Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO"

Transkrypt

1 Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider: ITE Partnerzy: IF PAN, PW, PŁ, PŚl Czas trwania: M1 M60

2 Z2.3 Cele Opracowanie metod otrzymywania cienkich warstw półprzewodników i tlenków o właściwościach magnetycznych przeznaczonych dla metalizacji przyrządów spintronicznych. Wykorzystanie samoorganizujących się nanokompozytów metal-półprzewodnik do metalizacji GaN i ZnO IF PAN: Zespół Fizyki Zjawisk Spinowych prof. dr hab. Tomasz Dietl - kierownik zespołu doc. dr hab. Maciej Sawicki eksperyment dr Dariusz Sztenkiel modelowanie/teoria dr Wiktor Stefanowicz charakteryzacja magnetyczna mgr Sylwia Dobkowska charakteryzacja magnetyczna Współpraca: Linz, Brema

3 Z2.3 Metalizacje z DMS i DMOs Idea: Wykorzystanie wkładu powłok d metali przejściowych do wiązań chemicznych agregacja jonów magnetycznych. Separacja faz w nano-skali dekompozycja krystalograficzna chemiczna separacja faz Delokalizacja elektronów d metaliczny charakter wydzieleń obecności silnych sprzężeń wymiennych Charakteryzacja magnetyczna

4 (Ga,Fe)N (Ga,Mn)N (Ga,Mn)N same conditions dilute

5 (Ga,Fe)N

6 Diluted paramagnetic behaviour of F 3+ e ions Chemical decomposition nano-scale chemical phase separation: -Regions with high magnetic ions concentration - novel magnetic phases stabilized Crystallographic decomposition of known ferromagnetic, ferrimagnetic or antiferromagnetic compounds in semiconductor matrix A. Bonanni, MS, et al. PRL 08 Sterowanie procesem agregacji: 1) Szybkość wzrostu 2) Temperatura procesu 3) Ko-domieszkowanie płytkimi domieszkami

7 Magnetization [emu/cm 3 ] Wyniki Informacja magnetyczna: identyfikacja 3-ch podstawowych wkładów do namagnesowania 2 1 T = 1.85K T Gr =950 C Measured values Brillouin function Guide for eye M Sat N [emu/cm3 ] 0-1 T Gr = 950 C T Gr = 950 o C Magnetic field [koe] 0.2 T C 430K Temperature [K] A. Navarro-Quezada,..., MS, Phys. Rev. B 81, (2010) (i) (ii) paramagnetyczny jonów Fe 3+ (podstawieniowe za Ga), podobny do superparamagnetycznego (pochodzący od ferromagnetycznych nanokryształów Fe i Fe x N), (iii) liniowy w polu magnetycznym pochodzący od nie-ferromagnetycznie uporządkowanych nanokryształów Fe x N o dużym stopniu rozcieńczenia żelaza (typu Fe 2 N) i -Fe.

8 magnetycznych Wyniki Importance of co-doping Theory: TD, Nature Mat 06 y towards developing high TC Theory: T.Dietl, Nature Mat 06 miconductors (Ga,Fe)N:Si GaN:Fe ing TMGa = 5 sccm GaN:Fe GaN:Fe:Si SiH4=15 sccm 0, nn nferro /(n/(n ) nferro Ferro FeFe ) Ferro (Ga,Fe)N:Mg GaN:Fe:Mg T = 5K 0.3 0,40 00 Theory: T. Dietl, Nature Mat 06 0,30 płytkie domieszki Cp2Fe = 300 sccm Si 0.2 0,25 T = 5K 0,20 0, ,10 0,05 0, rogress Growth rate TMGa [sccm] Cp2Fe [sccm] szybkość epitaksji A. Bonanni, MS, et al., PRL 08 6 No precipitations!! II Spotkanie Realizatorów Projektu

9 Pairing energy (ev) Wyniki ab initio pairing energy calculations: (Ga,Fe)N surface vs bulk 1) Bez Mg/Si Fe agreguje 2) Sąsiadując z Mg/Si atomy FE unikają się 3) Efekt tylko na powierzchni!! N. GONZALES SZWACKI, TD, PHYS. REV. B 83, (2011) Surface Bulk Fe+Fe Fe 2 +Mg FeMg+Mg FeMg 2 +Fe Fe+Mg FeMg+Fe Fe 2 Mg+Mg Very important finding underlying the importance of the growth mode

10

11 (Ga,Mn)N

12 (Ga,Fe)N x 1% T C > 400 K (Ga,Mn)N x 3% T C 1 K (Ga,Mn)N same conditions dilute A. Bonanni, MS et al. [Linz, Warsaw] PRL 08 A. Bonanni, MS et al. [Linz, Warsaw] PRB 11

13 Mg p-type doping Formation of Mn Mg k cation complexes + (Ga,Mn)N (Ga,Mg)N Ab initio simulations

14 Experimental proof extended X ray absorption fine structure (ESRF BM08) Up to Mg/Mn = 3, all Mg bind to Mn in Mn Mg k cation complexes Mn K-edge EXAFS measurements: local structure around Mn number of atoms in a coordination shell nature of the surrounding atoms distance with the surrounding atoms

15 0.4%Mn 0.4%Mn Annihilation of the in plane/out of plane magnetic anisotropy for complexes Due to the distortion of the Mn N 4 thetrahedron Anisotropy proportional to n(mn 3+ )

16 Optical properties of Mn-Mg k cations complexes Photonics: GaN-based Infrared Lasers? Mg/Mn Broad and intense infrared photoluminescence PL induced by Mn 5+ in Mn-Mg 3 cations complexes

17 (Ga,Mn)N x 10% Rozcieńczony izolator ferromagnetyczny Zastosowanie: Filtr spinowy = 300 x szybsza elektronika

18 M (emu/cm 3 ) ALD at 200 o C (Zn,Co)O F307, T g = 200 o C 2 K 5 K 15 K T 300 K nm 10 M. Sawicki Innowacyjne et al. [Warsaw] technologie arxiv: wielofunkcyjnych materiałów H (koe) 65% Co paramagnetic cations 35% in n=750 at. clusters of O = 2.5 nm /

19 (Zn,Co)O F328: d = 60 nm

20 Wnioski Technologiczna kontrola procesu agregacji Fe w GaN Temperaturą wzrostu Szybkością wzrostu Ko-domieszkowaniem i Co w ZnO Zrozumienie mikroskopowe procesu agregacji Nowe właściwości - > zastosowania Laser podczerwony Elektronika spinowa

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

Spintronika teraz i tu

Spintronika teraz i tu Spintronika teraz i tu Tomasz Dietl Instytut Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW współpraca: Maciej Sawicki et al.; Jacek Majewski et al. Warszawa Alberta Bonanni et al. Linz Hideo Ohno et al. Sendai

Bardziej szczegółowo

Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe

Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe Przemysław Piekarz Zakład Komputerowych Badań Materiałów Instytut Fizyki Jądrowej PAN Ab initio (łac.) - od początku H ψ =E ψ Ab

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych

Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych SEMINARIUM SPRAWOZDAWCZE z prac naukowych prowadzonych w IFM PAN w 2014 roku projekt badawczy: Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych Umowa nr UMO-2013/08/M/ST3/00960

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

POŁOŻENIE ATOMÓW Mn W GaAs: SPEKTROSKOPIA ABSORPCJI RENTGENOWSKIEJ

POŁOŻENIE ATOMÓW Mn W GaAs: SPEKTROSKOPIA ABSORPCJI RENTGENOWSKIEJ POŁOŻENIE ATOMÓW W GaAs: SPEKTROSKOPIA ABSORPCJI RENTGENOWSKIEJ I.N. Demchenko, K. Ławniczak-Jabłońska, R. Jakieła, J.Z. Domagała, M. Klepka, A. Wolska, E. Piskorska i J. Sadowski Instytut Fizyki Polskiej

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Domieszki w półprzewodnikach

Domieszki w półprzewodnikach Domieszki w półprzewodnikach Niebieska optoelektronika Niebieski laser Nie można obecnie wyświetlić tego obrazu. Domieszkowanie m* O Neutralny donor w przybliżeniu masy efektywnej 2 2 0 2 * 2 * 13.6 *

Bardziej szczegółowo

Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r.

Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r. Witold Szmaja, Leszek Wojtczak Nagroda Nobla z fizyki w 2007 r. zjawisko gigantycznego magnetooporu i jego praktyczne wykorzystanie Łódź 2008 Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r. Peter Grünberg (Centrum

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

CURRICULUM VITAE. 2009-present Adjunct at the Institute of Physics of Polish Academy Sciences in Warsaw

CURRICULUM VITAE. 2009-present Adjunct at the Institute of Physics of Polish Academy Sciences in Warsaw Dr. Oksana Volnianska Warsaw, 12.03.2012 r. CURRICULUM VITAE Name: Oksana Volnianska Date and place of birth: 17th December, 1973, Ukraine Citizenship: Ukrainian Corresponding address: al. Lotnikow, 32/46

Bardziej szczegółowo

Przyszłość i prawie teraźniejszość ZWYKŁA ELEKTRONIKA

Przyszłość i prawie teraźniejszość ZWYKŁA ELEKTRONIKA SPINTRONIKA Przyszłość i prawie teraźniejszość ZWYKŁA ELEKTRONIKA Wykorzystuje ładunek elektronu jako cechę użyteczną pozwalającą tworzyć rozmaite układy elektroniczne. Przykładów istnieje mnóstwo. Powszechnie

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

SPINTRONIKA. Przyszłość i prawie teraźniejszość

SPINTRONIKA. Przyszłość i prawie teraźniejszość SPINTRONIKA Przyszłość i prawie teraźniejszość ZWYKŁA ELEKTRONIKA Wykorzystuje ładunek elektronu jako cechę użyteczną pozwalającą tworzyć rozmaite układy elektroniczne. Powszechnie sądzi się, że możliwości

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab. Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Materiały magnetyczne Właściwości podstawowych materiałów magnetycznych

Bardziej szczegółowo

Leonard Sosnowski

Leonard Sosnowski Admiralty Research Laboratory w Teddington, Anglia (1945-1947). Leonard Sosnowski J. Starkiewicz, L. Sosnowski, O. Simpson, Nature 158, 28 (1946). L. Sosnowski, J. Starkiewicz, O. Simpson, Nature 159,

Bardziej szczegółowo

Wykład XIII: Właściwości magnetyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIII: Właściwości magnetyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIII: Właściwości magnetyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wprowadzenie 2. Rodzaje magnetyzmu

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Uporzadkowanie magnetyczne w niskowymiarowym magnetyku molekularnym

Uporzadkowanie magnetyczne w niskowymiarowym magnetyku molekularnym Uporzadkowanie magnetyczne w niskowymiarowym magnetyku molekularnym (tetrenh 5 ) 0.8 Cu 4 [W(CN) 8 ] 4 7.2H 2 O T. Wasiutyński Instytut Fizyki Jadrowej PAN 15 czerwca 2007 Zespół: M. Bałanda, R. Pełka,

Bardziej szczegółowo

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej. Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie

Bardziej szczegółowo

Nanotechnologia. Nanotechnologia: gdzie jesteśmy i gdzie idziemy. Tomasz Dietl

Nanotechnologia. Nanotechnologia: gdzie jesteśmy i gdzie idziemy. Tomasz Dietl Nanotechnologia Nanotechnologia: gdzie jesteśmy i gdzie idziemy Tomasz Dietl Laboratorium Kriogeniki i Spintroniki Instytutu Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW Rewolucja informacyjna tworzenie

Bardziej szczegółowo

KINETYKA UTLENIANIA METALI

KINETYKA UTLENIANIA METALI KINETYKA UTLENIANIA METALI SCHEMAT PROCESU UTLENIANIA Utleniacz Metal Utleniacz Zgorzelina Metal x Miarą szybkości korozji metalu jest ubytek jego grubości, x, odniesiony do czasu trwania procesu korozji.

Bardziej szczegółowo

Własności magnetyczne Magnetic properties Podstawowe własności magnetyczne rdzeni pokazuje tablica 3. The basic core magnetic properties are presented in the following table. Tablica 3. Własności magnetyczne

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Poznań, 11 sierpnia 2014 r.

Poznań, 11 sierpnia 2014 r. Kierownik Zakładu: prof. dr hab. Ryszard Czajka e-mail: ryszard.czajka@put.poznan.pl tel.: 61-665 3234, 61-665 3162 Wydział Fizyki Technicznej Instytut Fizyki, ul. Nieszawska 13 A, 60-965 POZNAŃ Zakład

Bardziej szczegółowo

Inne koncepcje wiązań chemicznych. 1. Jak przewidywac strukturę cząsteczki? 2. Co to jest wiązanie? 3. Jakie są rodzaje wiązań?

Inne koncepcje wiązań chemicznych. 1. Jak przewidywac strukturę cząsteczki? 2. Co to jest wiązanie? 3. Jakie są rodzaje wiązań? Inne koncepcje wiązań chemicznych 1. Jak przewidywac strukturę cząsteczki? 2. Co to jest wiązanie? 3. Jakie są rodzaje wiązań? Model VSEPR wiązanie pary elektronowe dzielone między atomy tworzące wiązanie.

Bardziej szczegółowo

Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium. Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu. NANO jako droga do innowacji

Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium. Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu. NANO jako droga do innowacji Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu NANO jako droga do innowacji Uniwersytet Śląski w Katowicach Oferta dla partnerów biznesowych Potencjał badawczy Założony w

Bardziej szczegółowo

Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal

Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal 1 Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal Gęste pary metali (wzrost gęstości -> I-M) niemetale poddane wysokiemu ciśnieniu -> I-M Cs-CsH (wzrost ciśnienia wodoru

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów

Bardziej szczegółowo

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski CV dr Mariusz Bester WYKSZTAŁCENIE: 1997 licencjat fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 1999 magister fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy,

Bardziej szczegółowo

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Wykład 4 29 kwietnia 2015 Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Łukasz Cywiński lcyw@ifpan.edu.pl http://info.ifpan.edu.pl/~lcyw/ Dobra lektura: Michel Le Bellac

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków. 2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia. mössbauerowska

Spektroskopia. mössbauerowska Spektroskopia Spektroskopia Mӧssbauerowska mössbauerowska Adrianna Rokosa Maria Dawiec 1. Zarys historyczny 2. Podstawy teoretyczne 3. Efekt Mössbauera 4. Spektroskopia mössbauerowska 5. Zastosowanie w

Bardziej szczegółowo

Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II

Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Bottom Up Metody chemiczne Wytrącanie, współstrącanie, Mikroemulsja, Metoda hydrotermalna, Metoda solwotermalna, Zol-żel, Synteza fotochemiczna, Synteza sonochemiczna,

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury i nanotechnologie

Nanostruktury i nanotechnologie Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

Idea przyłączenie chromoforu (fluoryzującego) do biomolekuły

Idea przyłączenie chromoforu (fluoryzującego) do biomolekuły markery, nanocząstki, kropki kwantowe Idea przyłączenie chromoforu (fluoryzującego) do biomolekuły sondy fluorescencyjnej wizualizacja przez oświetlenie odpow. światłem obrazowanie (możliwe poniżej dyfrakcyjnego

Bardziej szczegółowo

BIOPHYSICS. Politechnika Łódzka, ul. Żeromskiego 116, Łódź, tel. (042)

BIOPHYSICS. Politechnika Łódzka, ul. Żeromskiego 116, Łódź, tel. (042) BIOPHYSICS Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój Politechniki

Bardziej szczegółowo

Dr Tomasz Kośmider Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS TECHNOLOGY PARTNERS

Dr Tomasz Kośmider Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS TECHNOLOGY PARTNERS Fundacja TECHNOLOGY PARTNERS 1. Założenia i cele Silna organizacja naukowo-badawcza, której celem jest uzyskanie pozycji lidera w obszarze realizacji i wdrażania wyników prac B+R oraz rozwijania aktywnej

Bardziej szczegółowo

Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?

Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa? Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Współczesna fizyka ciała stałego

Współczesna fizyka ciała stałego Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniŝonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe fulereny, nanorurki, grafen Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie

Bardziej szczegółowo

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera ANALIZA POŁĄCZENIA WARSTW CERAMICZNYCH Z PODBUDOWĄ METALOWĄ Promotor: Prof. zw. dr hab. n. tech. MACIEJ HAJDUGA Tadeusz Zdziech CEL PRACY Celem

Bardziej szczegółowo

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os. Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,

Bardziej szczegółowo

Recenzja. (podstawa opracowania: pismo Dziekana WIPiTM: R-WIPiTM-249/2014 z dnia 15 maja 2014 r.)

Recenzja. (podstawa opracowania: pismo Dziekana WIPiTM: R-WIPiTM-249/2014 z dnia 15 maja 2014 r.) Prof. dr hab. Mieczysław Jurczyk Politechnika Poznańska Wydział Budowy Maszyn i Zarządzania Instytut Inżynierii Materiałowej Poznań, 2014-06-02 Recenzja rozprawy doktorskiej p. mgr inż. Sebastiana Garusa

Bardziej szczegółowo

SPRAWOZDANIE z grantu obliczeniowego za rok 2011

SPRAWOZDANIE z grantu obliczeniowego za rok 2011 Zakład Chemii Nieorganicznej i Strukturalnej Wydział Chemiczny Politechnika Wrocławska SPRAWOZDANIE z grantu obliczeniowego za rok 2011 Teoretyczne badania związków kompleksowych i metaloorganicznych,

Bardziej szczegółowo

Perydynina-chlorofil-białko. Optyka nanostruktur. Perydynina-chlorofil-białko. Rekonstytucja Chl a. Sebastian Maćkowski.

Perydynina-chlorofil-białko. Optyka nanostruktur. Perydynina-chlorofil-białko. Rekonstytucja Chl a. Sebastian Maćkowski. Perydynina-chlorofil-białko struktura (krystalografia promieni X) Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl

Bardziej szczegółowo

NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan

NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan Spis zagadnień Fizyczne podstawy zjawiska NMR Parametry widma NMR Procesy relaksacji jądrowej Metody obrazowania Fizyczne podstawy NMR Proton, neutron,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW

Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW Wzmacniacze optyczne ZARYS PODSTAW REGENERATOR konwertuje sygnał optyczny na elektryczny, wzmacnia sygnał elektryczny, a następnie konwertuje wzmocniony sygnał elektryczny z powrotem na sygnał optyczny

Bardziej szczegółowo

Magnetyczne metale i izolatory od antycznych odkryć do wspó lczesnej teorii

Magnetyczne metale i izolatory od antycznych odkryć do wspó lczesnej teorii Magnetyczne metale i izolatory od antycznych odkryć do wspó lczesnej teorii Krzysztof Byczuk Instytut Fizyki Teoretycznej, Uniwersytet Warszawski, Polska Instytut Fizyki, Uniwersytet Augsburski, Niemcy

Bardziej szczegółowo

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,

Bardziej szczegółowo

BADANIE ZMIAN LEPKOŚCI CIECZY FERROMAGNETYCZNYCH PODDANYCH DZIAŁANIU STAŁEGO POLA MAGNETYCZNEGO

BADANIE ZMIAN LEPKOŚCI CIECZY FERROMAGNETYCZNYCH PODDANYCH DZIAŁANIU STAŁEGO POLA MAGNETYCZNEGO 2-2011 T R I B O L O G I A 143 Józef SALWIŃSKI *, Zbigniew SZYDŁO *, Wojciech HORAK *, Marcin SZCZĘCH * BADANIE ZMIAN LEPKOŚCI CIECZY FERROMAGNETYCZNYCH PODDANYCH DZIAŁANIU STAŁEGO POLA MAGNETYCZNEGO INVESTIGATION

Bardziej szczegółowo

Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska

Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: Podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyczne absorpcji rentgenowskiej

Podstawy fizyczne absorpcji rentgenowskiej Podstawy fizyczne absorpcji rentgenowskiej Anna Wolska IF PAN Warszawa 2006 http://www-als.lbl.gov/als/quickguide/vugraph.html Promieniowanie rentgenowskie - promieniowanie elekromagnetyczne w zakresie

Bardziej szczegółowo

Podstawy informatyki kwantowej

Podstawy informatyki kwantowej Wykład 6 27 kwietnia 2016 Podstawy informatyki kwantowej dr hab. Łukasz Cywiński lcyw@ifpan.edu.pl http://info.ifpan.edu.pl/~lcyw/ Wykłady: 6, 13, 20, 27 kwietnia oraz 4 maja (na ostatnim wykładzie będzie

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Siła magnetyczna działająca na przewodnik

Siła magnetyczna działająca na przewodnik Siła magnetyczna działająca na przewodnik F 2 B b F 1 F 3 a F 4 I siła Lorentza: F B q v B IL B F B ILBsin a moment sił działający na ramkę: M' IabBsin a B F 2 b a S M moment sił działający cewkę o N zwojach

Bardziej szczegółowo

Kompozyty nanowarstw tytanianowych z udziałem związków cynku i baru synteza i właściwości

Kompozyty nanowarstw tytanianowych z udziałem związków cynku i baru synteza i właściwości Agnieszka Opasińska 161381 POLITECHNIKA ŁÓDZKA WYDZIAŁ CHEMICZNY Kompozyty nanowarstw tytanianowych z udziałem związków cynku i baru synteza i właściwości Praca zrealizowana w Katedrze Fizyki Molekularnej

Bardziej szczegółowo

Streszczenie pracy doktorskiej mgr Szymona Chorąży

Streszczenie pracy doktorskiej mgr Szymona Chorąży Streszczenie pracy doktorskiej mgr Szymona Chorąży Tytuł pracy: Multifunctional magnetic molecular materials based on 3d/4f metal ions and octacyanidometallates Funkcjonalne materiały molekularne są obecnie

Bardziej szczegółowo

Proste struktury krystaliczne

Proste struktury krystaliczne Budowa ciał stałych Proste struktury krystaliczne sc (simple cubic) bcc (body centered cubic) fcc (face centered cubic) np. Piryt FeSe 2 np. Żelazo, Wolfram np. Miedź, Aluminium Struktury krystaliczne

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych

Teoria pasmowa ciał stałych Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik

Bardziej szczegółowo

Domieszkowanie półprzewodników

Domieszkowanie półprzewodników Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano

Bardziej szczegółowo

Spiralne Soczewki Dyfrakcyjne. Aleksander Kubica MISMaP UW Wiktor Pilewski, Piotr Migdał VIII OSKNF Kraków, 07.11.2009 r.

Spiralne Soczewki Dyfrakcyjne. Aleksander Kubica MISMaP UW Wiktor Pilewski, Piotr Migdał VIII OSKNF Kraków, 07.11.2009 r. Spiralne Soczewki Dyfrakcyjne Aleksander Kubica MISMaP UW Wiktor Pilewski, Piotr Migdał VIII OSKNF Kraków, 07.11.2009 r. Spiralne Płytki Strefowe Cele Badań Głównym celem pracy było zbadanie spiralnych

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne

Wzmacniacze optyczne Wzmacniacze optyczne Wzmocnienie sygnału optycznego bez konwersji na sygnał elektryczny. Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim.

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki wykład 4

Podstawy fizyki wykład 4 D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Kontakt. Badania naukowe:

Kontakt. Badania naukowe: Kontakt - tel.: 032 359 12 86 - email: awozniakowski@o2.pl - wydział: Informatyki i Nauki o Materiałach - instytut: Nauki o Materiałach - zakład/katedra: Modelowania materiałów - opiekun naukowy: dr hab.

Bardziej szczegółowo

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Bardziej szczegółowo

Zbigniew H. ŻUREK BADANIA STANU FERROMAGNETYCZNYCH ELEMENTÓW MASZYN W POLU MAGNETYCZNYM

Zbigniew H. ŻUREK BADANIA STANU FERROMAGNETYCZNYCH ELEMENTÓW MASZYN W POLU MAGNETYCZNYM POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1678 SUB Gottingen 7 217 872 263 2005 A 12193 Zbigniew H. ŻUREK BADANIA STANU FERROMAGNETYCZNYCH ELEMENTÓW MASZYN W POLU MAGNETYCZNYM GLIWICE 2005 SPIS TREŚCI Wykaz

Bardziej szczegółowo

Ą Ń Ę Ę Ą Ę Ć ź Ż Ż Ą ń Ź Ż Ż ń ń Ź Ą Ń Ą Ą Ę ń ź Ę Ę Ż Ć Ą ź Ą Ę ń ź Ę ń ń Ą Ż Ę ń Ą ń ń Ę Ę Ę Ź ń Ę ń ń ń ń Ź Ę Ś ź Ą Ń ń Ż Ź Ę Ź ń ń ń Ę Ę ń Ż Ą ń ńń Ś ń ń Ż Ż Ę Ż Ń Ę Ą Ń Ł ń ń ń ń ń ń ń ń Ś Ź Ę Ś

Bardziej szczegółowo

Ł ŚĆ ń Ś Ł Ź Ć Ł Ą ńń ć Ż Ą Ł Ś ń Ł ć Ś ń ć ć ć Ó Ż ć ć Ą Ś ć Ś ć Ń Ś ć Ś ć Ś Ć Ś Ż Ś Ś Ż Ś Ó ń ć ć Ź Ł ć ć ć ń ń ć ć Ą ć ć ć Ź ć ć ć ć ć ć Ó Ź Ó Ł Ł Ń ć ć Ź Ą ć ć ń ć Ą ć ć ć Ł Ź Ź Ź Ż Ł Ż Ł Ż ć ń ć Ą

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, wykresy E-pH. Wprowadzenie Główną przyczyną zniszczeń materiałów metalicznych

Bardziej szczegółowo

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r.

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. 1. Żenkiewicz M., Richert J., Różański A.: Effect of blow moulding on barrier properties of polylactide nanocomposite films, Polymer Testing

Bardziej szczegółowo

WYBRANE MASYWNE AMORFICZNE I NANOKRYSTALICZNE STOPY NA BAZIE ŻELAZA - WYTWARZANIE, WŁAŚCIWOŚCI I ZASTOSOWANIE

WYBRANE MASYWNE AMORFICZNE I NANOKRYSTALICZNE STOPY NA BAZIE ŻELAZA - WYTWARZANIE, WŁAŚCIWOŚCI I ZASTOSOWANIE WYBRANE MASYWNE AMORFICZNE I NANOKRYSTALICZNE STOPY NA BAZIE ŻELAZA - WYTWARZANIE, WŁAŚCIWOŚCI I ZASTOSOWANIE mgr inż. Marzena Tkaczyk Promotorzy: dr hab. inż. Jerzy Kaleta, prof. nadzw. PWr dr hab. Wanda

Bardziej szczegółowo

Scenariusz lekcji otwartej z chemii w klasie II gimnazjum.

Scenariusz lekcji otwartej z chemii w klasie II gimnazjum. Scenariusz lekcji otwartej z chemii w klasie II gimnazjum. Opracowała: Marzena Bień Termin realizacji: Czas realizacji: 45 minut. Temat: Chemia a budowa atomów. Cel ogólny: Usystematyzowanie wiadomości

Bardziej szczegółowo

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

WARSZAWA LIX Zeszyt 257 WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

FEEDBACK CONTROL OF ACOUSTIC NOISE AT DESIRED LOCATIONS

FEEDBACK CONTROL OF ACOUSTIC NOISE AT DESIRED LOCATIONS POLITECHNIKA SU^KA ZESZYTY NAUKOWE NM684 Marek PAWELCZYK FEEDBACK CONTROL OF ACOUSTIC NOISE AT DESIRED LOCATIONS SUB Gottingen 7 219 023 859 2006 A 3802 Gliwice 2005 CONTENTS Objective Structure. Contribution

Bardziej szczegółowo

Zakład 53 Fizyki i Inżynierii Materiałowej Oddział V Zastosowań Fizyki i Badań Interdyscyplinarnych

Zakład 53 Fizyki i Inżynierii Materiałowej Oddział V Zastosowań Fizyki i Badań Interdyscyplinarnych Zakład 53 Fizyki i Inżynierii Materiałowej dr hab. Marta Wolny-Marszałek - omówienie działalności Zakładu. dr Żaneta Świątkowska-Warkocka - Nanokompozyty magnetyczne otrzymywane metodą impulsowego naświetlania

Bardziej szczegółowo

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa j Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Ogniwa półprzewodnikowe p przewodnikowe zasada działania ania Charakterystyki fotoogniwa współczynnik wypełnienia, wydajność Moc w obwodzie

Bardziej szczegółowo

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 korecki@uci.agh.edu.pl http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy

Bardziej szczegółowo

Plan prezentacji. Wprowadzenie Metody Wyniki Wnioski Podziękowania. Yaghi et al. Nature 2003, 423, 705 2

Plan prezentacji. Wprowadzenie Metody Wyniki Wnioski Podziękowania. Yaghi et al. Nature 2003, 423, 705 2 Molecular Modeling of Hydrogen Storage. M+ H2 and M+ Benzene vs. Metal Organic Frameworks (MOF) P. Groch1, M. Stachów1, T. Kupka1 oraz L. Stobiński2 1Uniwersytet Opolski, Wydział Chemii, 45-052 Opole 2Instytut

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo