Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe
|
|
- Miłosz Klimek
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe
2 Część pierwsza Diody - wprowadzenie
3 Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie Podstawowe równanie: AK R exp 1 mt proszczenia w zakresie przewodzenia dla diod małej i średniej mocy : m=1 i pomijamy we wzorze 1. Wtedy: R exp T AK
4 Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie
5 Diody półprzewodnikowe - Charakterystyka diody wprowadzenie F napięcie w kierunku przewodzenia (FORWARD) F prąd w kierunku przewodzenia R napięcie w kierunku zaporowym (REVERSE) R prąd w kierunku zaporowym
6 Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie
7 Diody półprzewodnikowe wpływ temperatury 1N4001 Wpływ temperatury na charakterystykę diody w kierunku przewodzenia
8 Diody półprzewodnikowe - parametry 1. Prąd przewodzenia F (forward) : - AV(M) (average) średni, maksymalny - RMS (root mean square) skuteczny - SM (surge maximum) impulsowy maksymalny, niepowtarzalny 2. Napięcie przewodzenia F (forward) 3. Prąd wsteczny R (reverse); (M) - maksymalny 4. Napięcie wsteczne R (reverse) : - RMM (repetitive reverse maksimum) maksymalne, powtarzalne - SM (surge maximum) impulsowe maksymalne 5. Czas powrotu t rr (recovery time)
9 Diody półprzewodnikowe - parametry nne parametry: 6. Szybkość narastania R d R /dt 7. Moc 8. Zakres temperatur pracy 9. Rezystancja cieplna
10 Diody półprzewodnikowe - parametry
11 Diody półprzewodnikowe - budowa
12 Diody półprzewodnikowe - budowa
13 proszczone modele stałoprądowe Model odcinkowo - liniowy
14 proszczone modele stałoprądowe Model o stałym spadku napięcia
15 proszczone modele stałoprądowe Model idealny
16 Modele diod nieliniowy model statyczny Dla polaryzacji w kierunku przewodzenia i zaporowej: A K r r S () 1 exp 1 2 exp T S T G m
17 Modele diod nieliniowy model statyczny Dla polaryzacji w kierunku przewodzenia: A () r S K R exp 1 mt R wypadkowy prąd wsteczny podawany w katalogach (typowa wartość dla Si A) m współczynnik niedoskonałości równy 1 do 2 R S G r S wypadkowa rezystancja szeregowa strat na złączach i doprowadzeniach równa 0...5
18 Nieliniowy model statyczny - zastosowania Zastosowania modelu: - obliczenia stałoprądowe (układów polaryzacji diody) - zależność na spadek napięcia na diodzie wyznaczona z równania na wartość prądu, pomijając -1 we wzorze: - zmiana napięcia na diodzie przy stałym prądzie 2mV/ 0 C - podwojenie wartości prądu wstecznego na 8 0 C: m T ln - badanie wpływu temperatury na punkt pracy diody: R R 1 8 T T 2 1 R 0 T T 0
19 Nieliniowy model statyczny - zastosowania teracyjne wyznaczanie punktu pracy diody: CC D D R 1 R T 10 m 1 14 A 26mV R CC 1 9V 1k Równania opisujące układ: D D 1) D 2) D T ln S CC R 1
20 Nieliniowy model statyczny - zastosowania Algorytm iteracji: 1. Założyć D np. równe 650mV 2. Obliczyć z równania 1 D 3. Obliczyć z równania 2 nową wartość D 4. Wrócić do punktu nr 2 algorytmu k D [mv] D [ma]
21 Nieliniowy model statyczny - zastosowania Graficzne wyznaczanie parametrów układu polaryzacji diody CC D R 1 R T 10 m 1 14 A 26mV D R D CC 1 1mA? 2V
22 Nieliniowy model statyczny - zastosowania AK 1. Korzystając z zależności: R exp 1 mt wyznaczamy charakterystykę =f() diody, zaznaczając na niej punkt Q dla D = 1mA 2. Równanie analizowanego układu ma postać: CC D DR 1 Jest to równanie prostej w postaci: D DR1 CC
23 Nieliniowy model statyczny - zastosowania 3. Znajduję punkt przecięcia prostej z osią x ( D =0): Dmax = CC = 2V 4. Łączę wyznaczony punkt, z punktem Q tworząc prostą. Znajduję przecięcie tej prostej z osią y ( D = 0): Dmax = CC /R 1 = 1.7mA 5. Wyznaczam wartość rezystora: R 1 cc Dmax 1.176k 1.2k
24 Nieliniowy model statyczny - zastosowania D [ma] Dmax AK R exp 1 mt 1 Q CC D DR Dmax D [V]
25 Nieliniowy model statyczny - zastosowania Wyznaczenie zmian napięcia na diodzie w funkcji temperatury DC D D m T k q R 300K D K mV C C K J K 9 A
26 Nieliniowy model statyczny - zastosowania Obliczenia można przeprowadzić: - korzystając z zależności analitycznej opisującej spadek napięcia na diodzie: R T m T T ln R 1 8 T T 2 1 R 0 T T 0 D T T T kt q - z wykorzystaniem temperaturowego współczynnika zmian napięcia na złączu PN równego 2mV/ 0 C - z wykorzystaniem programu Pspice (rozbudowany model diody)
27 Nieliniowy model statyczny - zastosowania D = 1.3mA D = 13mA T T [mv] R 10-9 D [mv] D [mv] D [mv] T [mv] R 10-9 D [mv] D [mv] D [mv] [A] (równ.) (wsp.) (Pspice) [A] (równ.) (wsp.) (Pspice) 10 0 C C C avg (d/ dt) mv/k mv/k mv/k mv/k mv/k mv/k
28 Nieliniowy model statyczny - zastosowania DC1 CC DC2 T m T T ln R kt T T q D T D1 R D2 R D 2 D1 mt ln D2 D1 d dt R nk q ln D2 D1
29 Diody półprzewodnikowe nieliniowy model statyczny Dla polaryzacji w kierunku zaporowym: r A K R G S Gdzie r u jest rezystancją upływu. Dla zwykej diody ważne są parametry graniczne: maksymalne napięcie R i prąd R wsteczne.
30 Nieliniowy model dynamiczny (wielkosygnałowy) pojemność złączowa i dyfuzyjna () 1 exp 1 2 exp T S T G m A K r r S C j C d C 0 D d C 2 m D j j C C 1 0 C 0 pojemność obudowy diody
31 Nieliniowy model dynamiczny (wielkosygnałowy) - zastosowania Zastosowania analiza pracy diody w układach impulsowych, np. jako klucz (przełącznik). R L D G D
32 Nieliniowy model dynamiczny (wielkosygnałowy) - zastosowania
33 Nieliniowy model dynamiczny (wielkosygnałowy) - zastosowania E G -E G t D max F t OFF = F D F t rr t s t f max - ładowanie pojemności złączowej t t t F S f rr E G R R ln 2. 3 t S S F F OFF RS RC j t f t rr (reverse recovery time) parametr katalogowy t
34 Nieliniowy model dynamiczny - Pspice d1 V d S T exp 1 NVt d 2 BV exp BV V V t d S T _ area S T TNOM XT 1 N EG T TNOM exp NV TNOM t Dodatkowo w modelu Pspice parametry: Cj, Vj i EG zmieniają wartości ze zmianą temperatury.
35 Nieliniowy model dynamiczny - Pspice
36 Liniowy model dynamiczny A K r r S c j c d C 0 D d c 2 m D j j C c 1 0 r d T D d r
37 Liniowy model dynamiczny Po co polaryzacja wstępna??? Co to jest punkt pracy???
38 Liniowy model dynamiczny
39 Liniowy model dynamiczny
40 Liniowy model dynamiczny Zastosowania modelu liniowego - małosygnałowego: - obliczenia parametrów roboczych układów elektronicznych - wyznaczanie częstotliwości granicznych układów elektronicznych
41 Liniowy model dynamiczny Pspice V N V V N T g t d t S d exp t d t z V V BV V BV g exp M j d j j T V V T C c 1 0 V N V V N T TT c t d t s d exp r g 1
42 Część druga Rodzaje diod
43 Diody prostownicze Symbol i charakterystyka D Fmax F = r d Rmax F F F D R F r d F F
44 Diody prostownicze Cechy charakterystyczne: - duża powierzchnia warstw zaporowych - niewielkie częstotliwości pracy (głównie 50 lub 100 Hz); chyba, że szykie np.. Schottkye go - szeroki zakres mocy dopuszczalnych - stosowane głównie w układach zasilających do prostowania prądów przemiennych
45 Diody prostownicze R1 D V1: t t F =912mV D V amp 3V f 50Hz 1
46 Diody prostownicze
47 Diody prostownicze
48 Diody detekcyjne i mieszające Charakterystyki i symbol takie jak dla diody prostowniczej (oprócz diody wstecznej). Cechy charakterystyczne: - szeroki zakres częstotliwości pracy: Hz GHz - bardzo mała powierzchnia złącz małe pojemności: pf - praca ze znacznie mniejszymi prądami w porównaniu do diod prostowniczych. Do grupy tej należą: diody ostrzowe germanowe lub krzemowe, diody Schottkye go, diody wsteczne.
49 Diody detekcyjne i mieszające diody ostrzowe Parametry dynamiczne: - pojemność diody przy określonej częstotliwości i określonym napięciu wstecznym - sprawność detekcji: stosunek mocy sygnału zdemodulowanego do mocy sygnału zmodulowanego - czułość prądowa zdolność do oddawania przez diodę użytecznych sygnałów wyjściowych dla danego sygnału zmodulowanego w. cz. - względna temperatura szumów diody stosunek mocy szumów diody w danym paśmie do mocy szumów cieplnych idealnego rezystora liniowego mającego tą samą temperaturę co dioda - moc admisyjna
50 Diody detekcyjne i mieszające diody ostrzowe Małosygnałowy schemat zastępczy: C 0 r A L 0 K r d FQ T c j c d r d C j r S C 1 j0 D m C d 2 D
51 Diody detekcyjne i mieszające diody ostrzowe Zastosowania: - detektory - mieszacze - ograniczniki napięcia
52 Cechy: Diody detekcyjne i mieszające diody Schottkye go Symbol Charakterystyka, taka jak dla diod prostowniczych i detekcyjnych z wiekszą stromością w zakresie przewodzenia szybsze działanie, mała pojemność złącza metal - półprzewodnik - szybsze działanie, mała pojemność złącza metal półprzewodnik - mała wartość r S, - mały poziom szumów własnych - duża odporność na wstrząsy i udary
53 Diody detekcyjne i mieszające diody Schottkye go
54 Diody detekcyjne i mieszające dioda wsteczna Rodzaj diody tunelowej. Powstaje przy koncentracji domieszek w obszarach P i N nieco mniejszych niż wymagane do wystąpienia efektu tunelowego w kierunku przewodzenia. część użyteczna charakterystyki Dla kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda.
55 Diody detekcyjne i mieszające dioda wsteczna Cechy charakterystyczne: - małe napięcie progowe (wzros prądu praktycznie od zerowego napięcia) - duża szybkość działania (praca na nośnikach większościowych) - duża odpornośc na wpływ temperatury i promieniowania - mały poziom szumów własnych
56 Diody detekcyjne i mieszające dioda wsteczna Zastosowanie: - mikrofalowe detektory małych sygnałow - mieszacze mikrofalowe
57 Diody impulsowe Cechy charakterystyczne: - bardzo mała rezystancja w kierunku przewodzenia i bardzo duża w kierunku zaporowym - bezzwłoczna reakcja na impulsy czyli brak opóźnień i zniekształceń impulsów Ważne parametry dynamiczne: - czas przełączania t rr (ładunek przełaczania Q rr ) przy określonych warunkach: wysterowaniu i obciążeniu diody - pojemność diody przy określonej częstotliwości i określonym napięciu wstecznym
58 Diody impulsowe
59 Diody impulsowe Diody ładunkowe: diody impulsowe mogące pracować z bardzo krótkimi impulsami, posiadające bardzo krótkie czasy zaniku. Poprzez odpowiedni rozkład domieszek w półprzewodniku wytwarza się pole, które przeciwdziała przepływowi wstrzykiwanych nośników mniejszościowych do bazy diody zasada działania diod ładunkowych.
60 Diody stabilizacyjne Zenera (stabilitrony) Symbol, charakterystyka układ polaryzacji zmax z zmin + R we ZQ wy = ZQ zmax P max -
61 Diody stabilizacyjne Zenera (stabilitrony) ZQ Z ZQ Z min r d dla: Z min ZQ Z max Z ZQ Z Z zmin ZQ Z = r d P max r d Z Z
62 Diody stabilizacyjne Zenera - parametry - napięcie stabilizowane zależne od Zmin i P max - rezystancja dynamiczna (najmniejsza dla napięcia 7.5V) d Z rd d - temperaturowy współczynnik zmian napięcia stabilizowanego TW Z (zerowy dla diod o napięciu 5 7V) Z Z Z 1 T 0 TW T Z 0
63 Diody stabilizacyjne Zenera - parametry
64 Diody stabilizacyjne Zenera - parametry - rezystancja statyczna (w punkcie pracy) ZQ RST - współczynnik stabilizacji S - moc admisyjna P max d d - rezystancja cieplna (sposób chłodzenia diody) Z ZQ Z ZQ ZQ R r ST d
65 Diody stabilizacyjne Zenera - parametry Zastosowania???
66 Diody stabilizacyjne Zenera parametryczny stabilizator napięcia we R 1 ZQ L R L wy Dioda _ C5V 1 r Z min d R R S Z L WY WE ZQ 1 3mA 5.1V V 9V?? d d WY WE
67 Diody pojemnościowe Rozróżniamy dwa typy (zastosowania i różne częstotliwości pracy): - warikapy (VARiable CAPacitance) o zmiennej pojemności (np.. przestrajane obwody rezonansowe) - waraktory (VARiable reactor) o zmiennej reaktancji pojemnościowej (np. elementy czynne nieliniowe w układach w. cz.) L s R s Symbole: C 0 R C j
68 Diody pojemnościowe - warikapy Parametry charakterystyczne: - pojemność złącza C j przy określonej częstotliwości i określonym napięciu wstecznym - stosunek pojemności C j przy dwóch różnych (granicznych) wartościach napięcia polaryzacji wstecznej - rezystancja szeregowa R s lub dobroć przy określonej częstotliwości i napięciu polaryzacji wstecznej - zakres częstotliwości pracy
69 Diody pojemnościowe - warikapy Schemat zastępczy i charakterystyki: R s R C j
70 Diody pojemnościowe - warikapy Zależności: S j S j R R C R R R C Q Dla Q = 1: s j j R C f R C f max min
71 Diody pojemnościowe - waraktory Parametry charakterystyczne: - pojemność złącza C j przy określonej częstotliwości i określonym napięciu wstecznym (zwykle maksymalna) - stosunek pojemności C j przy dwóch różnych (granicznych) wartościach napięcia polaryzacji wstecznej - prąd wsteczny R przy okreslonym napięciu wstecznym R - częstotliwość maksymalna przy określonym napięciu polaryzacji wstecznej - parametry pasożytnicze: L s, C 0 i R s
72 Diody pojemnościowe - waraktory Schemat zastępczy: L s R s C 0 R C j
73 Diody pojemnościowe
74 Mikrofalowe diody modulacyjne, tłumiące i przełaczające typu PN Budowa a) i schematy zastępcze: b) polaryzacja zaporowa, c) polaryzacja w kierunku przewodzenia W kierunku zaporowym dioda stanowi kondensator o niewielkiej pojemności.
75 Mikrofalowe diody modulacyjne, tłumiące i przełaczające typu PN W kierunku przewodzenia do obszaru o dużej rezystywności (półprzewodnik samoistny) wstrzykiwane są dziury z P i elektrony z N, powodując wzrost konduktywności tego obszaru proporcjonalny do płynącego prądu. Zastosowania: - modulator amplitudy - klucz - tłumik
76 Mikrofalowe diody modulacyjne, tłumiące i przełaczające typu PN
77 Mikrofalowe diody generacyjne diody tunelowe Symbol i charakterystyka
78 Mikrofalowe diody generacyjne diody tunelowe P Główna właściwość ujemna rezystancja dynamiczna: r d Odtłumianie obwodów rezonansowych - generator V P V
79 Mikrofalowe diody generacyjne diody tunelowe Parametry charakterystyczne: - współrzędne punktów ( P, P ) oraz ( V, V ) lub współrzędne wierzchołka ( P, P ) oraz stosunek prądów P / V - ujemna rezystancja dynamiczna: minimalna: rd min 2 P P średnia: r davg V V P P - pojemność warstwy zaporowej C j - rezystancja szeregowa R S
80 Mikrofalowe diody generacyjne diody tunelowe -wartości elementów pasożytniczych: L S i C 0 - graniczna częstotliwość odtłumiania Parametry graniczne: - maksymalny prąd w kierunku przewodzenia F i w kierunku zaporowym R - maksymalną temperaturę pracy C 0 Schemat zastępczy: L s -r d R s C j
81 Mikrofalowe diody generacyjne diody tunelowe
82 Mikrofalowe diody generacyjne diody tunelowe G f g L 2 g d L 0 1 C 0 C j Generator mikrofalowy
83 Mikrofalowe diody generacyjne. Diody lawinowe: Reada, mpatt, Trapatt W diodach lawinowo-przelotowych ujemną konduktancję dynamiczną uzyskuje się w efekcie przesunięci fazowego pomiędzy prądem a napięciem o kąt Opóźnienie to jest wywołane procesem lawinowym i skończonym czasem przelotu nośników przez występującą w strukturze diody warstwę, zbudowaną z półprzewodnika samoistnego, w której tworzy się rozkład ładunku przestrzennego. Zastosowania: generatory mikrofalowe.
84 Mikrofalowe diody generacyjne - diody Gunna Efekt Gunna wzbudzenie się oscylacji elektrycznych w półprzewodnikach (np. GaAs) typu n, wynikający z powstawania ujemnej rezystancji dynamicznej wywołanej międzydolinowymi przejściami elektronów w pasmie przewodnictwa pod wpływem odpowiednio dużych pól elektrycznych.
Diody półprzewodnikowe. Model diody półprzewodnikowej Shockley a. Dioda półprzewodnikowa U D >0 model podstawowy
iody półprzewodnikowe Model diody półprzewodnikowej Shockley a U U + U gr0 exp 1 0 exp 1 2ϕT ϕt gr0 prąd generacyjno-rekombinacyjny 0 prąd nasycenia φ T potencjał termiczny elektronów kt/e26mv dla T300K
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoBase. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000
Złącze p-n Base Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Dyfuzja aż do stanu równowagi 6n+3p+6D Dipol ładunku elektrycznego 6p+3n+6A Pole elektryczne Nadmiarowe nośniki mniejszościowe
Bardziej szczegółowoDiody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ
Diody 1 Diody prostownicze Ogólna charakterystyka Diodami prostowniczymi nazywa się diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. W domyśle rozumie się prostowanie prądu o małej częstotliwo stotliwości
Bardziej szczegółowoDIODY SMK WYK. 7 W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987
DIODY SMK WYK. 7 W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987 DIODY IMPULSOWE - diody przeznaczone do zastosowań w układach impulsowych, w których najczęściej spełniają one
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe cz II
Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku
Bardziej szczegółowoPodstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody
Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody Wrocław 2010 Ciało stałe Ciało, którego cząstki (atomy, jony) tworzą trwały układ przestrzenny (sieć krystaliczną) w danych warunkach (tzw. normalnych).
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoMiłosz Andrzejewski IE
Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoLista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4
Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4 1. Dioda półprzewodnikowa: podaj symbol oraz zapisz równanie opisujące zależność pomiędzy prądem i napięciem. Narysuj charakterystyki napięciowo
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowo4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.
4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest
Bardziej szczegółowoDIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987
DIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987 Nadając konkretny kształt konstrukcyjny bryle półprzewodnika, będącej złączem p-n, czyli definiując jej rozmiary,
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoWARYSTORY, TERMISTORY, DIODY.
WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY. 1. Warystory. Warystor jest rezystorem, którego wartośd rezystancji zmniejsza się silnie wraz ze wzrostem napięcia. Warystory produkuje się obecnie najczęściej z granulowanego
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoPrzegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy
Przegląd półprzewodnikowych przyrządów mocy Rozwój przyrządów siłą napędową energoelektroniki Najważniejsze: zdolność do przetwarzania wielkich mocy (napięcia i prądy znamionowe), szybkość przełączeń,
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki typu n, p, złącze p-n - diody
Półprzewodniki typu n, p, złącze p-n - diody Wrocław 2016 Ciało stałe Ciało, którego cząstki (atomy, jony) tworzą trwały układ przestrzenny (sieć krystaliczną) w danych warunkach (tzw. normalnych). Ruchy
Bardziej szczegółowo3. DIODY. Przyrządy dwukońcówkowe, gdzie obszarem roboczym jest złącze.
3. DODY Przyrządy dwukońcówkowe, gdzie obszarem roboczym jest złącze. Ogólny symbol graficzny Przykładając + do anody wymuszamy prąd przewodzenia (forward direction) odwrotny kierunek daje prąd zaporowy
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowo. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α
2 CEL ĆWCENA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi oraz waŝniejszymi parametrami technicznymi diod stabilizacyjnych Są to diody krzemowe przeznaczone min do zastosowań
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI
LABOATOIM ELEKTONIKI ĆWICENIE 1 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Ćwiczenie 2 Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych 1. WSTĘP TEORETYCZNY 1.1. Diody Podstawę większości diod półprzewodnikowych stanowi złącze p-n. Ze względu na powszechność zastosowania dzieli
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoRys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia
ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 2 PRWO OHM. BDNIE DWÓJNIKÓW LINIOWYCH I NIELINIOWYCH . Cel ćwiczenia. - Zapoznanie się z właściwościami
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowo4. DIODY 4.1. WSTĘP 4.2. DIODY PROSTOWNICZE
4. DIODY 4.1. WSTĘP Diodą nazywamy element dwukońcówkowy składający się z bryły półprzewodnika mającego złącze p-n, zamknięty w obudowie z wyprowadzeniami elektrycznymi osobno z obszaru typu p i obszaru
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoWzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoSpis treści 3. Spis treści
Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoMATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE
MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE Półprzewodniki obejmują obszerną grupę materiałów, które ze względu na przewodnictwo elektryczne zajmują pośrednie miejsce pomiędzy metalami a izolatorami. Półprzewodniki stanowią
Bardziej szczegółowoProstowniki. Prostownik jednopołówkowy
Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Badanie diody półprzewodnikowej Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Wyznaczanie charakterystyki statycznej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia Rysunek nr 1. Układ do wyznaczania
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowo