Wybrane czujniki wytwarzane w technologiach półprzewodnikowych
|
|
- Dariusz Sobczyk
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Wybrane czujniki wytwarzane w technologiach półprzewodnikowych Czujnik (sensor) urządzenie przetwarzające jedną wielkość fizyczną na inną - najczęściej elektryczną (napięcie, natężenie prądu, opór elektryczny). Sygnały elektryczne łatwo wzmocnić, przetworzyć na inną postać, przesłać, zapisać itd. W praktyce współczesny czujnik składa się z części przetwornikowej, układu kondycjonowania sygnału i części przesyłania sygnału. 1
2 Czujniki magnetogalwaniczne Służą do przetwarzania energii magnetycznej na energię elektryczną. Najpopularniejsze zastosowanie - pomiar pola magnetycznego. Hallotrony - czujniki, których zasada działania opiera się na klasycznym efekcie Halla. Efekt Halla - wystąpienie różnicy potencjałów w przewodniku, w którym płynie prąd elektryczny I, gdy przewodnik znajduje się w poprzecznym do płynącego prądu polu magnetycznym B. Napięcie Halla U H pojawia się między płaszczyznami ograniczającymi przewodnik, prostopadle do płaszczyzny wyznaczanej przez kierunek prądu I i wektor indukcji pola magnetycznego B. 2 Jest ono spowodowane działaniem siły Lorentza F na ładunki poruszające się w polu magnetycznym.
3 Efekt Halla Siła Lorentza: - prędkość unoszenia nośników prądu Na nośniki działa też siła kulombowska. Wypadkowa siła: W ogólności trzeba wprowadzić czynnik geometryczny g i napięcie niezrównoważenia: U H = γ I B + U r U r napięcie niezrównoważenia (offset), stała lub wolnozmienna wartość dla B = 0. W stanie równowagi siła Lorentza i kulombowska równoważą się: U H = I B/(nqd)= (R H /d) I B = γ I B dla próbki wydłużonej R H - stała Halla 3
4 Efekt Halla Stała Halla dla próbki z nośnikami jednego znaku wynosi: R H = ± r/ nq r wsp. zależny od mechanizmu rozpraszania nośników n koncentracja nośników q ładunek elementarny Duży sygnał U H uzyskuje się dla próbek o dużej ruchliwości nośników µ ( InSb, GaAs, InAs): E H /E x = µb z E H pole Halla E x pole wymuszające prąd 4
5 Hallotrony kształty płytek symbol hallotronu CC/HC zamienne kontakty CC - prądowe HC - holowskie Technologia IC (pionowa) Pole B styczne do powierzchni płytki Dobre źródło informacji: 5
6 Hallotrony - technologia - kształtki z materiałów litych - cienkie warstwy - mikrostruktury scalone: - struktury MOS - struktury epitaksjalne GaAs - supersieci w technologii MBE (Molecular Beam Epitaxy) - struktury bipolarne IC Większość obecnie produkowanych hallotronów stosowanych komercyjnie wytwarzana jest w technologii bipolarnej obwodów scalonych (IC). Wykonywane są na bazie materiałów półprzewodnikowych (najczęściej InAs, InSb), z materiałów litych (Ge) oraz w technologii warstwowej. 6
7 Hallotrony - technologia Izolację struktury holowskiej od reszty układu uzyskuje się w wyniku istnienia przeciwnie spolaryzowanych złącz p/n Aktywną część struktury stanowi naniesiona epitaksjalnie warstwa n, gdzie wdyfundowano izolacyjne obszary p oraz obszary kontaktów n +. 7
8 Hallotrony - parametry czułość bezwzględna: S A = U H / B dla I = const czułość względem prądu zasilania: S I = S A / I czułość względem nap. zasilania: S U = S A / U offset: równoważne pole B o wytwarzające napięcie niezrównoważenia U o : B o = U o / S A 8
9 Hallotrony - zastosowania Szczegóły: 9
10 Hallotrony - zastosowania Bezkontaktowe pomiary położenia 10
11 Hallotrony - zastosowania Bezkontaktowe pomiary położenia różnicowe połączenie czujników holowskich Wykorzystanie hallotronu do pomiaru prędkości obrotowej. Czerwone krążki oznaczają magnesy, niebieski 11 prostopadłościan - czujnik hallotronowy
12 Hallotrony - zastosowania Bezkontaktowy pomiar prądu Wokół przewodnika z prądem ( prostoliniowego ) istnieje koncentryczne pole magnetyczne B= μ o I/(2πr), czyli B ~ I dla r = const Prosta konstrukcja, dobra liniowość wskazań Dużą czułość uzyskuje się stosując rdzeń magnetyczny ze szczeliną δ ~ 1 mm, w której umieszczony jest hallotron. 12
13 Hallotrony - zastosowania Bezkontaktowy pomiar prądu Strumień pola B: R B N I R R lfe A R A 0 r 0 N ilość zwojów R µ, R δ opory magnetyczne (reluktancje) rdzenia, szczeliny Pole B w szczelinie: B 0 N I lfe 0 r N I U H I Zakres pomiaru prądu: 10 A kilka ka 13
14 Hallotrony - zastosowania Bezkontaktowy pomiar mocy Korzysta się z faktu, że czujnik Halla wykazuje własności multiplikacyjne. Prąd obciążenia i L wytwarza pole B i mierzony jest jak poprzednio: B ~ i L Napięcie u L jest transformowane i wytworzony prąd i in zasila hallotron: i in ~ u L i Napięcie wskazywane przez hallotron: Dla obciążenia rezystancyjnego: u L u ( t ) U u L ( t ) U ( t ) I r H 0L 0L 0r cos t cos t cos t 1 ( t ) k U 2 0L I 0L ( 1 cos 2 t ) U 0r u cos t H g i in B u r (t ) k u L i L u r (t ) k p L u r (t ) Stosując filtr dolnoprzepustowy otrzymuje się sygnał proporcjonalny do mocy średniej. 14
15 Hallotrony - zastosowania Bezszczotkowy silnik prądu stałego Rotor ma wbudowany magnes stały. W skład statora wchodzą cewki napędzające, sterowane dwoma hallotronami. Hallotrony rejestrują względne położenia rotora i poprzez tranzystory sterują prądami cewek. Prądy w statorze zmieniają się łagodnie. Silniki te posiadają szereg zalet: wydłużony czas życia (istotne tylko zużycie łożysk) niskie szumy brak iskrzenia 15 Chętnie stosowane w urządzeniach HiFi.
