WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ
|
|
- Sylwia Kania
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną. Opisano zastosowaną przez autorów metodę pomiaru tego parametru oraz wyniki pomiarów czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej wybranych typów tranzystorów pracujących przy różnych warunkach mocowania. Przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej i przeanalizowano wpływ sposobu mocowania na wartości tych parametrów. Badania przeprowadzono zarówno dla elementów pracujących pojedynczo, jak i dla analogowego układu scalonego oraz tranzystorów pracujących na wspólnym radiatorze. Słowa kluczowe: przejściowa impedancja termiczna, model termiczny, zjawiska termiczne, elementy półprzewodnikowe INFLUENCE OF THE MOUNTING OF A SEMICONDUCTOR DEVICE ON ITS TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Summary. In the paper some results of investigations of the influence of the manner of mounting semiconductor devices on its transient thermal impedance are presented. The applied by the authors the method of measurements of this parameter is described and some results of measurements of waveforms of the transient thermal impedance of selected types of transistors operating at different mounting conditions are shown. With the use of the authors program ESTYM the values of parameters of the model of the transient thermal impedance were estimated. The influence of the manner of mounting manner on the value of these parameters is analysed. Investigations were passed both for devices operating one by one, as and for the analog integrated circuit and transistors situating on the common heat-sink. Keywords: transient thermal impedance, thermal model, thermal phenomena, semiconductor devices 1. WPROWADZENIE Istotny wpływ na właściwości elementów półprzewodnikowych ma temperatura ich wnętrza [1, 2]. Wartość tej temperatury jest uzależniona od temperatury otoczenia oraz
2 58 K. Górecki, J. Zarębski skuteczności odprowadzania generowanego w nim ciepła [3, 4, 5]. Parametrem charakteryzującym zdolność elementu półprzewodnikowego do odprowadzania ciepła jest przejściowa impedancja termiczna Z(t). Parametr ten mierzony jest zwykle przy wykorzystaniu pośrednich impulsowych metod elektrycznych opisanych m.in. w pracach [6, 7, 8]. Na potrzeby komputerowej analizy układów elektronicznych stosowany jest opis analityczny przebiegu Z(t) za pomocą wzoru [1, 5, 9] Z( t) R th 1 N i1 t a i exp thi (1) gdzie R th oznacza rezystancję termiczną, a i to współczynniki wagowe odpowiadające poszczególnym termicznym stałym czasowym thi, natomiast N jest liczbą tych stałych czasowych. Jak wynika m.in. z wcześniejszych prac autorów [9, 10, 11], parametry opisujące przebieg Z(t) zależą m.in. od mocy wydzielanej w elemencie, temperatury otoczenia oraz wielkości radiatora. W cytowanych pracach rozpatrywane są właściwości cieplne pojedynczych elementów. Tymczasem, typową sytuacją jest jednoczesna praca wielu elementów elektronicznych umieszczonych w jednym urządzeniu i wzajemnie sprzężonych ze sobą termicznie przez wspólną obudowę, wspólną płytkę drukowaną lub wspólny radiator. W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania na przejściową impedancję termiczną dwóch elementów półprzewodnikowych: tranzystora bipolarnego średniej mocy oraz tranzystora Darlingtona mocy. Na podstawie uzyskanych wyników badań przedyskutowano wpływ mocowania tranzystora na parametry opisującego jego przejściową impedancję termiczną oraz wpływ wzajemnych sprzężeń termicznych elementów umieszczonych we wspólnej strukturze półprzewodnikowej oraz na wspólnym radiatorze na wzajemną przejściową impedancję termiczną. 2. METODA POMIARU Prezentowane w niniejszej pracy wyniki pomiarów uzyskano przy wykorzystaniu pośredniej metody elektrycznej i krzywej chłodzenia [6]. W metodzie tej parametrem termoczułym PT jest napięcie na spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu p-n, przy przepływie przez to złącze prądu o ustalonej, małej wartości. Pomiar wykonywany jest w trzech etapach. W pierwszym etapie pomiaru przez badany element płynie prąd pomiarowy o małej wartości i mierzona jest wartość parametru termoczułego PT przy temperaturze wnętrza elementu równej temperaturze otoczenia. Po ustaleniu się wartości parametru PT wyznaczane
3 Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową 59 jest nachylenie F charakterystyki termometrycznej PT(T) przy wykorzystaniu kalibracji jednopunktowej [12]. W drugim etapie pomiaru Z(t) badany element pobudzany jest falą prostokątną mocy o wypełnieniu d bliskim jedności (d = 0,999), co zapewnia praktycznie pobudzenie badanego elementu uskokiem mocy. Przy wysokim poziomie wydzielanej mocy mierzone są wartości zaciskowych prądów i napięć elementu, niezbędne do określenia wartości wydzielanej w nim mocy, natomiast przy niskim poziomie mocy mierzone są wartości PT, niezbędne do wyznaczenia wartości temperatury wnętrza badanego elementu. Pomiary trwają do chwili ustalenia się wartości parametru PT. W etapie trzecim, po uzyskaniu stanu ustalonego, następuje przełączenie badanego elementu do warunków zasilania odpowiadających warunkom kalibracji charakterystyki termometrycznej i rejestrowany jest czasowy przebieg parametru termoczułego aż do uzyskania wartości temperatury wnętrza elementu równej temperaturze otoczenia. Przy pomiarze własnej przejściowej impedancji termicznej parametr termoczuły jest parametrem elementu (grzejnika), w którym wydzielana była moc w drugim etapie pomiaru, natomiast przy wyznaczaniu wzajemnej przejściowej impedancji termicznej rejestrowany jest przebieg czasowy zmian parametru termoczułego innego elementu (czujnika) sprzężonego termicznie z grzejnikiem. Na podstawie zmierzonego przebiegu czasowego PT(t) wyznaczany jest przebieg własnej lub wzajemnej przejściowej impedancji termicznej ze wzoru t PT t 0 1 PT Z ( t) F (2) P0 gdzie P 0 jest amplitudą impulsów mocy wydzielanej w grzejniku w drugim etapie pomiaru. 3. WYNIKI BADAŃ Wykorzystując metodę pomiaru Z(t) opisaną w poprzednim rozdziale zmierzono przebiegi Z(t) tranzystora BC211 pracującego przy różnych warunkach chłodzenia. Uzyskane przebiegi przedstawiono na rys. 1. Rozważano 4 sposoby mocowania badanego tranzystora: tranzystor bez radiatora (krzywa a), tranzystor umieszczony na radiatorze aluminiowym o wymiarach 25x14x9 mm (krzywa b), tranzystor umieszczony na radiatorze aluminiowym o wymiarach 100x92x9 mm (krzywa c) oraz tranzystor bez radiatora umieszczony w zamkniętym pojemniku teflonowym (krzywa d).
4 Z(t) [K/W] 60 K. Górecki, J. Zarębski W tabeli 1 zebrano wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora BC211, odpowiadające warunkom mocowania tego elementu rozważanym na rys. 1. Wartości tych parametrów wyznaczono przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM [9] BC211 0,0001 0,001 0,01 0, t [s] d b a c Rys. 1. Zmierzone przebiegi Z(t) tranzystora BC211 przy różnych warunkach chłodzenia Fig. 1. Measured waveforms of the Z(t) of transistor BC211 at different cooling conditions Tabela 1 Wartości parametrów modelu Z th (t) tranzystora BC211 pracującego przy różnym mocowaniu Parametr Krzywa a Krzywa b Krzywa c Krzywa d R th [K/W] 168,4 60,87 23,19 194,9 a 1 0,865 0,631 0,088 0,185 th1 [s] 81,7 252,4 691,2 326 a 2 0,023 0,199 0,262 0,733 th2 [s] 61,17 2,115 3,175 79,85 a 3 0,013 0,053 0,136 0,018 th3 [s] 5,99 0,0191 0,886 0,348 a 4 0,018 0,101 0,04 0,034 th4 [ms] 313,2 2,17 500,8 10,24 a 5 0,013 0,016 0,074 0,026 th5 [ms] 136,4 1,09 63,45 1,32 a 6 0,021 0,168 0,004 th6 [ms] 9,69 8,93 0,04 a 7 0,035 0,229 th7 [ms] 1,71 1,39 a 8 0,01 0,162 th8 [ms] 0,04 0,16 Analizując uzyskane wyniki pomiarów, można łatwo zauważyć, że sposób mocowania istotnie wpływa na przebieg przejściowej impedancji termicznej. W zakresie małych wartości czasu, nieprzekraczających 2 s, przebiegi przejściowej impedancji termicznej uzyskane przy wszystkich rozważanych warunkach chłodzenia są praktycznie takie same, gdyż w tym zakresie o jej przebiegu decyduje konstrukcja obudowy elementu. Różnice między uzyskanym przebiegiem Z(t) są wyraźnie widoczne w zakresie dużych czasów. W tym zakresie widać, że sposób mocowania wpływa zarówno na wartość rezystancji termicznej, jak i na czas niezbędny do uzyskania stanu ustalonego. W rozważanym przypadku wartość
5 Z(t) [K/W] Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową 61 rezystancji termicznej zmienia się nawet dziesięciokrotnie, a czas niezbędny do uzyskania stanu ustalonego nawet tysiąckrotnie. Wartości rezystancji termicznej wyznaczone za pomocą programu ESTYM przyjmują wartości z zakresu od około 23 K/W dla tranzystora umieszczonego na dużym radiatorze do prawie 195 K/W dla tranzystora umieszczonego w pojemniku teflonowym. Z kolei, dominująca termiczna stała czasowa ma najmniejszą wartość, równą około 82 s, dla tranzystora bez radiatora. Wraz ze wzrostem objętości radiatora wartość najdłuższej termicznej stałej czasowej rośnie i dla dużego radiatora osiąga ponad 690 s. Warto jednak zauważyć, że na skutek wysokiej skuteczności konwekcji, dla rozważanego systemu chłodzenia największą wartość ma współczynnik wagowy a 2 związany z termiczną stałą czasową równą 3,175 s. Na rys. 2 przedstawiono zmierzone przebiegi przejściowej impedancji termicznej w tranzystorze Darlingtona mocy umieszczonym na radiatorze wykonanym z kształtki A4129 o długości 142 mm. Tranzystor Darlintona BU323A zawiera dwa tranzystory bipolarne (wejściowy i wyjściowy), dwa rezystory oraz diodę [13]. Pomiary wykonano przy wydzielaniu w badanym elemencie mocy równej około 30 W. Przy tej wartości mocy ciepło jest generowane głównie w tranzystorze wyjściowym. Ciepło to powoduje wzrost temperatury nie tylko tranzystora wyjściowego, ale także tranzystora wejściowego oraz innych przyrządów półprzewodnikowych umieszczonych na tym samym radiatorze. Na rysunku tym krzywa Z 11 (t) reprezentuje własną przejściową impedancję termiczną tranzystora wyjściowego, charakteryzującą proces samonagrzewania w tranzystorze wyjściowym. Z kolei, krzywa Z 12 (t) reprezentuje wzajemną przejściową impedancję termiczną między tranzystorem wejściowym a wyjściowym, charakteryzującą wzajemne sprzężenia termiczne między tranzystorami zawartymi w rozważanej strukturze tranzystora Darlingtona przez wspólną strukturę półprzewodnikową. Krzywa Z M (t) oznacza wzajemną przejściową impedancję termiczną, charakteryzującą wzajemne sprzężenia termiczne między dwoma tranzystorami Darlingtona umieszczonymi na wspólnym radiatorze. 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 BU323A Z 11 (t) Z 12 (t) Z M (t) 0 0,001 0,01 0, t [s] Rys. 2. Zmierzone przebiegi własnej i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych w tranzystorze Darlingtona Fig. 2. Measured waveforms of own and mutual transient thermal impedance in Darlington transistor
6 62 K. Górecki, J. Zarębski Jak można zauważyć, zgodnie z oczekiwaniami największe wartości przyjmuje własna przejściowa impedancja termiczna, a wzajemne przejściowe impedancje termiczne są tym mniejsze, im większa jest odległość między sprzężonymi elementami. W tabeli 2 zebrano, uzyskane za pomocą programu ESTYM, wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej dla krzywych przedstawionych na rys. 2. Tabela 2 Wartości parametrów modelu własnej i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych tranzystora Darlingtona BU323A pracującego na dużym radiatorze Parametr Z 11 (t) Z 12 (t) Z M (t) R th [K/W] 3,37 2,95 1,64 a 1 0,381 0,435 0,763 th1 [s] 1609,4 1433,3 1498,8 a 2 0,121 0,082 0,237 th2 [s] 538,2 317,25 432,6 a 3 0,172 0,258 th3 [s] 14,15 9,459 a 4 0,208 0,121 th4 [s] 3,619 2,519 a 5 0,062 0,05 th5 [ S] 278,5 310,55 a 6 0,05 0,042 th6 [ S] 14,45 32,49 a 7 0,006 0,012 th7 [ S] 0,04 4,12 Uzyskane przebiegi przejściowych impedancji termicznych oraz wartości parametrów modelu Z(t) potwierdzają, że temperatura maleje wraz ze wzrostem odległości od źródła ciepła. Wartość rezystancji termicznej własnej osiąga 3,37 K/W, a wartość rezystancji termicznej wzajemnej między tranzystorami umieszczonymi na wspólnym radiatorze jest ponaddwukrotnie mniejsza. Z kolei, najdłuższa termiczna stała czasowa w opisie wszystkich przejściowych impedancji termicznych przyjmuje podobne wartości z zakresu od 1400 do 1600 s. Warto zauważyć, że na przebiegach Z 11 (t) oraz Z 12 (t) wyraźnie widać narastanie już dla czasów t > 1 ms, natomiast przebieg Z M (t) aż do czasu t równego około 20 s praktycznie przyjmuje zerową wartość. W tym ostatnim przypadku element nagrzewa się od zewnątrz, tzn. od radiatora. 4. PODSUMOWANIE Z przedstawionych danych pomiarowych wynika, że sposób mocowania elementu półprzewodnikowego wpływa w istotny sposób na przebieg jego przejściowej impedancji termicznej. Warto zwrócić uwagę na fakt, że zastosowanie radiatora powoduje istotny spadek wartości rezystancji termicznej, a utrudnienie konwekcji poprzez zamknięcie elementu
7 Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową 63 w pojemniku teflonowym powoduje wzrost wartości tego parametru nawet o 15%. Wzrost rozmiarów radiatora powoduje wydłużanie czasu niezbędnego do uzyskania stanu ustalonego. Jednak przy bardzo dużych rozmiarach radiatora czas ustalania przebiegu Z(t) ulega znacznemu skróceniu, co odpowiada prawie idealnemu chłodzeniu badanego elementu. W przypadku badania tranzystora Darlingtona mocy stwierdzono istnienie znacznie silniejszych sprzężeń termicznych między elementami umieszczonymi we wspólnej obudowie niż elementami w różnych obudowach umieszczonych na wspólnym radiatorze. W rozpatrywanym w pracy przypadku różnice wartości rezystancji termicznej są niemal dwukrotne. W przypadku sprzężenia termicznego elementów umieszczonych na wspólnym radiatorze stwierdzono, że inercja termiczna jest w tym przypadku znacznie większa niż dla elementów zawartych we wspólnej strukturze półprzewodnikowej. Przeprowadzone przez autorów pomiary i obliczenia dowodzą, że wartości parametrów modelu termicznego są uzależnione od sposobu mocowania elementu, a znaczenie wzajemnych sprzężeń termicznych między elementami półprzewodnikowymi może mieć bardzo istotne znaczenie z punktu widzenia oceny ich stanu cieplnego. Dlatego w celu weryfikacji poprawności projektu systemu chłodzenia elementu półprzewodnikowego celowy jest pomiar własnej i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych elementów wchodzących w skład rozważanego układu. PODZIĘKOWANIE Projekt został sfinansowany ze środków Narodowego Centrum Nauki przyznanych na podstawie decyzji numer DEC-2011/01/B/ST7/ BIBLIOGRAFIA 1. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Nauk. WSM w Gdyni, Gdynia Mawby P.A., Igic P.M., Towers M.S.: Physically based compact device models for circuit modelling applications. Microelectronics Journal 2001, Vol. 32, p Blackburn D.L.: Temperature Measurements of Semiconductor Devices A Review. 20 th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Menagement Symposium SEMI- THERM, 2004, p Bagnoli P.E., Casarosa C., Ciampi M., Dallago E.: Thermal Resistance Analysis by Induced Transient (TRAIT) Method for Power Electronic Devices Thermal
8 64 K. Górecki, J. Zarębski Characterization Part I: Fundamentals and Theory. IEEE Transactions on Power Electronics 1998, Vol. 13, No. 6, 1998, p Szekely V.: A New Evaluation Method of Thermal Transient Measurement Results. Microelectronic Journal 1997, Vol. 28, No.3, 1997, p Blackburn D.L., Oettinger F.F.: Transient Thermal Response Measurements of Power Transistors. IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrum., IECI-22, 1976, No. 2, p Zarębski J., Górecki K.: A Method of Measuring the Transient Thermal Impedance of Monolithic Bipolar Switched Regulators. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies 2007, Vol. 30, No. 4, p Górecki K., Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe 2001, t. VIII, Nr 4, s Górecki K., Zarębski J.: Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS. Przegląd Elektrotechniczny 2009, Vol. 85, No. 4, p Górecki K., Zarębski J.: Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology 2014, Vol. 4, No. 3, p Górecki K., Zarębski J.: Nonlinear compact thermal model of power semiconductor devices. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies 2010, Vol. 33, No. 3, p Górecki K., Zarębski J.: Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n. Metrologia i Systemy Pomiarowe 2001, t. VIII, Nr 4, s Zarębski J., Górecki K.: Modelowanie tranzystora Darlingtona mocy z uwzględnieniem oddziaływań elektrotermicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji 1999, t. 45, z. 3-4, s Dr hab. inż. Krzysztof Górecki, prof. nzw AMG Prof. dr hab. inż. Janusz Zarębski Akademia Morska w Gdyni Katedra Elektroniki Morskiej ul. Morska Gdynia gorecki@am.gdynia.pl zarebski@am.gdynia.pl
PARAMETRY CIEPLNE WYBRANYCH PANELI FOTOWOLTAICZNYCH
Ewa Krac, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni PARAMETRY CIEPLNE WYBRANYCH PANELI FOTOWOLTAICZNYCH W artykule przedstawiono metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej
Bardziej szczegółowoWYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET
Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach Akademia Morska w Gdyni WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 173831 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 304562 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 03.08.1994 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G01R 31/26 (54)
Bardziej szczegółowoModelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych
dr hab. inż. Krzysztof Górecki, prof. nadzw. AMG mgr inż. Przemysław Ptak Wydział Elektryczny Akademia Morska w Gdyni ul. Morska 83, 81-225 Gdynia Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych
Bardziej szczegółowoBADANIA WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNYCH TRANZYSTORA MOS MOCY CHŁODZONEGO CIECZĄ
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 87 Electrical Engineering 2016 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* BADANIA WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNYCH TRANZYSTORA MOS MOCY CHŁODZONEGO CIECZĄ W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoZależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Damian BISEWSKI, Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej doi:.599/8.5.. Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy
Bardziej szczegółowoPOMIARY PARAMETRÓW TERMICZNYCH DŁAWIKÓW
Zeszyty problemowe Maszyny Elektryczne Nr 0/013 cz. I 135 Krzysztof Górecki, Katarzyna Górecka Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni Kalina Detka Pomorska Wyższa Szkoła Nauk Stosowanych
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH
Przemysław Ptak Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH W pracy rozważany jest problem modelowania diod LED mocy przy wykorzystaniu
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
ELEKTRYKA 21 Zeszyt 3 (215) Rok LVI Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoOCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 84 Electrical Engineering 2015 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU W pracy przedstawiono
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE
Damian Bisewski, Janusz Zarębski Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień (I): 1.
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowo(54) Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej inteligentnego unipolarnego obwodu PL B1 G01R 31/26
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 187668 (21) Numer zgłoszenia 329954 (22) Data zgłoszenia: 25.11.1998 (13) B1 (51) IntCl7 G01R 31/26 (54)
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
doi:.599/.7.7.9 Paweł GÓRECKI, Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW ZASILANIA TRANSFORMATORA NA ROZKŁAD TEMPERATURY NA JEGO POWIERZCHNI
Krzysztof Górski, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW ZASILANIA TRANSFORMATORA NA ROZKŁAD TEMPERATURY NA JEGO POWIERZCHNI W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujące
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowo4. EKSPLOATACJA UKŁADU NAPĘD ZWROTNICOWY ROZJAZD. DEFINICJA SIŁ W UKŁADZIE Siła nastawcza Siła trzymania
3 SPIS TREŚCI Przedmowa... 11 1. WPROWADZENIE... 13 1.1. Budowa rozjazdów kolejowych... 14 1.2. Napędy zwrotnicowe... 15 1.2.1. Napęd zwrotnicowy EEA-4... 18 1.2.2. Napęd zwrotnicowy EEA-5... 20 1.3. Współpraca
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody III stopnia Zadanie 1. Jednym z najnowszych rozwiązań czujników
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystory w pracy impulsowej
Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób zabezpieczania termiczno-prądowego lampy LED oraz lampa LED z zabezpieczeniem termiczno-prądowym
PL 213343 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213343 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 391516 (51) Int.Cl. F21V 29/00 (2006.01) F21S 8/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoWPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM
2/1 Archives of Foundry, Year 200, Volume, 1 Archiwum Odlewnictwa, Rok 200, Rocznik, Nr 1 PAN Katowice PL ISSN 1642-308 WPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM D.
Bardziej szczegółowoPodzespoły i układy scalone mocy część II
Podzespoły i układy scalone mocy część II dr inż. Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki Technik Informatycznych ul. Wólczańska 221/223 bud. B18 pok. 51 http://neo.dmcs.p.lodz.pl/~starzak http://neo.dmcs.p.lodz.pl/uep
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowo[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits
Bibliografia [1] Hałgas S., Algorytm lokalizacji uszkodzeń w nieliniowych układach elektronicznych, Materiały XVI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, SPETO 93, 247-253, 1993. [2] Hałgas
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektroniki na zawody II stopnia z rozwiązaniami Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów:
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoOBSZARY BADAŃ NAUKOWYCH
OBSZARY BADAŃ NAUKOWYCH WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI OKRĘTOWEJ SYSTEMY MODUŁOWYCH PRZEKSZTAŁTNIKÓW DUŻEJ MOCY INTEGROWANYCH MAGNETYCZNIE Opracowanie i weryfikacja nowej koncepcji przekształtników
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoParametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH RDZENI FERROMAGNETYCZNYCH
Małgorzata Godlewska, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH RDZENI FERROMAGNETYCZNYCH Praca dotyczy modelowania charakterystyk wybranych rdzeni ferromagnetycznych.
