Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu"

Transkrypt

1 Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika Warszawska, PL 662,ul.Koszykowa 7, Poland prof. dr hab. inż. A. Piotrowska kierownik Zespołu, dr inż. M. Guziewicz, dr inż. E. Kamińska, mgr inż. N. Kwietniewski, mgr inż. M. Borysiewicz, mgr inż. K. Gołaszewska, dr A. Kuchuk, dr inż. T.T. Piotrowski, tech. Z. Szopniewski, tech. K. Babska Instytut Technologii Elektronowej Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 2-668, Poland n=x 1 /cm 3 4H-SiC n > 1 /cm 3 Overlayer Insulating film Ohmic Contact Overlayer Problemy wymagające rozwiązania: Uformowanie kontaktów omowych Montaż struktury SiC do podłoża Połączenia elektryczne kontaktów SiC z kontaktami podłoża Zamknięcie całości w obudowę Kontakty obudowy, sposób zasilania Technologia kontaktówomowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Plan prezentacji Wprowadzenie Kontakty omowe Zadanie nr 7:Badanie mechanizmów formowania złącz metal/sic Zadanie nr 8: badanie stabilności termicznej wytworzonych warstw kontaktowych Zadanie nr : Opracowanie prototypowej obudowy do montażu struktur SiC Zadanie nr : Opracowanie technologii dołączania struktur SiC do obudowy Zadanie nr : Badanie parametrów przyrządów w warunkach pracy; wysokotemperaturowej, wysokomocowej oraz przy wysokich częstotliwosciach Podsumowanie Układ warstw w strukturze testowej Schemat próbki testowej Technologia kontaktu Warstwa epi-sic(1) n = 1 cm -3 hodowana na 4H SiC(1) w ITME lub Cree Inc. Film I Ni, Ti, Co, Ni/Ti, TiW Film II Ti lub Cr, epi - SiC 4H - SiC Film III Al lub Au do połączenia drutowego Warstwa montażowa Warstwa adhezyjna Izolacja Przygotowanie powierzchni SiC Mycie w rozpuszczalnikach (tri, acetone, propanol) Trawienie chemiczne NH 4 OH-H 2 O 2 -H 2 O, 7 o C, min. HCl-H 2 O 2 -H 2 O, 7 o C, min. Usuniecie tlenku HF buf, 1min. Wytworzenie kontaktu omowego osadzanie warstwy ( nm)nilubti metodą magnetronowego rozpylania Ar, P DC = W, p Ar = 1x -2 mbar(p = 2x -6 mbar) Stosowane testy w pomiarach mechanicznych i elektrycznych Metalizacje kontaktów omowych d 1 ro Metalizacje do połączeńdrutowych: Al+Ni/SiC, Ni+Ni/SiC, Al+Ti/SiC, Au+Ti/SiC oraz Au+Ni/SiC do połączeń typu flip chip Pt+Ti/SiC oraz Au+Ti/SiC 6

2 Kontakty omowe, mechanizmy przewodzenie Zadanie nr 7. Zależność rezystancji właściwej kontaktów Ni/n-SiC i Ti/n-SiC od temperatury wygrzewania i koncentracji domieszek w podłożu Kontakty omowe na bazie Ni i Ti 2 o C o C 2 o C Ni/SiC o C 2 o C o C 2 o C Ti/SiC Temperatura wygrzewania kontaktu [ o C] Rezystancja właściwa [Ωcm 2 ] Koncentracja domieszek [cm -3 ] x 16 x 17 x 18 ln (1/r c ) 8 7 r c = 4.2x -4 Ωcm RT E A = 27 mev 6 1, 2, 2, 3, 3, 4, /T (1/K) ln (1/r c ) r c = x - Ωcm RT E A = 16 mev 1, 1, 2, 2, 3, 3, 4, /T (1/K) Energie aktywacji donorów w kontaktach omowych wyznaczone z temperaturowej zależności r c wynoszą odpowiednio: dla metalizacji z Ni - E A = 27 mev, dla metalizacji z Ti - E A = 16 mev Nikiel Tytan NΩ 1.2x -4 3.x - 1.8x -4.x - 3.x -6 NΩ NΩ 4.2x x x x x x -4 8.x Zadanie nr 7. Zależność rezystancji właściwej kontaktów TiAl(6%)/ od temperatury wygrzewania i koncentracji domieszek w podłożu Kontakty omowe Rezystancja właściwa R C kontaktu Podłoże R C [Ωcm 2 ] TiAl Temperatura wygrzewania kontaktu [ o C] Rezystancja właściwa [Ωcm 2 ] Koncentracja domieszek x 17 [cm -3 ] x 18 [cm -3 ] 4.x x - 3.1x x - Referencje n-sic Ni 1x - 6 4H-SiC* Ti 2x - 7 4H-SiC Ti/Al 1.4x - 4 Uzyskane wyniki n-sic ITME Ni 3.x x -4. x - n-sic ITME Ti 2x - ITME Ti/Al x - *) na podłożu implantowanym, n= 2 at./cm -3 Seminarium ITME, 3 listopad 2 Zadanie nr 8 Badanie stabilności termicznej wytworzonych warstw kontaktowych. Połączenia montażowe Al-Al na strukturze SiC Połączenia Al-Al na n-sic/ti/al, drut Al µm Połączenia montażowe Al-Al na ceramice ( pasta P2-Al) Połączenia Al-Al na warstwie grubej P2 na podłożu ceramicznym drut Al µm 2 1 n-sic/ti(o.c.)/al(2nm)-al(φ µm) Drut Al Al na SiC 2 mω Drut Al-P2 na ceramice 3-4 mω Al/warstwa gruba/ceramika T [h] 1 T [h]

3 Połączenia montażowe Au-Au na strukturze SiC (Au-Au oraz Pt-Au) Wpływ metalizacji kontaktu omowego oraz metalizacji kontaktu montażowego na stabilność połączeń wykonywanych drutem Au µm Połączenia montażowe Au-Au na strukturze SiC (Pt-Au) Wpływ techniki wykonywania połączeń drutowych Au oraz grubości metalizacji kontaktu Ti/Pt na stabilność Ti(o.c.)/Pt, 4 C, 3h, air Ti(o.c.)/Pt, 4 C, 3h, air Połączenia montażowe na strukturze SiC Współpraca metalizacji SiC z różnymi technikami montażu Połączenia typu FC 3 n-sic/ti(o.c.)/au(nm)-au Time [h] Zmiany szeregu połączeń po wygrzewaniu w 4 C Kontakt podwyższony Au Au na SiC 2 mω Kontakt podwyższony Au Au na Al 2 O 3 2 mω SiC/Ti/Pt + kontakt podwyższony Au + Au na DBC po 4 C h, stabilność 6,8% 1 SiC ohmic contact Top Al wire bonding Au wire bonding Flip chip bonding by Au balls Ti Al Yes, 4 C & 61 h Yes, max 17 C* No applicable Au Yes, max 17 C* Yes, 4 C & h Yes, 4 C & 8 h Pt Degradation after 4 C & 24 h Yes, 4 C & h Yes, 3 C & 7 h Ni Al Yes, 4 C & h Yes, max 17 C* No applicable Au Contact degradation after 4 C & h Pt Not investigated Yes, 4 C & 3 h Not investigated Ni Yes, 3 C & h Not investigated 16 Współpraca metalizacji podłoża z różnymi technikami montażu Substrate Al wire bonding Al 2 O 3 ceramic Yes, 3 C & 1 h +Ag based thick 4 C degradation film Au wire Au balls flip chip bonding bonding Not investigated Al 2 O 3 ceramic Not investigated Yes, 4 C & Yes, 4 C & +Au based thick 1 h 8 h film DBC + Ni Yes, 3 C & 2 h Not investigated DBC + Ni/Au Yes, max 17 C* Yes, 3 C & h Yes, 3 C & 7 h Zadanie nr Opracowanie prototypowej obudowy dla przyrządów SiC realizowanych przy zastosowaniu montażu drutowego i bezdrutowego Proponowane koncepcje obudowy 17 18

4 Elementy prototypowych obudów Zadanie nr opracowanie technologii dołączania struktur SiC do obudowy 1 2 Koncepcje wysokotemperaturowej obudowy SiC Koncepcje wysokotemperaturowej obudowy SiC Poszukiwanie kleju do połączeń ceramika ceramika oraz ceramika metal Montaż struktury SiC do podłoża Materiał podłoża Doklejana płytka Siła ścinająca po otrzymaniu [N] Siła ścinająca po 3⁰C h [N] Al 2 O 3 Cu Al 2 O 3 Al 2 O Cu Cu Cu Al 2 O Cu Au 48 Al 2 O 3 Au Al 2 O 3 SiC 6 13 Die bonding technology Process temp. [ C] Max operating temp. [ C] Shear strength [N/cm 2 ] Au88Ge 4 33 N/A P FO >3 (2h) 3M Ag nano ( h) (8 MPa) Zadanie nr Badanie parametrów przyrządów w warunkach pracy: wysokotemperatrurowej, wysokomocowej oraz przy wysokich częstotliwościach PiN diodes Praca SiC w obudowie w temperaturze 3 C (Au-Au) minutowe cykle prądowe x 4 A/cm 2 Ohmic contact Al/Ti/Al (/8/3 nm) Pattern module Al-Al minutowe cykle obciążenia mocą 2 W n-sic Ohmic contact Ti (2 nm) 23 24

5 Forward I-V characteristics vs. temperature Reverse characteristics vs. temperature 33rd International Spring Seminar on Electronics Technology, ISSE 2, May -16, 2,, Poland 2 33rd International Spring Odbiór Seminar grantu, on 21 Electronics maja 2, Technology, ITME ISSE 2, May -16, 2,, Poland 26 Publikacje Podsumowanie 1. Szczepański Z., Kisiel R.: SiC Die Connections for High Temperature Applications - Materiałach Elektroniczne, czasopismo wydawane przez ITME, T 37-2, nr 1, p Kisiel R., Szczepanski Z.: Die-Attachment Solutions for SiC Power Devices Microelectronics Reliability, 4 (2), Kisiel R., Guziewicz M., Piotrowska A., Szmidt J.: Stability of Al. and Au Wire Bonds to Ti- and Ni-based ohmic Contacts for High Power SiC Devices Book of Abstracts Mixdes 2, 16th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems June 2-27,2, Łódź, Poland p Kisiel R., Guziewicz M., Piotrowska A., Szmidt J.: Ti and Ni Based Ohmic Contacts for Al and Au Wire Bonds in High Power SiC Devices 33rd International IMAPS - CPMT IEEE Poland Conference, Pszczyna, September 2, ISBN , p ,. Szczepański Z., Kisiel R., Guziewicz M.: Flip Chip Process Realization for SiC Structures 33rd International IMAPS - CPMT IEEE Poland Conference, Pszczyna, September 2, ISBN , p Kisiel R., Guziewicz M., Piotrowska A., Szmidt J.: Characteristics of Gold Wire Bonds with Ti- and Ni- based Contact Metallizations to n-sic for High Temperature Applications International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2, ICSCRM 2, October -16, Nuremberg, Germany, Technical Program Mo-P-4, I-, 7. Kisiel R., Guziewicz M.: Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktów Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n- SiC Elektronika, vol. L, nr 6/2, str Guziewicz M., Kisiel R., Gołaszewska K., Wzorek M., Stonert A., Piotrowska A., Szmidt J.: Characteristics of Gold Wire Bonds with Ti- and Ni- based Contact Metallizations to n-sic for High Temperature Applications Materials Science Forum, Vols (2) pp R.Kisiel, M. Guziewicz, Z.Szczepański, K. Król An overview of Materials and Bonding Techniques for Inner Connections in SiC High Power and High Temperature Devices 33rd International Spring seminar on electronics Technology ISSE2, Abstract Book,, -16 May 2, ISBN , str Kisiel, M. Guziewicz, Z.Szczepański, K. Król An overview of Materials and Bonding Techniques for Inner Connections in SiC High Power and High Temperature Devices 33rd International Spring seminar on electronics Technology ISSE2, CD version, full paper,, -16 May 2, 6 stron. Dorobek publikacyjny: 21 opublikowanych artykułów 7 referatów na konferencjach międzynarodowych() i krajowych (2) 13 posterów na konferencjach międzynarodowych () i krajowych (4) W wyniku prowadzonych badań opracowano technologię otrzymywania kontaktów omowych SiC o niskich rezystancjach oraz opanowano technologię wykonywania obudowy i montażu struktur SiC (diody PIN) zapewniającą im stabilną pracę ciągłą w 3 o C Dziękuję za uwagę 27 28

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej Kierownik projektu: prof. dr hab. inż. Jan Szmidt Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

43 edycja SIM Paulina Koszla

43 edycja SIM Paulina Koszla 43 edycja SIM 2015 Paulina Koszla Plan prezentacji O konferencji Zaprezentowane artykuły Inne artykuły Do udziału w konferencji zaprasza się młodych doktorów, asystentów i doktorantów z kierunków: Inżynieria

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych InTechFun Politechnika Warszawska ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT prof. dr hab.

Bardziej szczegółowo

SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS

SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS Domieszkowanie węglika krzemu metodą Jerzy Żuk Instytut Fizyki UMCS, Lublin implantacji jonowej M. Kulik, A. Droździel, K. Pyszniak, M. Turek Instytut Fizyki UMCS, Lublin Mariusz Sochacki, Jan Szmidt Wydział

Bardziej szczegółowo

OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU

OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 84 Electrical Engineering 2015 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU W pracy przedstawiono

Bardziej szczegółowo

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. do Zastosowań w Biologii i Medycynie Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. Zadanie 24 Opracowanie technologii

Bardziej szczegółowo

Technologie mikro- nano-

Technologie mikro- nano- Technologie mikro- nano- część Prof. Golonki 1. Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne: a) Al2O3 b) BeO c) AlN 2. Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez

Bardziej szczegółowo

FRIATEC AG. Ceramics Division FRIDURIT FRIALIT-DEGUSSIT

FRIATEC AG. Ceramics Division FRIDURIT FRIALIT-DEGUSSIT FRIATEC AG Ceramics Division FRIDURIT FRIALIT-DEGUSSIT FRIALIT-DEGUSSIT Ceramika tlenkowa Budowa dla klienta konkretnego rozwiązania osiąga się poprzez zespół doświadczonych inżynierów i techników w Zakładzie

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁ ELWOM 25. Mikrostruktura kompozytu W-Cu25: ciemne obszary miedzi na tle jasnego szkieletu wolframowego; pow. 250x.

MATERIAŁ ELWOM 25. Mikrostruktura kompozytu W-Cu25: ciemne obszary miedzi na tle jasnego szkieletu wolframowego; pow. 250x. MATERIAŁ ELWOM 25.! ELWOM 25 jest dwufazowym materiałem kompozytowym wolfram-miedź, przeznaczonym do obróbki elektroerozyjnej węglików spiekanych. Kompozyt ten jest wykonany z drobnoziarnistego proszku

Bardziej szczegółowo

Złożone struktury diod Schottky ego mocy

Złożone struktury diod Schottky ego mocy Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura

Bardziej szczegółowo

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK Pałac Kultury i Nauki Skrytka Pocztowa 24 00-901 Warszawa XXIII piętro, pokój: 2316 tel. (+ 48 22) 656 64 98 fax. (+48 22) 826 29 96 email:

Bardziej szczegółowo

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06 PL 212025 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212025 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 375716 (51) Int.Cl. H01L 27/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

METROLOGIA. MIERNICTWO

METROLOGIA. MIERNICTWO METROLOGIA. MIERNICTWO Z 099360-BG DURCZAK KAROL Pomiary wielkości geometrycznych w technice / Karol Durczak. - Wyd. 2. Poznań : Wydaw. Akademii Rolniczej im. Augusta Cieszkowskiego, 2006. - 268 s. : il.

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Technologie proekologiczne stosowane do produkcji płytek obwodów drukowanych. Anna Girulska. Poznań, czerwiec 2005

Technologie proekologiczne stosowane do produkcji płytek obwodów drukowanych. Anna Girulska. Poznań, czerwiec 2005 Technologie proekologiczne stosowane do produkcji płytek obwodów drukowanych Anna Girulska Poznań, czerwiec 2005 1 Eldos - krótka historia Certyfikaty Produkty Wkład w EKOPROJEKTOWANIE 2 Sp.z o.o. Wrocław

Bardziej szczegółowo

Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13

Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 dr inż. Hanna Smoleńska Katedra Inżynierii Materiałowej i Spajania Wydział Mechaniczny, Politechnika Gdańska Materiały edukacyjne ROZSZERZALNOŚĆ CIEPLNA LINIOWA Ashby

Bardziej szczegółowo

Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) dr inż. TOMASZ BIENIEK 1, mgr inż. JĘDRZEJ STĘSZEWSKI 2, dr inż. MARIUSZ SOCHACKi

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

KOROZJA KATASTROFALNA W ATMOSFERACH NAWĘGLAJĄCYCH

KOROZJA KATASTROFALNA W ATMOSFERACH NAWĘGLAJĄCYCH KOROZJA KATASTROFALNA W ATMOSFERACH NAWĘGLAJĄCYCH Mechanizm korozji typu metal dusting żelaza i stali niskostopowych 1. H.J. Grabke: Mat. Corr. Vol. 49, 303 (1998). 2. H.J. Grabke, E.M. Müller-Lorenz,

Bardziej szczegółowo

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet.

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. www.amepox-mc.com www.amepox.com.pl Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. Andrzej Kinart, Andrzej Mościcki, Anita Smolarek Amepox Microelectronics,

Bardziej szczegółowo

WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET

WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach Akademia Morska w Gdyni WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji

Bardziej szczegółowo

MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH

MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH Przemysław Ptak Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH W pracy rozważany jest problem modelowania diod LED mocy przy wykorzystaniu

Bardziej szczegółowo

Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych

Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych dr hab. inż. Krzysztof Górecki, prof. nadzw. AMG mgr inż. Przemysław Ptak Wydział Elektryczny Akademia Morska w Gdyni ul. Morska 83, 81-225 Gdynia Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie materiałów perowskitowych wykonanych metodą reakcji w fazie stałej do wytwarzania membran separujących tlen z powietrza

Zastosowanie materiałów perowskitowych wykonanych metodą reakcji w fazie stałej do wytwarzania membran separujących tlen z powietrza Zastosowanie materiałów perowskitowych wykonanych metodą reakcji w fazie stałej do wytwarzania membran separujących tlen z powietrza Magdalena Gromada, Janusz Świder Instytut Energetyki, Oddział Ceramiki

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet.

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. www.amepox-mc.com www.amepox.com.pl Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. Andrzej Kinart, Andrzej Mościcki, Anita Smolarek Amepox Microelectronics,

Bardziej szczegółowo

Nowa ekologiczna metoda wykonywania odlewów z żeliwa sferoidyzowanego lub wermikularyzowanego w formie odlewniczej

Nowa ekologiczna metoda wykonywania odlewów z żeliwa sferoidyzowanego lub wermikularyzowanego w formie odlewniczej PROJEKT NR: POIG.01.03.01-12-061/08 Badania i rozwój nowoczesnej technologii tworzyw odlewniczych odpornych na zmęczenie cieplne Nowa ekologiczna metoda wykonywania odlewów z żeliwa sferoidyzowanego lub

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Skonstruowanie litowo-deuterowego konwertera neutronów termicznych na neutrony prędkie o energii 14 MeV w reaktorze MARIA (Etap 14, 5.1.

Skonstruowanie litowo-deuterowego konwertera neutronów termicznych na neutrony prędkie o energii 14 MeV w reaktorze MARIA (Etap 14, 5.1. Skonstruowanie litowo-deuterowego konwertera neutronów termicznych na neutrony prędkie o energii 14 MeV w reaktorze MARIA (Etap 14, 5.1.) Krzysztof Pytel, Rafał Prokopowicz Badanie wytrzymałości radiacyjnej

Bardziej szczegółowo

(62) Numer zgłoszenia, z którego nastąpiło wydzielenie:

(62) Numer zgłoszenia, z którego nastąpiło wydzielenie: PL 223874 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223874 (21) Numer zgłoszenia: 413547 (22) Data zgłoszenia: 10.05.2013 (62) Numer zgłoszenia,

Bardziej szczegółowo

THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK. THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu.

THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK. THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu. THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu. Zoptymalizowany do pomiaru grubości warstw Detektor Si-PIN o rozdzielczości

Bardziej szczegółowo

Badania kompozytu wytworzonego w wyniku reakcji ciekłego Al ze stałym Ti

Badania kompozytu wytworzonego w wyniku reakcji ciekłego Al ze stałym Ti AMME 2002 11th Badania kompozytu wytworzonego w wyniku reakcji ciekłego Al ze stałym Ti P. Zagierski University of Oslo, Centre for Materials Science Gaustadalleen 21, 0349 Oslo, Norwegia Dla potrzeb norweskiego

Bardziej szczegółowo

Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy

Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy dr inż. MIECZYSŁAW NOWAK, prof. dr hab. inż. ROMAN BARLIK, dr inż JACEK RĄBKOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania

Bardziej szczegółowo

ĆW. 11. TECHNOLOGIA I WŁAŚCIWOŚCI POLIMEROWYCH REZYSTORÓW

ĆW. 11. TECHNOLOGIA I WŁAŚCIWOŚCI POLIMEROWYCH REZYSTORÓW ĆW.. TECHNOLOGIA I WŁAŚCIWOŚCI POLIMEROWYCH REZYSTORÓW CEL ĆWICZENIA. Zapoznanie się z technologią polimerowych warstw grubych na przykładzie elementów rezystywnych. Określenie wpływu rodzaju i zawartości

Bardziej szczegółowo

Politechnika Koszalińska

Politechnika Koszalińska Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Świątek KOROZYJNA STALI 316L ORAZ NI-MO, TYTANU W POŁĄ ŁĄCZENIU Z CERAMIKĄ DENTYSTYCZNĄ W ROZTWORZE RINGERA

Aleksandra Świątek KOROZYJNA STALI 316L ORAZ NI-MO, TYTANU W POŁĄ ŁĄCZENIU Z CERAMIKĄ DENTYSTYCZNĄ W ROZTWORZE RINGERA WYśSZA SZKOŁA INśYNIERII DENTYSTYCZNEJ IM. PROF. MEISSNERA W USTRONIU WYDZIAŁ INśYNIERII DENTYSTYCZNEJ Aleksandra Świątek,,ODPORNOŚĆ KOROZYJNA STALI 316L ORAZ STOPÓW W TYPU CO-CR CR-MO, CR-NI NI-MO, TYTANU

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Podzespoły Indukcyjne S.A. Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe. One and multi layer air-core inductor with round cross section

Podzespoły Indukcyjne S.A. Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe. One and multi layer air-core inductor with round cross section Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe One and multi layer air-core inductor with round cross section 0 Cewki bezrdzeniowe, cylindryczne, jedno i wielowarstwowe Zastosowania: Cewki indukcyjne

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP

Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

Karta katalogowa wtyk przemysłowy C6 A RJ45 pro

Karta katalogowa wtyk przemysłowy C6 A RJ45 pro wtyk przemysłowy C6 A Ilustracje wymiary str.1/6 powiększone rysunki na końcu dokumentu Opis produktu wtyk RJ45 kat.6 A /klasa E A do zarabiania we własnym zakresie w pełni ekranowany i przystosowany do

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

TEMAT PRACY DOKTORSKIEJ

TEMAT PRACY DOKTORSKIEJ Krynica, 12.04.2013 Wpływ cyrkonu i skandu na zmiany mikrostruktury i tekstury w silnie odkształconych stopach aluminium ---------------------------------------------------------------------------- TEMAT

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki.

Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki. Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki. dr Andrzej Kinart 90-268 Łódź; Jaracza 6; Poland III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki 21.10.2013r. Amepox

Bardziej szczegółowo

Po co układy analogowe?

Po co układy analogowe? PUAV Wykład 1 Po co układy analogowe? Układy akwizycji danych Przykład: układy odczytu czujników promieniowania + yskryminator 1 bit Przetwornik A/C m bitów Przetwornik T/C n bitów Wzmacniacz napięciowy

Bardziej szczegółowo

Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.

Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved. Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie członka Zarządu KRD mgr inż. Paweł Maślak

Sprawozdanie członka Zarządu KRD mgr inż. Paweł Maślak Sprawozdanie członka Zarządu KRD mgr inż. Paweł Maślak Cele prezentowane w 2011 roku Poszukiwanie grantów i funduszy na działalność i stypendia dla doktorantów Narodowe Centrum Nauki Narodowe Centrum Badao

Bardziej szczegółowo

Montaż w elektronice

Montaż w elektronice Montaż w elektronice Prof. dr hab. inż.. Kazimierz FRIEDEL Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip

Bardziej szczegółowo

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera ANALIZA POŁĄCZENIA WARSTW CERAMICZNYCH Z PODBUDOWĄ METALOWĄ Promotor: Prof. zw. dr hab. n. tech. MACIEJ HAJDUGA Tadeusz Zdziech CEL PRACY Celem

Bardziej szczegółowo

TRANSPORT REAGENTÓW PRZEZ ZWARTĄ WARSTWĘ ZGORZELINY

TRANSPORT REAGENTÓW PRZEZ ZWARTĄ WARSTWĘ ZGORZELINY TRANSPORT REAGENTÓW PRZEZ ZWARTĄ WARSTWĘ ZGORZELINY BADANIE UDZIAŁU POSZCZEGÓLNYCH REAGENTÓW W PROCESIE TRANSPORTU MATERII PRZEZ ZGORZELINĘ Metoda markerów Metoda dwustopniowego utleniania Badania współczynników

Bardziej szczegółowo

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA

PL 203790 B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL 03.10.2005 BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL 30.11.2009 WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203790 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 366689 (51) Int.Cl. C25D 5/18 (2006.01) C25D 11/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Montaż w elektronice_cz.03_elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP.ppt. Plan wykładu

Montaż w elektronice_cz.03_elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP.ppt. Plan wykładu Plan wykładu Wprowadzenie Elementy elektroniczne w obudowach SO, CC i QFP Elementy elektroniczne w obudowach BGA i CSP Montaż drutowy i flip-chip struktur nie obudowanych Tworzywa sztuczne i lepkospręż

Bardziej szczegółowo

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI Janusz KOZAK BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI Prace Instytutu Elektrotechniki zeszyt 265, 2014 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9

Bardziej szczegółowo

WYKAZ PUBLIKACJI PRACOWNIKÓW KATEDRY MIKROELEKTRONIKI I TECHNIK INFORMATYCZNYCH 1997

WYKAZ PUBLIKACJI PRACOWNIKÓW KATEDRY MIKROELEKTRONIKI I TECHNIK INFORMATYCZNYCH 1997 WYKAZ PUBLIKACJI PRACOWNIKÓW KATEDRY MIKROELEKTRONIKI I TECHNIK INFORMATYCZNYCH 1997 MONOGRAFIE 1. Andrzej NAPIERALSKI, (Editor): MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Proceedings of the 4 th

Bardziej szczegółowo

[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits

[3] Hałgas S., An algorithm for fault location and parameter identification of analog circuits Bibliografia [1] Hałgas S., Algorytm lokalizacji uszkodzeń w nieliniowych układach elektronicznych, Materiały XVI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, SPETO 93, 247-253, 1993. [2] Hałgas

Bardziej szczegółowo

Węglik krzemu w energoelektronice nadzieje i ograniczenia

Węglik krzemu w energoelektronice nadzieje i ograniczenia Włodzimierz JANKE Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki Węglik krzemu w energoelektronice nadzieje i ograniczenia Streszczenie. Węglik krzemu jest materiałem półprzewodnikowym, który

Bardziej szczegółowo

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os. Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II

Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Bottom Up Metody chemiczne Wytrącanie, współstrącanie, Mikroemulsja, Metoda hydrotermalna, Metoda solwotermalna, Zol-żel, Synteza fotochemiczna, Synteza sonochemiczna,

Bardziej szczegółowo

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE Mgr inż. Krystian KRÓL 1,2 Mgr inż. Andrzej TAUBE 2 Dr inż. Mariusz SOCHACKI 2 Prof. dr hab. inż. Jan SZMIDT 2 1 Instytut Tele- i Radiotechniczny 2 Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

Wybrane prace badawcze naukowców z Wydziału Metali Nieżelaznych AGH w zakresie technologii przetwórstwa metali nieżelaznych

Wybrane prace badawcze naukowców z Wydziału Metali Nieżelaznych AGH w zakresie technologii przetwórstwa metali nieżelaznych XXIII Walne Zgromadzenie Izby 8-9 czerwca 20017 w Krakowie. Wybrane prace badawcze naukowców z Wydziału Metali Nieżelaznych AGH w zakresie technologii przetwórstwa metali nieżelaznych dr inż. Grzegorz

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Potencjał technologiczny i produkcyjny PCO S.A. w zakresie wytwarzania urządzeń termowizyjnych

Potencjał technologiczny i produkcyjny PCO S.A. w zakresie wytwarzania urządzeń termowizyjnych Seminarium Termowizja: Projekty badawcze i wdrożenia przemysłowe XXII MSPO Kielce, 02.09.2014 r. Potencjał technologiczny i produkcyjny PCO S.A. w zakresie wytwarzania urządzeń termowizyjnych Jerzy Wiśnioch,

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH

POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH POLITECHNIKA WASZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTYCZNY INSTYTUT ELEKTOTECHNIKI TEOETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFOMACYJNO-POMIAOWYCH ZAKŁAD WYSOKICH NAPIĘĆ I KOMPATYBILNOŚCI ELEKTOMAGNETYCZNEJ PACOWNIA MATEIAŁOZNAWSTWA ELEKTOTECHNICZNEGO

Bardziej szczegółowo

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK Pałac Kultury i Nauki Skrytka Pocztowa 24 00-901 Warszawa XXIII piętro, pokój: 2316 tel. (+ 48 22) 656 64 98 fax. (+48 22) 826 29 96 email:

Bardziej szczegółowo

METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI. Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board)

METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI. Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board) METODYKA PROJEKTOWANIA I TECHNIKA REALIZACJI Wykład piąty Materiały elektroniczne płyty z obwodami drukowanymi PCB (Printed Circuit Board) Co to jest płyta z obwodem drukowanym? Obwód drukowany (ang. Printed

Bardziej szczegółowo

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2

Bardziej szczegółowo

JUMO MAERA F27. Sonda do pomiaru poziomu. Zastosowanie. Opis skrócony. Korzyści dla Klienta. Właściwości. Karta katalogowa 40.

JUMO MAERA F27. Sonda do pomiaru poziomu. Zastosowanie. Opis skrócony. Korzyści dla Klienta. Właściwości. Karta katalogowa 40. +44 1279 63 55 33 +44 1279 63 52 62 sales@jumo.co.uk www.jumo.co.uk Karta katalogowa 40.4391 Strona 1 /8 JUMO MAERA F27 Sonda do pomiaru poziomu Zastosowanie Hydrostatyczny pomiar poziomu cieczy 1 woda

Bardziej szczegółowo

Przetwornik ciśnienia do aplikacji chłodnicznych i klimatyzacji Model AC-1, z ceramiczną komorą pomiarową

Przetwornik ciśnienia do aplikacji chłodnicznych i klimatyzacji Model AC-1, z ceramiczną komorą pomiarową Elektroniczny pomiar ciśnienia Przetwornik ciśnienia do aplikacji chłodnicznych i klimatyzacji Model AC-1, z ceramiczną komorą pomiarową Karta katalogowa WIKA PE 81.46 Zastosowanie Chłodnictwo Pompy ciepła

Bardziej szczegółowo

Własności optyczne półprzewodników

Własności optyczne półprzewodników Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja

Bardziej szczegółowo

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis Nauka o Materiałach Wykład XI Właściwości cieplne Jerzy Lis Nauka o Materiałach Treść wykładu: 1. Stabilność termiczna materiałów 2. Pełzanie wysokotemperaturowe 3. Przewodnictwo cieplne 4. Rozszerzalność

Bardziej szczegółowo

Zeszyty Problemowe Maszyny Elektryczne Nr 1/2013 (98) 1 CO TO JEST IMS? WHAT IS IMS?

Zeszyty Problemowe Maszyny Elektryczne Nr 1/2013 (98) 1 CO TO JEST IMS? WHAT IS IMS? Zeszyty Problemowe Maszyny Elektryczne Nr 1/2013 (98) 1 Arkadiusz Domoracki Politechnika Śląska, Gliwice CO TO JEST IMS? WHAT IS IMS? Streszczenie: W artykule przedstawiono możliwości zastosowania nowoczesnych

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik

Bardziej szczegółowo

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Wykład XI: Właściwości cieplne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XI: Właściwości cieplne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XI: Właściwości cieplne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: 1. Stabilność termiczna materiałów 2. Pełzanie wysokotemperaturowe

Bardziej szczegółowo

SERIA 45 Miniaturowy przekaźnik do obwodów drukowanych A

SERIA 45 Miniaturowy przekaźnik do obwodów drukowanych A SERI Miniaturowy przekaźnik do obwodów drukowanych 10-16 SERI Temperatura otoczenia do +105 C Do obwodów drukowanych - wyprowadzenia pinów bezpośrednio dla cewki i zestyków -.31 x310, 1 zestyk zwierny

Bardziej szczegółowo

WYKAZ PRÓB / SUMMARY OF TESTS

WYKAZ PRÓB / SUMMARY OF TESTS Strona/Page 2/9 WYKAZ PRÓB / SUMMARY OF TESTS PN-EN 61643-11:2006 STRONA PAGE Próba nieusuwalności znakowania Test of indelibility of markings Próba niezawodności śrub, części przewodzących i połączeń

Bardziej szczegółowo

ONTEC C DYSKRETNA OCHRONA

ONTEC C DYSKRETNA OCHRONA DYSKRETNA OCHRONA niewielki kształt oprawy sprawia, że jest ona dyskretna i dopasowuje się do każdego wnętrza nie naruszając konstrukcji oświetlenia podstawowego idealne chłodzenie elektroniki zapewnia

Bardziej szczegółowo

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Politechnika Koszalińska

Politechnika Politechnika Koszalińska Politechnika Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych NOWE MATERIAŁY NOWE TECHNOLOGIE W PRZEMYŚLE OKRĘTOWYM I MASZYNOWYM IIM ZUT Szczecin, 28 31 maja 2012, Międzyzdroje

Bardziej szczegółowo

ONTEC P OPRAWA, KTÓREJ NIE WIDAĆ INVISIBLE FITTING

ONTEC P OPRAWA, KTÓREJ NIE WIDAĆ INVISIBLE FITTING ONTEC P OPRAWA, KTÓREJ NIE WIDAĆ Oprawa jest prawie niewidoczna po zamontowaniu eksponując jedynie to, co najistotniejsze światło. Zaprojektowana z najwyższą starannością elektronika przy niskim poborze

Bardziej szczegółowo

ONTEC C IP C 230VAC DYSKRETNA OCHRONA DISCRETE PROTECTION

ONTEC C IP C 230VAC DYSKRETNA OCHRONA DISCRETE PROTECTION DYSKRETNA OCHRONA DISCRETE PROTECTION niewielki kształt oprawy sprawia, że jest dyskretna i dopasowuje się do każdego wnętrza nie naruszając konstrukcji oświetlenia podstawowego oprawa występuje w wersji

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków ul.reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków ul.reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30-059 Kraków ul.reymonta 5 Tel: (01) 95 8 8, pokój 115, fax: (01) 95 8 04 e-mail: nmpawlow@imim-pan.krakow.pl Miejsca zatrudnienia

Bardziej szczegółowo

Materiały z izolowanym podłożem metalowym

Materiały z izolowanym podłożem metalowym Materiały z izolowanym podłożem metalowym Arkadiusz Domoracki Automatyka i robotyka 1. Wstęp Do wymogów stawianych współczesnym urządzeniom elektronicznym bez wątpienia należy zaliczyć minimalizację gabarytów.

Bardziej szczegółowo