Cel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
|
|
- Aniela Sobczak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia obejmuje pomiary dla diody krzemowej oraz diody Zenera. Podstawowe informacje Złącze p-n (positive-negative) złącze dwóch półprzewodników o różnych typach przewodnictwa. Działanie tego złącza polega na wykorzystaniu faktu, że w obszarze typu n istnieje nadmiar swobodnych elektronów, natomiast w obszarze typu p nadmiar dziur elektronowych. Przy kontakcie obydwu obszarów następuje wypełnienie dziur elektronami swobodnymi tworząc zaporową barierę potencjałów. Poprzez dołączenie do przewodnika typu p dodatniego bieguna źródła napięcia, oraz ujemnego do przewodnika typu n, spowodujemy pokonanie bariery potencjału, sprawiając, że nośniki prądu będą mogły się swobodnie poruszać na granicy tych dwóch obszarów. Zamiana biegunowości spowoduje odpływ dziur oraz elektronów od złącza, gdzie wystąpi brak nośników prądu i w rezultacie zatrzymanie przewodzenia w tzw. kierunku zaporowym. Diody, to niewielkie struktury półprzewodnikowe, zawierające odpowiednio obudowane złącze p-n (lub złącze m-s metal-półprzewodnik, w diodach Schottky ego) wraz z dwoma wyprowadzeniami. Budowa istniejących diód opiera się na różnych rozwiązaniach konstrukcyjno-technologicznych, co zapewnia im różne parametry elektryczne. Jednak charakterystyka prądowo-napięciowa każdej diody jest zbliżona do charakterystyk idealnego złącza p-n, opisanej wzorem: I =I S[ eu exp mkt ] 1 (1) I prąd płynący przez złącze, I s prąd wsteczny nasycenia, U napięcie na złączu (wartościom dodatnim odpowiada kierunek przewodzenia), T temperatura złącza w skali Kelvina, k stała Boltzmanna, e ładunek elektronu, m bezwymiarowy parametr, który przyjmuje wartości z przedziału od 1 do 2. Podczas analizowania rzeczywistych złączy należy wziąć pod uwagę różnice jakie zostaną spowodowane rezystancją szeregowa złącza, rezystancją upływu, procesami generacji i rekombinacji nośników oraz przebiciem złącza. Rezystancją szeregową złącza nazywamy sumę rezystancji generujących spadki napięć w obszarach n, p oraz na stykach i doprowadzeniach diody. Jej wpływ jest widoczny przy dużych prądach płynących przez diodę, czyli dla kierunku przewodzenia i zakresu przebicia złącza. Rezystancją upływu określamy, wynikającą z defektów regularnej struktury oraz występowania zjawisk powierzchniowych, rezystancję równoległą do rezystencji obszaru złącza. Prąd ten dodaje się do prądu płynącego przez idealne złącze p-n, zwiększając jego wartość. Rezystancja upływu jest zazwyczaj bardzo duża i jej wpływ na charakterystykę diody uwidacznia się podczas polaryzacji w kierunku zaporowym. Procesy generacji zjawisko polegające na generowaniu dodatkowych ładunków podczas polaryzacji w kierunku zaporowym, tworząc przepływ dodatkowej składowej prądu -prąd generacyjny, który jest o kilka rzędów wyższy od wstecznego prądu nasycenia, decydują o wypadkowym prądzie wstecznym w diodzie krzemowej. Procesy rekombinacji zjawisko polegające na rekombinacji dodatkowych ładunków polaryzacji w kierunku przewodzenia tworząc przepływ dodatkowej składowej prądu -prąd rekombinacyjny Przebicie złącza - objawia się szybkim wzrostem wartości prądu płynącego w kierunku zaporowym, po przekroczeniu pewnej wartości napięcia polaryzującego. Przebicie może zostać wywołane przez dwa czynniki: jonizację elektrostatyczną wyróżniamy wtedy tzw. przebicie Zenera. Zachodzi ono dla niskich napięć (dla krzemu już poniżej 5V), co jest konsekwencją silnego domieszkowania złącz; jonizacją zderzeniową wyróżniamy wtedy tzw. przebicie lawinowe, typowe dla złącz słabiej domieszkowanych, przy wyższych napięciach (dla krzemu powyżej 7V) Obydwa czynniki mogą występować jednocześnie (co dla krzemu ma miejsce przy napięciu około 6V).
2 Należy pamiętać również, zgodnie z wzorem (1), że właściwości diód są zależne od temperatury. I tak w zakresie temperatury -20 O C 80 O C (250K 350K): przy wzroście temperatury spada napięcie na złączu diody; spadek napięcia na złączu w stanie przewodzenia maleje o ok. 20mV przy wzroście temperatury o 10K; wsteczny prąd nasycenia wzrasta blisko dwukrotnie przy wzroście temperatury o 10K; przy wzroście temperatury maleje napięcie przebicia Zenera, a intensywność zmian zależy od wartości napięcia przebicia. Zmiany temperatury przeważnie są wywołane przepływem zbyt dużym prądu przewodzenia lub przebicia przez diodę. Badanymi przez nas diodami są dioda krzemowa oraz dioda Zenera. Dioda krzemowa dioda wykorzystująca jako półprzewodnik krzem. Z racji użytego materiału przewodzi pracuje poprawnie tylko przy małych prądach- jej napięcie przewodzenia przeważnie zawiera się w zakresie od około 0,5V do 0,8V. Po przekroczeniu wcześniej ustalanej wartośći granicznej, dioda ulega zniszczeniu, co sprawiło, że dioda tego typu znalzała szerokie zastosowanie. Dioda Zenera dioda wykorzystująca dotychczasową wadę diód, czyli przekroczenie wartośći napięcia wstecznego, przy którym następuje przebicie, czyli gwałtowny wzrost wartośći napięcia. Napięcie to, w przeciwieństwie do innych diód ma ściśle określoną wartość i nazywane jest napięciem Zenera (UZ). Zastosowanie tej diody polega ny wykorzystaniu faktu, że duże zmiany prądu wraz małymi zmianami napięcia stabilizują ogólne napięcie całej diody. Jej wadą natomiast, jest duży wpływ temperatury na jej charakterystykę przewodzenia. Dioda Zenera używana jest głównie do stabilizacji napięcia oraz jako element zabezpieczający i przeciwprzepięciowy. Wykaz aparatury pomiarowej spis aparatury użytej dnia nr inwentarzowy multimetr METEX M-4650 J3-M-1/10 multimetr METEX M-4650 J3-T zasilacz DF1731SB3A J3-T6-258/1 moduł D-09 Tabela 1. Spis użytej aparatury
3 Wyniki pomiarów oraz analiza wyników Pomiary dokonywane były za pomocą woltomierza i amperomierza wpiętych w gotowy moduł D-09, zawierający komplet diód przeznaczonych do pomiarów, podłączony do zasilacza stabilizowanego DF1731SB3A Schemat 1. Układ pomiarowy składający się z modułu D-09 oraz przyrządów pomiarowych V woltomierz (multimetr METEX M-4650); A amperomierz (multimetr METEX M-4650); P 1 potencjometr zapewniający płynną regulację napięcia; D 1 dioda germanowa; D 2 dioda krzemowa; D 3 dioda Zenera; D 4 diody Schottky ego; Na schemacie zaznaczono wartość napięć zasilających układ Pomiary, zgodnie z instrukcją zostały wykonane tylko dla diód D2 oraz D3. Po sprawdzeniu poprawności połączeń, wybraniu odpowiednich nastawów urządzeń pomiarowych i uzyskaniu zgody od prowadzącego na włączenie zasilacza dokonaliśmy pomiarów kolejno dla diody D 2 oraz D 3.
4 Otrzymaliśmy następujące wyniki: a) dla diody D 2 : symbol diody D 2 kierunek zaporowy kierunek przewodzenia Lp. U ΔU I ΔI U ΔU I ΔI [V] ±[V] [μa] ±[μa] [V] ±[V] [ma] ±[ma] 1 0,000 0,003 0,00 0,03 0,425 0,003 0,01 0,03 2-0,116 0,003-0,01 0,03 0,488 0,003 0,09 0,03 3-0,207 0,003-0,02 0,03 0,512 0,003 0,19 0,03 4-0,302 0,003-0,03 0,03 0,529 0,003 0,32 0,03 5-0,398 0,003-0,04 0,03 0,544 0,003 0,48 0,03 6-0,504 0,003-0,05 0,03 0,562 0,003 0,78 0,03 7-0,606 0,003-0,06 0,03 0,596 0,003 1,88 0,04 8-0,749 0,003-0,07 0,03 0,607 0,003 2,48 0,04 9-0,798 0,003-0,08 0,03 0,630 0,003 4,39 0, ,875 0,003-0,09 0,03 0,637 0,003 5,27 0, ,928 0,003-0,10 0,03 0,646 0,003 6,55 0, ,416 0,004-0,14 0,03 0,662 0,003 9,94 0, ,387 0,005-0,34 0,03 0,671 0,003 12,58 0, ,965 0,006-0,50 0,03 0,684 0,003 17,43 0, ,004 0,006-0,60 0,03 0,697 0,003 23,87 0, ,101 0,006-0,61 0,03 0,704 0,003 29,06 0, ,993 0,006-0,70 0,03 0,712 0,003 35,27 0, ,958 0,007-0,80 0,03 0,721 0,003 44,76 0, ,762 0,007-0,88 0,03 0,729 0,003 55,10 0, ,740 0,003 73,4 0,4 21 0,740 0,003 73,5 0,4 Tabela 2. Wyniki pomiarów dla diody D 2 nastawy urządzeń pomiarowych dla diody D 2 : amperomierz: 200mA DC dla kierunku przewodzenia; 200μA DC dla kierunku zaporowego; woltomierz: 20V DC;
5 b) dla diody Zenera D 3 : symbol diody D 3 kierunek zaporowy kierunek przewodzenia Lp. U ΔU I ΔI U ΔU I ΔI [V] ±[V] [μa] ±[μa] [V] ±[V] [ma] ±[ma] 1 0,000 0,003 0,00 0,03 0,507 0,003 0,01 0,03 2-0,126 0,003-0,01 0,03 0,557 0,003 0,06 0,03 3-0,453 0,003-0,05 0,03 0,584 0,003 0,16 0,03 4-0,627 0,003-0,01 0,03 0,591 0,003 0,21 0,03 5-0,714 0,003-0,16 0,03 0,596 0,003 0,25 0,03 6-0,818 0,003-0,31 0,03 0,605 0,003 0,36 0,03 7-0,882 0,003-0,49 0,03 0,621 0,003 0,68 0,03 8-0,936 0,004-0,77 0,03 0,629 0,003 0,89 0,03 9-1,107 0,004-1,41 0,03 0,633 0,003 1,05 0, ,104 0,004-2,27 0,04 0,635 0,003 1,12 0,04 [V] ±[V] [ma] ±[ma] [V] ±[V] [ma] ±[ma] 11-1,143 0,004-0,01 0,03 0,646 0,003 1,67 0, ,651 0,004-0,05 0,03 0,655 0,003 2,36 0, ,932 0,004-0,16 0,03 0,659 0,003 2,75 0, ,110 0,004-0,31 0,03 0,662 0,003 3,05 0, ,219 0,004-0,50 0,03 0,669 0,003 3,96 0, ,334 0,004-0,67 0,03 0,679 0,003 5,80 0, ,434 0,004-0,93 0,03 0,682 0,003 6,36 0, ,600 0,004-1,53 0,04 0,685 0,003 7,41 0, ,853 0,004-3,07 0,05 0,692 0,003 9,34 0, ,093 0,004-5,63 0,06 0,700 0,003 12,59 0, ,252 0,005-8,17 0,07 0,707 0,003 16,42 0, ,425 0,005-12,15 0,09 0,711 0,003 18,22 0, ,550 0,005-16,04 0,11 0,723 0,003 28,30 0,17 Tabela 3. Wyniki pomiarów dla diody Zenera D 3 nastawy urządzeń pomiarowych dla diody D 2 : amperomierz: 200mA DC dla kierunku przewodzenia; 200μA DC dla kierunku zaporowego do wartości -2,27 μa; 200mA DC dla kierunku zaporowego powyżej wartości -2,27 μa; woltomierz: 20V DC; Na podstawie uzyskanych danych wykonaliśmy wykresy charakterystyki prądowo-napięciowej diody krzemowej D 2 w skali liniowej:
6 I [ma] ,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 U [V] Wykres 1. Charakterystyka prądowo-napięciowa dla diody D 2 w dla kierunku przewodzenia 0,0-0,1-0,2-0,3-0,4 I [μa] -0,5-0,6-0,7-0,8-0,9-1, U [V] Wykres 2. Charakterystyka prądowo-napięciowa dla diody D 2 w dla kierunku zaporowego
7 Wykonaliśmy również wykres w skali liniowej charakterystyk diody Zenera D 3 wraz z wyznaczeniem napięcia Zenera dla tej diody. Napięcie Zenera można wyznaczyć poprzez określenie go na podstawie charakterystyki prądowo-napięciowej. Oznaczenie maksymalnego, dopuszczalnego i zmierzonego w kierunku zaporowym napięcia jako I zmax oraz natężenia I zmin równego 0,05* I zmax, poprowadzenie przez te dwa punkty prostej umożliwia odczytanie napięcia Zenera zaznaczonego przez przecięcie owej prostej z osią napięć. Przyjmujemy: I zmax = -16,04mA I zmin = 0,05 (-16,04mA) = -0,80mA Wykres 3. Charakterystyka prądowo-napięciowa dla diody Zenera D 3 Z wykresu możemy odczytać przybliżoną wartość napięcia Zenera U Z = (-2,2 ± 0,2) V Dokładność zmierzonej wartości, odczytanej z wykresu jest dość kontrowersyjna. Aby uzyskać dokładniejszy pomiar należałoby przeprowadzić pomiary na szerszym zakresie napięcia, zbliżając I zmax do wartości granicznej, uzyskując tym samym bardziej stromą prostą wyznaczającą napięcie Zenera.
8 Wykreśliliśmy również charakterystykę w układzie półlogarytmicznym w kierunki przewodzenia, dla diody D 2 : Wykres 4. Charakterystyka diody D 2 w układzie półlogarytmicznym ln(i) ~ U Z wykresu odczytujemy zakres stałego nachylenia charakterystyki, który wynosi około: od 5,96V do 0,740V W celu wyznaczenia dokładniejszego zakresu charakterystyki należałoby, w przewidywanych końcach zakresu, zwiększyć gęstość pomiarów. Aby wyznaczyć wartość bezwymiarowego parametru m należy zauważyć, że zależność ln(i)~u ma charakter liniowy: Możemy więc przyrównać do niego wzór: uzyskując zależność: e ładunek elektronu, ln I =au b (2) ln I = eu mkt ln I s, (3) m= e akt k stała Boltzmana (przyjmujemy k =8,617343*10-5 ev/k), T temperatura ( Zakładamy, że diody nie uległy nadmiernemu nagrzaniu, więc możemy przyjąć: T = temperaturze pokojowej = 22 o C (295 o K)), a współczynnik kierunkowy nachylenia (wyznaczony za pomocą metody najmniejszych kwadratów). (4) Współczynnik regresji liniowej a obliczamy ze wzoru:
9 (5) (6) Stąd: gdzie odchylenie standardowe a liczymy ze wzoru: a = (26,9 ± 0,3) 1 K,, (7) (8) Wartość parametru bezwymiarowego wynosi: Gdzie błąd liczymy ze wzoru: ev m= 26,9± 0,3 1 = 1,46 ± 0,02 K 8, ev 295K Δz= Δy y 1 A (9) y Δy A liczba dokładna Wnioski Otrzymane wyniki pozawalają skatalogować badane diody jako: D 2 dioda krzemowa 1N4001; D 3 dioda Zenera BZP620-C4V3 Wyniki pomiarów pokrywają się z wartościami przedstawionymi przez producentów w kartach katalogowych. Ewentualne błędy w pomiarach są spowodowane nagrzewaniem się diód, oraz brakiem doświadczenia dokonujących pomiary. W przypadku powtarzania pomiarów należałoby zwrócić większą uwagę na rozplanowanie punktów pomiarowych (zwłaszcza w przypadku diody D 3, dla której brak pomiarów z okolicy wartości granicznej uniemożliwił precyzyjne wyznaczenie charakterystycznej wartości napięcia Zenera) otrzymując większy ich zakres, oraz gęstość w przewidywanych newralgicznych miejscach. Ćwiczenie należałoby również przeprowadzić sprawniej, nie dopuszczając do nadmiernego nagrzewania się diód, gdyż zmiana temperatury ma niebagatelny wpływ na charakterystyki diód (zwłaszcza diodę Zenera). Literatura Bogdan Żółtowski, Wprowadzenie do zajęć laboratoryjnych z fizyki, Skrypt Politechniki Łódzkiej, Łódź Karty katalogowe diod strona internetowa Laboratorium Podstaw Elektroniki.
Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E02IS. Diody. Wersja 2.0 (21 lutego 2018)
Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E02IS Diody Wersja 2.0 (21 lutego 2018) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia...3 2. Zagrożenia...3 3. Wprowadzenie teoretyczne...3 4. Dostępna aparatura...5 4.1. Moduł doświadczalny...5
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowostr. 1 d. elektron oraz dziura e.
1. Półprzewodniki samoistne a. Niska temperatura b. Wzrost temperatury c. d. elektron oraz dziura e. f. zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne g. Krzem i german 2. Półprzewodniki domieszkowe a. W półprzewodnikach
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Panel z ogniwami 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza 2. Oświetlacz 3. Woltomierz napięcia stałego 4. Miliamperomierz
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoE1. OBWODY PRĄDU STAŁEGO WYZNACZANIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁA
E1. OBWODY PRĄDU STŁEGO WYZNCZNIE OPORU PRZEWODNIKÓW I SIŁY ELEKTROMOTORYCZNEJ ŹRÓDŁ tekst opracowała: Bożena Janowska-Dmoch Prądem elektrycznym nazywamy uporządkowany ruch ładunków elektrycznych wywołany
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI
LABOATOIM ELEKTONIKI ĆWICENIE 1 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 2 DIODY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowo. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α
2 CEL ĆWCENA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi oraz waŝniejszymi parametrami technicznymi diod stabilizacyjnych Są to diody krzemowe przeznaczone min do zastosowań
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Bardziej szczegółowoLaboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoLI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne
LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Cztery identyczne diody oraz trzy oporniki o oporach nie różniących się od siebie o więcej niż % połączono szeregowo w zamknięty obwód elektryczny.
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 2 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE - DIODY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia
Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA
ZESPÓŁ LABORATORÓW TELEMATYK TRANSPORT ZAKŁAD TELEKOMNKACJ W TRANSPORCE WYDZAŁ TRANSPORT POLTECHNK WARSZAWSKEJ LABORATORM PODSTAW ELEKTRONK NSTRKCJA DO ĆWCZENA NR 2 DODA DO ŻYTK WEWNĘTRZNEGO WARSZAWA 2016
Bardziej szczegółowoBadanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera
23 kwietnia 2001 Ryszard Kostecki Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera Streszczenie Celem tej pracy jest zapoznanie się z tematyką i zbadanie diód krzemowej, germanowej, oraz
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 2 PRWO OHM. BDNIE DWÓJNIKÓW LINIOWYCH I NIELINIOWYCH . Cel ćwiczenia. - Zapoznanie się z właściwościami
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE
W S E i Z W WASZAWE WYDZAŁ.. LABOATOUM FZYCZNE Ćwiczenie Nr 10 Temat: POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ. PAWO OHMA Warszawa 2009 Prawo Ohma POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ Uporządkowany ruch elektronów nazywa się
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED)
Temat ćwiczenia: Badanie diod półprzewodnikowych i elektroluminescencyjnych (LED) - - ` Symbol studiów (np. PK10): data wykonania ćwiczenia - godzina wykonania ćwiczenia. Nazwisko i imię*: 1 Pluton/Grupa
Bardziej szczegółowoBadanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych
Instrukcja do ćwiczenia: Badanie półprzewodnikowych elementów bezzłączowych (wersja robocza) Laboratorium Elektroenergetyki 1 1. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: Poznanie podstawowych właściwości i
Bardziej szczegółowoTemat: Zastosowanie multimetrów cyfrowych do pomiaru podstawowych wielkości elektrycznych
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ WYDZIAŁ: KIERUNEK: ROK AKADEMICKI: SEMESTR: NR. GRUPY LAB: SPRAWOZDANIE Z ĆWICZEŃ W LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRYCZNEJ I ELEKTRONICZNEJ
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest zapoznanie z podstawami zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną,
Bardziej szczegółowoBadanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C1 Diody. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C1 Diody Streszczenie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i Układy Półprzewodnikowe
VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA
POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA ĆWICZENIE LABORATORYJNE NR 6 Temat: Pomiar zależności oporu półprzewodników
Bardziej szczegółowospis urządzeń użytych dnia moduł O-01
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoPomiar rezystancji metodą techniczną
Pomiar rezystancji metodą techniczną Cel ćwiczenia. Poznanie metod pomiarów rezystancji liniowych, optymalizowania warunków pomiaru oraz zasad obliczania błędów pomiarowych. Zagadnienia teoretyczne. Definicja
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoGrupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego:
Sprawozdanie z laboratorium elektroniki w Zakładzie Systemów i Sieci Komputerowych Temat ćwiczenia: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Sprawozdanie Rok: Grupa: Zespół:
Bardziej szczegółowoSprawozdanie z zajęć laboratoryjnych: Fizyka dla elektroników 2
Łukasz Przywarty 171018 Data wykonania pomiarów: 0.10.009 r. Sala: 4.3 Prowadząca: dr inż. Ewa Oleszkiewicz Sprawozdanie z zajęć laboratoryjnych: Fizyka dla elektroników Temat: Wyznaczanie gęstości ciał
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 43: HALOTRON
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 43: HALOTRON Cel
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 6 POMIARY REZYSTANCJI
ĆWICZENIE 6 POMIAY EZYSTANCJI Opracowała: E. Dziuban I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wdrożenie umiejętności poprawnego wyboru metody pomiaru w zależności od wartości mierzonej rezystancji oraz postulowanej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
Dioda półprzewodnikowa 4 Wydział Fizyki UW Pracownia Fizyczna i Elektroniczna - 2 - Instrukcja do ćwiczenia Dioda półprzewodnikowa 4 I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z różnymi rodzajami
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 241. Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) .. Ω.
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 241 Wyznaczanie ładunku elektronu na podstawie charakterystyki złącza p-n (diody półprzewodnikowej) Opór opornika
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą.
Ćwiczenie nr 9 Pomiar rezystancji metodą porównawczą. 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie różnych metod pomiaru rezystancji, a konkretnie zapoznanie się z metodą porównawczą. 2. Dane
Bardziej szczegółowoBADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU
Ćwiczenie E7 BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU Przyrzady: Przyrząd do badania zjawiska fotoelektrycznego, płytki absorbenta suwmiarka, fotoelementy (fotoopór, fotodioda, lub fototranzystor). Zjawisko
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY
ĆWICZENIE 91 EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY Instrukcja wykonawcza 1. Wykaz przyrządów 1. Monochromator 5. Zasilacz stabilizowany oświetlacza. Oświetlacz 6. Zasilacz fotokomórki 3. Woltomierz napięcia
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 8 Temat: Pomiar i regulacja natężenia prądu stałego jednym i dwoma rezystorem nastawnym Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 8 Temat: Pomiar i regulacja natężenia prądu stałego jednym i dwoma rezystorem nastawnym Cel ćwiczenia Właściwy dobór rezystorów nastawnych do regulacji natężenia w obwodach prądu stałego. Zapoznanie
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 2 OBWODY NIELINIOWE PRĄDU
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Pomiarów
Laboratorium Podstaw Pomiarów Ćwiczenie 5 Pomiary rezystancji Instrukcja Opracował: dr hab. inż. Grzegorz Pankanin, prof. PW Instytut Systemów Elektronicznych Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych
Bardziej szczegółowoSPRAWDZENIE PRAWA OHMA POMIAR REZYSTANCJI METODĄ TECHNICZNĄ
Laboratorium Podstaw Elektroniki Marek Siłuszyk Ćwiczenie M 4 SPWDZENE PW OHM POM EZYSTNCJ METODĄ TECHNCZNĄ opr. tech. Mirosław Maś niwersytet Przyrodniczo - Humanistyczny Siedlce 2013 1. Wstęp Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowo