Ćwiczenie 5. Nieliniowe obwody rezonansowe

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Ćwiczenie 5. Nieliniowe obwody rezonansowe"

Transkrypt

1 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8. Wstęp Ćwiczenie 5 Nieliniowe obwoy rezonansowe Obwó rezonansowy zawierający konensator o nieliniowej pojemności lub inuktor o nieliniowej inukcyjności wykazuje omienne właściwości niż obwó rezonansowy liniowy. Kształt krzywej rezonansowej i częstotliwość rezonansowa zmieniają się w unkcji amplituy pobuzenia. W praktyce obwoy tego typu najczęściej są wykorzystywane w ukłaach iltrów przestrajanych napięciowo. Wprowaza się wtey o obwou rezonansowego ioę pojemnościową (in. warikap, waraktor) i poprzez zmianę napięcia polaryzacji wstecznej ioy uzyskuje się zmianę pojemności ioy, a więc i zmianę częstotliwości rezonansowej obwou. Dioa pojemnościowa jest jenak elementem nieliniowym co powouje, że kształt krzywej rezonansowej i częstotliwość rezonansowa obwou są oatkowo uzależnione o amplituy sygnału. Celem ćwiczenia jest zbaanie właściwości nieliniowego obwou rezonansowego z ioami pojemnościowymi. Na kształt krzywej rezonansowej przestrajanego obwou mają wpływ: nieliniowość charakterystyk ió pojemnościowych, wartość polaryzującego je napięcia, amplitua sygnału w obwozie. Znajomość zjawisk zachozących w nieliniowym obwozie rezonansowym i umiejętność analizowania takiego obwou jest niezbęna la prawiłowego zaprojektowania obwoów przestrajanych napięciowo jak np. obwoów wejściowych i obwoów heteroyny obiorników raiowych i telewizyjnych.. Postawy teoretyczne.. Dioa pojemnościowa Dioa pojemnościowa jest zbuowana ze złącza półprzewonikowego p-n. Z teorii złącza półprzewonikowego wiaomo, że przy polaryzacji w kierunku zaporowym wystąpi na złączu łaunek warstwy zaporowej zależny o napięcia na złączu w następujący sposób ( p) p K Q p (5.) gzie jest potencjałem kontaktowym złącza, zaś wykłanik p jest stałą zależną o proilu rozkłau omieszek w złączu. Z zależności (5.) wyznacza się wzór na pojemność różniczkową złącza C Q( ) K p (5.) Zależność analityczna (5.) obrze aproksymuje charakterystyki uzyskiwane w roze pomiarów.

2 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 Przykłaowo la ioy BB pomierzoną zależność pojemności o napięcia wykreślono na rys.5. linią ciągłą. K BB A 9pF C Równoważna szeregowa rezystancja strat 5kHz r s 75pF 6pF 5pF pf Aproksymacja (5.) 5pF pC pc P Q 5pC Q 6pC Rys. 5.. Charakterystyki ioy pojemnościowej BB

3 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 Zależność analityczna (5.) przyjmie la tej ioy postać C k, C C C k (5.) gzie C k 8pF,, p. Zależność (5.) została wykreślona na rys. 5. linią przerywaną i jak wiać aproksymuje ona z ostateczną okłanością wyniki pomiarów. Zależność łaunku o napięcia wyprowaza się całkując wyrażenie (5.), ską Q( ) Ck ln( ) (5.) Jeżeli ioa zostanie spolaryzowana ujemnym napięciem, to wokół punktu pracy P (, Q ) zmiany łaunku q w unkcji napięcia v (gzie Q Q q, v) wyrażą się zależnością v q( v) C ln k (5.5) W celu zmoyikowania kształtu charakterystyk nieliniowych q v łączy się większą liczbę ió. Najprostszym możliwym połączeniem jest połączenie przeciwsobne (A-K-K-A) i szeregowe (A-K-A-K) wóch ientycznie spolaryzowanych ió pojemnościowych (rys. 5.). a) v q v v A K K A v e q C k v e q C k b) v q v v A K A K v e v e q C k q C k Rys. 5.. Połączenia wóch ió pojemnościowych: a) połączenie przeciwsobne; b) połączenie szeregowe Dla połączenia przeciwsobnego zachozi zależność

4 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 q( v) C 5 v v v v Ck 6 arsh (5.6) k przy czym szereg potęgowy jest zbieżny la v pojemnościowych analogiczna zależność ma postać q( v) C. Dla połączenia szeregowego ió v v v v Ck ( ln (5.7) ( k gzie szereg potęgowy jest zbieżny la v ( ). Przykła 5.. Dla ioy BB spolaryzowanej napięciem napięcia (5.5) przyjmuje postać zależność łaunku o q ( v),8 ln (5.8) 9 v Dla wóch ientycznych ió spolaryzowanych napięciem przeciwsobnie ze wzoru (5.6) otrzymuje się i połączonych 9 v 5 q ( v),8 arsh 5pF ( v,v,9v ) (5.9) natomiast przy połączeniu szeregowym ze wzoru (5.7) otrzymuje się 9 v q ( v),8 ln( ) 5pF ( v,5v,8v ) (5.).. Analiza nieliniowego obwou rezonansowego Przemiotem analizy jest nieliniowy równoległy obwó rezonansowy z nieliniową pojemnością (rys. 5.). j t J cost vt L i C q qv C v v q v Rys. 5.. Równoległy obwó rezonansowy z nieliniową pojemnością Obwó ten jest opisany nieliniowym równaniem różniczkowo-całkowym

5 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 5/8 L t v( t) v( ) v( t) C( v) j( t) (5.) t które może być rozwiązane jeną z wielu znanych meto analizy nieliniowych obwoów elektrycznych. O analizowanym obwozie nieliniowym wiaomo, że występujące w nim przebiegi w stanie ustalonym są okresowe, a ominującą skłaową jest pierwsza harmoniczna. W tym przypaku ogoną metoą analizy jest metoa jenoharmonicznej unkcji opisującej. Metoa ta pozwala wyznaczyć przybliżone wartości amplitu i az pierwszych harmonicznych przebiegów w obwozie w stanie ustalonym, z pominięciem procesów przejściowych. W metozie tej okonuje się aproksymacji elementu nieliniowego la pierwszej harmonicznej, zastępując element nieliniowy równoważnym elementem, którego parametry zależą o parametrów pobuzenia. Metoa jenoharmonicznej unkcji opisującej zostanie zastosowana o wyznaczenia równania krzywej rezonansowej obwou rezonansowego z rys. 5.. Niech charakterystyka nieliniowego elementu pojemnościowego w obwozie z rys. 5. bęzie opisana wielomianem trzeciego stopnia q q( v) C ( v a v a ) (5.) v Wówczas przy pobuzeniu napięciem harmonicznym ˆ jt v( t) cost Re( e ) prą płynący przez element pojemnościowy jest opisany zależnością i C q v( t) ( t) C a sin t Ca sin t C a sin t (5.) t Zakłaając, że ominuje pierwsza harmoniczna (rugą i trzecią harmoniczną można pominąć) otrzymuje się i C jt ( ) sin Re Re( ˆ j t t C a t jc a e Ie ) (5.) Jenoharmoniczna unkcja opisująca jest zeiniowana jako stosunek amplituy zespolonej opowiezi prąowej o amplituy zespolonej pobuzenia i jest w tym przypaku susceptancją elementu pojemnościowego Iˆ YC jbc j C a (5.5) ˆ Susceptancja ta różni się o susceptancji la elementu liniowego tym, że jest uzależniona o amplituy pobuzenia. Znajomość amitancji poszczególnych elementów obwou z rys. 5. pozwala napisać równanie krzywej rezonansowej J Y J B B C L Q a J (5.6)

6 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 6/8 gzie C Q C L, Analogicznie wyznacza się charakterystykę azową la nieliniowego obwou rezonansowego arctg arctg ) ( a Q B B L C (5.7) Truność wykreślenia krzywej rezonansowej na postawie równania (5.6) polega na tym, że zależność amplituy pierwszej harmonicznej napięcia w obwozie rezonansowym o pulsacji jest unkcją uwikłaną ), ( J a Q (5.8) Kształt krzywej rezonansowej można ocenić wyznaczając położenie ekstremów krzywej rezonansowej wzglęem zmiennej i. Przyrównując o zera pochoną ), ( a Q Q (5.9) wyznacza się położenie ekstremów wzglęem zmiennej, zaś przyrównując o zera pochoną ) ( ), ( a a Q a Q (5.) wyznacza się położenie ekstremów wzglęem zmiennej. Rozwiązanie równania (5.9) prowazi o wyznaczenia pulsacji rezonansowej obwou J a r max max, (5.) Rozwiązanie równania wukwaratowego (5.) jest trune, ale jego postać wskazuje na to, że w zależności o wartości współczynników rozwiązanie albo nie istnieje, albo istnieją wa oatnie rozwiązania. Ustalenia te pozwalają naszkicować kształt krzywej rezonansowej. Na rys. 5. naszkicowano całą rozinę krzywych rezonansowych.

7 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 7/8 max J a, J, Rys. 5.. Kształt krzywej rezonansowej obwou z nieliniową pojemnością r Dla pobuzeń o wzglęnie małej amplituzie, zależność (5.) opisująca element nieliniowy jest w przybliżeniu liniowa i obwó można traktować jako liniowy, o pulsacji rezonansowej r. Przy zwiększeniu amplituy pobuzenia J wzrasta też amplitua napięcia i uwioczni się eekt nieliniowości pojemności. Przyjmując, że wartość współczynnika a jest ujemna a, ze wzrostem maleje eektywna wartość pojemności (patrz zależność (5.5)), pulsacja rezonansowa wzrasta zgonie z zależnością (5.), a krzywa rezonansowa przechyla się w prawo. y współczynnik a jest oatni, to należy spoziewać się przy wzroście amplituy pobuzenia wzrostu eektywnej wartości pojemności, malenia pulsacji rezonansowej i przechylania się krzywej rezonansowej w lewo. Krzywa rezonansowa może przechylić się na tyle silnie, że jej zbocze bęzie wklęśnięte. Ma to miejsce la takich parametrów Q,, a, la których istnieją rozwiązania oatnie równania (5.), gyż występują wtey ekstrema krzywej rezonansowej wzglęem zmiennej. Uwioczni się wówczas charakterystyczna la rezonansu nieliniowego histereza krzywej rezonansowej (rys.5.5). max J a D A C B p p Rys Histereza krzywej rezonansowej obwou z nieliniową pojemnością

8 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 8/8 Przy pomiarze krzywej rezonansowej w warunkach zwiększania pulsacji generatora pomiarowego, uzyskuje się ocinek krzywej o o punktu A. W punkcie A, bęącym punktem ekstremum krzywej rezonansowej wzglęem zmiennej U, następuje gwałtowny przeskok amplituy o punktu B przy stałej pulsacji p i alszy pomiar obywa się w prawo o punktu B. Przy pomiarze krzywej rezonansowej w warunkach zmniejszania pulsacji generatora pomiarowego, uzyskuje się ocinek krzywej o punktu B o C. W punkcie C, bęącym rugim punktem ekstremum krzywej rezonansowej wzglęem zmiennej U, następuje gwałtowny przeskok amplituy o punktu D przy stałej pulsacji p i alszy pomiar obywa się w lewo o punktu D. Na skutek istnienia pętli histerezy nie jest możliwe zmierzenie ocinka A-C krzywej rezonansowej... Metoa wykreślania krzywej rezonansowej Krzywa rezonansowa jest opisana równaniem uwikłanym (5.8). Wprowazając oznaczenie J /, równanie to przyjmie postać max max a Q (5.) Równość (5.) ogoniej jest rozwiązać wzglęem zmiennej niż wzglęem zmiennej U. Istnieją wa oatnie rozwiązania o postaci gzie, b b a a a max b Q ( a ) (5.) Obliczając częstotliwości, ze wzoru (5.) la wybranych wartości amplituy napięcia z przeziału wyznacza się owolną liczbę punktów krzywej rezonansowej. max Przykła 5.. Niech ioa pojemnościowa BB bęzie spolaryzowana napięciem. Wówczas zgonie z przykłaem 5. wzór (5.9), la wóch ió połączonych przeciwsobnie jest C 5pF, a,. Zakłaa się, że jest konstruowany równoległy obwó rezonansowy o inukcyjności L mh i równoległej rezystancji strat R 5 r kω. Częstotliwość własna i obroć tego obwou (la ) są opowienio równe

9 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 9/8 Rr C 7,5kHz, Q Rr,5 L C L L Niech obwó bęzie pobuzony sterowanym źrółem prąowym o konuktancji wzajemnej g, ms, przy napięciu generatora. Wówczas maksymalna amplitua m napięcia w obwozie rezonansowym (występująca w rezonansie) równa się max g mg Rr 5 Ponieważ współczynnik a, jest ujemny, to zgonie z zależnością (5.) częstotliwość rezonansowa r jest większa niż częstotliwość własna g r a max 6,kHz Wyniki obliczeń krzywej rezonansowej przeprowazonych za pomocą wzoru (5.) zestawiono w tabeli 5.. Uzyskane rezultaty wykreślono na rys Linią przerywaną wykreślono też la porównania krzywą rezonansową obwou liniowego a. Tabela 5.. Wyniki obliczeń la obwou rezonansowego z ioami połączonymi przeciwsobnie [] a b [khz] [khz] 5,5,5,5,5,5,85,85,875,95,998,955,9688,985,99,9985,8,857,55,898,7,86,57,75,886 r 56,595 5,5899 5,599,7 6,8987,86 8,8598,57,856 r 6, ,659 5,889 5,67 9,7789 9,599 5,855 56,8 75,6

10 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 5 7,5 khz 6,kHz r khz p p Rys Krzywa rezonansowa obwou z ioami pojemnościowymi BB połączonymi przeciwsobnie Przykła 5.. Analizowany bęzie obwó przy ientycznych założeniach jak w przykłazie 5. z tą różnicą, że ioy są połączone szeregowo. W tym przypaku współczynnik a,8 jest oatni i częstotliwość rezonansowa r jest mniejsza niż częstotliwość własna r a max,khz Wyniki obliczeń krzywej rezonansowej przeprowazonych za pomocą wzoru (5.) zestawiono w tabeli 5., a krzywą rezonansową wykreślono na rys Tabela 5.. Wyniki obliczeń la obwou rezonansowego z ioami połączonymi szeregowo [] a b [khz] [khz] 5,5,5,5,5,5,9,59,96,9,,975,6,5,56,9,79,,88,699,5,96,7,55,87 r 5,5,66,78 8,69,955,6756,587 8,9775,5 r 8,665,7,677 6,97,7 7,96,7 5,989 7,57

11 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 5 r,khz 7,5 khz khz p p Rys Krzywa rezonansowa obwou z ioami pojemnościowymi BB połączonymi szeregowo Z przeprowazonej analizy wynika, że stosując ioy pojemnościowe w przestrajanych napięciowo obwoach rezonansowych nie można opuścić o wystąpienia zbyt użych sygnałów, gyż spowoują one eormację krzywej rezonansowej i rozstrojenie obwou rezonansowego. Jest korzystne stosowanie użego ujemnego napięcia polaryzacji ioy la zmniejszenia eektu nieliniowego (maleją współczynniki a i ), przy czym w przypaku łączenia wóch ió korzystniejsze jest po tym wzglęem połączenie przeciwsobne o połączenia szeregowego.. Opis zestawu ćwiczeniowego.. Opis baanego obwou Schemat ieowy baanego obwou oraz jego schemat zastępczy zamieszczono na rys. 5.8.

12 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 v g t v g t WE WE k k nf,9k g m Schemat zastępczy ukłau BF7 khz k mh F g m v g,ms Q L t 9 L mh R r BB 56k 5k M M M WY Cv Pomiar WY nf S M F 6 P k nf Przeciwsobnie Szeregowo Rys Schemat ukłau z baanym obwoem rezonansowym z ioami pojemnościowymi BB Tranzystor BF7 realizuje prąowe źróło sterowane o konuktancji wzajemnej g, ms. W obwozie kolektora znajuje się równoległy obwó rezonansowy o m zastępczej równoległej rezystancji strat R r 5 k. Dwie ioy pojemnościowe BB realizują nieliniową pojemność obwou rezonansowego. Dioy te są łączone przeciwsobnie lub szeregowo za pomocą przełącznika S. Każa ioa jest spolaryzowana tym samym napięciem ujemnym regulowanym potencjometrem P. Zakres regulacji napięcia wynosi la połączenia przeciwsobnego - i la połączenia szeregowego -. Obwó zmontowano na płytce obwou rukowanego. Napięcia zasilające są oprowazone o płytki z zewnętrznego zasilacza za pośrenictwem przełużacza zakończonego z obu stron złączami wielokontaktowymi... Zestaw pomiarowy i metoa pomiaru Zestaw pomiarowy o baania nieliniowego obwou rezonansowego pokazano na rys.5.9.

13 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 Częstościomierz cyrowy Woltomierz cyrowy L6 Oscyloskop katoowy enerator Płytka z baanym obwoem Sona Zasilacz L Rys Schemat blokowy ukłau pomiarowego Napięcie polaryzacji ió ustawia się obserwując wskazania woltomierza cyrowego połączonego o katoy górnej ioy BB, przy czym w trakcie tego pomiaru należy ołączyć generator pobuzający obwó. Oscyloskop katoowy z soną służy o obserwacji napięcia na obwozie rezonansowym. Z jego pomocą orysowuje się kształt przebiegu napięciowego w rezonansie oraz oczytuje amplituę przebiegu zmieniającą się w unkcji częstotliwości. enerator przebiegu sinusoialnego jest połączony o wejścia baanego obwou, a jenocześnie o częstościomierza cyrowego pozwalającego precyzyjnie oczytać częstotliwość generowanego przebiegu w trakcie przestrajania generatora.. Program wykonania ćwiczenia A) PRZYOTOWANIE ĆWICZENIA. Wybierz napięcie polaryzacji ió pojemnościowych,,, lub,. Oblicz parametry C, a nieliniowej charakterystyki (5.) elementu pojemnościowego la wóch ió BB połączonych przeciwsobnie i szeregowo.. Oblicz i wykreśl krzywe rezonansowe la przypaku ió BB połączonych przeciwsobnie i spolaryzowanych napięciem jak w punkcie A. Przyjmij, że napięcie z generatora ma amplituę g =, i.. Oblicz i wykreśl krzywe rezonansowe la przypaku ió BB połączonych szeregowo i spolaryzowanych napięciem jak w punkcie A. Przyjmij, że napięcie z generatora ma amplituę g =, i. B) EKSPERYMENTY I POMIARY. Zrealizuj obwó rezonansowy z ioami BB połączonymi przeciwsobnie. Spolaryzuj ioy napięciem jak w punkcie A. Zmierz krzywą rezonansową przy napięciu generatora g = (ustaw takie g, przy którym na wyjściu max = 5). Nanieś wyniki pomiarów we wspólnym ukłazie współrzęnych z wynikami obliczeń z punktu A. Zanotuj

14 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 /8 częstotliwości przeskoku p, p i orysuj kształt napięcia w rezonansie. Zmierz krzywą rezonansową przy napięciu generatora g =, (ustaw takie g, przy którym na wyjściu max = ). Nanieś wyniki pomiarów we wspólnym ukłazie współrzęnych z poprzenimi wynikami, uzyskując w ten sposób rozinę krzywych rezonansowych.. Zrealizuj obwó rezonansowy z ioami BB połączonymi szeregowo. Spolaryzuj ioy napięciem jak w punkcie A. Zmierz krzywą rezonansową przy napięciu generatora g = (ustaw takie g, przy którym na wyjściu max = 5). Nanieś wyniki pomiarów we wspólnym ukłazie współrzęnych z wynikami obliczeń z punktu A. Zanotuj częstotliwości przeskoku p, p i orysuj kształt napięcia w rezonansie. Zmierzy krzywą rezonansową przy napięciu generatora g =, (ustaw takie g, przy którym na wyjściu max = ). Nanieś wyniki pomiarów we wspólnym ukłazie współrzęnych z poprzenimi wynikami, uzyskując w ten sposób rozinę krzywych rezonansowych.. Wykaż możliwość użycia baanego obwou jako przestrajanego napięciem obwou rezonansowego. W tym celu przy stałym napięciu generatora g zmierz i wykreśl we wspólnym ukłazie współrzęnych trzy krzywe rezonansowe la trzech owolnych napięć polaryzacji. Wybierz takie połączenie ió pojemnościowych (przeciwsobnie lub szeregowo) oraz takie napięcie generatora g, które należy uznać za opuszczalne i zalecane la przestrajanego napięciem obwou rezonansowego w obiorniku raiowym. C) OPRACOWANIE WYNIKÓW I DYSKUSJA. Porównaj wyniki obliczeń i pomiarów krzywych rezonansowych przy przeciwsobnym połączeniu ió z punktu A i B. Porównaj kształty krzywych rezonansowych, częstotliwości rezonansowe, częstotliwości przeskoków. Przeyskutuj wpływ zastosowanych meto analizy i meto pomiarowych na występujące rozbieżności.. Porównaj wyniki obliczeń i pomiarów krzywych rezonansowych przy szeregowym połaczeniu ió z punktu A i B, w sposób poobny jak w punkcie C.. Wykaż, że konuktancja wzajemna czwórnika WE-WY obwou z rys.5.8 ma wartość g m =,ms.. yby zmierzono charakterystykę azową nielinowego obwou rezonansowego, to czym różniłaby się ona o charakterystyki azowej liniowego obwou rezonansowego? 5. Wykaż, że jeśli charakterystyka amplituowa (azowa) nieliniowego obwou rezonansowego ma pętlę histerezy, to nie jest możliwe zmierzenie pewnego ocinka charakterystyki. 6. Uzasanij wybór rozaju połączenia ió pojemnościowych i wartości napięcia generatora g okonany w punkcie B. 7. Wymień przynajmniej trzy wskazówki la projektantów obwoów rezonansowych przestrajanych napięciowo z użyciem ió pojemnościowych, bęące wnioskami płynącymi z wykonanego ćwiczenia. 8. Poaj przykłay zastosowań obwoów przestrajanych napięciowo, w których zastosowano ioy pojemnościowe. 5. Komputerowe przygotowanie ćwiczenia CW.5 P. NIELINIOWE OBWODY REZONANSOWE, POLACZENIE PRZECIWSOBNE *PIERWSZA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=-. FO=7.5kHz Q=.5 MAX=5

15 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 5/8 E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran. 5..PROBE () ().END DRUA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=-. FO=7.5kHz Q=.5 MAX=.5 E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran..5..probe () ().END TRZECIA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=-. FO=7.5kHz Q=.5 MAX= E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran...probe () ().END

16 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 6/8 K Polaczenie przeciwsobne K max= o=- a=-. o=7khz Q=.5 K o=7khz p=5khz max=.5 max=5 6K p=6khz 8K K ()/ ()/ Time/s* Rys. 5.. Krzywe rezonansowe obwou z ioami pojemnościowymi połączonymi przeciwsobnie (wykres jest obrócony o 9 ) CW.5 P. NIELINIOWE OBWODY REZONANSOWE, POLACZENIE SZEREOWE *PIERWSZA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=.8 FO=7.5kHz Q=.5 MAX=5 E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran. 5..PROBE () ().END DRUA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=.8 FO=7.5kHz Q=.5 MAX=.5 E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran..5..probe () ().END TRZECIA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=.8 FO=7.5kHz Q=.5 MAX=

17 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 7/8 E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran...probe () ().END 8K K p=khz max=5 K p=khz max=.5 K 6K o=7khz max= Polaczenie szeregowe: o=- a=.8 o=7khz Q=.5 8K ()/ ()/ Time/s* Rys. 5.. Krzywe rezonansowe obwou z ioami pojemnościowymi połączonymi szeregowo (wykres jest obrócony o 9 ) CW.5 P. NIELINIOWE OBWODY REZONANSOWE, PRZESTRAJANIE NAPIECIOWE *PIERWSZA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=-. FO=7.5kHz Q=.5 MAX= E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran...probe () ().END DRUA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=-.86 FO=8.8kHz Q=.98 MAX= E ALUE={+.75*A*TIME*TIME}

18 Anrzej Leśnicki Laboratorium Sygnałów Analogowych, Ćwiczenie 5 8/8 RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran...probe () ().END TRZECIA KRZYWA REZONANSOWA.PARAM A=-.67 FO=65.6kHz Q= MAX= E ALUE={+.75*A*TIME*TIME} RE ohm E ALUE={+((MAX/(TIME+.))*(MAX/(TIME+.))-)/(*Q*Q*())} RE ohm EF ALUE={FO*SQRT((()-SQRT(()*()-))/())} REF ohm EF ALUE={FO*SQRT((()+SQRT(()*()-))/())} REF ohm.tran...probe () ().END K K o=7khz o=-, Co=5pF K o=-., Co=9pF 5K o=9khz 6K o=65khz o=-.5, Co=6pF 7K 8K ()/ ()/ Time/s* Rys. 5.. Krzywe rezonansowe obwou z ioami pojemnościowymi przestrajanego napięciowo (wykres jest obrócony o 9 )

WYKŁAD nr Ekstrema funkcji jednej zmiennej o ciągłych pochodnych. xˆ ( ) 0

WYKŁAD nr Ekstrema funkcji jednej zmiennej o ciągłych pochodnych. xˆ ( ) 0 WYKŁAD nr 4. Zaanie programowania nieliniowego ZP. Ekstrema unkcji jenej zmiennej o ciągłych pochonych Przypuśćmy ze punkt jest punktem stacjonarnym unkcji gzie punktem stacjonarnym nazywamy punkt la którego

Bardziej szczegółowo

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor) 14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie A/C i C/A

Przetwarzanie A/C i C/A Przetwarzanie A/C i C/A Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 Rev. 204.2018 (KS) 1 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z przetwornikami: analogowo-cyfrowym

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych

Bardziej szczegółowo

4.2 Analiza fourierowska(f1)

4.2 Analiza fourierowska(f1) Analiza fourierowska(f1) 179 4. Analiza fourierowska(f1) Celem doświadczenia jest wyznaczenie współczynników szeregu Fouriera dla sygnałów okresowych. Zagadnienia do przygotowania: szereg Fouriera; sygnał

Bardziej szczegółowo

2.Rezonans w obwodach elektrycznych

2.Rezonans w obwodach elektrycznych 2.Rezonans w obwodach elektrycznych Celem ćwiczenia jest doświadczalne sprawdzenie podstawowych właściwości szeregowych i równoległych rezonansowych obwodów elektrycznych. 2.1. Wiadomości ogólne 2.1.1

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI OBWODY REZONANSOWE ZESPÓŁ ABORATORIÓW TEEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TEEKOMUNIKAJI W TRANSPORIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POITEHNIKI WARSZAWSKIEJ ABORATORIUM EEKTRONIKI INSTRUKJA DO ĆWIZENIA NR OBWODY REZONANSOWE DO UŻYTKU WEWNĘTRZNEGO

Bardziej szczegółowo

Uśrednianie napięć zakłóconych

Uśrednianie napięć zakłóconych Politechnika Rzeszowska Katedra Metrologii i Systemów Diagnostycznych Laboratorium Miernictwa Elektronicznego Uśrednianie napięć zakłóconych Grupa Nr ćwicz. 5 1... kierownik 2... 3... 4... Data Ocena I.

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

I= = E <0 /R <0 = (E/R)

I= = E <0 /R <0 = (E/R) Ćwiczenie 28 Temat: Szeregowy obwód rezonansowy. Cel ćwiczenia Zmierzenie parametrów charakterystycznych szeregowego obwodu rezonansowego. Wykreślenie krzywej rezonansowej szeregowego obwodu rezonansowego.

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.

Bardziej szczegółowo

TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM

TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM AKADEMIA MORSKA Katedra Telekomunikacji Morskiej ĆWICZENIE 7 BADANIE ODPOWIEDZI USTALONEJ NA OKRESOWY CIĄG IMPULSÓW 1. Cel ćwiczenia Obserwacja przebiegów wyjściowych

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych

Bardziej szczegółowo

WYZANCZANIE STAŁEJ DIELEKTRYCZNEJ RÓŻNYCH MATERIAŁÓW. Instrukcja wykonawcza

WYZANCZANIE STAŁEJ DIELEKTRYCZNEJ RÓŻNYCH MATERIAŁÓW. Instrukcja wykonawcza ĆWIZENIE 108 WYZANZANIE STAŁEJ DIELEKTRYZNEJ RÓŻNYH MATERIAŁÓW Zaganienia Prawo Gaussa, pole elektrostatyczne, pojemność konensatora, polaryzacja ielektryczna, łączenie konensatorów Instrukcja wykonawcza

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe

Ćwiczenie - 9. Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Ćwiczenie - 9 Wzmacniacz operacyjny - zastosowanie nieliniowe Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Przebieg ćwiczenia 2 2.1 Wyznaczanie charakterystyki przejściowej U wy = f(u we ) dla ogranicznika napięcia

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Wartość średnia półokresowa prądu sinusoidalnego I śr : Analogicznie określa się wartość skuteczną i średnią napięcia sinusoidalnego:

Wartość średnia półokresowa prądu sinusoidalnego I śr : Analogicznie określa się wartość skuteczną i średnią napięcia sinusoidalnego: Ćwiczenie 27 Temat: Prąd przemienny jednofazowy Cel ćwiczenia: Rozróżnić parametry charakteryzujące przebieg prądu przemiennego, oszacować oraz obliczyć wartości wielkości elektrycznych w obwodach prądu

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Ćw. III. Dioda Zenera

Ćw. III. Dioda Zenera Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy

LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie AC i CA

Przetwarzanie AC i CA 1 Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Elektroniki Katedr Przetwarzanie AC i CA Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego opracował: Łukasz Buczek 05.2015 1. Cel ćwiczenia 2 Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

E1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA

E1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA E1. OBWODY PRĄDU STŁEGO WYZNCZNIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁ tekst opracowała: Bożena Janowska-Dmoch Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch ładunków elektrycznych wywołany

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

LABORATORIUM ELEKTRONIKI LABOATOIM ELEKTONIKI ĆWICENIE 1 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS

Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych

Bardziej szczegółowo

Regulacja dwupołożeniowa.

Regulacja dwupołożeniowa. Politechnika Krakowska Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Zakład eorii Sterowania Regulacja dwupołożeniowa. Kraków Zakład eorii Sterowania (E ) Regulacja dwupołożeniowa opis ćwiczenia.. Opis

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Obwód prądu stałego RL i RC stany nieustalone. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Obwód prądu stałego RL i RC stany nieustalone. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Obwód prądu stałego RL i RC stany nieustalone. Cel ćwiczenia Zrozumienie znaczenia stałej czasu w obwodzie RL. Poznanie zjawiska ładowania rozładowania w obwodzie RL Zrozumienie znaczenia

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY. Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Badanie układów aktywnych część II

Badanie układów aktywnych część II Ćwiczenie nr 10 Badanie układów aktywnych część II Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z czwórnikami aktywnymi realizowanymi na wzmacniaczu operacyjnym: układem różniczkującym, całkującym i przesuwnikiem azowym,

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania Jacek Grela, Radosław Strzałka 3 maja 9 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach.

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Badanie wzmacniacza operacyjnego Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1

Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1 Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......

Bardziej szczegółowo

Ćw. 27. Wyznaczenie elementów L C metoda rezonansu

Ćw. 27. Wyznaczenie elementów L C metoda rezonansu 7 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J P R A C O W N I A F I Z Y K I Ćw. 7. Wyznaczenie elementów L C metoda rezonansu Wprowadzenie Obwód złożony z połączonych: kondensatora C cewki L i opornika R

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości

Bardziej szczegółowo

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α 2 CEL ĆWCENA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi oraz waŝniejszymi parametrami technicznymi diod stabilizacyjnych Są to diody krzemowe przeznaczone min do zastosowań

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

13 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J

13 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J 3 K A T E D R A F I ZYKI S T O S O W AN E J P R A C O W N I A P O D S T A W E L E K T R O T E C H N I K I I E L E K T R O N I K I Ćw. 3. Wyznaczenie elementów L C metoda rezonansu Wprowadzenie Obwód złożony

Bardziej szczegółowo

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia: Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:

Bardziej szczegółowo

Imię i nazwisko (e mail): Rok: 2018/2019 Grupa: Ćw. 5: Pomiar parametrów sygnałów napięciowych Zaliczenie: Podpis prowadzącego: Uwagi:

Imię i nazwisko (e mail): Rok: 2018/2019 Grupa: Ćw. 5: Pomiar parametrów sygnałów napięciowych Zaliczenie: Podpis prowadzącego: Uwagi: Wydział: EAIiIB Imię i nazwisko (e mail): Rok: 2018/2019 Grupa: Zespół: Data wykonania: LABORATORIUM METROLOGII Ćw. 5: Pomiar parametrów sygnałów napięciowych Zaliczenie: Podpis prowadzącego: Uwagi: Wstęp

Bardziej szczegółowo

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa

Bardziej szczegółowo

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima 2010 L ABOATOIM KŁADÓW ANALOOWYCH rupa:... Data konania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:... Nazwisko:......... Data oddania sprawozdania: Podpis:...

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Badanie właściwości multipleksera analogowego Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera

Bardziej szczegółowo

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI

I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 0 Cel ćwiczenia: Poznanie cech wzmacniaczy operacyjnych oraz charakterystyk opisujących wzmacniacz poprzez przeprowadzenie pomiarów dla wzmacniacza odwracającego. Program ćwiczenia. Identyfikacja

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW. Stany nieustalone

LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW. Stany nieustalone Politechnika Warszawska Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW Ćwiczenie nr 4 Stany nieustalone opracował: dr inż. Wojciech Kazubski

Bardziej szczegółowo

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze różnicowe

Wzmacniacze różnicowe Wzmacniacze różnicowe 1. Cel ćwiczenia : Zapoznanie się z podstawowymi układami wzmacniaczy różnicowych zbudowanych z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych. 2. Wprowadzenie Wzmacniacze różnicowe są naj

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI Ćwiczenie nr Temat ćwiczenia:. 2. 3. Imię i Nazwisko Badanie filtrów RC 4. Data wykonania Data oddania Ocena Kierunek

Bardziej szczegółowo

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF

U 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

PROTOKÓŁ POMIARY W OBWODACH PRĄDU PRZEMIENNEGO

PROTOKÓŁ POMIARY W OBWODACH PRĄDU PRZEMIENNEGO PROTOKÓŁ POMIAROWY LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 4 Lp. Nazwisko i imię Data wykonania ćwiczenia Prowadzący ćwiczenie Podpis Data oddania sprawozdania Temat

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Własności i charakterystyki czwórników

Własności i charakterystyki czwórników Własności i charakterystyki czwórników nstytut Fizyki kademia Pomorska w Słupsku Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności i charakterystyk czwórników. Zagadnienia teoretyczne. Pojęcia podstawowe

Bardziej szczegółowo

Sposoby opisu i modelowania zakłóceń kanałowych

Sposoby opisu i modelowania zakłóceń kanałowych INSTYTUT TELEKOMUNIKACJI ZAKŁAD RADIOKOMUNIKACJI Instrukcja laboratoryjna z przedmiotu Podstawy Telekomunikacji Sposoby opisu i modelowania zakłóceń kanałowych Warszawa 2010r. 1. Cel ćwiczeń: Celem ćwiczeń

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Tranzystory w pracy impulsowej

Tranzystory w pracy impulsowej Tranzystory w pracy impulsowej. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości impulsowych tranzystorów. Wyniki pomiarów parametrów impulsowych tranzystora będą porównane z parametrami obliczonymi.

Bardziej szczegółowo

E 6.1. Wyznaczanie elementów LC obwodu metodą rezonansu

E 6.1. Wyznaczanie elementów LC obwodu metodą rezonansu E 6.1. Wyznaczanie elementów LC obwodu metodą rezonansu Obowiązujące zagadnienia teoretyczne: INSTRUKACJA WYKONANIA ZADANIA 1. Pojemność elektryczna, indukcyjność 2. Kondensator, cewka 3. Wielkości opisujące

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo