ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 045

Transkrypt

1 ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 045 wydany przez POLSKIE CENTRUM AKREDYTACJI Warszawa ul. Szczotkarska 42 Wydanie nr 15 Data wydania: 1 września 2016 r. Nazwa i adres AB 045 Kod identyfikacji dziedziny/przedmiotu badań: C/6 E/6; E/7 F/6; F/7 N/6; N/7 J/6 L/6 INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY LABORATORIUM BADANIA JAKOŚCI I WZORCOWANIA WYROBÓW Dziedzina/przedmiot badań: ELEKTRONICZNYCH ul. Ratuszowa Warszawa Badania chemiczne / wyroby i wyposażenie elektryczne, telekomunikacyjne i elektroniczne Badania elektryczne i elektroniczne / wyroby i wyposażenie elektryczne, telekomunikacyjne i elektroniczne, wyposażenie elektroniczne (w tym oprogramowanie), Badania kompatybilności elektromagnetycznej / wyroby i wyposażenie elektryczne, telekomunikacyjne i elektroniczne, wyposażenie elektroniczne (w tym oprogramowanie) Badania właściwości fizycznych / wyroby i wyposażenie elektryczne, telekomunikacyjne i elektroniczne, wyposażenie elektroniczne (w tym oprogramowanie), Badania mechaniczne i metalograficzne / wyroby i wyposażenie elektryczne, telekomunikacyjne i elektroniczne Badania nieniszczące / wyroby i wyposażenie elektryczne, telekomunikacyjne i elektroniczne ZASTĘPCA DYREKTORA TADEUSZ MATRAS Niniejszy dokument jest załącznikiem do Certyfikatu Akredytacji Nr AB 045 z dnia r. Status akredytacji oraz aktualność zakresu akredytacji można potwierdzić na stronie internetowej PCA Wydanie nr 15, 1 września 2016 r. str. 1/5

2 Laboratorium Badania Jakości i Wzorcowania Wyrobów Elektronicznych ul. Ratuszowa 11, Warszawa Systemy alarmowe Cechy i właściwości dla potrzeb oceny PN-EN :2009 +A1:2010 Centrale alarmowe funkcjonalności PN-EN :2010 Pasywne czujki podczerwieni - napięcie DC, zakres: 100 µv V - napięcie AC, zakres: 100 µv-750 V, dla częstotliwości 1 Hz 1 MHz PN-EN :2009 Mikrofalowe czujki Dopplera - prąd DC, zakres: 100 µa - 1 A PN-EN :2010 Bariery mikrofalowe - prąd AC, zakres: 100 µa - 1 A Czujki otwarcia stykowe dla częstotliwości 1 Hz - 10 khz PN-EN :2012 (magnetyczne) - rezystancja, zakres: 0,1 Ω - 1 GΩ - czas, zakres: (0,2 100) s Pasywne czujki stłuczenia szyby PN-IEC :1996 p. 6 PN-EN :2013+A1: PN-EN :2013+A1: Czujki dualne pasywne PN-EN :2009 podczerwieni i mikrofalowe Czujki dualne pasywne PN-EN :2010 podczerwieni i ultradźwiękowe Sygnalizatory PN-E :2000 p. 8.2 PN-EN :2010 Systemy kontroli dostępu PN-EN :2007 p. 6 Zasilacze systemów alarmowych PN-EN :2009 Elektryczne przyrządy pomiarowe, automatyki i urządzenia laboratoryjne Urządzenia techniki informatycznej Maszyny i urządzenia organizacyjno-technicznych środków pracy biurowej systemów alarmowych, pożarowych, włamaniowych i osobistych Cechy i właściwości dla potrzeb oceny bezpieczeństwa użytkowania wg PN-EN :2011 i PN-EN : Cechy i właściwości dla potrzeb oceny bezpieczeństwa użytkowania wg PN-EN :2007 Odporność na wyładowania elektrostatyczne Zakres: od 1 kv do 25 kv Odporność na serie szybkich elektrycznych stanów przejściowych Zakres: od 0,25 kv do 4 kv PN-EN :2011* PN-EN : * Wyłączenia dotyczą: Urządzenia specjalnie chronione Ciśnienie płynu i przeciekanie 12. Ochrona przed promieniowaniem 13. Ochrona przed wydzielającymi się gazami, eksplozją i implozją PN-EN :2007+ A1: A11: A2: * * Wyłączenia dotyczą: Konstrukcja płyt drukowanych Płyny łatwopalne Promieniowanie - załączników: A, B, Y, AA, EE p.5 PN-EN :2011 PN-EN :2012 p. 9 PN-EN : PN-EN :2012 p. 12 Wydanie nr 15, 1 września 2016 r. str. 2/5

3 (o mocy < 2kVA i prądzie włączenia < 28A) Odporność na udary elektryczne Zakres: 0,25 kv do 4 kv Odporność na zapady, krótkie przerwy i zmiany napięcia Wytrzymałość i odporność na zimno (próba A do -40 C) Wytrzymałość i odporność na suche gorąco (próba B do +180 C) Wytrzymałość i odporność na wilgotne gorąco stałe (próba Cab) Wytrzymałość i odporność na wilgotne gorąco cykliczne (próba Db) Wytrzymałość i odporność na zmiany temperatury (próba N) Wytrzymałość i odporność na uderzenia, młot sprężynowy (0,5 J) (próba Eh) PN-EN : * *Wyłączenia dotyczą: 7.5. Testowanie symetrycznych linii komunikacyjnych PN-EN :2012 p. 13 PN-EN :2007 PN-EN :2012 p. 7 i 8 PN-EN :2009 PN-EN :2012 p. 10 PN-EN :2009 PN-EN :2012 p. 8 i 9 PN-EN : PN-EN :2012 p. 12 i 13 PN-EN :2008 PN-EN :2012 PN-EN :2009 PN-EN :2002 PN-EN :2012 p. 11 PN-EN : PN-EN :2012 p. 20 Wydanie nr 15, 1 września 2016 r. str. 3/5

4 Elementy elektroniczne, płytki obwodów drukowanych, zespoły elektroniczne (pakiety) Elementy elektroniczne do montażu przewlekanego Elementy elektroniczne do montażu powierzchniowego Płytki obwodów drukowanych Płytki obwodów drukowanych, połączenia lutowane, zespoły elektroniczne (pakiety) Zespoły elektroniczne Płytki obwodów drukowanych Zawartość zanieczyszczeń jonowych IPC-TM Rev C, p. 6 Metoda pomiaru rezystancji roztworu Zakres: (0,3 10) g NaCl/cm 2 Zawartość Pb, Cd, Hg, Cr, Br IEC ed. 1.0 Metoda fluorescencyjna spektrometrii rentgenowskiej (XRF) Zakres: Pb: ( ) mg/kg Hg: ( ) mg/kg Cd: ( ) mg/kg Cr: ( ) mg/kg Br: ( ) mg/kg Lutowność -- Próba Ta PN-EN :2009 Lutowności -- Próba Te PN-EN :2008 Odporności na udar cieplny i rozwarstwienie Lutowność otworów przelotowych i pól lutowniczych Struktura wewnętrzna zgładu metalograficznego Wady wewnętrzne Metoda rentgenowska Poprawność wykonania połączeń lutowanych Grubość powłok Ni/Au na Cu oraz Sn na Cu Metoda fluorescencyjna spektrometrii rentgenowskiej (XRF) Zakres: - Au: ( 0,001 0,08) m - Ni: ( 0,01 4,5) m - Sn: ( 0,01 2 ) m - Cu: ( 1 40 ) m PN-EN :2008 p. 11.2, 11.4 PN-EN : 2008 p JSTD-003B p i p IPC-TM-650 Rev E, p IPC-A-600 Rev H, p. 3 IPC-A-610 Rev E, p IPC-A-610 Rev F Procedura A4 wydanie 1 z dnia r. IPC-A-610 Rev E, p. 5, p , p. 8.3 i p IPC-A-610 Rev F Procedura A5 wydanie 1 z dnia r. Wydanie nr 15, 1 września 2016 r. str. 4/5

5 Wykaz zmian Zakresu Akredytacji Nr AB 045 Status zmian: wersja pierwotna - A Zatwierdzam status zmian ZASTĘPCA DYREKTORA TADEUSZ MATRAS dnia: r. Wydanie nr 15, 1 września 2016 r. str. 5/5