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowoLUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.
LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, kwiecień 1999 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S. Jaracza 57-57a TEL. 602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY BUCK Z MONOLITYCZNYM REGULATOREM LT1073 W PROGRAMIE SPICE
243 in 4G Communication Systems // MIXDES. 2003. 4. Корляков А.В., Лучинин В.В. Перспективная элементная база микросистемной техники. 200. 5. An Introduction to MEMS, Prime Faraday Technology Watch. 2001.
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoWyznaczanie parametrów cieplnych przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy metodą eksperymentalną
Andrzej DOMINO, Piotr MAZUREK, Jan SIKORA, Krzysztof ZYMMER Instytut Elektrotechniki, ul Pożaryskiego 28, 04-703 Warszawa doi:1015199/4820160546 Wyznaczanie parametrów cieplnych przyrządów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoANALIZA PORÓWNAWCZA METOD POMIARU IMPEDANCJI PĘTLI ZWARCIOWEJ PRZY ZASTOSOWANIU PRZETWORNIKÓW ANALOGOWYCH
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Nr 54 Politechniki Wrocławskiej Nr 54 Studia i Materiały Nr 23 2003 Andrzej STAFINIAK * metody pomiarowe,impedancje pętli zwarciowej impedancja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoCEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoRys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia
ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowo[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits
Bibliografia [1] Hałgas S., Algorytm lokalizacji uszkodzeń w nieliniowych układach elektronicznych, Materiały XVI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, SPETO 93, 247-253, 1993. [2] Hałgas
Bardziej szczegółowoInżynieria Rolnicza 5(93)/2007
Inżynieria Rolnicza 5(9)/7 WPŁYW PODSTAWOWYCH WIELKOŚCI WEJŚCIOWYCH PROCESU EKSPANDOWANIA NASION AMARANTUSA I PROSA W STRUMIENIU GORĄCEGO POWIETRZA NA NIEZAWODNOŚĆ ICH TRANSPORTU PNEUMATYCZNEGO Henryk
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE OPTYMALIZOWANYCH PROCEDUR DIAGNOSTYCZNO-OBSŁUGOWYCH
ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH WYDZIAŁ ELEKTRONIKI WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Bardziej szczegółowoMETODYKA BADAŃ MAŁYCH SIŁOWNI WIATROWYCH
Inżynieria Rolnicza 2(100)/2008 METODYKA BADAŃ MAŁYCH SIŁOWNI WIATROWYCH Krzysztof Nalepa, Maciej Neugebauer, Piotr Sołowiej Katedra Elektrotechniki i Energetyki, Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Pomiary rezystancji przy prądzie stałym"
Ćwiczenie: "Pomiary rezystancji przy prądzie stałym" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Budowa układu.
Prostowniki. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem transformatora
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński
Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Mierniki cyfrowe"
Ćwiczenie: "Mierniki cyfrowe" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: Próbkowanie
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoOCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWEGO MAKROMODELU TRANZYSTORA SiC-JFET
POZNAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 95 Electrical Engineering 2018 DOI 10.21008/j.1897-0737.2018.95.0007 Kamil BARGIEŁ *, Damian BISEWSKI * OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWEGO MAKROMODELU TRANZYSTORA
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoBadanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie
LABORATORIUM ZASILANIE URZĄDZEŃ ELETRONICZNYCH Badanie dławikowej przetwornicy podwyŝszającej napięcie Opracował: Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Budowa, parametry i zasada działania
Bardziej szczegółowoBierne układy różniczkujące i całkujące typu RC
Instytut Fizyki ul. Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 6 Pracownia Elektroniki. Bierne układy różniczkujące i całkujące typu RC........ (Oprac. dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowo