Elektronika spinowa w technice komputerowej
|
|
- Miłosz Borkowski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elektronika spinowa w technice komputerowej Przegląd badań prowadzonych w AGH T. Stobiecki Katedra Elektroniki AGH Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
2 Mapa drogowa Spintroniki Plan Zapis magnetyczny twardy dysk, głowica Motywacja: Green I(nformation) T(echnology) Technologia wytwarzania magnetycznych złącz tunelowych (MTJs) sputtering nanostrukturyzacja litografia elektronowa Własności magnetycznych złącz tunelowych (MTJs), TMR Dynamika magnetyzacji Spin Transfer Torque (STT) Przełączanie prądem spinowo-spolaryzowanym STT-RAM z anizotropią prostopadłą i anizotropią w płaszczyźnie Podsumowanie Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
3 Dlaczego spintronika jest ważna? ŁADUNEK SPIN Semiconductor Devices and Integrated Curcuits Metal Spintronics MRAM + Circuit Technology SPINTRONICS Magnetic Recording and Magnetic Sensors Semiconductor Spintronics NANOTECHNOLOGIA Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
4 Year 1857 Magnetoresistance MR ratio (RT & low H) AMR effect MR = 1~2% Device applications HDD head Lord Kelvin Magnetoresistance in NiFe films (1973) GMR effect MR = 5~15% Inductive head A. Fert, P. Grünberg, 2007 Nobel Prize TMR effect MR = 20~70% MR head T. Miyazaki, J. Moodera GMR head STT J. Slonczewski, L. Berger 1966 Memory Giant TMR effect MR = 200~1000% TMR head MgO -TMR head MRAM Spin Torque MRAM Novel devices Microwave, E-control, Spin Orbit Torque Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
5 Pamięci masowe historia zapis magnetyczny (analogowy) T. Edison nagranie i odtworzenie dźwięku z woskowego cylindra zapis niemagnetyczny V. Poulsen telegrafon zapis na drucie stalowym ( = 1mm) prędkość zapisu 2m/s Prezentacja telegrafonu na światowej wystawie w Paryżu Lata dwudzieste XX wieku - L. Blattner Blattnerphone - zapis na taśmie stalowej (grubość 0.05mm, szer. 3mm) prędkość zapisu 1m/s F. Pflumer zapis na taśmie papierowej pokrytej klejem z opiłkami żelaza Lata trzydzieste XX wieku -BASF pierwsze taśmy z tworzyw sztucznych pokryte tlenkami żelaza. Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
6 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
7 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
8 Jak zwiększyć gęstość zapisu informacji? Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
9 Magnetofon szpulowy do dotwarzania dźwięku lata czterdzieste XX wieku. Obok szpula magnetyczna. Walkman firmy Sony model WM-GX302 z wbudowanym radioodbiornikiem. Typowa kaseta kompaktowa (na fotografii firmy TDK). Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
10 Historia odtwarzania cyfrowego (HDD) 1956 HDD of IBM, random access method of accounting and control (RAMAC) 1980 głowica indukcyjna 1990 zapis na cewce indukcyjnej, odczyt na czujniku AMR sensor 1996 GMR czujnik ~2000 TMR czujnik > dysk z zapisem prostopadłym, nieciągły (patterned ) Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
11 ? Molecular Magnets 100 Tb/in 2 10 Tb/in 2 limit TAR, patterned media Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
12 HDD First Hard Disk Drive with 24" Diameter Disks Compared with Modern 2.5" HDD. The first HDD was introduced in 1956 with 50 disks of 24" diameter holding a total of 4.4 Mbytes of data. The purchase price of this HDD was $10,000,000 per Gbyte. For comparison in the foreground a modern HDD is shown holding 160 Gbyte of data on two 2.5" diameter disks at a purchase price of less than $1 per Gbyte. Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
13 Miniaturyzacja HDD Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
14 Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
15 HDD The slider carrying the magnetic write/read head. The slider is mounted on the end of head gimbal assembly (HGA) The magnetic disks (up to 10) in diameter inches RPM it is related to about 100 km/h The air-bearing surface (ABS) allowing the head to fly at a distance above the medium about 10 nm Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
16 Schematic representation of a longitudinal recording process Magnetic force micrograph (MFM)of recorded bit patterns. Track width is 350 nm recorded in antiferromagnetic coupled layers (AFC media) Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
17 Ewolucja zapisu gęstości informacji Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
18 Technologia twardego dysku Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
19 Termiczna stabilność zapisu magnetycznego f f 0 exp W kt where W = K u V (6) W is energy barier, K u is the uniaxial anisotropy constant, V is grain volume. If the grains become very small, the magnetization switch very easily which leads to superparamagnetic efect. Estimation of minimum grain size (example): K u = J/m 3. Bit stored 10 years at room temperature (f< Hz at T=300 K), than diameter of spherical grain is 9 nm. Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
20 Ziarna/krystality materiału dyskowego Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
21 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
22 HDD- głowica No more, MR 10% Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
23 Głowica ewolucja technologiczna Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
24 ? Molecular Magnets 100 Tb/in 2 10 Tb/in 2 limit TAR, patterned media Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
25 HDD The slider carrying the magnetic write/read head. The slider is mounted on the end of head gimbal assembly (HGA) The magnetic disks (up to 10) in diameter inches RPM it is related to about 100 km/h The air-bearing surface (ABS) allowing the head to fly at a distance above the medium about 10 nm Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
26 Odległość głowica - dysk Wysokość lotu głowicy nad dyskiem, zależy od: od struktury poduszki powietrznej (ABS). Ślizgacz powinien być tak skonstruowany aby, redukował opory podczas lotu głowicy nad powierzchnią dysku szorstkości powierzchni dysku (stosuje się szkło w microdrive) trybologiczne powierzchnie (diamond-like carbon sputtered, high hardness and corrosion resistant, lubricant perflouropolyethers (PFPE) highly chemicaly and thermaly stable) mechanika i sprężyste własności ramienia Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
27 Sliders - ślizgacze The air-bearing surface of the slider is structured by ion milling and photolitographic process. Nano-sliders works at the glide height!! The nanoal 2 O 3 -TiC slider ( mm) with etched rails. The pico-slider ( mm). SEM image of Pico-slider. Note the four bonds for read/write head. Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
28 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
29 HDD-głowica TMR Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
30 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
31 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
32 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
33 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
34 Writing energy (pj/bit) after T. Nozaki AIST Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie GREEN IT, Present status of writing energy for MRAM Spin-transfer torque (STT) - RAM TSMC&Qualcomm 2009 Everspin2010 Hitachi&Tohoku 2010 Samsung 2011 Everspin2010 Toshiba2008 MagIC-IBM 2008 Everspin 2010 Avalanche 2010 SONY 2005 Toshiba 2012 MagIC-IBM 2010 Grandis 2010 STT+voltage effect Voltage effect Target < 1 fj/bit Φ10nm Φ30nm Φ100nm MTJ size ( m 2 ) MRAM (Øersted field) MRAM STT-RAM IBM2003 Energy required for data retention (60 k B T) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
35 MRAM-Info: Everspin starts sampling 256Mb ST-MRAM chips, plans 1Gb chips by the end of 2016 Everspin starts sampling 256Mb ST-MRAM chips, plans 1Gb chips by the end of 2016 Posted: 14 Apr :52 PM PDT Everspin announced that it started shipping 256Mb ST-MRAM samples to customers. Everspin also plans to increase the density and sample 1Gb ST-MRAM chips later this year. The new chips demonstrate interface speeds comparable to DRAM, with DDR3 and DDR4 interfaces. Volume production is expected "soon". The new EMD3D256 chips are based on Everspin's proprietary perpendicular magnetic tunnel junction (pmtj) spin torque technology - and the company expects the new technology to enable it to produce ST-MRAM in lower geometries - and higher densities beyond 1Gb in the future. Everspin says that the company shipped more than 60 million MRAM discrete and embedded products - into data centers, cloud storage, energy, industrial, automotive, consumer, and transportation markets. In October 2014 Everspin said they shipped a total of 40 million MRAM chips - which means that in a year and a half the company sold 20 million chips. This actually represents a deceleration, as from August 2013 to October 2014 the company shipped 30 million chips (if our estimates are correct). Everspin's chips are higher density now, though. The new chips are the first noes produced at GlobalFoundries 300mm manufacturing MRAM line, following the agreement signed in October Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
36 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
37 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
38 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
39 Green IT after S. Yuasa (2012) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
40 Tunneling Julliere s model Ferromagnetic-electrode 1 Insulator Ferromagnetic-electrode 2 Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
41 P. Wisniowski, J. Kanak, et al. J. Appl. Phys. 100 (2006) J. Kanak, et al. Vacuum 82 (2008)1057 Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
42 Barrier quality XRD rocking curve Intensity [counts/sec] a b IrMn(111) [deg] AFM a) RMS = 0.3 nm b) RMS = 0.6 nm XRD pole figure a) b) a2_m - IrMn[111] b2_m - IrMn[111] Ta IrMn buffer J. Kanak Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
43 MgO - TMR vs. RA TMR [%] nat ox CAPRES nat ox patterned plasma ox CAPRES plasma ox patterned Freescale MgO_4 Anelva2006 (MgO+Mg) Anelva2006 (MgO) TDK2006 0,1 1,0 10,0 100, , ,0 RA [ µm²] H. Maehara et al. Applied Physics Express 4 (2011) Politechnika Politechnika Wrocławska, Wrocławska, Instytut Katedra Materiałoznawstwa Mechaniki i Inżynierii i Mechaniki Materiałowej Technicznej
44 Magnetic field switching AP TMR = 100% P Resistance switching by external magnetic field Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
45 Curent Induced Magnetization Switching - CIMS TMR = 100% 1 AP 0 P Resistance switching by spin polarized current from SpinTransfer Torque (STT) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
46 Transmission electron Microscopy (TEM) of TMR multilayers AF 0.9nm FFT (001) MgO L. Yiao, S. van Dijken Aalto Univ. TEM EDX Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
47 Sputtering deposition (industrial process) Singulus TIMARIS Oxidation Module Low Energy Remote Atomic Plasma Oxidation; Natural Oxidation; Soft Energy Surface Treatment Soft-Etch Module (PreClean, Surface Treatment) Multi Target Module Top: Target Drum with 10 rectangular cathodes; Drum design ensures easy maintenance; Bottom: Main part of the chamber containing LDD equipment Transport Module (UHV wafer handler) Cassette Module (according to Customer request) Ultra High Vacuum Design: High Throughput (e.g. MRAM): High Effective Up-time: Base Pressure 5*10-9 Torr (Deposition Chamber) 9 Wafer/Hour (1 Depo-Module) 18 Wafer/Hour (2 Depo-Module) Courtesy of Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
48 TMR & RA vs. MgO barrier thickness W. Skowronski, T. Stobiecki, et al. J. Appl. Phys. (2010), A. Zaleski, W. Skowroński, et al. Appl. Phys. (2012), Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
49 Nanofabrication by electron-beam lithography e-litography by RAITH system 300 Resistance [Ohm] Nanopillar 3 step: e-beam litography, ion etching, lift-off Voltage [V] Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
50 Nanofabrication by electron-beam lithography Mass spectrometer Ta MgO Ru CoFe B Microsystem Ion sys 500 Ar + etching Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
51 Magnetization dynamics LLG precession dm dt m H eff damping m dm dt L(andau) L(ifszic) G(ilbert) dynamics Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
52 Unpolarized electrons Spin Transfer Torque (STT) Polarized electrons Transmitted electrons Electron flow Conduction Electrons Polarizer P Free layer M Transfer of transverse moment m = Torque (Spin Torque ST) ST tends to align M (anti-)parallel to P Local magnetization Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
53 precession dm dt m H Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie eff Spin Transfer Torque (STT) damping m dm dt STT m ( m M ) m M M SV M SV Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
54 STT CIMS Spin Transfer Torque Curent Induced Magnetization Switching Power (nv/hz 0.5 ) DC current -0.1 ma -0.5 ma -1 ma -1.5 ma -1.7 ma -1.8 ma I = I Critical 1,0 1,5 2,0 2,5 Frequency (GHz) W.Skowroński, T.Stobiecki et al. APEX 5, (2012) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
55 Use of: Zero-magnetic field STO Perpendicular anisotropy of thin CoFeB on MgO Needed Ferromagnetic coupling between FL and RL (0.9 nm MgO) In-plane STT-induced oscillations W.Skowroński, T.Stobiecki et al. APEX 5, (2012) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
56 in-plane component out-of-plane component 2 1 nm MgO 2 (10-19 Nm) nm MgO (10-19 Nm) I (ma) I (ma) ab initio calculations Perpendicular torque is about 10 times smaller than torque in plane W.Skowroński, T.Stobiecki et al. PRB 87, (2013) Heiliger, Stiles PRL 100, , (2008) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
57 CIMS critical current J c0 in MTJ with in-plane anisotropy MTJ with 0.96 nm MgO barrier and CoFeB free layer 2.3 nm J c J c 2k BT τ 0 1 ln HCM SV τ P 0 Resistance (Ohm) b) AP 1 ms AP 2.7 ms P 7.3 ms 19.8 ms 53.7 ms P Voltage (V) Stability factor AP P P AP H 2 CM SV kbt exp W.Skowroński, T.Stobiecki et al. JAP 107, (2010) Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
58 J c0 = 7MA/cm 2 Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo Hutnicza w Krakowie CIMS critical current in MTJs with perpendicular anisotropy I C0 Critical current e M B S VH eff J c [MA/cm 2 ] 2,0 1,6 1,2 0,8 0,4 0,0-0,4-0,8 J c0 = -15MA/cm 2 J c0 = 1.3MA/cm 2 J c0 = -1.2MA/cm 2-1,2-1,6-2, ln (t p /t o ) M in plane Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej H H 2 M eff a S M out of plane H H 4 M eff a S Perpendicular magnetization reduces the critical switching current several times! M. Frankowski, T.Stobiecki et.al JAP, 117, (2015) Stability factor = 63
59 Podsumowanie Wytworzono magnetyczne złącze tunelowe (MTJ) o strukturze nanopilaru z bardzo cienką barierą MgO. Zbadano efekt Spin Transfer Torque (STT). Uzyskano przełączanie magnetyzacji indukowanym prądem (CIMS) oraz ST-oscylacje w złączach MTJ z anizotropią w płaszczyźnie i prostopadłą. Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
60 Cooperation and financial support AGH Department of Electronics: MSc M.Frankowski, PhD student (micromagnetic simulations) Dr. M. Czapkiewicz (micromagnetic simulations, magnetooptics) Dr. J. Kanak (structure: XRD, AFM/MFM) Dr. W. Skowronski (e-lithography, TMR, CIMS,Spin-diode, VCMA, SHE/SOT) Dr. hab.p. Wisniowski (MR-sensors, noise measurements and analysis) W. Powroźnik (technical service) M. Dąbek, PhD student (noise in sensors) S. Ziętek PhD student (e-lithography, multiferroics) M. Cecot, PhD student (SHE/SOT, AFM/MFM, e-lithography) J. Chęciński, PhD student (micromagnetic simulations) P. Rzeszut, student (LabView programming, electronic service, measurements) ACMiN AGH: A. Żywczak (e-litography, PLD deposition, magnetic measurements) Katedra Fizyki Ciała Stałego AGH: J. Korecki + zespół (MTJ z MBE) Singulus AG: J. Wrona (sputtering deposition at Singulus AG, CIPT-capres measurements) IFM PAN: J. Barnaś (UAM), P. Balaz (UAM, ChU Prag), A. Dyrdał (UAM), Ł. Karwacki (UAM), P.Ogrodnik (PW), J. Dubowik (IFM PAN), H.Głowiński (IFM PAN), F.Stobiecki (IFM PAN) AIST, Japan: T. Nozaki, S. Yuasa, Y.Suzuki EPFL, Switzerland: J-Ph. Ansermet, A.Vetro University of Bielefeld, Germany: prof. G. Reiss Aalto University, Espoo, Finland: prof. S. van Dijken Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
61 Acknowledgments We acknowledge the NANOSPIN Grant no. PSPB- 045/2010 from Switzerland through the Swiss Contribution Nanoscale spin torque devices for spin electronics We acknowledge Polish National Science Center Grant No. Harmonia-DEC-2012/04/M/ST7/00799 Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
62 Dziękuję za uwagę Politechnika Wrocławska, Katedra Mechaniki i Inżynierii Materiałowej
Amorficzne warstwy w spintronice
Amorficzne warstwy w spintronice T. Stobiecki www.maglay.agh.edu.pl www.nanospin.agh.edu.pl/en/ www.e-control.agh.edu.pl/ 1 Dlaczego spintronika jest ważna? ŁADUNEK SPIN Semiconductor Devices and Integrated
Bardziej szczegółowoNanourządzenia elektroniki spinowej: magnetyczne złącza tunelowe, spintorque
Nanourządzenia elektroniki spinowej: magnetyczne złącza tunelowe, spintorque oscylatory Przegląd badań prowadzonych w AGH T. Stobiecki Katedra Elektroniki AGH http://www.maglay.agh.edu.pl/ http://nanospin.agh.edu.pl/en/
Bardziej szczegółowoKatedra Elektroniki, Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków. Elektronika Spinowa. Wykład 1 Introduction to spintronics
Elektronika Spinowa Wykład 1 Introduction to spintronics Tomasz Stobiecki Katedra Elektroniki NANOSPIN Nanoscale spin torque devices for spin electronics Elektronika Spinowa. Poniedziałek godz. 15.15,
Bardziej szczegółowoDynamika w magnetycznych złączach tunelowych
Dynamika w magnetycznych złączach tunelowych Witold Skowroński Katedra Elektroniki Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Witold Skowroński, Kraków 17.01.2014 1/43 Motywacja Badania magnetycznych
Bardziej szczegółowoBadania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej
Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej Jarosław Kanak Katedra Elektroniki, WIEiT AGH NCN grant DEC-2012/05/E/ST7/00240 Laboratorium Badań Strukturalnych
Bardziej szczegółowoKońcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB
Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB Tomasz Stobiecki Katedra Elektroniki AGH, Kraków Maciej Czapkiewicz,
Bardziej szczegółowoMetody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016 Plan prezentacji Spinowy efekt Halla
Bardziej szczegółowoLecture 1. Fundamentals of Magnetism
Lecture 1 Fundamentals of Magnetism Magnetic domain image of iron from Principia Rerum Naturalium (1734) given by E.Swedenborg Magnetized state of Fe Demagnetized state of Fe Definitions of magnetic
Bardziej szczegółowoMaciej Czapkiewicz Katedra Elektroniki, WIEiT, AGH
Model dyspersji barier energetycznych aktywowanego termicznie procesu przełączania magnetyzacji w układach cienkich warstw z magnetyczną anizotropią prostopadłą Maciej Czapkiewicz Katedra Elektroniki,
Bardziej szczegółowoIndukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych
Indukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych mgr inż. Piotr Ogrodnik Warszawa, 19-05-2015 Promotor: prof. dr hab. Renata Świrkowicz Plan wystąpienia Przedmiot badań i motywacja
Bardziej szczegółowoNagroda Nobla 2007 efekt GMR
Nagroda Nobla 2007 efekt GMR Wykład wygłoszony na AGH przez prof. Józefa Barnasia z Uniwersytetu im. A. Mickiewicza z Poznania w styczniu 2008. Prof. J. Barnaś jest współautorem wielu wspólnych publikacji
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym
Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science
Bardziej szczegółowoZastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM
Część 3 Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM wiadomości wstępne krótka historia dysków od czasu odkrycia GMR rozwój głowic MR i GMR odczyt danych, ogólna budowa głowicy budowa i działanie
Bardziej szczegółowoPamięci RAM kierunki rozwoju
Pamięci RAM kierunki rozwoju Spis treści Zaczeło się od 1834 Charles Babbage rozpoczyna tworzenie swojego Silnika Analitycznego", prekursora dzisiejszych komputerow. Jego pamiec tworza karty perforowane
Bardziej szczegółowoAutorzy: Banaszek Juliusz Dębski Janusz. Pamięci RAM kierunki rozwoju.
Autorzy: Banaszek Juliusz Dębski Janusz Pamięci RAM kierunki rozwoju. Rodzaje pamięci Pamięci RAM ROM Volatile RAM Non-volatile RAM Reprogrammable ROM Once programmable ROM SRAM DRAM FeRAM MRAM MEMS NRAM
Bardziej szczegółowoFerromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych
SEMINARIUM SPRAWOZDAWCZE z prac naukowych prowadzonych w IFM PAN w 2014 roku projekt badawczy: Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych Umowa nr UMO-2013/08/M/ST3/00960
Bardziej szczegółowoDM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion
DM-ML, DM-FL Descritpion DM-ML and DM-FL actuators are designed for driving round dampers and square multi-blade dampers. Example identification Product code: DM-FL-5-2 voltage Dimensions DM-ML-6 DM-ML-8
Bardziej szczegółowoLecture 1. Fundamentals of Magnetism
Lecture 1 Fundamentals of Magnetism Magnetic domain image of iron from Principia Rerum Naturalium (1734) given by E.Swedenborg Magnetized state of Fe Demagnetized state of Fe Definitions of magnetic
Bardziej szczegółowoDynamika namagnesowania warstwowych struktur magnetycznych i nanostruktur.
Dynamika namagnesowania warstwowych struktur magnetycznych i nanostruktur. Hubert Głowiński, IFM PAN promotor: prof. Janusz Dubowik 09.06.2015 1 Praca była częściowo finansowana z grantu Polsko-Szwajcarskiego
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoGMR multilayer system and its investigation. Konstanty Marszalek AGH University of Science &Technology
GMR multilayer system and its investigation Konstanty Marszalek AGH University of Science &Technology Outline Motivation GMR Objectives engineering of Co/Cu multilayers structure with the use of surfactants
Bardziej szczegółowoBARIERA ANTYKONDENSACYJNA
Skład Obróbka Parametry techniczne BARIERA ANTYKONDENSACYJNA Lama "Lama" sp. z o.o. sp. k Właściwość Metoda badania Wartość Jednostka włóknina poliestrowa + klej PSA + folia polietylenowa Samoprzylepna
Bardziej szczegółowoPodstawy Mikroelektroniki
Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Podstawy Mikroelektroniki Temat ćwiczenia: Nr ćwiczenia 1 Pomiary charakterystyk magnetoelektrycznych elementów spintronicznych-wpływ
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE. Germanium Four. Germanium Two. Germanium. CENNIK PRODUKTÓW listopad 2013
CENNIK PRODUKTÓW listopad 2013 WZMACNIACZE Germanium Germanium Four 4x 105 Watts @ 4 Ohm 4x 140 Watts @ 2 Ohm 12 db High Pass: 15 Hz 500 Hz (5 khz Front) 12 db Low Pass: 50 Hz 5 khz Dimensions (LxWxH):
Bardziej szczegółowoAutoreferat. 2. Dyplomy i stopnie: magistra inżyniera, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława 1998 Staszica w Krakowie
Załącznik 2 Autoreferat 1. Imię i Nazwisko: Piotr Wiśniowski 2. Dyplomy i stopnie: magistra inżyniera, Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława 1998 Staszica w Krakowie 2003 master of science, Uniwersytet
Bardziej szczegółowoPLANY I PROGRAMY STUDIÓW
WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I LOGISTYKI PLANY I PROGRAMY STUDIÓW STUDY PLANS AND PROGRAMS KIERUNEK STUDIÓW FIELD OF STUDY - ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI - MANAGEMENT AND PRODUCTION ENGINEERING Studia
Bardziej szczegółowoHas the heat wave frequency or intensity changed in Poland since 1950?
Has the heat wave frequency or intensity changed in Poland since 1950? Joanna Wibig Department of Meteorology and Climatology, University of Lodz, Poland OUTLINE: Motivation Data Heat wave frequency measures
Bardziej szczegółowoMetodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH
Kierunek Elektronika i Telekomunikacja, Studia II stopnia Specjalność: Systemy wbudowane Metodyki projektowania i modelowania systemów Cyganek & Kasperek & Rajda 2013 Katedra Elektroniki AGH Zagadnienia
Bardziej szczegółowoFotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics
KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics WL9L-P430 Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics Nazwa modelu > WL9L-P430
Bardziej szczegółowoLaureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r.
Witold Szmaja, Leszek Wojtczak Nagroda Nobla z fizyki w 2007 r. zjawisko gigantycznego magnetooporu i jego praktyczne wykorzystanie Łódź 2008 Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r. Peter Grünberg (Centrum
Bardziej szczegółowophoto graphic Jan Witkowski Project for exhibition compositions typography colors : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com
Jan Witkowski : +48 506 780 943 : janwi@janwi.com Project for exhibition photo graphic compositions typography colors Berlin London Paris Barcelona Vienna Prague Krakow Zakopane Jan Witkowski ARTIST FROM
Bardziej szczegółowoWpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym
Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska
Bardziej szczegółowoTechnologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk
Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy
Bardziej szczegółowoSamoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO
Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:
Bardziej szczegółowoPodzespoły Indukcyjne S.A. Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe. One and multi layer air-core inductor with round cross section
Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe One and multi layer air-core inductor with round cross section 0 Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe Zastosowania: Cewki indukcyjne
Bardziej szczegółowoWłasności magnetyczne Magnetic properties Podstawowe własności magnetyczne rdzeni pokazuje tablica 3. The basic core magnetic properties are presented in the following table. Tablica 3. Własności magnetyczne
Bardziej szczegółowoProf. dr hab. Tomasz Stobiecki Kraków, Recenzja. pracy doktorskiej mgr inż. Kingi Aleksandry Lasek
Prof. dr hab. Tomasz Stobiecki Kraków, 24. 04. 2018 Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH Katedra Fizyki Ciała Stałego e-mail:stobieck@agh.edu.pl Recenzja pracy doktorskiej mgr inż. Kingi Aleksandry
Bardziej szczegółowoBARI SLF300 CDA/SLF300. System składano - przesuwny SLF300 Slide & stack system SLF300
CDA/SLF00 System składano - przesuwny SLF00 Slide & stack system SLF00 SLF00-B8 Wózek SLF00-B8 Rollers SLF00 Łącznik SLF00 Junction SLF-TP Trzpień górny SLF-TP Top pivot E2474 Main top track SLF00-ELBOW
Bardziej szczegółowoMaciej Czapkiewicz. Magnetic domain imaging
Maciej Czapkiewicz Magnetic domain imaging Phase diagram of the domain walls Kerr geometry MOKE (Kerr) Magnetometer MOKE signal hysteresis loops [Pt/ Co] 3 [Pt/Co] 3 /Pt(0.1 nm)/irmn 10 2 5 1 Rotation
Bardziej szczegółowoINDEX CRI COLOR RENDERING INDEX (CRI):
Jesteśmy firmą oświetleniową stworzoną przez ludzi od wielu lat związanych z branżą. Wieloletnie kontakty z producentami zagranicznymi i polskimi pozwoliły nam uczestniczyć w najbardziej innowacyjnych
Bardziej szczegółowoPamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM?
1 Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM? Na rynku pamięci RAM od dawna dominują układy zawierające pamięci
Bardziej szczegółowoInquiry Form for Magnets
Inquiry Form for Magnets Required scope of delivery: Yes No - Cross-beams - Magnets - Supply and Control System - Emergency supply system, backup time min - Cable drum with cable - Plug-in connections
Bardziej szczegółowoWOJSKOWE TRASY LOTÓW (MRT) NA MAŁYCH WYSOKOŚCIACH LOW FLYING MILITARY TRAINING ROUTES (MRT)
MIL AIP POLAND MIL ENR 5.2.5-1 MIL ENR 5.2.5 WOJSKOWE TRASY LOTÓW (MRT) NA MAŁYCH WYSOKOŚCIACH LOW FLYING MILITARY TRAINING ROUTES (MRT) 1. INFORMACJE OGÓLNE 1. GENERAL Konkretne przebiegi tras MRT wyznaczane
Bardziej szczegółowoDevelopment of SOFC technology in IEn OC Cerel
Development of SOFC technology in IEn OC Cerel mgr. inż. Michał Kawalec dr inż. Ryszard Kluczowski dr inż. Mariusz Krauz ing. Jan Pieter Ouweltjes 1 Introduction 2 AS-SOFC technology 3 Cell tests 4 SOFC
Bardziej szczegółowoFixtures LED HEDRION
K A R T Y K ATA L O G O W E Fixtures LED HEDRION Oprawy lampy LED Hedrion do zastosowań profesjonalnych Fixtures LED lamps Hedrion for professional applications NATRIUM Sp. z o.o. ul. Grodziska 15, 05-870
Bardziej szczegółowoWENTYLATORY PROMIENIOWE SINGLE-INLET DRUM BĘBNOWE JEDNOSTRUMIENIOWE CENTRIFUGAL FAN
WENTYLATORY PROMIENIOWE SINGLE-INLET DRUM BĘBNOWE JEDNOSTRUMIENIOWE CENTRIFUGAL FAN TYP WPB TYPE WPB Wentylatory promieniowe jednostrumieniowe bębnowe (z wirnikiem typu Single-inlet centrifugal fans (with
Bardziej szczegółowoFig 5 Spectrograms of the original signal (top) extracted shaft-related GAD components (middle) and
Fig 4 Measured vibration signal (top). Blue original signal. Red component related to periodic excitation of resonances and noise. Green component related. Rotational speed profile used for experiment
Bardziej szczegółowoREHABILITATION OF MEDIUM-HEAD HYDROPOWER PLANTS WITH EXPLOITED TWIN-FRANCIS TURBINES.
ZRE Gdańsk S.A. ul. Litewska 14A 80-719 Gdańsk REHABILITATION OF MEDIUM-HEAD HYDROPOWER PLANTS WITH EXPLOITED TWIN-FRANCIS TURBINES. Maciej Kaniecki, PhD Andrzej Łojek, PhD Marusz Hajdarowicz, M.Sc.Eng
Bardziej szczegółowo4. EKSPLOATACJA UKŁADU NAPĘD ZWROTNICOWY ROZJAZD. DEFINICJA SIŁ W UKŁADZIE Siła nastawcza Siła trzymania
3 SPIS TREŚCI Przedmowa... 11 1. WPROWADZENIE... 13 1.1. Budowa rozjazdów kolejowych... 14 1.2. Napędy zwrotnicowe... 15 1.2.1. Napęd zwrotnicowy EEA-4... 18 1.2.2. Napęd zwrotnicowy EEA-5... 20 1.3. Współpraca
Bardziej szczegółowoOPBOX ver USB 2.0 Mini Ultrasonic Box with Integrated Pulser and Receiver
OPBOX ver.0 USB.0 Mini Ultrasonic Box with Integrated Pulser and Receiver Przedsiębiorstwo BadawczoProdukcyjne OPTEL Sp. z o.o. ul. Morelowskiego 30 PL59 Wrocław phone: +8 7 39 8 53 fax.: +8 7 39 8 5 email:
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoINSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS
Kompozyty 11: 2 (2011) 130-135 Krzysztof Dragan 1 * Jarosław Bieniaś 2, Michał Sałaciński 1, Piotr Synaszko 1 1 Air Force Institute of Technology, Non Destructive Testing Lab., ul. ks. Bolesława 6, 01-494
Bardziej szczegółowoSensory w systemach wbudowanych Dr inż. Cezary Worek
Sensory w systemach wbudowanych Dr inż. Cezary Worek tel. +48 12 617 29 83 e-mail: worek@agh.edu.pl http://www.wsn.agh.edu.pl/ Pawilon C2, pokój 08 (niski parter) Konsultacje środa 10.00-11.00 Informacje
Bardziej szczegółowoZakopane, plan miasta: Skala ok. 1: = City map (Polish Edition)
Zakopane, plan miasta: Skala ok. 1:15 000 = City map (Polish Edition) Click here if your download doesn"t start automatically Zakopane, plan miasta: Skala ok. 1:15 000 = City map (Polish Edition) Zakopane,
Bardziej szczegółowoPrzemysłowe zastosowania technologii generatywnych
Industrial applications of additive manufacturing technologies Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych Edward Chlebus, Bogdan Dybała, Tomasz Boratyoski, Mariusz Frankiewicz, Tomasz Będza CAMT
Bardziej szczegółowoWARSZAWA LIX Zeszyt 257
WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne
Bardziej szczegółowoRewolucja informatyczna od wewnątrz
Rewolucja informatyczna od wewnątrz Tomasz Dietl Laboratorium Kriogeniki i Spintroniki Instytutu Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW punkty widzenie: konsekwencje: ekonomiczne, społeczne, polityczne,...
Bardziej szczegółowoSPIS TREŚCI / INDEX OGRÓD GARDEN WYPOSAŻENIE DOMU HOUSEHOLD PRZECHOWYWANIE WINA WINE STORAGE SKRZYNKI BOXES
KATALOG 2016 CATALOGUE 2016 SPIS TREŚCI / INDEX WYPOSAŻENIE DOMU HOUSEHOLD OGRÓD GARDEN PRZECHOWYWANIE WINA WINE STORAGE 31-38 21-30 4-20 SKRZYNKI BOXES 39-65 3 WYPOSAŻENIE DOMU HOUSEHOLD 4 WYPOSAŻENIE
Bardziej szczegółowoELECTRIC AND MAGNETIC FIELDS NEAR NEW POWER TRANSMISSION LINES POLA ELEKTRYCZNE I MAGNETYCZNE WOKÓŁ NOWYCH LINII ELEKTROENERGETYCZNYCH
ELEKTRYKA 2012 Zeszyt 3-4 (223-224) Rok LVIII Olgierd MAŁYSZKO, Michał ZEŃCZAK Katedra Elektroenergetyki i Napędów Elektrycznych, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie w Szczecinie
Bardziej szczegółowoNetwork Services for Spatial Data in European Geo-Portals and their Compliance with ISO and OGC Standards
INSPIRE Conference 2010 INSPIRE as a Framework for Cooperation Network Services for Spatial Data in European Geo-Portals and their Compliance with ISO and OGC Standards Elżbieta Bielecka Agnieszka Zwirowicz
Bardziej szczegółowoPrzegląd Elektrotechniczny
Przegląd Elektrotechniczny 5 Rok LXXVIII Organ Stowarzyszenia Elektryków Polskich Wydawnictwo SIGMA NOT Sp. z o.o. GMR gigantyczny magnetoopór prof. dr hab. inż. SŁAWOMIR TUMAŃSKI Politechnika Warszawska
Bardziej szczegółowoEfektywne symulacje mikromagnetyczne układów magnonicznych przy wykorzystaniu GPGPU.
Efektywne symulacje mikromagnetyczne układów magnonicznych przy wykorzystaniu GPGPU. Mateusz Zelent, Paweł Gruszecki, Michał Mruczkiewicz, Maciej Krawczyk Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Nanomateriałów Fale
Bardziej szczegółowoSPITSBERGEN HORNSUND
Polska Stacja Polarna Instytut Geofizyki Polska Akademia Nauk Polish Polar Station Institute of Geophysics Polish Academy of Sciences BIULETYN METEOROLOGICZNY METEOROLOGICAL BULLETIN SPITSBERGEN HORNSUND
Bardziej szczegółowoSpintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników
Sławomir TUMAŃSKI Politechnika Warszawska, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej i Systemów Informacyjno-Pomiarowych Spintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników Streszczenie. W artykule
Bardziej szczegółowoMarcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Prezentacja tematów na prace doktorskie, 28/5/2015 1 Marcin Sikora KFCS WFiIS & ACMiN Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Bardziej szczegółowoTowards Stability Analysis of Data Transport Mechanisms: a Fluid Model and an Application
Towards Stability Analysis of Data Transport Mechanisms: a Fluid Model and an Application Gayane Vardoyan *, C. V. Hollot, Don Towsley* * College of Information and Computer Sciences, Department of Electrical
Bardziej szczegółowoEquipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the Record Biomap project (Horizon 2020)
Research Coordination for a Low-Cost Biomethane Production at Small and Medium Scale Applications, akronim Record Biomap Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the
Bardziej szczegółowoRev Źródło:
KAmduino UNO Rev. 20190119182847 Źródło: http://wiki.kamamilabs.com/index.php/kamduino_uno Spis treści Basic features and parameters... 1 Standard equipment... 2 Electrical schematics... 3 AVR ATmega328P
Bardziej szczegółowoProposal of thesis topic for mgr in. (MSE) programme in Telecommunications and Computer Science
Proposal of thesis topic for mgr in (MSE) programme 1 Topic: Monte Carlo Method used for a prognosis of a selected technological process 2 Supervisor: Dr in Małgorzata Langer 3 Auxiliary supervisor: 4
Bardziej szczegółowoKielce University of Technology. www.tu.kielce.pl
At present, the University consists of four faculties: the Faculty of Civil and Environmental Engineering the Faculty of Electrical Engineering, Automatics and Computer Science the Faculty of Mechatronics
Bardziej szczegółowoModel standardowy i stabilność próżni
Model standardowy i stabilność próżni Marek Lewicki Instytut Fizyki teoretycznej, Wydzia l Fizyki, Uniwersytet Warszawski Sympozjum Doktoranckie Warszawa-Fizyka-Kraków, 4 Marca 2016, Kraków Na podstawie:
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoMedical electronics part 10 Physiological transducers
Medical electronics part 10 Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany
Bardziej szczegółowoRelaxation of the Cosmological Constant
Relaxation of the Cosmological Constant with Peter Graham and David E. Kaplan The Born Again Universe + Work in preparation + Work in progress aaab7nicdvbns8nafhypx7v+vt16wsycp5kioseifw8ekthwaepzbf7apztn2n0ipfrhepggifd/jzf/jzs2brudwbhm5rhvtzakro3rfjqlpewv1bxyemvjc2t7p7q719zjphi2wcisdr9qjyjlbblubn6ncmkccoweo6vc7zyg0jyrd2acoh/tgeqrz9ryqdo7sdgq9qs1t37m5ibu3v2qqvekpqyfmv3qry9mwbajnexqrbuemxp/qpxhtoc00ss0ppsn6ac7lkoao/yns3wn5mgqiykszz80zkz+n5jqwotxhnhktm1q//zy8s+vm5nowp9wmwygjzt/fgwcmitkt5oqk2rgjc2hthg7k2fdqigztqgklwfxkfmfte/qnuw3p7xgzvfhgq7gei7bg3nowdu0oqumrvaiz/dipm6t8+q8zamlp5jzhx9w3r8agjmpzw==
Bardziej szczegółowoWENTYLATORY PROMIENIOWE MEDIUM-PRESSURE CENTRIFUGAL
WENTYLATORY PROMIENIOWE MEDIUM-PRESSURE CENTRIFUGAL ŚREDNIOPRĘŻNE TYPU WSP FAN TYPE WSP Wentylatory promieniowe średnioprężne typu WSP są wysokosprawnymi wentylatorami ogólnego i specjalnego przeznaczenia.
Bardziej szczegółowoUSB firmware changing guide. Zmiana oprogramowania za przy użyciu połączenia USB. Changelog / Lista Zmian
1 / 9 Content list / Spis Treści 1. Hardware and software requirements, preparing device to upgrade Wymagania sprzętowe i programowe, przygotowanie urządzenia do aktualizacji 2. Installing drivers and
Bardziej szczegółowoDane techniczne Napiêcie zasilania U B 10...30 VDC Nominalny pr¹d obci¹ enia I e 200 ma k
Czujniki indukcyjne Inductive sensors R DC -przewodowe Uprox DC -przewodowe Faktor dla wszystkich metali Odporne na pola meganetyczne Cylindryczne, M, M8, M0 Mosiê ne, chromowane Z³¹cze - dioda LED, widoczna
Bardziej szczegółowo1d 18. 4a 4b 5 3d*** 4e*** 3b. 5a 5d. 5b 4c 8b 8g 3a. 8c ** 8n 9b 9e** 9a. 9p 9q* 9m 9o 9k 9d 9h 9 9j. 18a. 9r 9f. 1f 11b. 11c ** 1i* 11 11a 2b 10n
Zasłony 1 1a 18 4a 4b 5 3d* 3e* 5c 4e* 3b 5b 4c 8b 3 4 3c 4d 8g 3a 8 e a f d 8h 5a 5d 8c 1c 18a 6b 6d 6c 7 7d 7e 6a 7f 7e 7b 8j 8i 6 7b 8k 8m 8l 8n 9b 9c 9i 9e 9a 9m 9o 9k 9d 9h 9 9j 9r 9f 9g 9l 9n 1 11j
Bardziej szczegółowoList of Presentations Lista Prezentacji October 3-5, 2018 Październik 3-5, 2018
List of Presentations Lista Prezentacji October 3-5, 2018 Październik 3-5, 2018 Jerzy Michalski - Prof., PhD, DSc prof. dr hab. inż. Institute of Precision Mechanics - Instytut Mechaniki Precyzyjnej Anticorrosive
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoNazwa projektu: Kreatywni i innowacyjni uczniowie konkurencyjni na rynku pracy
Nazwa projektu: Kreatywni i innowacyjni uczniowie konkurencyjni na rynku pracy DZIAŁANIE 3.2 EDUKACJA OGÓLNA PODDZIAŁANIE 3.2.1 JAKOŚĆ EDUKACJI OGÓLNEJ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w
Bardziej szczegółowoSTAŁE TRASY LOTNICTWA WOJSKOWEGO (MRT) MILITARY ROUTES (MRT)
AIP VFR POLAND VFR ENR 2.4-1 VFR ENR 2.4 STAŁE TRASY LOTNICTWA WOJSKOWEGO (MRT) MILITARY ROUTES (MRT) 1. INFORMACJE OGÓLNE 1. GENERAL 1.1 Konkretne przebiegi tras MRT wyznaczane są według punktów sieci
Bardziej szczegółowoZwora Yale US06. Yale seria US kg. Zastosowanie. Właściwości. Parametry techniczne
Zwora Yale US06 Yale seria US06 270 kg Zastosowanie Zwory serii US06 przeznaczone są do realizowania kontroli dostępu w pomieszczeniach wymagających podstawowej ochrony np. drzwi wewnętrzne. Właściwości
Bardziej szczegółowoPLANY I PROGRAMY STUDIÓW
WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I LOGISTYKI PLANY I PROGRAMY STUDIÓW STUDY PLANS AND PROGRAMS KIERUNEK STUDIÓW FIELD OF STUDY - ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI - MANAGEMENT AND PRODUCTION ENGINEERING Studia
Bardziej szczegółowoSzczypta historii. 2010 Inteligentne rozmieszczanie. Pierwszy magnetyczny dysk twardy. Macierz RAID. Wirtualizacja. danych
Szczypta historii 1956 Pierwszy magnetyczny dysk twardy IBM 305 RAMAC (Random Access Method of Accounting and Control). 50 dysków o średnicy ok. 60 cm - 5 MB. 1993 Macierz RAID Grupa dysków jest widziana
Bardziej szczegółowoDane techniczne Napiêcie zasilania U B 10...30 VDC Nominalny pr¹d obci¹ enia I e 200 ma k
Czujniki indukcyjne Inductive sensors R DC -przewodowe Uprox DC -przewodowe Faktor dla wszystkich metali Odporne na pola meganetyczne Cylindryczne, M, M8, M0 Mosiê ne, chromowane Z³¹cze - dioda LED, widoczna
Bardziej szczegółowoSpintronika teraz i tu
Spintronika teraz i tu Tomasz Dietl Instytut Fizyki PAN Instytut Fizyki Teoretycznej UW współpraca: Maciej Sawicki et al.; Jacek Majewski et al. Warszawa Alberta Bonanni et al. Linz Hideo Ohno et al. Sendai
Bardziej szczegółowoThe Overview of Civilian Applications of Airborne SAR Systems
The Overview of Civilian Applications of Airborne SAR Systems Maciej Smolarczyk, Piotr Samczyński Andrzej Gadoś, Maj Mordzonek Research and Development Department of PIT S.A. PART I WHAT DOES SAR MEAN?
Bardziej szczegółowoHOW MASSIVE ARE PROTOPLANETARY/ PLANET HOSTING/PLANET FORMING DISCS?
GREAT BARRIERS IN PLANET FORMATION, PALM COVE 26/07/2019 HOW MASSIVE ARE PROTOPLANETARY/ PLANET HOSTING/PLANET FORMING DISCS? CAN ALL THESE STRUCTURES TELL US SOMETHING ABOUT THE (GAS) DISC MASS? BENEDETTA
Bardziej szczegółowoPlan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości
Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura
Bardziej szczegółowoMAGNESY KATALOG d e s i g n p r o d u c e d e l i v e r
MAGNESY KATALOG design produce deliver MAGNET 0,4 / 0,75MM owal, prostokąt, koło, kwadrat od 50 sztuk Flexible magnet 0.4 = strength example: able to hold one A4 sheet. 0.75 = strength example: able to
Bardziej szczegółowoPomiary parametrów ruchu drogowego
Książka: Pomiary parametrów ruchu drogowego Book: Measurements of Road Traffic Parameters Wydawnictwo Naukowe PWN SA, Warszawa 2015 Janusz Gajda (jgajda@agh.edu.pl), Ryszard Sroka, Marek Stencel, Piotr
Bardziej szczegółowoTechnika jonowego rozpylenia
Technika jonowego rozpylenia dr K.Marszałek 1 Technika jonowego rozpylenia dr K.Marszałek 2 Mechanizm rozpylenia dr K.Marszałek 3 :Création et transferet des différentes espèces en pulvérisation cathodique
Bardziej szczegółowoCzujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18
KATALOG ONLINE www.mysick.com Czujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18 CM18-12NPP-KWD Czujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18 Nazwa modelu > CM18-12NPP-KWD Numer części
Bardziej szczegółowoPROCESOR CENNIK PRODUKTÓW RAINBOW MAJ 2015 DSP 1.8
CENNIK PRODUKTÓW RAINBOW MAJ 2015 PROCESOR DSP 1.8 Control and Audio Streaming Software for ios, Android and Windows 56bit DSP IC from Analog Devices A/D and D/A ICs from Burr Brown 6 Channel RCA Input
Bardziej szczegółowoZASADY ZALICZANIA PRZEDMIOTU:
WYKŁADOWCA: dr hab. inż. Katarzyna ZAKRZEWSKA, prof. AGH KATEDRA ELEKTRONIKI, paw. C-1, p. 317, III p. tel. 617 29 01, tel. kom. 0 601 51 33 35 zak@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~zak 2012/2013, zima
Bardziej szczegółowoLCD (Liquid Crystal Display)
LCD (Liquid Crystal Display) Polarizing filter. Thin film with a vertical ais. Liquid crystal Polarizing filter. Thin film with a horizontal ais. Polarizing filter. Thin film with a horizontal ais. Polarizing
Bardziej szczegółowoPrzewody do linii napowietrznych Przewody z drutów okrągłych skręconych współosiowo
POPRAWKA do POLSKIEJ NORMY ICS 29.060.10 PNEN 50182:2002/AC Wprowadza EN 50182:2001/AC:2013, IDT Przewody do linii napowietrznych Przewody z drutów okrągłych skręconych współosiowo Poprawka do Normy Europejskiej
Bardziej szczegółowo