TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS

Podobne dokumenty
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)

Technologia elementów optycznych

Technologia planarna

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Skalowanie układów scalonych

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Technologia ogniw paliwowych w IEn

Czujniki mikromechaniczne

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Procesy technologiczne w elektronice

OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 2. Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed

Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia

WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni

Technologie mikro- nano-

Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyki prądowo- napięciowej elektrolizera typu PEM,

Powłoki cienkowarstwowe

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA

NADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli. miedziowo-lantanowym, w którym niektóre atomy lantanu były

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

BADANIA NAD MECHANICZNYM I CHEMICZNYM POCIENIANIEM TERMICZNIE POŁĄCZONYCH PŁYTEK KRZEMOWYCH

Podstawy elektrochemii

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Układy cienkowarstwowe cz. II

Nauka o Materiałach. Wykład IV. Polikryształy I. Jerzy Lis

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 12/16

Układy zdyspergowane. Wykład 6

Laboratorium Ochrony przed Korozją. GALWANOTECHNIKA II Ćw. 6: ANODOWE OKSYDOWANIE ALUMINIUM

Tlen. Występowanie i odmiany alotropowe Otrzymywanie tlenu Właściwości fizyczne i chemiczne Związki tlenu tlenki, nadtlenki i ponadtlenki

EPITAKSJA KRZEMU NA KRZEMIE POROWATYM. Elżbieta Nossarzewska-Orłowska, Dariusz Lipiński, Marta Pawłowska, Andrzej Brzozowski

Konsolidacja Nanoproszków I - Formowanie. Zastosowanie Nanoproszków. Konsolidacja. Konsolidacja Nanoproszków - Formowanie

Wykład 2. Wprowadzenie do metod membranowych (część 2)

Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia r. L. dz. CEZ MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA

Laboratorium Ochrony przed Korozją. Ćw. 9: ANODOWE OKSYDOWANIEALUMINIUM

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)

Spektrometr ICP-AES 2000

Różne dziwne przewodniki

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy

Wykład IV: Polikryształy I. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

(zwane również sensorami)

Metody badań składu chemicznego

PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

Ćwiczenie 2. Charakteryzacja niskotemperaturowego czujnika tlenu. (na prawach rękopisu)

Aleksandra Świątek KOROZYJNA STALI 316L ORAZ NI-MO, TYTANU W POŁĄ ŁĄCZENIU Z CERAMIKĄ DENTYSTYCZNĄ W ROZTWORZE RINGERA

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU

PL B1. Uniwersytet Śląski w Katowicach,Katowice,PL BUP 20/05. Andrzej Posmyk,Katowice,PL WUP 11/09 RZECZPOSPOLITA POLSKA

Ćwiczenie 2: Elektrochemiczny pomiar szybkości korozji metali. Wpływ inhibitorów korozji

metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe

Technologia elementów optycznych

Procesy technologiczne w elektronice

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak

Laboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM

Kształtowanie powierzchniowe i nie tylko. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG

Samopropagująca synteza spaleniowa

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)

Obwody prądu stałego. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Zagadnienia z chemii na egzamin wstępny kierunek Technik Farmaceutyczny Szkoła Policealna im. J. Romanowskiej

W książce tej przedstawiono:

Przetwarzanie energii: kondensatory

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

Technika sensorowa. Czujniki mikromechaniczne - cz.1

WYKŁAD 4 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni

KWASY I WODOROTLENKI. 1. Poprawne nazwy kwasów H 2 S, H 2 SO 4, HNO 3, to:

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Sensory w systemach wbudowanych

Polisilany. R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Innowacyjne warstwy azotowane nowej generacji o podwyższonej odporności korozyjnej wytwarzane na elementach maszyn

Technologia w elektronice

Kryteria oceniania z chemii kl VII

Transkrypt:

Różne wyniki trawienia krzemu TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS prof. nzw. Romuald B. Beck Wykład 3 Warszawa, czerwiec 2008 Wytwarzanie belki (belka krzemowa) Magnetic Force Microscope MFM Ostrze do analizy MFM Topografia powierzchni taśmy magnetycznej Obraz pola magnetycznego na taśmie uzyskany za pomocą MFM Wytwarzanie belki (belka nie-krzemowa) Belka przyrząd d do generacji w.cz. Lokalnie wytworzony obszar łatwy do trawienia Osadzanie warstwy - materiał przyszłej belki Fotolitografia i trawienie kształtowanie belki Selektywne wytrawienie obszaru łatwego do trawienia uwalnia uformowaną belkę! 1

Trawienie mokre krzemu Izotropowe trawienie krzemu Trawienie izotropowe mieszanina HF:HNO 3 :H 2 O (lub CH 3 COOH) Trawienie anizotropowe (szybkość trawienia zależy od orientacji krystalograficznej + domieszkowania B) mieszaniny oparte na: KOH (NaOH, CeOH, RbOH, NH 4 OH,...) TMAH EDP (etylen-diamoinapyrcathehol) - bardzo korozyjny i bardzo kancerogenny(!!!) hydrazynie (N 2 H 4 ) paliwo rakietowe Mechanizm trawienia: HNO 3 utlenia lokalnie Si HF usuwa lokalnie tlenek H 2 O lub CH 3 COOH spełniają rolę rozcieńczalnika Zakresy trawienia: 1. proces kontrolowany przez HNO 3, pozostaje cienka warstwa tlenku 2. proces kontrolowany prez HF, pozostaje gruba (3-5nm) warstwa tlenku (nadaje się do polerowania!) 3. proces bardzo szybki Anizotropowe trawienie krzemu Trawienie Si w KOH Poprawnie zorientowane podłoże (100) daje łatwe do przewidzenia kształty Odchylenia od orientacji poprawnej przynosi wiele kłopotów (110) jest już zdecydowanie trudniejsze do opanowania Obiekt obrócony Typowy skład: KOH alkohol izopropylowy H 2 O Trawienie w 80 C + intensywne mieszanie Szybkości trawienia: Si (100) ~ 1µm/min Si 3 N 4 ~ 1.4nm/godz (!!!) SiO 2 ~ 2.0nm/min Anizotropia trawienia (111):(110):(100)=1:600:400 Charaketrystyka procesu: proces niekompatybilny z CMOS (obecność K!!!) proces stosunkowo bezpieczny dobrze poznany i stabilny Obiekt źle scentrowany Trawienie Si w TMAH Anizotropowe mokre trawienie krzemu TMAH to wodorotlenek terametylo-amonowy Typowy skład: TMAH H 2 O Trawienie w 80 C + intensywne mieszanie Szybkości trawienia: Si (100) ~ 1µm/min Si 3 N 4 < 2 nm/min SiO 2 < 5 nm/min Anizotropia trawienia (111):(100) ~ 1:10 1:35 Charakterystyka procesu: TMAH jest bezpiecznym odczynnikiem trawienie kompatybilne z CMOS (brak potasowców!!) dno trawionego profilu gładkie lub porowate w zależności od parametrów procesu (głównie składu mieszaniny) 2

Elektrochemiczne trawienie Si Elektrochemiczne porowacenie krzemu Elektroda z płytką Si Naczynie z elektrolitem zawierającym HF Elektroda Pt Mechanizm procesu: spolaryzowany dodatnio względem elektrolitu Si dziury wstrzyknięte z obwodu zewnętrznego utlenianie Si HF trawie powstałe SiO 2 Przy niskich stężeniach HF w elektrolicie polerowanie (elektropolerowanie) Przy wysokich stężeniach HF w elektrolicie nie cała powierzchnia Si zdąży ulec utlenieniu Si trawi się miejscami powstaje porowaty Si POROWATOŚĆ [%] 80 70 180 ma/cm2 120mA/cm2 60 60 ma/cm2 10 ma/cm2 50 40 stężenie HF 20% 30 Si typ p ρ=0,02 Ωcm 20 0 50 100 150 200 250 300 CZAS POROWACENIA [s] Parametry procesu: typ domieszki w krzemie koncentracja domieszki skład mieszaniny (elektrolitu) wymuszana gęstość prądu (lub napięcie) czas trawienia Parametry warstwy: grubość warstwy morfologia porów porowatość Krzem porowaty (obrazy z SEM cz.2) Technologia APSM ( (Advanced Porous Silicon Membrane) ) Bosch Odpowiednio przygotowane podłoże (selektywne domieszkowanie w celu zróżnicowania szybkości trawienia krzemu) Selektywne porowacenie krzemu wytwarza przestrzeń przyszłej komory pod membraną Technologia APSM (cz.2) Krzem porowaty możliwo liwość przebudowy morfologii (obrazy z SEM i AFM) Proces wygrzewania powoduje zmiany morfologii krzemu sporowaconego Proces epitaksji buduje nową warstwę na powierzchni odtwarza strukturę krzemu podłożowego i tworzy membranę o zadanej grubości warstwa krzemu porowatego podłoże Proces wysokotemperaturowy 3

Głębokie trawienie krzemu (DRIE) Głębokie trawienie krzemu (DRIE) Naprzemienne stosowanie dwóch procesów plazmowych: reaktywne trawienie jonowe (RIE) usuwanie krzemu na pewną głębokość osadzanie warstwy polimeru na ściankach trawionego profilu (PECVD) zabezpieczenie przed trawieniem w kierunku poziomym Możliwość uzyskania bardzo głębokich i stromych ścian profilu trawienia! Mikroreaktory Kryształy fotoniczne porowaty krzem (makropory) osadzanie + fotolitografia + trawienie Excimer Laser Ablation Wiązka umożliwia formowanie organicznych materiałów bez topienia i przypalania bezpośredniego otoczenia Ilość usuniętego materiału zależy od: materiału długości impulsu intensywności wiązki Uformowanie wiązki laserowej pozwala na kontrolę profilu trawienia ściany pionowe profil nachylony profil podcięty Laserowa mikro-stereo litografia Turbina zbudowana z 110 warstw o grubości 4.5 µm 4

Łączenie anodowe (anodic bonding) Łączenie dyfuzyjne (fusion bonding) Pewne łączenie położy gładkimi powierzchniami np. szkło-krzem, szkło-szkło (jedno z podłoży musi być źródłem anionów) Parametry procesu: ciśnienie atmosferyczne lub próżnia temperatura 300-500 C nacisk rzędu 20 N napięcie stałe < 2kV prądy < 40mA Przyłożone napięcie warstwa zubożona w której pojawia się silne pole elektr. pojawia się elektrostatyczna siła przyciągania krzem-szkło przepływ jonów tlenu ze szkła do powierzchni krzemu reakcja anodowa Si+O - = SiO 2 stałe połączenie materiałów Bardzo gładkie powierzchnie stykane są ze sobą siły van der Waals a zapewniają wstępne połączenie obu płytek Połączenie jest wzmacniane przez wygrzewanie w odpowiedniej temperaturze powstają wiązania chemiczne i pełnie połączenie między płytkami Można tak łączyć ze sobą: krzem-krzem tlenek krzemu krzem tlenek krzemu tlenek krzemu krzem-azotek galu krzem-azotek indu... Komercyjnie produkowane są np. podłoża Silicon-On- Insulator (SOI) Elementy układ adów w elektronicznych w technologii MEMS Kondensator strojony (MEMS) Cewki o wysokiej dobroci Strojone filtry Elementy MOEMS Mikro-pensety Uchwyty do montażu światłowodów Układy optyczne, przesłony, soczewki,... 5

Mikro-pensety z napędem 3D układy optyczne Soczewka mikro-kula Soczewka Fresnela Source: Fan & Wu 1997 Różne cuda i cudeńka 6