Amorficzne warstwy w spintronice
|
|
- Czesław Ryszard Stefaniak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Amorficzne warstwy w spintronice T. Stobiecki
2 Dlaczego spintronika jest ważna? ŁADUNEK SPIN Semiconductor Devices and Integrated Curcuits Metal Spintronics MRAM + Circuit Technology SPINTRONICS Magnetic Recording and Magnetic Sensors Semiconductor Spintronics NANOTECHNOLOGIA Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
3 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 3
4 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 4
5 Year Magnetoresistance MR ratio (RT & low H) AMR effect MR = 1~4% Magnetoresistance in NiFe films (1973) GMR effect MR = 5~15% TMR effect MR = 20~70% T. Miyazaki, J. Moodera Giant TMR effect MR = 200~1000% L.Kozłowski L.Maksymowicz A.Maksymowicz R.Kolano H.Lachowicz H.Szymczak Device applications Lord Kelvin HDD head Inductive head MR head GMR head TMR head MgO -TMR head Memory MRAM Spin Torque MRAM A. Fert, P. Grünberg, 2007 Nobel Prize STT J. Slonczewski, L. Berger 1966 Novel devices Microwave, E-control, Spin Orbit Torque 5
6 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 6
7 Cyfrowy zapis magnetyczny? Molecular Magnets 100 Tb/in 2 10 Tb/in 2 limit TAR, patterned media Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
8 HDD lat temu First Hard Disk Drive with 24" Diameter Disks Compared with Modern 2.5" HDD. The first HDD was introduced in 1956 with 50 disks of 24" diameter holding a total of 4.4 Mbytes of data. The purchase price of this HDD was $10,000,000 per Gbyte. For comparison in the foreground a modern HDD is shown holding 160 Gbyte of data on two 2.5" diameter disks at a purchase price of less than $1 per Gbyte. Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
9 Miniaturyzacja HDD
10 Głowica ewolucja technologiczna Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
11 HDD-głowica TMR Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
12 of Hard Disc Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
13 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 13
14 Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
15 Green IT after S. Yuasa (2012) 15
16 Writing energy (pj/bit) after T. Nozaki AIST Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie GREEN IT zapis energii na bit dla MRAM Spin-transfer torque (STT) - RAM TSMC&Qualcomm 2009 Everspin2010 Hitachi&Tohoku 2010 Samsung 2011 Everspin2010 Toshiba2008 MagIC-IBM 2008 Everspin 2010 Avalanche 2010 SONY 2005 Toshiba 2012 MagIC-IBM 2010 Grandis 2010 STT+voltage effect Voltage effect Target < 1 fj/bit Φ10nm Φ30nm Φ100nm MTJ size ( m 2 ) MRAM (Øersted field) MRAM STT-RAM IBM2003 Energy required for data retention (60 k B T) 16
17 MRAM-Info: Everspin starts sampling 256Mb ST-MRAM chips, plans 1Gb chips by the end of 2016 Posted: 14 Apr :52 PM PDT IBM demonstrated 11nm STT-MRAM junction, says "time for STT-MRAM is now" Posted: 07 Jul :08 PM PDT IBM in collaboration with Samsung, demonstrated switching MRAM cells for devices with diameters ranging from 50 down to 11 nanometers in only 10 nanoseconds, using only 7.5 microamperes. The researchers say that this is a significant achievement on the way to high-density low-power STT-MRAM. Using perpendicular magnetic anisotropy (PMA), the researchers can deliver good STT-MRAM performance down to write-error-rate with 10 nanosecond pulses using switching currents of only 7.5 microampere. IBM is quite excited about this new achievement, and the company says that the "time for Spin Torque MRAM is now". This coincides with the fact that twenty years ago, IBM scientist John Slonczewski invented the STT-MRAM and published this in a now seminal paper "Current-driven excitation of magnetic multilayers" in JMMM IBM will host a special STT-MRAM symposium on November 7 Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
18 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 18
19 Tunnelowanie Julliere s model Ferromagnetic-electrode 1 Insulator Ferromagnetic-electrode 2 19
20 Charakterystyki przełączania Przełączanie zewnętrznym polem M 2 M 1 R P AP Przełączanie prądem warstwy buforowe Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
21 Tunelowa Magnetorezystancja (TMR) Ikeda, Appl. Phys. Lett. 93, (2008). CoFeB MgO CoFeB Ru CoFe J. Wrona, AGH, Singulus Timaris PVD Cluster Tool System TEM: L. Yao, S. Van Dijken, Aalto, Finland 21 Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
22 Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
23 Krystalizacja bariery tunelowej MgO AIST, Anelva Djayaprawira, Yuasa APL (2005) Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
24 Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie Sputtering deposition (industrial process) Singulus TIMARIS Multi Target Module Top: Target Drum with 10 rectangular cathodes; Drum design ensures easy maintenance; Bottom: Main part of the chamber containing LDD equipment Oxidation Module Low Energy Remote Atomic Plasma Oxidation; Natural Oxidation; Soft Energy Surface Treatment Soft-Etch Module (PreClean, Surface Treatment) Transport Module (UHV wafer handler) Cassette Module (according to Customer request) Ultra High Vacuum Design: Base Pressure 5*10-9 Torr (Deposition Chamber) High Throughput (e.g. MRAM): 9 Wafer/Hour (1 Depo-Module) High Effective Up-time: 18 Wafer/Hour (2 Depo-Module) Courtesy of 24
25 Transmission electron Microscopy (TEM) of TMR multilayers AF 0.9nm FFT (001) MgO L. Yiao, S. van Dijken Aalto Univ. TEM EDX 25
26 Litografia elektronowa - clean-room 100 Wet bench E-beam microscope Ion beam eatching Mass spectrometer Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
27 Maski R. Kolano ok.1975 Maska mechaniczna 1967 negatyw pozytyw 70 μm x 1 μm 20 μm x 2 μm Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
28 Resistance [Ohm] Electron-beam lithography e-litography by RAITH system breakdown Nanopillar 3 steps: e-beam litography, ion etching, lift-off Voltage [V] 28
29 TMR & RA vs. MgO barrier thickness W. Skowronski, T. Stobiecki, et al. J. Appl. Phys. (2010), A. Zaleski, W. Skowroński, T. Stobiecki et al. J. Appl. Phys. (2012),
30 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 30
31 Unpolarized electrons Spin Transfer Torque (STT) Polarized electrons Transmitted electrons Electron flow Conduction Electrons Polarizer P Free layer M Transfer of transverse moment m = Torque (Spin Torque ST) ST tends to align M (anti-)parallel to P Local magnetization 31
32 Dynamika magnetyzacji - LLG precession dm dt m H eff damping m dm dt L(andau) L(ifszic) G(ilbert) dynamics 32
33 precession dm dt m H Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie eff Spin Transfer Torque (STT) damping m dm dt STT m ( m M ) m M M SV M SV 33
34 Power (nv/hz 0.5 ) Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie STT CIMS Spin Transfer Torque Curent Induced Magnetization Switching DC current -0.1 ma -0.5 ma -1 ma -1.5 ma -1.7 ma -1.8 ma I = I Critical 2 1,0 1,5 2,0 2,5 Frequency (GHz) W.Skowroński, T.Stobiecki et al. APEX 5, (2012) 34
35 Zero-magnetic field STO W.Skowroński, T.Stobiecki et al. APEX 5, (2012) 35
36 Mapa drogowa Spintroniki: historia, teraźniejszość, przyszłość Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) nanoszenie: sputtering, MBE materiały, amorficzność vs. krystalizacja nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT), przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym (STT-RAM) Spinowy Eefekt Halla (SHE) Plan Motywacja: cyfrowy zapis magnetyczny (HDD), green I(nformation) T(echnology) Podsumowanie 36
37 Metal wykazujący sprzężenie spin-orbita Spinowy efekt Halla E(J) indukowana prądem elektrycznym poprzeczna akumulacja spinów w metalu niemagnetycznym generacja prądu spinowego prostopadłego do kierunku przepływu prądu ładunkowego Spinowy kąt Halla θ SH - stosunek prądu spinowego do prądu ładunkowego: θ SH = ħ(2e) 1 J s J e Wysoki spinowy kąt Halla w Ta, W, Pt, CuIr, BiSe Domieszkowanie Izolatory topologiczne Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
38 Spinowy efekt Halla (SHE) Oddziaływanie prądów spinowych na warstwę magnetyczną: wzbudzenie rotacji namagnesowania zmiana kierunku namagnesowania L. Liu et al., Science 336, , (2012) Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
39 Metoda harmonicznych napięcia SHE Anizotropia prostopadła Detekcja sygnału przy pomocy wzmacniacza typu lock-in - modulacja sygnału wejściowego. Dwie składowe pola efektywnego: ΔH L, T = -2 V 2ω H L,T 2 V ω H2 L,T Damping Efektywność SHE damping i field-like: ξ DL/FL = ΔH L,T 2eµ 0 M S t CoFeB J e Ta ħ f = 386 Hz H T y z H Z H L x Field-like Dwa momenty siły tzw. field-like i damping-like J. Kim et al. PRB 89, (2014) J. Sinova et al. Rev. Mod. Phys. 87, 4 (2015) 3 9 Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
40 Struktura warstwowa układu SHE d Ta / 0.91 nm Co 40 Fe 40 B 40 / 5 nm MgO / 1 nm Ta d Ta = 5 nm, 10 nm, 15 nm Wygrzewane w 330 C przez 20min. 10μm i Warstwa ochronna MgO sprzyja uzyskaniu PMA w CoFeB Warstwa ferromagnetyczna Metal z oddziaływaniem spin-orbita Termicznie utlenione podłoże Si(001) sputtering: Singulus Timaris PVD Cluster Tool System PMA prostopadła anizotropia magnetyczna Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
41 Intensity [a.u.] Ta (331) Ta (410) MgO (002) Ta (312) FL [%] DL [%] Si (002) Ta (002) Ta (330) Ta (202) Ta (212) Ta (411) Intensity [a.u.] Ta (002) Ta (410) Ta (330) Ta (202) Ta (212) Ta (411) Ta (331) Ta (312) MgO (002) Si (002) Intensity [a.u.] MgO (002) ( cm) Si (002) Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie amorphous ( ) Tetragonalna faza β- Ta Spinowy Efekt Halla w Ta Ta 5 nm Ta 10 nm Ta 15 nm Ta 10Ta 15Ta T [K] T (K) 4 5Ta 2 10Ta 15Ta Ta 5 Ta/ 0.9 CoFeB 10 Ta 10 Ta/ 0.9 CoFeB 15 Ta 15 Ta/ 0.9 CoFeB T [K]
42 Intensity [a.u.] -W (211) -W (200) -W (210) DL, FL (%) -W (110) Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie Spinowy efekt Halla w W/CoFeB t W (nm): ( O ) Przejście z fazy FCC β-w do fazy BCC α-w DL FL Temperature (K)
43 Aparatura pomiarowa Politechnika Wrocławska, Instytut Instytut Metali Materiałoznawstwa Nieżelaznych, Wisła i Mechaniki września Technicznej
44 Podsumowanie Wytworzono magnetyczne złącze tunelowe (MTJ) o strukturze nanopilaru z bardzo cienką barierą MgO. Zbadano efekt STT (Spin Transfer Torque), wytworzono prototyp komórki pamięci STT-RAM. Uzyskano przełączanie magnetyzacji indukowanym prądem (CIMS) oraz STT-oscylacje w złączach MTJ. Badano Spinowy Efekt Halla w Ta/CoFeB i W/CoFeB. 44
45 Współpraca i finansowanie AGH Department of Electronics: Dr. M. Czapkiewicz (micromagnetic simulations, magnetooptics) Dr. J. Kanak (structure: XRD, AFM/MFM) Dr. W. Skowroński (e-lithography, TMR, CIMS,Spin-diode, VCMA, SHE/SOT) Dr. hab.p. Wiśniowski (MR-sensors, noise measurements and analysis) W. Powroźnik (technical service) M. Dąbek, PhD student (noise in sensors) S. Ziętek PhD student (e-lithography, multiferroics) M. Cecot, PhD student (SHE/SOT, AFM/MFM, e-lithography) M.Frankowski, PhD student (micromagnetic simulations) J. Chęciński, PhD student (micromagnetic simulations) P. Rzeszut, student (LabView programming, electronic service, measurements) ACMiN AGH: prof. M.Przybylski, A. Żywczak (e-litography, PLD deposition, magnetic measurements) Katedra Fizyki Ciała Stałego AGH: prof. J. Korecki + zespół (MTJ z MBE) Singulus AG: J. Wrona (sputtering deposition at Singulus AG, CIPT-capres measurements) IFM PAN: J. Barnaś (UAM), P. Balaz (UAM, ChU Prag), A. Dyrdał (UAM), Ł. Karwacki (UAM), P. Ogrodnik (PW), J. Dubowik (IFM PAN), H. Głowiński (IFM PAN), F. Stobiecki (IFM PAN) AIST, Japan: T. Nozaki, S. Yuasa, Y.Suzuki EPFL, Switzerland: J-Ph. Ansermet, A.Vetro University of Bielefeld, Germany: prof. G. Reiss Aalto University, Espoo, Finland: prof. S. van Dijken 45
46 Podziękowania Nanoscale spin torque devices for spin electronics NANOSPIN Grant no. PSPB- 045/2010 Polish National Science Center Grant No. Harmonia-DEC 2012/04/M/ST7/ Krajowe Centrum nanostruktur magnetycznych do zastosowań w elektronice spinowej SPINLAB 46
47 Dziękuję za uwagę 47
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016 Plan prezentacji Spinowy efekt Halla
Bardziej szczegółowoElektronika spinowa w technice komputerowej
Elektronika spinowa w technice komputerowej Przegląd badań prowadzonych w AGH T. Stobiecki Katedra Elektroniki AGH http://www.maglay.agh.edu.pl/ http://nanospin.agh.edu.pl/en/ http://www.e-control.agh.edu.pl/
Bardziej szczegółowoNanourządzenia elektroniki spinowej: magnetyczne złącza tunelowe, spintorque
Nanourządzenia elektroniki spinowej: magnetyczne złącza tunelowe, spintorque oscylatory Przegląd badań prowadzonych w AGH T. Stobiecki Katedra Elektroniki AGH http://www.maglay.agh.edu.pl/ http://nanospin.agh.edu.pl/en/
Bardziej szczegółowoDynamika w magnetycznych złączach tunelowych
Dynamika w magnetycznych złączach tunelowych Witold Skowroński Katedra Elektroniki Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Witold Skowroński, Kraków 17.01.2014 1/43 Motywacja Badania magnetycznych
Bardziej szczegółowoBadania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej
Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej Jarosław Kanak Katedra Elektroniki, WIEiT AGH NCN grant DEC-2012/05/E/ST7/00240 Laboratorium Badań Strukturalnych
Bardziej szczegółowoKatedra Elektroniki, Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków. Elektronika Spinowa. Wykład 1 Introduction to spintronics
Elektronika Spinowa Wykład 1 Introduction to spintronics Tomasz Stobiecki Katedra Elektroniki NANOSPIN Nanoscale spin torque devices for spin electronics Elektronika Spinowa. Poniedziałek godz. 15.15,
Bardziej szczegółowoKońcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB
Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB Tomasz Stobiecki Katedra Elektroniki AGH, Kraków Maciej Czapkiewicz,
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym
Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science
Bardziej szczegółowoIndukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych
Indukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych mgr inż. Piotr Ogrodnik Warszawa, 19-05-2015 Promotor: prof. dr hab. Renata Świrkowicz Plan wystąpienia Przedmiot badań i motywacja
Bardziej szczegółowoNagroda Nobla 2007 efekt GMR
Nagroda Nobla 2007 efekt GMR Wykład wygłoszony na AGH przez prof. Józefa Barnasia z Uniwersytetu im. A. Mickiewicza z Poznania w styczniu 2008. Prof. J. Barnaś jest współautorem wielu wspólnych publikacji
Bardziej szczegółowoMaciej Czapkiewicz Katedra Elektroniki, WIEiT, AGH
Model dyspersji barier energetycznych aktywowanego termicznie procesu przełączania magnetyzacji w układach cienkich warstw z magnetyczną anizotropią prostopadłą Maciej Czapkiewicz Katedra Elektroniki,
Bardziej szczegółowoDynamika namagnesowania warstwowych struktur magnetycznych i nanostruktur.
Dynamika namagnesowania warstwowych struktur magnetycznych i nanostruktur. Hubert Głowiński, IFM PAN promotor: prof. Janusz Dubowik 09.06.2015 1 Praca była częściowo finansowana z grantu Polsko-Szwajcarskiego
Bardziej szczegółowoPodstawy Mikroelektroniki
Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Podstawy Mikroelektroniki Temat ćwiczenia: Nr ćwiczenia 1 Pomiary charakterystyk magnetoelektrycznych elementów spintronicznych-wpływ
Bardziej szczegółowoFerromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych
SEMINARIUM SPRAWOZDAWCZE z prac naukowych prowadzonych w IFM PAN w 2014 roku projekt badawczy: Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych Umowa nr UMO-2013/08/M/ST3/00960
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoAutoreferat. 2. Dyplomy i stopnie: magistra inżyniera, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława 1998 Staszica w Krakowie
Załącznik 2 Autoreferat 1. Imię i Nazwisko: Piotr Wiśniowski 2. Dyplomy i stopnie: magistra inżyniera, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława 1998 Staszica w Krakowie 2003 master of science, Uniwersytet
Bardziej szczegółowoZastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM
Część 3 Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM wiadomości wstępne krótka historia dysków od czasu odkrycia GMR rozwój głowic MR i GMR odczyt danych, ogólna budowa głowicy budowa i działanie
Bardziej szczegółowoLaureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r.
Witold Szmaja, Leszek Wojtczak Nagroda Nobla z fizyki w 2007 r. zjawisko gigantycznego magnetooporu i jego praktyczne wykorzystanie Łódź 2008 Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r. Peter Grünberg (Centrum
Bardziej szczegółowoProf. dr hab. Tomasz Stobiecki Kraków, Recenzja. pracy doktorskiej mgr inż. Kingi Aleksandry Lasek
Prof. dr hab. Tomasz Stobiecki Kraków, 24. 04. 2018 Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH Katedra Fizyki Ciała Stałego e-mail:stobieck@agh.edu.pl Recenzja pracy doktorskiej mgr inż. Kingi Aleksandry
Bardziej szczegółowoSpintronika teraz i tu
Spintronika teraz i tu Tomasz Dietl Instytut Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW współpraca: Maciej Sawicki et al.; Jacek Majewski et al. Warszawa Alberta Bonanni et al. Linz Hideo Ohno et al. Sendai
Bardziej szczegółowoAutorzy: Banaszek Juliusz Dębski Janusz. Pamięci RAM kierunki rozwoju.
Autorzy: Banaszek Juliusz Dębski Janusz Pamięci RAM kierunki rozwoju. Rodzaje pamięci Pamięci RAM ROM Volatile RAM Non-volatile RAM Reprogrammable ROM Once programmable ROM SRAM DRAM FeRAM MRAM MEMS NRAM
Bardziej szczegółowoDM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion
DM-ML, DM-FL Descritpion DM-ML and DM-FL actuators are designed for driving round dampers and square multi-blade dampers. Example identification Product code: DM-FL-5-2 voltage Dimensions DM-ML-6 DM-ML-8
Bardziej szczegółowoWpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym
Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska
Bardziej szczegółowoMaciej Czapkiewicz. Magnetic domain imaging
Maciej Czapkiewicz Magnetic domain imaging Phase diagram of the domain walls Kerr geometry MOKE (Kerr) Magnetometer MOKE signal hysteresis loops [Pt/ Co] 3 [Pt/Co] 3 /Pt(0.1 nm)/irmn 10 2 5 1 Rotation
Bardziej szczegółowoPamięci RAM kierunki rozwoju
Pamięci RAM kierunki rozwoju Spis treści Zaczeło się od 1834 Charles Babbage rozpoczyna tworzenie swojego Silnika Analitycznego", prekursora dzisiejszych komputerow. Jego pamiec tworza karty perforowane
Bardziej szczegółowoRewolucja informatyczna od wewnątrz
Rewolucja informatyczna od wewnątrz Tomasz Dietl Laboratorium Kriogeniki i Spintroniki Instytutu Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW punkty widzenie: konsekwencje: ekonomiczne, społeczne, polityczne,...
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoEfektywne symulacje mikromagnetyczne układów magnonicznych przy wykorzystaniu GPGPU.
Efektywne symulacje mikromagnetyczne układów magnonicznych przy wykorzystaniu GPGPU. Mateusz Zelent, Paweł Gruszecki, Michał Mruczkiewicz, Maciej Krawczyk Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Nanomateriałów Fale
Bardziej szczegółowoMarcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Prezentacja tematów na prace doktorskie, 28/5/2015 1 Marcin Sikora KFCS WFiIS & ACMiN Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Bardziej szczegółowoBadanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.
Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie
Bardziej szczegółowoPrzegląd Elektrotechniczny
Przegląd Elektrotechniczny 5 Rok LXXVIII Organ Stowarzyszenia Elektryków Polskich Wydawnictwo SIGMA NOT Sp. z o.o. GMR gigantyczny magnetoopór prof. dr hab. inż. SŁAWOMIR TUMAŃSKI Politechnika Warszawska
Bardziej szczegółowoNierównowagowe kondensaty polarytonów ekscytonowych z gigantycznym rozszczepieniem Zeemana w mikrownękach półprzewodnikowych
Nierównowagowe kondensaty polarytonów ekscytonowych z gigantycznym rozszczepieniem Zeemana w mikrownękach półprzewodnikowych B. Piętka, M. Król, R. Mirek, K. Lekenta, J. Szczytko J.-G. Rousset, M. Nawrocki,
Bardziej szczegółowoStanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego
Stanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego Opracował : Witold Skowroński Konsultacja: prof. Tomasz Stobiecki Dr Maciej Czapkiewicz Dr inż. Mirosław Żołądź 1. Opis
Bardziej szczegółowoReplikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych
Replikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych Maciej Urbaniak, IFM PAN 16.03.2007 Poznań Replikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych Wprowadzenie Replikacja w układach z anizotropią
Bardziej szczegółowoSamoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO
Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:
Bardziej szczegółowoSpintronika fotonika: analogie
: analogie Paweł Wójcik, Maciej Wołoszyn, Bartłomiej Spisak W oparciu o wykład wygłoszony podczas konferencji 2nd World Congress of Smart Materials, Singapur, March 2-6, 2016 Wprowadzenie dla niespecjalistów
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoGMR multilayer system and its investigation. Konstanty Marszalek AGH University of Science &Technology
GMR multilayer system and its investigation Konstanty Marszalek AGH University of Science &Technology Outline Motivation GMR Objectives engineering of Co/Cu multilayers structure with the use of surfactants
Bardziej szczegółowoMikrostruktura, struktura magnetyczna oraz właściwości magnetyczne amorficznych i częściowo skrystalizowanych stopów Fe, Co i Ni
mgr inż. Jakub Rzącki Praca doktorska p.t.: Mikrostruktura, struktura magnetyczna oraz właściwości magnetyczne amorficznych i częściowo skrystalizowanych stopów Fe, Co i Ni STRESZCZENIE W pracy przedstawiono
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 02/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 229635 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 417862 (22) Data zgłoszenia: 06.07.2016 (51) Int.Cl. G01R 33/12 (2006.01)
Bardziej szczegółowoPlan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości
Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura
Bardziej szczegółowoKropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.
Kropki samorosnące Optyka nanostruktur InAs/GaAs QDs Si/Ge QDs Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon:
Bardziej szczegółowoSPINTRONIKA. Przyszłość i prawie teraźniejszość
SPINTRONIKA Przyszłość i prawie teraźniejszość ZWYKŁA ELEKTRONIKA Wykorzystuje ładunek elektronu jako cechę użyteczną pozwalającą tworzyć rozmaite układy elektroniczne. Powszechnie sądzi się, że możliwości
Bardziej szczegółowoSpintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników
Sławomir TUMAŃSKI Politechnika Warszawska, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej i Systemów Informacyjno-Pomiarowych Spintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników Streszczenie. W artykule
Bardziej szczegółowoPamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM?
1 Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM? Na rynku pamięci RAM od dawna dominują układy zawierające pamięci
Bardziej szczegółowoProposal of thesis topic for mgr in. (MSE) programme in Telecommunications and Computer Science
Proposal of thesis topic for mgr in (MSE) programme 1 Topic: Monte Carlo Method used for a prognosis of a selected technological process 2 Supervisor: Dr in Małgorzata Langer 3 Auxiliary supervisor: 4
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE. Germanium Four. Germanium Two. Germanium. CENNIK PRODUKTÓW listopad 2013
CENNIK PRODUKTÓW listopad 2013 WZMACNIACZE Germanium Germanium Four 4x 105 Watts @ 4 Ohm 4x 140 Watts @ 2 Ohm 12 db High Pass: 15 Hz 500 Hz (5 khz Front) 12 db Low Pass: 50 Hz 5 khz Dimensions (LxWxH):
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoTechnologia cienkowarstwowa
Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w
Bardziej szczegółowoInquiry Form for Magnets
Inquiry Form for Magnets Required scope of delivery: Yes No - Cross-beams - Magnets - Supply and Control System - Emergency supply system, backup time min - Cable drum with cable - Plug-in connections
Bardziej szczegółowoZastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 2 wzmacniacze pomiarowe (instrumentacyjne)
Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych cz. 2 wzmacniacze pomiarowe (instrumentacyjne) Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne
Bardziej szczegółowoMATERIAŁY XXXVI ZJAZDU FIZYKÓW POLSKICH TORUŃ 2001 WYKŁADY PLENARNE. Spin w elektronice. Józef Barnaś
Spin w elektronice Józef Barnaś Wydział Fizyki, Uniwersytet im. Adama Mickiewicza, Poznań oraz Instytut Fizyki Molekularnej PAN, Poznań 1. Wstęp W konwencjonalnych układach elektronicznych aktywnym elementem
Bardziej szczegółowoFotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics
KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics WL9L-P430 Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics Nazwa modelu > WL9L-P430
Bardziej szczegółowoMetodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH
Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Studia II stopnia Specjalność: Systemy wbudowane Metodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH Zagadnienia
Bardziej szczegółowoTechnika sensorowa. Czujniki magnetyczne cz.2
Technika sensorowa Czujniki magnetyczne cz.2 dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Magnetorezystory
Bardziej szczegółowoTechnologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk
Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy
Bardziej szczegółowoWPŁYW GRUBOŚCI EKRANU NA CAŁKOWITE POLE MAGNETYCZNE DWUPRZEWODOWEGO BIFILARNEGO TORU WIELKOPRĄDOWEGO. CZĘŚĆ II EKRAN I OBSZAR WEWNĘTRZNY EKRANU
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Dariusz KUSIAK* Zygmunt PIĄTEK* Tomasz SZCZEGIELNIAK* WPŁYW GRUBOŚCI EKRANU NA CAŁKOWITE POLE MAGNETYCZNE DWUPRZEWODOWEGO
Bardziej szczegółowoMody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga,, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,
Bardziej szczegółowophoto graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com
Jan Witkowski : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Project for exhibition photo graphic compositions typography colors Berlin London Paris Barcelona Vienna Prague Krakow Zakopane Jan Witkowski ARTIST FROM
Bardziej szczegółowoNadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH
Nadprzewodnictwo w nanostrukturach metalicznych Paweł Wójcik Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej, AGH Współpraca: Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii dr Michał Zegrodnik, prof. Józef Spałek
Bardziej szczegółowoMikrosystemy Czujniki magnetyczne. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.