16 Hallotron przykład czujnika KSY 14 (Siemens, Infineon) wytwarzany z GaAs z wykorzystaniem implantacji jonami Źródło: Klub Konstruktorów (czujnik halotronowy): 16
17 Hallotrony rozwiązania praktyczne Napięcie Halla najczęściej kilkadziesiąt µv (dla ferromagnetyków rzędu 1mV) przy polu B w zakresie 1 gaussa (1 gauss = 10-4 T) Stosuje się wzmacniacze, np. różnicowe na tranzystorach bipolarnych (wysoki CMRR, duże Ku, niskie szumy, duża Zwe) Konieczny stabilny prąd I (regulator) 17!!!
18 Hallotrony zastosowania cyfrowe Licznik impulsów Czujnik podłączony do dzielnika /2 Przełącznik analogowy Przełącznik (normalnie wył.) 18
19 Hallotrony zastosowania cyfrowe Czujnik kierunku obrotów w wyjściem cyfrowym Interfejs wired OR 19
20 Hallotrony zastosowania cyfrowe Wykrywanie elementów ferromagnetycznych (np. położenia na kole zębatym) Sygnał wyjściowy 20
21 Hallotrony zastosowania cyfrowe Czujnik Halla w układzie dwuprzewodowej pętli prądowej Zdalna lokalizacja czujnika i układów elektronicznych. Zmiana z 3 przewodów na 2-przewodowa pętlę prądową. Gdy czujnik nie pobudzony, prąd w pętli = prądowi zasilania czujnika + prąd upływu. Gdy pobudzony, prąd w pętli prądowej = prądowi zasilania czujnika + prąd w tranzystorze wyjściowym. Różnica prądu w pętli zmienia napięcie na R2. Komparator wykrywa tę zmianę porównując ją z napięciem Uref. Czujnik obecności papieru 21
22 Hallotrony zastosowania analogowe Typowy sposób podłączenia z obciążeniem Czujniki bliskości Analogowy czujnik Halla połączony z komparatorem 22
23 Hallotrony zastosowania analogowe Regulowany czujnik prądu Czujnik liniowy w sprzężeniu zwrotnym Czujnik poziomu/przechyłu Czujnik temperatury/ciśnienia 23
24 Hallotrony zastosowania analogowe Czujnik prędkości obrotowej Kontrola prędkości Sterowanie zależnościami czasowymi silnika Wykrywanie bezruchu, zbyt niskiej, za wysokiej prędkości Detekcja prędkości obrotowej dysku Element regulacji obrotów wiatraka Wiertarki, zliczanie butelek, Detekcja pozycji migawki aparatu Czujnik przepływu, Tachometry Czytnik kart magnetycznych 24
25 Hallotrony zastosowania analogowe Czujnik położenia/kąta przepustnicy I naprawdę wiele, wiele innych zastosowań - wykrywacze metalu (złamanie symetrii pola w obecności metalu) - manipulatory i dźwignie mechaniczne do kontroli urządzeń (dźwigi, wózki widłowe, koparki) - kompasy 25
26 Hallotrony zalety Odporny na warunki atmosferyczne, kurz, wodę, brud (czyli można go użyć tam, gdzie metody np. optyczne nie zdają egzaminu). Prosty w budowie (wyłącznie ciało stałe) Tani, długi czas życia Brak ruchomych części Powtarzalne działanie Szeroki zakres temp. pracy (-40 to +150 C) Z pomiaru napięcia Halla można określić też: - typ przewodnictwa (elektronowe n lub dziurowe p) - ruchliwość nośników - koncentrację nośników n - szerokość przerwy energetycznej Eg 26
27 Magnetorezystory Magnetorezystor wykazuje zależność rezystancji od pola magnetycznego. Wczesne lata rozwoju magnetorezystorów wiązały się z wykorzystaniem półprzewodników, np. InSb dla pól B > 2 kgs. Obecnie wykorzystuje się zjawiska magnetorezystancyjne zachodzące w: metalach ferromagnetycznych (efekt Thomsona) zwany również efektem AMR (anisotropic magnetoresistance), warstwowych strukturach magnetycznych (efekt GMR giant magnetoresistance) magnetycznych złączach tunelowych (MTJ magnetic tunnel junction) Elementy AMR wchodzą w użycie wraz z rozwojem technologii cienkowarstwowych. Stosuje się stopy: Ni Fe Ni Co Ni Fe Co Permaloj (z ang. permalloy) stop żelaza (21%) i niklu (79%), materiał, którego właściwości magnetyczne (tzw. "miękkość magnetyczna") wykorzystywane są do budowy rdzeni transformatorów. Materiał ten charakteryzuje duża podatność magnetyczna, tj. łatwo się na- i rozmagnesowuje (Wikipedia). Zmiana rezystancji w funkcji pola magnetycznego zależy od kąta, jaki tworzy kierunek prądu z osią anizotropii magnet. (oś łatwego magnesowania). 27
28 Magnetorezystory (MR) a czujniki Halla porównanie dla krzemowego czujnika Halla i magnetorezystancyjnego NiFe (cienkowarstwowego). 1. Technologie wytwarzania czujników obu typów są kompatybilne z technologią wytwarzania układów scalonych i można wytworzyć czujniki zintegrowane. 2. Czujnik MR jest około 200 razy bardziej czuły niż czujnik Halla (krzemowy). Co więcej można sterować czułością przez zmianę grubości warstwy i szerokość paska. 3. Efekt Halla jest ściśle liniowy bez efektów nasycenia nawet w ekstremalnie wysokich polach magnetycznych. 4. Efekt Halla występuje dla pól skierowanych prostopadle do płaszczyzny elementu. Efekt MR występuje dla pól skierowanych wzdłuż płaszczyzny elementu w kierunku jego długości. 5. Oba efekty występują dla pól niezmiennych w czasie i mogą być wykorzystane do konstrukcji czujników wielkości statycznych (zero speed sensors). 28
29 Magnetorezystor anizotropowy (AMR) Wykorzystuje efekt anizotropowej magnetorezystancji (tzw. anomalia). AMR - zjawisko występujące w metalach i stopach ferromagnetycznych, objawiające się zmianą oporności pod wpływem zmiany orientacji namagnesowania materiału względem kierunku płynącego przez niego prądu. Zmiany oporu elektrycznego zachodzą w znacznie mniejszych natężeniach pola magnetycznego, niż ma to miejsce w przypadku zwyczajnego magnetooporu. H wektor pola magnetycznego M wektor namagnesowania Charakter zmian rezystancji elementu MR w funkcji pola zależy od kąta, jaki tworzy kierunek prądu wzgl. tzw. osi anizotropii magnetycznej (osi łatwego magnesowania, która indukuje się w cienkiej warstwie w trakcie procesu technologicznego). Dla ε = ± 45 zależność kwaziliniowa 29
30 Magnetorezystor AMR - zastosowania Typowe (dzięki możliwości analizy pól z rozdzielczością co najmniej 1 μt*): pomiary ziemskiego pola magnetycznego, konstrukcja kompasów elektronicznych magnetyczna detekcja pojazdów. W miernictwie elektrycznym: separacja galwaniczna w układzie pracującym jako transformator prądu stałego, przetwornik mocy pracujący jako mnożnik prądów, transformowanie, dodawanie lub mnożenie dwóch sygnałów prądowych, bezstykowy pomiar prądu. Pomiar wielkości mechanicznych: przesunięcia liniowego oraz określanie położenia, kąta i prędkości obrotowej, ciśnienia, drgań i przyspieszeń, momentu obrotowego, kształtu. Badania materiałowe - pozwalają one na badanie nieniszczące materiałów ferromagnetycznych. * Natężenie pola magnetycznego jest znacznie większe w jądrze Ziemi niż na jego powierzchni. Według pomiarów z 2010, przeciętne natężenie pola magnetycznego w jądrze zewnętrznym wynosi 25 Gausów - 50 razy tyle co na powierzchni Ziemi. 30
31 Magnetorezystor AMR praktyczne rozwiązanie L kierunek osi anizotropii Konstrukcja typu Barber-pole firmy PHILIPS. Paski metaliczne Au lub Al (pod kątem 45 o ) wymuszają kierunek przepływu prądu. Zasada działania czujnika AMR Barber-pole: 1. Jeśli pole zewnętrzne Hx = 0, cienka warstwa jest namagnesowana w kierunku paska (na skutek wpływu anizotropii indukowanej w procesie wytwarzania warstwy). 2. Mierzone pole Hx jest skierowane prostopadle do osi paska (w płaszczyźnie warstwy) i powoduje obrót wektora namagnesowania. 3. Zmiana rezystancji ΔR/R zależy od kąta ϑ między kierunkiem wektora namagnesowania a kierunkiem przepływu prądu: a) a) czujnik Barber-pole, b) czujnik w układzie mostkowym (kompensacja składowej stałej R) b) 4. Dzięki orientacji pasków 45 o uzyskuje się w przybliżeniu liniową charakterystykę czujnika. 31
32 Magnetorezystor AMR praktyczne rozwiązanie Charakterystyka czujnika Barber pole w przybliżeniu liniowa (w pewnym zakresie). Współczynnik magnetorezystywności Δρ/ρ dla typowej cienkiej warstwy permalojowej (81/19 NiFe) jest równy ok. 2%. 32
33 Gigantyczna magnetorezystancja GMR (giant magnetoresistance) Jest to gwałtowny spadek rezystancji w obecności pola magnetycznego w strukturze wielowarstwowej, gdzie warstwy magnetyczne ( Fe, Co ) przedzielone są warstwami niemagnetycznymi ( Cu, Ag ) (Baibich 1988). 1. W stanie początkowym (dla H x = 0) obie warstwy namagnesowane są antyrównolegle (ze względu na oddziaływanie wzajemne warstw). 2. Umieszczenie czujnika w polu magnetycznym powoduje, że obie warstwy są namagnesowane równolegle. 3. Przejściu od stanu antyrównoległego namagnesowania do równoległego namagnesowania towarzyszy duża zmiana rezystancji nawet rzędu kilkuset %. Rozpraszanie elektronu w zależności od kierunku spinu względem wektora namagnesowania M a spin w górę, b spin w dół 33
34 GMR zawór spinowy Stan początkowego namagnesowania antyrównoległego występuje naturalnie w magnetorezystorach, w których przekładka jest bardzo cienka o grubości kilku atomów. Wówczas na skutek sprzężenia między dwoma warstwami magnesują się one antyrównolegle (w tego typu konstrukcjach wykryto zjawisko GMR po raz pierwszy). WADA: Warstwy silnie sprzężone wymagają znacznych większych wartości pola magnetycznego do pokonania tego sprzężenia. Czujniki takie były więc o małej czułości. Zawór spinowy (spin valve) zwiększono grubość przekładki, a namagnesowanie antyrównoległe uzyskuje się, nanosząc na jedną z warstw dodatkową warstwę podmagnesowującą z antyferromagnetyka (najczęściej FeMn). Druga warstwa - miękki magnetyk (np. NiFe), da się przemagnesować małym polem. Przekładka Cu zapobiega sprzężeniu magn. między warstwami. Zmiana R: kilka-kilkanaście %, ale występuje ona przy wartościach pola ok. dziesięć razy mniejszych niż w przypadku czujników klasycznych GMR. Konstrukcja czujnika typu zawór spinowy Charakterystyka przetwarzania 34
35 GMR zawór spinowy W praktyce wytwarza się supersieci układ typu: warstwa magnetyczna /warstwa niemagnetyczna powtarzany jest wiele razy (np. 100) Charakterystyka supersieci GMR [Co (1.1nm) Cu(0.9nm)] 100 Względna zmiana rezystancji w funkcji natężenia pola magnetycznego Wytwarzając strukturę w postaci tzw. zaworu spinowego uzyskuje się czułości dla małych pól magnetycznych. 35
36 GMR zawór spinowy M=f(H) R=f(H) IBM Almaden Res. Center _Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf 36
37 Magnetyczne złącza tunelowe (Magnetic Tunnel Junction MTJ) IBM Almaden Res. Center Do przemagnesowania potrzebne pole znacznie mniejsze niż dla zaworów spinowych. 1. Dwie feromagnetyczne elektrody oddzielone są tunelową warstwą izolatora (np. Al 2 O 3 ). 2. Prąd płynie prostopadle do złącza. 3. Przy antyrównoległych orientacjach warstwy swobodnej (górnej - free) i zamocowanej (dolnej- pinned) występuje niska rezystancja. 4. Przemagnesowanie warstwy górnej (polem zewnętrznego prądu) do orientacji równoległej daje wzrost rezystancji (kilkanaście %). Czułości porównywalne jak dla czujników AMR, ale MTJ drogie (bo droga technologia! cienki izolator o grubości kilku warstw atomowych). 37
38 Przykład czujnika MTJ Struktura czujnika niskiego pola magnetycznego STJ-001. Obszar aktywny (elipsa) 4x2 m. Podłoże: kwadratowe o dł. boku 1.27 mm i grubości 300 m. Posiada 4 kontakty do bondingu drutowego, które umożliwiają pomiar 4-punktowy rezystancji czujnika. Czułość STJ-001: 5 nt (10 tys. razy mniej niż pole ziemskie). Micro Magnetics: 38
39 Przykład czujnika MTJ izolator MgO Warstwa swobodna izolator Warstwa zamocowana Schematic layer structure of an MgObased magnetic tunnel junction sensor Micro Magnetics: 39
40 Zastosowania czujników MR Głowica odczytowa w napędzie dyskowym Pierwsza głowica z czujnikiem MR 1970 r. Głowice do odczytu taśm, IBM 1985 r. Obecnie wszystkie głowice do twardych dysków wykorzystują elementy MR do odczytu. Zasada działania magnetorezystancyjnej głowicy odczytowej. Istotne są zmiany strumienia w kierunku prostopadłym do powierzchni nośnika. 40
41 Zastosowania czujników MR Najważniejsze zastosowanie: głowice odczytu informacji (zastąpiły wcześniej stosowane głowice indukcyjne). Zalety (w odniesieniu do głowic indykcyjnych): niezależność sygnału od szybkości przesuwu źródła pola magnetycznego, większa czułość (możliwość zastosowania w dyskach o większej gęstości zapisu). Wada: nie można za ich pomocą zapisywać informacji. Źródło: 1. Informacja jest przechowywana w magnetycznych bitach, tzn. konkretny zwrot wektora magnetyzacji obszaru bitu oznacza 1, a zwrot przeciwny jest równoważny logicznemu Obracający się talerz powoduje, że głowica GMR zostaje po kolei poddana działaniu odpowiednio skierowanych pól magnetycznych pochodzących od kolejnych obszarów bitowych. 3. W ten sposób przemagnesowaniu może ulegać warstwa swobodna elementu GMR, a co za tym idzie ma miejsce zmiana jego rezystancji. 4. Rejestrując prąd płynący przez element GMR jesteśmy w stanie odtworzyć zakodowaną informację. Nowoczesne głowice odczytujące tego typu umożliwiają odczyt informacji o gęstości zapisu 41 nawet 100 Gbit/cal 2.
42 Zapis informacji na twardym dysku głowica indukcyjna Źródło: 1. Do zapisu danych służy indukcyjna głowica cienkowarstwowa (jej mikroskopijna cewka ma około 10 zwojów). 2. Gdy na twardym dysku zapisywane są dane, specjalny układ elektroniczny wysyła impulsy elektryczne do cewki. 3. W ten sposób indukowane jest pole magnetyczne, które przemagnesowuje lokalny obszar na dysku, 42 ustawiając odpowiednią wartość bitu.
43 Zastosowania czujników MR Głowice w napędzie dyskowym: odczytująca i zapisująca IBM Almaden Res. Center Warto zobaczyć! animacje: 43
44 Magnetic Field Sensors Based on Giant Magnetoresistance (GMR) Technology: Applications in Electrical Current Sensing, Sensors 2009, 9, Zastosowania czujników MR Bezstykowe pomiary prądu DC i AC, transformowanie prądów stałych Wykrywanie zmian położenia i obrotu materiałów magnetycznych Busole cyfrowe (wskazanie kierunku magnetycznego pola Ziemi) Czytniki kart kredytowych i telefonicznych Wykrywanie kształtu monet w automatach wrzutowych Wykrywanie wad montażu i defektów w strukturach półprzewodnikowych Monitoring ruchu ulicznego Czujniki wielkości mechanicznych: przesunięcia, obrotu, drgań itd.. Wykrywanie poruszających się pojazdów Pamięci MRAM 44
45 Zastosowania czujników MR MRAM (Magnetic RAM) magnetyczna pamięć nieulotna o dostępie swobodnym Zapis MRAM: 1. Prąd płynący przez linie programujące generuje pola magnetyczne 2. Do zaprogramowania bitu konieczna SUMA pól magnetycznych obu linii Cechy MRAM: Nieulotna Nieskończona ilość zapisów bez zużycia Szybki zapis (nawet kilka ns) Niska energia zapisu Niedestrukcyjny odczyt Odczyt MRAM: Prąd płynie przez bit, wykrywana jest zmiana rezystancji bitu 45
46 Zastosowania czujników MR Układ identyfikacji monet W trakcie przemieszczania monety w polu cewki indukują się prądy wirowe. Mierzone jest przesunięcie fazowe między sygnałem cewki i magnetorezystora, charakterystyczne dla danego rodzaju monety, a niezależne od szybkości przemieszczania monety. 46
47 Zastosowania czujników MR Układ ABS z czujnikami MR Przy tendencji poślizgowej układ elektroniczny oraz hydrauliczny wpływają na odpowiednie hamulce. 47
48 Zastosowania czujników MR Zastosowanie magnetorezystorów MTJ Nieinwazyjna diagnostyka w przemyśle półprzewodnikowym i elektronicznym. Uzyskiwany jest obraz pola magnetycznego skutek przepływu prądu w układzie. defekty połączeń w mikrostrukturach 48
49 Zastosowania czujników MR Zastosowanie magnetorezystorów MTJ Wykrywanie wad projektu / montażu Więcej zastosowań: 49
50 Zastosowania medyczne Zastosowania czujników MR Kapsuła endoskopowa po połykania (Given Imaging) Inteligentna pigułka 50
51 Zastosowania czujników MR Urządzenia mobilne - kompas elektroniczny Nowoczesne smartfony GPS posiadają 3-osiowe magnetometry krzemowe, np. Apple iphone 3GS, Nokia N97 and N900, Motorola Droid, Google Nexus 1. Kompas współpracuje z oprogramowaniem czasu rzeczywistego, które wyświetla informację o scenie obserwowanej przez kamere telefonu (LAYAR:
52 Przemysł samochodowy Zastosowania czujników MR 52
53 Przemysł samochodowy Zastosowania czujników MR Czujniki prędkości obrotowej (np. wału korbowego, wałka rozrządu) musza być precyzyjne. Czujniki indukcyjne nie nadają się, bo nie mogą mierzyć w pozycji zerowej (brak obrotów) i potrzeba dużej prędkości dla dużej precyzji. Czujniki Halla (również AMR i GMR) mierzą również w zerze. Sygnalizacja położenia turbosprężarek, zawory recyrkulacji spalin (EGR), położenia przepustnicy, itp. Czujnik Halla jest używany do wskazania pozycji manualnej skrzyni biegów w aucie na postoju. Rynek czujników magnetycznych 2006 do 2013 (isuppli) 53
Technika sensorowa. Czujniki magnetyczne cz.2
Technika sensorowa Czujniki magnetyczne cz.2 dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Magnetorezystory
Bardziej szczegółowoZastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM
Część 3 Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM wiadomości wstępne krótka historia dysków od czasu odkrycia GMR rozwój głowic MR i GMR odczyt danych, ogólna budowa głowicy budowa i działanie
Bardziej szczegółowoBadanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu
Badanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu Uczestnicy: Łukasz Grabowski Barbara Latacz Kamil Mrzygłód Michał Papaj Opiekunowie naukowi: prof. dr hab. Jan
Bardziej szczegółowoKlasyczny efekt Halla
Klasyczny efekt Halla Rysunek pochodzi z artykułu pt. W dwuwymiarowym świecie elektronów, autor: Tadeusz Figielski, Wiedza i Życie, nr 4, 1999 r. Pełny tekst artykułu dostępny na stronie http://archiwum.wiz.pl/1999/99044800.asp
Bardziej szczegółowoPodstawy Mikroelektroniki
Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Podstawy Mikroelektroniki Temat ćwiczenia: Nr ćwiczenia 1 Pomiary charakterystyk magnetoelektrycznych elementów spintronicznych-wpływ
Bardziej szczegółowoStanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego
Stanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego Opracował : Witold Skowroński Konsultacja: prof. Tomasz Stobiecki Dr Maciej Czapkiewicz Dr inż. Mirosław Żołądź 1. Opis
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowoWybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC
Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik
Bardziej szczegółowoBadanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie
Bardziej szczegółowoTechnika sensorowa. Czujniki magnetyczne cz.1
Technika sensorowa Czujniki magnetyczne cz.1 dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 http://www51.honeywell.com/aero/common/documents/myaerospacecatalog-documents/defense_brochures-documents/hmc5843.pdf
Bardziej szczegółowoPodstawy mechatroniki 5. Sensory II
Podstawy mechatroniki 5. Sensory Politechnika Poznańska Katedra Podstaw Konstrukcji Maszyn Poznań, 20 grudnia 2015 Budowa w odróżnieniu od czujników indukcyjnych mogą, oprócz obiektów metalowych wykrywać,
Bardziej szczegółowoSiła magnetyczna działająca na przewodnik
Siła magnetyczna działająca na przewodnik F 2 B b F 1 F 3 a F 4 I siła Lorentza: F B q v B IL B F B ILBsin a moment sił działający na ramkę: M' IabBsin a B F 2 b a S M moment sił działający cewkę o N zwojach
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoWyznaczanie przenikalności magnetycznej i krzywej histerezy
Ćwiczenie 13 Wyznaczanie przenikalności magnetycznej i krzywej histerezy 13.1. Zasada ćwiczenia W uzwojeniu, umieszczonym na żelaznym lub stalowym rdzeniu, wywołuje się przepływ prądu o stopniowo zmienianej
Bardziej szczegółowoEfekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza
Efekt Halla Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Wstęp Siła Loretza Na ładunek elektryczny poruszający się w polu magnetycznym w kierunku prostopadłym do linii pola magnetycznego działa
Bardziej szczegółowoOddziaływanie wirnika
Oddziaływanie wirnika W każdej maszynie prądu stałego, pracującej jako prądnica lub silnik, może wystąpić taki szczególny stan pracy, że prąd wirnika jest równy zeru. Jedynym przepływem jest wówczas przepływ
Bardziej szczegółowoCzujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są
Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 5. Magnetyzm
Wykład FIZYKA II 5. Magnetyzm Katedra Optyki i Fotoniki Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka2.html ELEKTRYCZNOŚĆ I MAGNETYZM q q magnetyczny???
Bardziej szczegółowo(zwane również sensorami)
Czujniki (zwane również sensorami) Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do
Bardziej szczegółowoFront-end do czujnika Halla
Front-end do czujnika Halla Czujnik Halla ze względu na możliwość dużej integracji niezbędnych w nim komponentów jest jednym z podstawowych sensorów pola magnetycznego używanych na szeroką skalę. Marcin
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowoPole elektromagnetyczne
Pole elektromagnetyczne Pole magnetyczne Strumień pola magnetycznego Jednostką strumienia magnetycznego w układzie SI jest 1 weber (1 Wb) = 1 N m A -1. Zatem, pole magnetyczne B jest czasem nazywane gęstością
Bardziej szczegółowoPamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM?
1 Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM? Na rynku pamięci RAM od dawna dominują układy zawierające pamięci
Bardziej szczegółowoSilniki prądu stałego z komutacją bezstykową (elektroniczną)
Silniki prądu stałego z komutacją bezstykową (elektroniczną) Silnik bezkomutatorowy z fototranzystorami Schemat układu przekształtnikowego zasilającego trójpasmowy silnik bezszczotkowy Pojedynczy cykl
Bardziej szczegółowoThe use of magnetoresistive sensor for measuring magnetic fields. Zastosowanie czujnika magnetorezystancyjnego do pomiaru pól magnetycznych.
Mateusz Szczepan IV rok Łukasz Wajdzik IV rok Koło Naukowe Techniki Cyfrowej dr inż. Wojciech Mysiński opiekun naukowy The use of magnetoresistive sensor for measuring magnetic fields The article presents
Bardziej szczegółowoF = e(v B) (2) F = evb (3)
Sprawozdanie z fizyki współczesnej 1 1 Część teoretyczna Umieśćmy płytkę o szerokości a, grubości d i długości l, przez którą płynie prąd o natężeniu I, w poprzecznym polu magnetycznym o indukcji B. Wówczas
Bardziej szczegółowoLaboratorium Sensorów i Pomiarów Wielkości Nieelektrycznych. Ćwiczenie. Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika indukcyjnego i hallotronu
Ćwiczenie Czujniki pól magnetycznych. Badanie czujnika indukcyjnego i hallotronu Instrukcja laboratoryjna Człowiek - najlepsza inwestycja Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego
Bardziej szczegółowoRuch ładunków w polu magnetycznym
Ruch ładunków w polu magnetycznym Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Ruch ładunków w polu magnetycznym
Bardziej szczegółowoObwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika. r opór wewnętrzny baterii R- opór opornika
Obwód składający się z baterii (źródła siły elektromotorycznej ) oraz opornika r opór wewnętrzny baterii - opór opornika V b V a V I V Ir Ir I 2 POŁĄCZENIE SZEEGOWE Taki sam prąd płynący przez oba oporniki
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne Ziemi. Pole magnetyczne przewodnika z prądem
Pole magnetyczne Własność przestrzeni polegającą na tym, że na umieszczoną w niej igiełkę magnetyczną działają siły, nazywamy polem magnetycznym. Pole takie wytwarza ruda magnetytu, magnes stały (czyli
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania samochodowych silników spalinowych. Bartosz Ponczek AiR W10
Układy zasilania samochodowych silników spalinowych Bartosz Ponczek AiR W10 ECU (Engine Control Unit) Urządzenie elektroniczne zarządzające systemem zasilania silnika. Na podstawie informacji pobieranych
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoMikrosystemy Czujniki magnetyczne. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.
Mikrosystemy Czujniki magnetyczne Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoBadanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem
Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze
Bardziej szczegółowoWłasności magnetyczne materii
Własności magnetyczne materii Ośrodek materialny wypełniający solenoid (lub cewkę) wpływa na wartość indukcji magnetycznej, strumienia, a także współczynnika indukcji własnej solenoidu. Trzy rodzaje materiałów:
Bardziej szczegółowoKatedra Elektroniki ZSTi. Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów
Katedra Elektroniki ZSTi Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów Symbole umieszczone na przyrządzie Katedra Elektroniki ZSTiO Mierniki magnetoelektryczne Budowane: z ruchomącewkąi
Bardziej szczegółowoWyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym
Ćwiczenie E6 Wyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym E6.1. Cel ćwiczenia Na zamkniętą pętlę przewodnika z prądem, umieszczoną w jednorodnym polu magnetycznym, działa skręcający moment
Bardziej szczegółowoNadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.
Nadprzewodniki Pewna klasa materiałów wykazuje prawie zerową oporność (R=0) poniżej pewnej temperatury zwanej temperaturą krytyczną T c Większość przewodników wykazuje nadprzewodnictwo dopiero w temperaturze
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne Wykład LO Zgorzelec 13-01-2016
Pole magnetyczne Igła magnetyczna Pole magnetyczne Magnetyzm ziemski kompas Biegun północny geogr. Oś obrotu deklinacja Pole magnetyczne Ziemi pochodzi od dipola magnetycznego. Kierunek magnetycznego momentu
Bardziej szczegółowocz. 1. dr inż. Zbigniew Szklarski
Wykład 14: Pole magnetyczne cz. 1. dr inż. Zbigniew Szklarski szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wektor indukcji pola magnetycznego, siła Lorentza v F L Jeżeli na dodatni ładunek
Bardziej szczegółowoMomentem dipolowym ładunków +q i q oddalonych o 2a (dipola) nazwamy wektor skierowany od q do +q i o wartości:
1 W stanie równowagi elektrostatycznej (nośniki ładunku są w spoczynku) wewnątrz przewodnika natężenie pola wynosi zero. Cały ładunek jest zgromadzony na powierzchni przewodnika. Tuż przy powierzchni przewodnika
Bardziej szczegółowoDiagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne
Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu
Bardziej szczegółowoWyznaczanie składowej poziomej natężenia pola magnetycznego Ziemi za pomocą busoli stycznych
Ćwiczenie E12 Wyznaczanie składowej poziomej natężenia pola magnetycznego Ziemi za pomocą busoli stycznych E12.1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie wartości składowej poziomej natężenia pola
Bardziej szczegółowodr inż. Zbigniew Szklarski
Wykład 13: Pole magnetyczne dr inż. Zbigniew Szklarski szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wektor indukcji pola magnetycznego, siła Lorentza v v L Jeżeli na dodatni ładunek q poruszający
Bardziej szczegółowoCzego można się nauczyć z prostego modelu szyny magnetycznej
Czego można się nauczyć z prostego modelu szyny magnetycznej 1) Hamowanie magnetyczne I B F L m v L Poprzeczka o masie m może się przesuwać swobodnie po dwóch równoległych szynach, odległych o L od siebie.
Bardziej szczegółowoMechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Sensory (czujniki)
Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne Sensory (czujniki) 1 Zestawienie najważniejszych wielkości pomiarowych w układach mechatronicznych Położenie (pozycja), przemieszczenie Prędkość liniowa,
Bardziej szczegółowoLekcja 59. Histereza magnetyczna
Lekcja 59. Histereza magnetyczna Histereza - opóźnienie w reakcji na czynnik zewnętrzny. Zjawisko odkrył i nazwał James Alfred Ewing w roku 1890. Najbardziej znane przypadki histerezy występują w materiałach
Bardziej szczegółowoBADANIE EFEKTU HALLA
Ćwiczenie 57 BADANIE EFEKTU HALLA Cel ćwiczenia: wyznaczenie charakterystyk statycznych i stałej hallotronu oraz określenie typu przewodnictwa i koncentracji swobodnych nośników ładunku. Zagadnienia: zjawisko
Bardziej szczegółowoMetody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016 Plan prezentacji Spinowy efekt Halla
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki sezon 2 4. Pole magnetyczne 1
Podstawy fizyki sezon 2 4. Pole magnetyczne 1 Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Pola magnetycznego
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i przetworniki pomiarowe
Przyrządy i przetworniki pomiarowe Są to narzędzia pomiarowe: Przyrządy -służące do wykonywania pomiaru i służące do zamiany wielkości mierzonej na sygnał pomiarowy Znajomość zasady działania przyrządów
Bardziej szczegółowoSpektroskopia modulacyjna
Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoMAGNETYZM, INDUKCJA ELEKTROMAGNETYCZNA. Zadania MODUŁ 11 FIZYKA ZAKRES ROZSZERZONY
MODUŁ MAGNETYZM, INDUKCJA ELEKTROMAGNETYCZNA OPRACOWANE W RAMACH PROJEKTU: FIZYKA ZAKRES ROZSZERZONY WIRTUALNE LABORATORIA FIZYCZNE NOWOCZESNĄ METODĄ NAUCZANIA. PROGRAM NAUCZANIA FIZYKI Z ELEMENTAMI TECHNOLOGII
Bardziej szczegółowoNarzędzia pomiarowe Wzorce Parametrami wzorca są:
Narzędzia pomiarowe zespół środków technicznych umożliwiających wykonanie pomiaru. Obejmują: wzorce przyrządy pomiarowe przetworniki pomiarowe układy pomiarowe systemy pomiarowe Wzorce są to narzędzia
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoZadanie 106 a, c WYZNACZANIE PRZEWODNICTWA WŁAŚCIWEGO I STAŁEJ HALLA DLA PÓŁPRZEWODNIKÓW. WYZNACZANIE RUCHLIWOŚCI I KONCENTRACJI NOŚNIKÓW.
Zadanie 106 a, c WYZNACZANIE PRZEWODNICTWA WŁAŚCIWEGO I STAŁEJ HALLA DLA PÓŁPRZEWODNIKÓW. WYZNACZANIE RUCHLIWOŚCI I KONCENTRACJI NOŚNIKÓW. 1. Elektromagnes 2. Zasilacz stabilizowany do elektromagnesu 3.
Bardziej szczegółowoPRZETWORNIKI POMIAROWE
PRZETWORNIKI POMIAROWE PRZETWORNIK POMIAROWY element systemu pomiarowego, który dokonuje fizycznego przetworzenia z określoną dokładnością i według określonego prawa mierzonej wielkości na inną wielkość
Bardziej szczegółowoMiernictwo - W10 - dr Adam Polak Notatki: Marcin Chwedziak. Miernictwo I. dr Adam Polak WYKŁAD 10
Miernictwo I dr Adam Polak WYKŁAD 10 Pomiary wielkości elektrycznych stałych w czasie Pomiary prądu stałego: Technika pomiaru prądu: Zakresy od pa do setek A Czynniki wpływające na wynik pomiaru (jest
Bardziej szczegółowoM-1TI. PRECYZYJNY PRZETWORNIK RTD, TC, R, U NA SYGNAŁ ANALOGOWY 4-20mA Z SEPARACJĄ GALWANICZNĄ. 2
M-1TI PRECYZYJNY PRZETWORNIK RTD, TC, R, U NA SYGNAŁ ANALOGOWY 4-20mA Z SEPARACJĄ GALWANICZNĄ www.metronic.pl 2 CECHY PODSTAWOWE Przetwarzanie sygnału z czujnika na sygnał standardowy pętli prądowej 4-20mA
Bardziej szczegółowoEnkoder magnetyczny AS5040.
Enkoder magnetyczny AS5040. Edgar Ostrowski Jan Kędzierski www.konar.ict.pwr.wroc.pl Wrocław, 28.01.2007 1 Spis treści 1 Wstęp... 3 2 Opis wyjść... 4 3 Tryby pracy... 4 3.1 Tryb wyjść kwadraturowych...
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoIndukcja elektromagnetyczna. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
Indukcja elektromagnetyczna Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Strumień indukcji magnetycznej Analogicznie do strumienia pola elektrycznego można
Bardziej szczegółowoWyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym
Ćwiczenie 11B Wyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym 11B.1. Zasada ćwiczenia Na zamkniętą pętlę przewodnika z prądem, umieszczoną w jednorodnym polu magnetycznym, działa skręcający
Bardziej szczegółowoDielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych
Dielektryki Dielektryk- ciało gazowe, ciekłe lub stałe niebędące przewodnikiem prądu elektrycznego (ładunki elektryczne wchodzące w skład każdego ciała są w dielektryku związane ze sobą) Jeżeli do dielektryka
Bardziej szczegółowoMateriały magnetycznie miękkie i ich zastosowanie w zmiennych polach magnetycznych. Jacek Mostowicz
Materiały magnetycznie miękkie i ich zastosowanie w zmiennych polach magnetycznych Jacek Mostowicz Plan seminarium Wstęp Materiały magnetycznie miękkie Podstawowe pojęcia Prądy wirowe Lepkość magnetyczna
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
Pole magnetyczne Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Pole magnetyczne Pole magnetyczne jest nierozerwalnie związane z polem elektrycznym. W zależności
Bardziej szczegółowoBadanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1)
Badanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1) 1. Wymagane zagadnienia - klasyfikacja rodzajów magnetyzmu - własności magnetyczne ciał stałych, wpływ temperatury - atomistyczna
Bardziej szczegółowoPRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
PRZYRZĄDY POMIAROWE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Przyrządy pomiarowe Ogólny podział: mierniki, rejestratory, detektory, charakterografy.
Bardziej szczegółowo(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/DE03/00923 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 204399 (21) Numer zgłoszenia: 370760 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 20.03.2003 (86) Data i numer zgłoszenia
Bardziej szczegółowoWyznaczanie sił działających na przewodnik z prądem w polu magnetycznym
Ćwiczenie 11A Wyznaczanie sił działających na przewodnik z prądem w polu magnetycznym 11A.1. Zasada ćwiczenia W ćwiczeniu mierzy się przy pomocy wagi siłę elektrodynamiczną, działającą na odcinek przewodnika
Bardziej szczegółowoElementy indukcyjne. duża czułość i sztywność układu stateczne i bezstopniowe przekazywanie sygnału mała siła oddziaływania duża pewność ruchu
Elementy indukcyjne Elementem indukcyjnym nazywamy urządzenie, którego zadaniem jest przetworzenie dowolnej wielkości nieelektrycznej lub elektrycznej na elektryczny sygnał napięciowy lub prądowy. Sygnał
Bardziej szczegółowoPolitechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Materiały magnetyczne Właściwości podstawowych materiałów magnetycznych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoPrzetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe
Przetworniki cyfrowo analogowe oraz analogowo - cyfrowe Przetworniki cyfrowo / analogowe W cyfrowych systemach pomiarowych często zachodzi konieczność zmiany sygnału cyfrowego na analogowy, np. w celu
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące
Liniowe układy scalone Wykład 2 Wzmacniacze różnicowe i sumujące Wzmacniacze o wejściu symetrycznym Do wzmacniania małych sygnałów z różnych czujników, występujących na tle dużej składowej sumacyjnej (tłumionej
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 5. Magnetyzm. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Wykład FIZYKA II 5. Magnetyzm Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka2.html MAGNESY Pierwszymi poznanym magnesem był magnetyt
Bardziej szczegółowoKacper Kulczycki. Krótko o silnikach krokowych (cz. 2.)
Kacper Kulczycki Krótko o silnikach krokowych (cz. 2.) Plan na dziś: Co to jest? Jakie są rodzaje silników krokowych? Ile z tym zabawy? Gdzie szukać informacji? Co to jest silnik krokowy? Norma PN 87/E
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoSpis treści. UTK Urządzenia Techniki Komputerowej. Temat: Napędy optyczne
Spis treści Definicja...2 Budowa ogólna...3 Silnik krokowy budowa...4 Silnik liniowy budowa...4 Budowa płyty CD...5 1 Definicja Napęd optyczny jest to urządzenie, które za pomocą wiązki lasera odczytuje
Bardziej szczegółowoX L = jωl. Impedancja Z cewki przy danej częstotliwości jest wartością zespoloną
Cewki Wstęp. Urządzenie elektryczne charakteryzujące się indukcyjnością własną i służące do uzyskiwania silnych pól magnetycznych. Szybkość zmian prądu płynącego przez cewkę indukcyjną zależy od panującego
Bardziej szczegółowoCharakterystyka rozruchowa silnika repulsyjnego
Silnik repulsyjny Schemat połączeń silnika repulsyjnego Silnik tego typu budowany jest na małe moce i używany niekiedy tam, gdzie zachodzi potrzeba regulacji prędkości. Układ połączeń silnika repulsyjnego
Bardziej szczegółowobieguny główne z uzwojeniem wzbudzającym (3), bieguny pomocnicze (komutacyjne) (5), tarcze łożyskowe, trzymadła szczotkowe.
Silnik prądu stałego - budowa Stojan - najczęściej jest magneśnicą wytwarza pole magnetyczne jarzmo (2), bieguny główne z uzwojeniem wzbudzającym (3), bieguny pomocnicze (komutacyjne) (5), tarcze łożyskowe,
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoBadziak Zbigniew Kl. III te. Temat: Budowa, zasada działania oraz rodzaje mierników analogowych i cyfrowych.
Badziak Zbigniew Kl. III te Temat: Budowa, zasada działania oraz rodzaje mierników analogowych i cyfrowych. 1. MIERNIKI ANALOGOWE Mierniki magnetoelektryczne. Miernikami magnetoelektrycznymi nazywamy mierniki,
Bardziej szczegółowoKolokwium 2. Środa 14 czerwca. Zasady takie jak na pierwszym kolokwium
Kolokwium 2 Środa 14 czerwca Zasady takie jak na pierwszym kolokwium 1 w poprzednim odcinku 2 Ramka z prądem F 1 n Moment sił działających na ramkę b/2 b/2 b M 2( F1 ) 2 b 2 F sin(θ ) 2 M 1 F 1 iab F 1
Bardziej szczegółowoUkłady akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów
Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne. Magnes wytwarza wektorowe pole magnetyczne we wszystkich punktach otaczającego go przestrzeni.
Pole magnetyczne Magnes wytwarza wektorowe pole magnetyczne we wszystkich punktach otaczającego go przestrzeni. naładowane elektrycznie cząstki, poruszające się w przewodniku w postaci prądu elektrycznego,
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 4. Indukcja elektromagnetyczna. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Wykład FIZYKA II 4. Indukcja elektromagnetyczna Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/ PRAWO INDUKCJI FARADAYA SYMETRIA W FIZYCE
Bardziej szczegółowoMechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Aktory
Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne Aktory 1 Definicja aktora Aktor (ang. actuator) -elektronicznie sterowany człon wykonawczy. Aktor jest łącznikiem między urządzeniem przetwarzającym informację
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI MAGNETYCZNE CIAŁA STAŁEGO
WŁASNOŚCI MAGNETYCZNE CIAŁA STAŁEGO Moment magnetyczny atomu Polaryzacja magnetyczna Podatność magnetyczna i namagnesowanie Klasyfikacja materiałów magnetycznych Diamagnetyzm, paramagnetyzm, ferromagnetyzm
Bardziej szczegółowoTemat XXIV. Prawo Faradaya
Temat XXIV Prawo Faradaya To co do tej pory Prawo Faradaya Wiemy już, że prąd powoduje pojawienie się pola magnetycznego a ramka z prądem w polu magnetycznym może obracać się. Czy z drugiej strony można
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób pomiaru składowych impedancji czujnika indukcyjnego i układ pomiarowy składowych impedancji czujnika indukcyjnego
PL 218944 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218944 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 391744 (22) Data zgłoszenia: 05.07.2010 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowo