ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Podobne dokumenty
ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Podstawy elektrotechniki

Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Diody półprzewodnikowe cz II

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe

Wykład V Złącze P-N 1

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym

Urządzenia półprzewodnikowe

3. Prąd elektryczny. 3.1Prąd stały. 3.2Równanie ciągłości, 3.3Prawo Ohma. 3.4Prawa Kirchhoffa. 3.5Łączenie oporów

Temat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej.

Elementy przełącznikowe

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1

Badanie diod półprzewodnikowych

Base. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

I. Przełączanie diody

Budowa. Metoda wytwarzania

Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI

C d u. Po podstawieniu prądu z pierwszego równania do równania drugiego i uporządkowaniu składników lewej strony uzyskuje się:

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki. Badanie zasilaczy ze stabilizacją napięcia

ψ przedstawia zależność

1 OPTOELEKTRONIKA 3. FOTOTRANZYSTOR

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

4.2. Obliczanie przewodów grzejnych metodą dopuszczalnego obciążenia powierzchniowego

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

1 Sygnały. Zad 1. Wyznacz wartość średnią, średnia wyprostowaną i skuteczną sygnałów przedstawionych na rysunkach.

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

1 Sygnały. Zad 1. Wyznacz wartość średnią, średnia wyprostowaną i skuteczną sygnałów przedstawionych na rysunkach 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Badanie diod półprzewodnikowych

Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Układy elektroniczne I Przetwornice napięcia

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład 4 Metoda Klasyczna część III

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI


ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEKTRONIKA ELM001551W

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Teoria Przekształtników - Kurs elementarny

Układy zasilania tranzystorów

Regulatory. Zadania regulatorów. Regulator

Diody półprzewodnikowe

Podstawy elektrotechniki

( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

4. OBLICZANIE REZYSTANCYJNYCH PRZEWODÓW I ELEMENTÓW GRZEJ- NYCH

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

WYZNACZANIE STOSUNKU ŁADUNKU ELEKTRONU DO STAŁEJ BOLTZMANNA

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa

ĆWICZENIE NR 43 U R I (1)

Diody półprzewodnikowe

Pole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu) (1.1) (1.2a)

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

1

Pole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu)

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Złożone struktury diod Schottky ego mocy

J14. Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE

Przedmiotowy system nauczania z fizyki dla klasy II gimnazjum

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

19. Zasilacze impulsowe

WENTYLACJA i KLIMATYZACJA 2. Ćwiczenia nr 1

Pole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu)

5. Tranzystor bipolarny

DOBÓR PRZEKROJU ŻYŁY POWROTNEJ W KABLACH ELEKTROENERGETYCZNYCH

Ćwiczenie C1 Diody. Wydział Fizyki UW

Ćwiczenie 5. Nieliniowe obwody rezonansowe

Transkrypt:

KEM GÓCZO-HTCZ M. STSŁW STSZC W KKOWE Wyział nformayki, Elekroniki i Telekomunikacji Kaera Elekroniki ELEMETY ELEKTOCZE r inż. Pior ziurzia paw. C-3, pokój 43; el. 67-27-02, pior.ziurzia@agh.eu.pl r inż. reneusz Brzozowski paw. C-3, pokój 52; el. 67-27-24, ireneusz.brzozowski@agh.eu.pl ZŁĄCZE p-n charakerysyka - wpływ emperaury, przebicie złącza, pojemność złącza i inne EiT 206 r. P&B 2

206-03-22 Ch-ka prąowo-napięciowa WPŁYW TEMPETY Kierunek zaporowy Temperaurowy współczynnik prąu rewersyjnego nasycenia S nośników mniejszościowych: ln S TW S S T ni2 T 3 exp Eg 0 / kt TW S T E E ln 3 ln T g 0 3 g 0 T kt T kt la krzemu o Eg=,2eV w T=300K orzymujemy: TWS 5 %/K Temperaurowy współczynnik prąu generacyjnego TW G0 2T E 3 g 0 kt la krzemu o Eg=,2eV w T=300K orzymujemy: TWG0 7,5 %/K Wzglęne zmiany całkowiego prąu rewersyjnego zwykle wynoszą nie więcej niż 9 %/K a każe 0K prą rewersyjny powaja się EiT 206 r. Elemeny elekroniczne - złącze p-n P&B 3 Ch-ka prąowo-napięciowa WPŁYW TEMPETY Kierunek przewozenia F nt Zakres prąów yfuzyjnych, gy n ( =F) wey: S exp zaem: TW TW S F T q F S exp kt F T TW S F TW F T T F T T T T poencjał elekroermiczny Temperaurowy współczynnik napięcia przewozenia TW F F EiT 206 r. P&B F F T 3nk g 0 F T q cons 2mV / K Elemeny elekroniczne - złącze p-n 4 2

Ch-ka prąowo-napięciowa WPŁYW TEMPETY T -2mV/K T na każe 0K prą powaja się EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n 5 ioa jako ermomer EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 6 3

206-03-22 PZEBCE ZŁĄCZ p-n Gwałowny wzros prąu po przekroczeniu pewnego napięcia polaryzującego złącze zaporowo przebicie Zenera przebicie lawinowe przebicie cieplne EiT 206 r. Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie P&B 7 PZEBCE ZEE Pole elekryczne w cienkiej warswie zaporowej może wyrwać elekron z wiązania kowalencyjnego aomów sieci krysalicznej jonizacja elekrosayczna emisja wewnęrzna (zjawisko Zenera). <0 P Jnu Jnu EC Przejście unelowe elekronów l 2 s ( B ) q p+-n: >> wzros koncenracji omieszek węższa warswa zaporowa złącza EC EF EF EV Jpu Jpu EiT 206 r. P&B mniejsza szerokość bariery poencjału ławiejsze unelowanie nośników EV Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 8 4

206-03-22 PZEBCE LWOWE Silne pole elekryczne rozpęza swobony nośnik o prękości pozwalającej na rozerwanie wiązań kowalencyjnych w sieci krysalicznej jonizacja zerzeniowa powielanie lawinowe. <0 P B + aężenie pola elekrycznego musi być rzęu 05 V/cm Fp Współczynnik powielania lawinowego: M Fn B m B napięcie przebicia złącza m współczynnik, la Si: 2 6 Gęsość prąu: J J 0 M J0 gęsość prąu prze przebiciem EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 9 PZEBCE ZŁĄCZ p-n napięcie przebicia 𝑼𝑩𝑹 𝑾𝒈 <4 𝒒 la krzemu rozaj przebicia 𝑼𝑩𝑹 < 5V Zenera 𝑾𝒈 𝑾𝒈 𝟒 𝑼𝑩𝑹 𝟔 𝟓V < 𝑼𝑩𝑹 < 7V 𝒒 𝒒 apięcie przebicia [V] 𝑼𝑩𝑹 < 6 𝑾𝒈 𝒒 𝑼𝑩𝑹 > 7V Zenera i lawinowe lawinowe Przebicie lawinowe Przebicie Zenera Koncenracja omieszek w obszarze bazy [cm-] EiT 206 r. P&B Zróło: Figure 26 in Physics of Semiconucor evices, Secon Eiion, S.M. Sze, John Wiley an Sons, ew York, 98, p.0 Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 0 5

Przebicie Zenera WPŁYW TEMPETY na napięcie przebicia T E g unelowy Przebicie lawinowe T ampliua rgań aomów sieci prawopoobieńswo zerzeń roga swobona energia kineyczna nośników powielanie lawinowe lawinowy EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie WPŁYW TEMPETY na napięcie przebicia ( Z ) Temperaurowy współczynnik napięcia przebicia TW Z Z Z T określa wzglęne zmiany napięcia przebicia o emperaury EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie 2 6

WPŁYW TEMPETY na napięcie przebicia przebicie Zenera przebicie lawinowe T T TW Z < 0 TW Z > 0 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n 3 PZEBCE TEMCZE po wpływem wzrosu emperaury rośnie prą rewersyjny złącza pogrzewanie i alszy wzros prąu oanie sprzężenie zwrone uszkozenie złącza w skuek przegrzania EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: przebicie cieplne 4 7

8 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: pojemność 5 Pojemność złączowa powsaje w obszarze zubożonym, laego ominuje przy polaryzacji zaporowej złącza l - szerokość obszaru zubożonego powierzchnia przekroju złącza l p n x n0 p0 x 0 Gęsość łaunku x x n0 x p0 q q qx n Q 0 qx p Q 0 2 2 B q l w sanie równowagi, przy braku polaryzacji zewnęrznej 2 2 B q l przy polaryzacji zewnęrznej napięciem p n qx qx Q 0 0 n l x 0 p l x 0 VETE POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POJEMOŚĆ ZŁĄCZOW EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: pojemność 6 POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POJEMOŚĆ ZŁĄCZOW 2 2 B l q Q u Q C 2 2 2 B B j q Q C j l C Ską my o znamy? m B j j C C 0 2 m 3 m la złączy skokowych la złączy liniowych la złącza (p + -n) >>, laego xn0 l, xp0 0, wówczas: 2 2 2 B j q C wniosek: na posawie pomiaru pojemności złączowej można określić koncenrację omieszki słabiej omieszkowanego obszaru (u: ypu n) C j C j0 B 2 2 B q l

POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POJEMOŚĆ YFZYJ Pojemność yfuzyjna ominuje przy polaryzacji złącza w kierunku przewozenia, wynika z opóźnienia zmian napięcia wzglęem zmian prąu Zakłaamy złącze ypu (p + -n), czyli: >>, laego xn0 l, xp0 0 p n rozkła nośników p Q p p p n e xn Lp Cały rozkła łaunków jes onawiany zięki wsrzykiwaniu łaunków przez przepływający prą. W innym przypaku ów rozkła zanikałby na skuek rekombinacji po śrenim czasie życia ziur τp w maeriale ypu n. Q p Q p Q p q 0 p x x n n x n C Q p p T Ską my o znamy? EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: pojemność 7 POJEMOŚĆ ZŁĄCZ POSMOWE zaporowy kierunek pracy złącza przewozenia ominuje pojemność złączowa C j >C Związana jes z gromazeniem łaunku w warswie zubożonej ominuje pojemność yfuzyjna C >>C j Związana z przepływem prąu yfuzyjnego C j0 C j C Q p p T B C j0 C j m B EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne - złącze p-n: pojemność 8 9

PZEŁĄCZE OY EFEKTY YMCZE E M -E E EF EF F Δ s f Przełączanie prąowe jeżeli: r r s M EF E r la m=/2,58c j0 EF 0.7V EF 0.7V F r S F eg r r s,25 C j0 la m=/3 F i E r C j ln C j ln 2 0. 69C j E 0.7V jeżeli EF>>0.7V i EF=E u E 0.7V rise ime r s ln sorage ime F off s f f 2. 2C j falling ime EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze p-n: efeky ynamiczne 9 ZŁĄCZE p-n moelowanie EiT 206 r. P&B 20 0

MOELE O MOELE SYMBOLCZE schemay zasępcze ELOWE wielkosygnałowe LOWE małosygnałowe STTYCZE YMCZE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne moele io 2 MOELE O MOEL WELKOSYGŁOWY, STTYCZY ównanie Shockleya T ( ) e S lub: ( ) G0 e r 2 S T S e r T S o ELOWE zależności wiążące prą i napięcie ioy r () serowane źróło prąowe (wg jenego z powyższych równań) r S r rezysancja upływu (la kierunku zaporowego) r S rezysancja szeregowa EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne wielkosygnałowy moel ioy 22

MOELE O MOEL WELKOSYGŁOWY, YMCZY zjawiska ynamiczne są reprezenowane przez: pojemność złączową C j i yfuzyjną C r () C j r S C EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne wielkosygnałowy moel ioy 23 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KOKTCJ O EGLOWEJ WTOŚC i 2 2 P 2 punk pracy P(, ) i u i u i P 2 g skłaowa sała skłaowa zmienna i u i u g u u g i u g 2 i u 2 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa złączowa 2

206-03-22 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, LOWY WG: jeśli zmiany napięcia i prąu ioy bęą małe o ELOWĄ ch-kę można lokalnie LEYZOWĆ w ooczeniu punku pracy i + PP i u u = + sin() EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne małosygnałowy moel ioy 25 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, LOWY i syczna w punkcie pracy i S e u n T r u i (, ) nt S nt /r PP u zwykle n = i r T k C Ską my o znamy? Q p p T r k r r S moel la kierunku przewozenia EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne małosygnałowy moel ioy 26 3

MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, YMCZY r C j r S r rezysancja ynamiczna r S rezysancja szeregowa C j pojemność złączowa C pojemność yfuzyjna C pulsacja graniczna gr r C j. wey, gy spaek napięcia na złączu jes porównywalny ze spakiem napięcia na rezysancji szeregowej (r S ) S j EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa prosownicza 27 MOELE O MOEL MŁOSYGŁOWY, LOWY PZYKŁ ioa krzemowa pracuje przy prązie = 0m. Obliczyć rezysancję sayczną i ynamiczną, przeyskuować wyniki zależności mięzy ymi rezysancjami. i ezysancja sayczna: T ezysancja ynamiczna: r 0m /r PP u la ioy krzemowej można przyjąć = 0,6V i poencjał elekroermiczny 26mV la T=300K. są: = 0,6V/0m = 60, r = 26mV/0m = 2,6. / Jak bęzie wygląać zależność /r w funkcji napięcia ioy (czyli położenia punku pracy na ch-ce)? EiT 205 r. P&B Elemeny elekroniczne małosygnałowy moel ioy 28 4

206-03-22 OY POSTOWCZ, STBLZCYJ, TELOW, ŚWECĄC, EiT 206 r. P&B 29 O POSTOWCZ Wykorzysuje fak jenokierunkowego przepływu prąu przez złącze p-n Paramery: maksymalny prą przewozenia maksymalne napięcie rewersyjne maksymalna moc sra (amisyjna) Pmax prą rewersyjny upływu rezysancja ermiczna h maksymalna emperaura złącza Tjmax ypowa pojemność złączowa inne EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa prosownicza 30 5

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE PZEBEGÓW PĘCOWYCH ETEKTO SZCZYTOWY BMK OOW OGCZK OOWY POSTOWK POWELCZE PĘC POMP ŁKOW i inne EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 3 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH POSTOWK JEOPOŁÓWKOWY Mała ampliua ęnień gy spełniony jes warunek: i LC L >> T E L E L L CL T EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 32 6

ESET 206-03-22 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH POSTOWK WPOŁÓWKOWY E T E CL L L EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 33 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH ETEKTO WTOŚC SZCZYTOWEJ we C V V Z we V ESET eekory warości szczyowej pozwalają mierzyć wolomierzem prąu sałego warość ampliuy przebiegów zmiennych. Pojemność C łaowana jes przez ioę, uża rezysancja wewnęrzna wolomierza uniemożliwia jej szybkie rozłaowanie. Krókorwałe zwarcie przycisku ESET powouje rozłaowanie pojemności z małą sałą czasową τ=zc i przygoowanie ukłau o nowych pomiarów. EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 34 7

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ () WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes iealna. WY WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 35 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ () WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes iealna. WY WE Gy, WE 0, o: ioa przewozi. WY = WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 36 8

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ () WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes iealna. WY WE Gy, WE 0, o: ioa przewozi. Gy, WE < 0, o: ioa nie przewozi. WY = 0 WY = WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 37 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ (2) 0,7V WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes prawie iealna. WY 0,7V Gy, WE 0,7V, o: ioa przewozi. Gy, WE < 0,7V, o: ioa nie przewozi. WY = 0 WE 0,7V WE 0,7V WY =0 WY = WE 0,7V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 38 9

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ (3) WE WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa nie jes iealna. WY 0,7V /r WE EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 39 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE CHKTEYSTYK PZEJŚCOWEJ (4) WE 2 WY arysuj ch-kę przejściową WY = f( WE ) ukłau zakłaając, że ioa jes prawie iealna. WY WE EiT 205 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 40 20

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH KSZTŁTOWE PZEBEGÓW PĘCOWYCH WE WE WY 4 m m2 m3 WY m4 2 2 5 3 3 6 m: przewozi () m= m2: przewozi (,, 2) m2=(2)/(+2) m3: przewozi (,, 2, 2, 3) m3=(2 3)/(+2 3) 4 m4: przewozi (,, 2, 3, 2, 3, 4) m4=(2 3 4)/(+2 3 4) EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 4 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH EMOLCJ M EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 42 2

O STBLZCYJ Wykorzysuje owracalne przebicie złącza o mechanizmie Zenera i/lub lawinowym. Paramery: napięcie sabilizacji Z (częso nazywane napięciem Zenera) emperaurowy współczynnik napięcia sabilizacji rezysancja ynamiczna r z maksymalna moc sra (amisyjna) P max prą rewersyjny upływu rezysancja ermiczna h maksymalna emperaura złącza T jmax EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 43 O STBLZCYJ EZYSTCJ YMCZ r Z Z Z Z Z ( Z, Z ) Określa własności sabilizacyjne ioy nachylenie ch-ki w zakresie przebicia Zależność TW Z i rezysancji ynamicznej o napięcia sabilizacyjnego ysunek zaczerpnięo z S. Kua Elemeny i ukłay elekroniczne, GH 2000 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 44 22

O STBLZCYJ EZYSTCJ YMCZ hp://www.aasheecaalog.org/aashee/goo-ark/bzx85c6v8.pf EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 45 O STBLZCYJ OPSZCZL MOC STT P MX P max określa maksymalną moc jaka może się wyzielić w iozie przy określonej emperaurze. Zwykle, w kaalogach, poawana przy emperaurze obuowy T amb =25 o C P max T j max T h amb Przekroczenie opuszczalnej mocy najczęściej powouje uszkozenie ioy przez przegrzanie EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa sabilizacyjna 46 23

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC WE Z Sabilizaor parameryczny bez obciążenia WE Z WY iealna charakerysyka ioy sabilizacyjnej WY Z WE Z Z Z F Z WE F la ioy krzemowej wynosi ok. 0,7V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 47 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC WE Z L Sabilizaor parameryczny z obciążeniem WE WY Z Z Z Z P P L L WY WE WEZ Z Z WE L iealna charakerysyka ioy sabilizacyjnej Z P Z F F la ioy krzemowej wynosi ok. 0,7V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 48 24

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC we Wpływ zmian napięcia wejściowego na napięcie wyjściowe przy L=cons rzeczywisa charakerysyka ioy sabilizacyjnej u WE WE u we Z L u WY WY u wy (skłaowa sała i zmienna) u WY P( WE, WY ) Z u wy Z u WE P r Z P Z L u we EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 49 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC Wpływ zmian napięcia wejściowego na napięcie wyjściowe u we r Z u wy u wy rz u r Z we EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 50 25

OY W KŁCH ELEKTOCZYCH PMETYCZY STBLZTO PĘC Wpływ zmian rezysancji obciążenia L na napięcie wyjściowe przy WE=cons zeczywisa charakerysyka ioy Zenera u WE cons. Z L u WY WY u wy uwy Z? P r T L EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie ioy sabilizacyjnej 5 OY W KŁCH ELEKTOCZYCH OGCZK PĘC WE WE WY WY +3.0V +0.7V -0.7V -3.0V WE 4,3V 6,8V WY WE WY +0.0V +5.0V -7.5V -0.0V EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne zasosowanie io 52 26

O TELOW ioa Esakiego powsaje ze złącza wóch zegenerowanych półprzewoników p ++ n ++. Półprzewonik zegenerowany o aki, w kórym poziom koncenracji omieszki zbliża się o koncenracji aomów maeriału. p n EF EC E EV EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa unelowa 53 O TELOW r<0 -r EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa unelowa 54 27

O ELEKTOLMESCECYJ B l Ga n V C Si Ge Sn V P s Sb ekombinacja promienisa (luminescencja) GaP -V lp ls GaP Gas GaSb EC S Zn EV Eg=2,26eV hv=2,2ev zielone EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa świecąca 55 O ELEKTOLMESCECYJ LGHT EMTTG OE E 0,7 2,5 EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne ioa świecąca 56 28

ZŁĄCZE m-s (meal półprzewonik) O SCHOTTKY EGO EiT 206 r. P&B 57 ZŁĄCZE METL-PÓŁPZEWOK Połączenie srukury półprzewonikowej z końcówkami elemenu (oprowazenia) ma być niskorezysancyjne nie wpływać na charakerysykę - elemenu jes w pewnych warunkach może powsać złącze prosujące może eż być niskorezysancyjne EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s 58 29

ZŁĄCZE m-s Praca wyjścia W energia porzebna na przeniesienie elekronu z poziomu Fermiego o nieskończoności (W - W F ) Powinowacwo elekronowe - praca wyjścia z poziomu minimalnej energii w paśmie przewonicwa E C energia elekronu w próżni W M S W S E C E F WM W S E i E F E V meal półprzewonik ypu n EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s 59 ZŁĄCZE m-s połączenie myślowe WM W S Elekrony ławo przechozą z półprzewonika o mealu q B q 0 E C E F E V 0 poencjał konakowy B bariera poencjału meal półprzewonik n opóki ich ruch nie zosanie powsrzymany przez pole elekryczne o gromazących się łaunków S Z równania Poissona: 2 S 0 S q EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s 60 30

ZŁĄCZE m-s KOTKT OMOWY Przy polaryzacji napięciem : S 2 S ( 0 ) q q B unelowanie E C E F S n+ n E V może wysąpić unelowanie uraa własności prosujących złącza meal S półprzewonik n Żeby wykonać konak omowy musi być opowienia koncenracja omieszek EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s: konak omowy 6 ZŁĄCZE m-s O SCHOTTKY ego ioa Schoky ego o prosujące złącze meal półprzewonik symbol graficzny: zaley: mniejsze napięcie przewozenia (ok. 0,3V), mała pojemność (prakycznie brak pojemności yfuzyjnej) way: uży prą rewersyjny, małe napięcie przebicia zasosowanie: ukłay impulsowe pracujące z użymi częsoliwościami eekcja sygnałów mikrofalowych ukłay cyfrowe TTL-LS EiT 206 r. P&B Elemeny elekroniczne złącze m-s: ioa Schoky ego 62 3