Wart ści granic zne Lp. Oznac zenie Me t d a pm i aru iterwe wg PN7j T 0S0 War unk i pmi aru Pdgrupa badań J e dns tka BF 97 parametr u.. m i n max S 2 h 2 2) ark. OS C = ma B 3, B, 8 5, C, B " C2, C, CS, C7, C9 0 U = 0 V C B6, C6, C S 3 2 C2 ) ) W cza s ie badan ia. 2 )P mia r impu s wy t p 300 J s f h 2%. K O N C NFORMACJ DODATK O W PN 7j T 0S0j 2 3 Tra n zystry. P m ia r p a r ametró w [y] " nstytuc ja prac wujaca n r m ę Naukw Prdukcyjne Cent r um Pó łpr z ęw dni ków F abryka P ó łprzew dni ków T WA, Wars zawa u. K marwa Nrmy z w i ąz a ne P N 7 jt050j O T ranzystry. P m ia r h 2 nap ięcia U B PN 7j T O S0j 0 Tranzystry. P miar n a pi ę ć c ia U ( B R )C BO U(BR ) B O PN 7j T0S0 j 0 5 Tranzyst r y. P miar p r ę dó w wstecznych c a BO prze bi_ PN 7j T OS0j0 7 T r a nzyst r y. Pmi ar nap ię ć p r z eb i cia U ( BR )C O ' metd ę i mpu ' s wę PN 7jT 0 50j08 i mpu s w ę U( BR ) CR' U( B R)CS' U ( BR )CX,. Tranzys try. Pmiar h 2 met dę T ab ica. Wart ści w z ak r e s i e w. cz. PN_7j T _050j 2 T r a nz ys try. P miar mo duł u h2e w z a k re s i e w. cz. i cz ę s t t i w ś ci f T PN7jT0 5 0j 2S Tranzystry. Pm iar s t ałej cza s we j s przężeni a zwrtneg T bb' C c P N _7SjT_ 0 55 e menty p ó łpr z e w d ni kw e. O gó ne wy_ magania i b adania BN 8 0 j j OO e me nty pó łpr ze wdn i k w e. T ranz y s t r y mał e j mcy w ie k ie j czę s tti w ś c i. W ymagania i badania 3, S ymb wq KTM BF Wart ś ci dpuszczane wg tab. i rys Dane c ha r akterystyc zne wg tab. 2 i r ys. _.;. _8. dpus z c za ne Oznaczenie War t ś c i d L p. param e tru Nazwa parame tru Jedns tka puszczane B F 97 U C B O Napi ęc ie kekt rbaza V 0 2 U CO Napięci e k ek tr emiter V 25 3 U Napięcie emi t e r baz a V BO c P r ęd k ektra m A 25 5 B Pręd bazy ma 2 6 P C ałkw i ta mc wejściwa (stała ub średn i a) na wszystkich e ek t r dac h t t przy t = amb C mw t i T emper atu r a złęcza Oc t sg T e mperatura p r zechwywa n i a Oc 5 5';' t a mb T emperatura t c zenia w c zas i e pracy Oc

5 nfrmacje ddatkwe d BN87j j 0 5 L p. O znaczenie paramet ru Nazwa paramet ru T ab ica 2 D ane charakter s t yczne Warunki pmi aru Jednstka T ypbf 97 mi n typ max CBO P r ęd zerwy kek tra U C B = 0 V, = O na 00 2 U (BR)cBO Napięcie przeb i cia k ek tr baza = 0 C. p.a, = O V 0 3 V ( BR) C O Napięci e przebicia kektr emi ter C = 7 ma, B = O V 2 5 V (BR)BO Nap i ęc i e p r z ebicia emiterbaza ' = 0 p.a, i::: = O V 5 h 2 Stat yczny wspó ł czy nn ik wzmcnieni a p r ędweg w uk ł adzie w s pó neg emi tera C = 7 ma, U C = 0 V C = 2 0 ma, U C = 2 V V B Napięci e baza emiter C = 7 m A, V C = 0 V V 0, 9 7 f T C zęs t t iwść g r aniczna J C = 7 ma, U C = 0 V M H z f u 00 MHz 8 Tbb C c S ta ł a czaswa sprzężenia przy wiekiej częs t t iwści zwrtneg C = 7 ma, f = 50 MHz U e = 0 V ps C 2 es 9 e P jem n ść sprzężenia z wrtneg p r z y wejściu zwart ym d a p r zebiegów z m ien. nych w uk ł adz i e wspóneg emi t era M a ł sygna ł w a zwarci w a knduk t ancj a wejściwa w uk ł adzie wspó ł neg e mitera J = m A, U = 0 V C f = MHz Je = 7 ma, V e = 0 V f = 3 5 MHz p F 0, 32 0, 35. m S y 2 e Md uł zwarciwej admitancji przenszenia wprzód w uk ł a d zie wspóneg emi tera Je = 7 m A, U C = 0 V f = 35 MHz m S e M a ł sygna ł w a zwarc i: w a knduk t ancja wyjściwa w uk ł adz i e wspó neg emi t era p.s 80 BOD r,. (MHz) 8F 97 tamb :25 C 0 8F97 tamb =25 C 600 JOD too 0. / V / u[[= to V f = tod/'hz Je (ma) 0 ge (ms) ge "'{te f =35MHz, J J / J ;) / " ': "rh f 00 f// /// V,," / <}/')v.,,.. :;..',,, :'" '".,.. ' / 'f ete (pf) "'''' 0 c(ma) 0 SN87/337S 30 6N 87/3 ' 75 3/0 2 R ys.. Za eżnść częs t t i wśc i grani cznej d prędu kek tra f T"" f(c) Rys. _2. Z a eżnść admi t ancji wejsc wej d prędu kek_ tra g i e ; C'i e =: f ( C )

6 6 nfrmacje ddatkwe d ON07j337!J3j0 0 3 BFt97 00 Yzf) (ms) 0 BFf97 f=35hhz t am b=2s"c <,'A'! // V "... ' Pt (mw) [, f 0. Je (ma) to 0 O famb (OC) 50 BN B7/3375Q H BN8m3" 3/D 5 R y s. 3. Zaeżnść adinitancji przejś c iwej prędu kektra /Y2e=f(c) wprzó d d R y s. 5. Zaeżnść temperaturwa mc y s trat Pt t= f(t amb ) 8F97 t am b=2s0c / f = 3S H Hz ttit+tt+ ' ++/tttj gz2e.t, [ 0 UCR (V) 30 0 Dr 97 t am b=25 C 8 [ ).LV( J c =2mA..." łr 0 0 BN 87/3375 3/OS SN WD R y s.. Zae ż nś ć armitancj i w yjś i wej d prędu kektra g ' C f ( ) 22e' 22e C Rys. 6. Za eżnść nap ię c i a k ektremi ter d s tsun ku impedancji bazy i emitera U CR = f(:

7 nfrmacje ddatkwe d BN_87/33753/ c (ma ) Bf 97 t am b=25 C > V./ / n "... v V A./.Q..;.. :/ /'.,. /'... fjv, VV V/' rj V r.. V ' V V' 3J. V V V /' 25 O /J._P doja fo)a L =50,iA 3 hm: Br 97./ /' '" '. t amb =2Sc Ucc =0V t.. O 8 2 U C (v) D D,f c (ma) 0 ł BN&3S SN87/337530si Rys.. Charakterystyka wyjściwa _ parametr B =f{u ) C C Rys. 8. Zaeżnść statyczneg współczynnika wzmcnienia prędweg d prędu kektra h = f ( ). Z C

Podobne dokumenty

NORMA BRANtOWA. T ranzysłory BF 257, BF 258, BF Tranzystory przeznaczone sę do pracy we wzmacniaczach

NORMA BRANtOWA. T ranzysłory BF 257, BF 258, BF Tranzystory przeznaczone sę do pracy we wzmacniaczach UKD 621.382.3 LMNTY PÓŁPRZWODNKOW NORMA BRANtOWA T ranzysłry BF 257 BF 258 BF 259 BN80 337531.01 Grupa katagwa 1923 PrzeÓ11it nrmy PrzeÓ11item nrmy sę krzemwe panarne tranzystry npn wysknapiędwe małej