Mikrosystemy Czujniki magnetyczne Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany
Bardziej szczegółowoMiędzynarodowa aktywność naukowa młodej kadry Wydziału Metali Nieżelaznych AGH na przykładzie współpracy z McMaster University w Kanadzie
Międzynarodowa aktywność naukowa młodej kadry Wydziału Metali Nieżelaznych AGH na przykładzie współpracy z McMaster University w Kanadzie Anna Kula Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica w Krakowie,
Bardziej szczegółowoFixtures LED HEDRION
K A R T Y K ATA L O G O W E Fixtures LED HEDRION Oprawy lampy LED Hedrion do zastosowań profesjonalnych Fixtures LED lamps Hedrion for professional applications NATRIUM Sp. z o.o. ul. Grodziska 15, 05-870
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoMody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,
Bardziej szczegółowoJAKOŚĆ ENERGII ELEKTRYCZNEJ - PROCES ŁĄCZENIA BATERII KONDENSATORÓW
Studia Podyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ w ramach projektu Śląsko-Małopolskie Centrum Kompetencji Zarządzania Energią JAKOŚĆ ENERGII ELEKTRYCZNEJ PROCES ŁĄCZENIA BATERII KONDENSATORÓW
Bardziej szczegółowoPodzespoły Indukcyjne S.A. Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe. One and multi layer air-core inductor with round cross section
Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe One and multi layer air-core inductor with round cross section 0 Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe Zastosowania: Cewki indukcyjne
Bardziej szczegółowoZakład Fizyki Powierzchni i Nanostruktur Instytut Fizyki. Prof. dr hab. Mieczysław Jałochowski Lublin, 07 września 2014 r.
Zakład Fizyki Powierzchni i Nanostruktur Instytut Fizyki Plac M. Curie-Skłodowskiej 1 PL 20-031 Lublin, Tel: (+48) 81 5376285 Prof. dr hab. Mieczysław Jałochowski Lublin, 07 września 2014 r. Ocena osiągnięcia
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoPLANY I PROGRAMY STUDIÓW
WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I LOGISTYKI PLANY I PROGRAMY STUDIÓW STUDY PLANS AND PROGRAMS KIERUNEK STUDIÓW FIELD OF STUDY - ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI - MANAGEMENT AND PRODUCTION ENGINEERING Studia
Bardziej szczegółowoPN-EN :2012
KOMPATYBILNOŚĆ ELEKTROMAGNETYCZNA (EMC) CZEŚĆ 3-2: POZIOMY DOPUSZCZALNE POZIOMY DOPUSZCZALNE EMISJI HARMONICZNYCH PRĄDU DLA ODBIORNIKÓW O ZNAMIONOWYM PRĄDZIE FAZOWYM > 16 A I 70 A PRZYŁĄCZONYCH DO PUBLICZNEJ
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoRev Źródło:
KAmduino UNO Rev. 20190119182847 Źródło: http://wiki.kamamilabs.com/index.php/kamduino_uno Spis treści Basic features and parameters... 1 Standard equipment... 2 Electrical schematics... 3 AVR ATmega328P
Bardziej szczegółowoINSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK Sesja sprawozdawcza z działalności naukowej w roku 2018 początek o godzinie 9:50 al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa SESJA SPRAWOZDAWCZA Z DZIAŁALNOŚCI NAUKOWEJ INSTYTUTU
Bardziej szczegółowoElektronika spinowa i główne kierunki jej rozwoju
NAUKA 4/2012 87-99 JÓZEF BARNAŚ Elektronika spinowa i główne kierunki jej rozwoju Od dawna już wiadomo, że prąd elektryczny płynący w układach przewodzących, na przykład w metalach lub półprzewodnikach,
Bardziej szczegółowoUrządzenia elektroniki spinowej
Urządzenia elektroniki spinowej Tomasz Stobiecki Współautorzy: Maciej Czapkiewicz, Jarosław Kanak, Witold Skowroński, Jerzy Wrona Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie al. Mickiewicza
Bardziej szczegółowoWzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski
Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie
Bardziej szczegółowo9. Struktury półprzewodnikowe
9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp
Bardziej szczegółowoJak zmieścid 50 TB na twardym dysku, czyli o fizyce zapisu informacji. Michał Krupioski
Jak zmieścid 50 TB na twardym dysku, czyli o fizyce zapisu informacji Michał Krupioski Instytut Fizyki Jądrowej im. H. Niewodniczaoskiego, 2010 O czym jest ta prezentacja? Jak działają twarde dyski? Jak
Bardziej szczegółowoInnowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT
Bardziej szczegółowoZakopane, plan miasta: Skala ok. 1: = City map (Polish Edition)
Zakopane, plan miasta: Skala ok. 1:15 000 = City map (Polish Edition) Click here if your download doesn"t start automatically Zakopane, plan miasta: Skala ok. 1:15 000 = City map (Polish Edition) Zakopane,
Bardziej szczegółowoFizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru
Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru Rafał Kurleto 4.3.216 ZFCS IF UJ Rafał Kurleto Sympozjum doktoranckie 4.3.216 1 / 15 Współpraca dr hab. P. Starowicz
Bardziej szczegółowoOperacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych komputera kwantowego
Stanisław Bednarek Zespół Teorii Nanostruktur i Nanourządzeń Katedra Informatyki Stosowanej i Fizyki Komputerowej WFiIS AGH Operacje na spinie pojedynczego elektronu w zastosowaniu do budowy bramek logicznych
Bardziej szczegółowoBadanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu
Badanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu Uczestnicy: Łukasz Grabowski Barbara Latacz Kamil Mrzygłód Michał Papaj Opiekunowie naukowi: prof. dr hab. Jan
Bardziej szczegółowoCzy warto jeszcze badad efekt magnetokaloryczny? O nowym kierunku prac nad magnetycznym chłodzeniem
Czy warto jeszcze badad efekt magnetokaloryczny? O nowym kierunku prac nad magnetycznym chłodzeniem Piotr Konieczny Zakład Materiałów Magnetycznych i Nanostruktur NZ34 Kraków 22.06.2017 Efekt magnetokaloryczny
Bardziej szczegółowoNanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?
Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO
Bardziej szczegółowoWybrane czujniki wytwarzane w technologiach półprzewodnikowych
Wybrane czujniki wytwarzane w technologiach półprzewodnikowych Czujnik (sensor) urządzenie przetwarzające jedną wielkość fizyczną na inną - najczęściej elektryczną (napięcie, natężenie prądu, opór elektryczny).
Bardziej szczegółowoOgniwa fotowoltaiczne
Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond
Bardziej szczegółowoOPBOX ver USB 2.0 Mini Ultrasonic Box with Integrated Pulser and Receiver
OPBOX ver.0 USB.0 Mini Ultrasonic Box with Integrated Pulser and Receiver Przedsiębiorstwo BadawczoProdukcyjne OPTEL Sp. z o.o. ul. Morelowskiego 30 PL59 Wrocław phone: +8 7 39 8 53 fax.: +8 7 39 8 5 email:
Bardziej szczegółowoBADANIE SYMULACYJNE JEDNOFAZOWEJ PRZERWY W ZASILANIU ORAZ PONOWNEGO ZAŁĄCZENIA NAPIĘCIA ZASILANIA NA DYNAMIKĘ SILNIKA INDUKCYJNEGO
Zeszyty Problemowe Maszyny Elektryczne Nr 77/007 53 Stanisław Potrawka, Romana Sikora-Iliew AGH, Kraków BADANIE SYMULACYJNE JEDNOFAZOWEJ PRZERWY W ZASILANIU ORAZ PONOWNEGO ZAŁĄCZENIA NAPIĘCIA ZASILANIA
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoFotoprzekaźniki W12-2 Laser, Fotoprzekaźnik odbiciowy, Tłumienie tła
KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W12-2 Laser, Fotoprzekaźnik odbiciowy, Tłumienie tła WT12L-2B550A02 Fotoprzekaźniki W12-2 Laser, Fotoprzekaźnik odbiciowy, Tłumienie tła Nazwa modelu > WT12L-2B550A02
Bardziej szczegółowoMody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie
Bardziej szczegółowoSiła magnetyczna działająca na przewodnik
Siła magnetyczna działająca na przewodnik F 2 B b F 1 F 3 a F 4 I siła Lorentza: F B q v B IL B F B ILBsin a moment sił działający na ramkę: M' IabBsin a B F 2 b a S M moment sił działający cewkę o N zwojach
Bardziej szczegółowo4. EKSPLOATACJA UKŁADU NAPĘD ZWROTNICOWY ROZJAZD. DEFINICJA SIŁ W UKŁADZIE Siła nastawcza Siła trzymania
3 SPIS TREŚCI Przedmowa... 11 1. WPROWADZENIE... 13 1.1. Budowa rozjazdów kolejowych... 14 1.2. Napędy zwrotnicowe... 15 1.2.1. Napęd zwrotnicowy EEA-4... 18 1.2.2. Napęd zwrotnicowy EEA-5... 20 1.3. Współpraca
Bardziej szczegółowoIXARC Enkodery Inkrementalny UCD-IPH00-XXXXX-02M0-2TW. Interfejs Programmable Incremental
IXARC Enkodery Inkrementalny UCD-IPH00-XXXXX-02M0-2TW Interfejs Interfejs Programmable Incremental Funkcje Programowania PPR (1-16384), Output, Counting Direction Programator Enkoderów UBIFAST Configuration
Bardziej szczegółowoBARIERA ANTYKONDENSACYJNA
Skład Obróbka Parametry techniczne BARIERA ANTYKONDENSACYJNA Lama "Lama" sp. z o.o. sp. k Właściwość Metoda badania Wartość Jednostka włóknina poliestrowa + klej PSA + folia polietylenowa Samoprzylepna
Bardziej szczegółowoWARSZAWA LIX Zeszyt 257
WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne
Bardziej szczegółowoKielce University of Technology. www.tu.kielce.pl
At present, the University consists of four faculties: the Faculty of Civil and Environmental Engineering the Faculty of Electrical Engineering, Automatics and Computer Science the Faculty of Mechatronics
Bardziej szczegółowo