Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)
|
|
|
- Patrycja Owczarek
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-1
2 Technologie wytwarzania MEMS Fotolitografia Fotolitografia UV Litografia wiązką elektronową (Electron beam lithography) Litografia rentgenowska (X-ray lithography) Osadzanie warstw CVD (chemical vapour deposition) LPCVD (low pressure CVD), PECVD (plasma enhanced CVD) PVD (physical vapor deposition) Napylanie, naparowywanie Electroplating Trawienie Inne Trawienie suche Wg kursu ISBN Trawienie wspomagane plazmą : RIE (reactive ion etching), DRIE (deep RIE) Trawienie mokre, trawienie mokre chemiczne Milling, EDM (electro discharge machining), laser machining Techniki bondingu: fusion bonding, anodic bonding, flip-chip bonding Opakowanie (packaging) USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-2
3 Proces wytwarzania MEMS Modelowanie 3D Koncepcja: Specyfikacja Procesów Analizy modelu Projektowanie CAD, symulacje i layout Wytwarzanie masek Kolejne cykle procesu Osadzanie warstw Fotolitografia Usuwanie warstw Testy Wstępne testy, podział i ochrona uwalnianych elementów Podział Cięcie Montaż Opakowanie Izolacja i odsłonięcie elementów Testy Testowanie wszystkich funkcji USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-3
4 Podstawowe technologie MEMS Wg kursu ISBN Bulk micromachining : usuwanie materiału masywnej części substratu RIE/deep RIE Trawienie izo i anizotropowe Osadzanie cienkich warstw: utlenianie, PECVD, LPCVD, epitaksja, napylanie Dyfuzja/etch stop Bardziej dopasowane do mikroczujników! Surface micromachining : usuwanie materiału warstw wytworzonych na substracie Osadzanie warstwy poświęcanej (PSG, SiO 2 ) Osadzanie i trawienie polikrzemu Trawienie warstwy poświęcanej Bardziej dopasowane do mikroaktuatorów! Proporcje Współczynnik proporcji trawienia i osadzania izotropowe Warstwa struktury anizotropowe Uwolniona warstwa USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-4
5 Materiały używane w technologii MEMS Wafle Si, Ge, GaAs, InP, szkło, metale, ceramiki, polimery Si materiał dominujący ponieważ : opanowana technologia wyśmienite właściwości mechaniczne możliwość integracji z elektroniką Materiały używane do wytwarzania cienkich warstw Si, poli-si, a-si, SiN, domieszkowany SiO2 (PSG, BPSG), SiO2, SiC polimery (PR, epoxy, polyimide, etc.) materiały piezoelektryczne (PZT, ZnO, AlN, itp.) USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-5
6 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-6
7 Procesy technologiczne odwzorowania kształtów Metody odwzorowywania kształtów Wg kursu ISBN Wzór przenoszony na płytkę za pośrednictwem emulsji Wzór przenoszony na płytkę bez pośrednictwa emulsji Metoda substraktywna (litografia + trawienie) Metoda addytywna (litografia + odrywanie) Bezpośrednie trawienie skanującą wiązką jonową USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-7
8 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-8
9 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-9
10 Techniki litograficzne Fotolitografia Elektronolitografia maska skanująca wiązka elektronów + tańsza od innych - ograniczenia dyfrakcyjne (0.5µm) - wymaga maski + nie wymaga maski - długie czasy naświetlania - rozproszenie elektronów USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-10
11 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-11
12 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-12
13 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-13
14 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-14
15 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-15
16 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-16
17 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-17
18 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-18
19 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-19
20 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-20
21 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-21
22 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-22
23 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-23
24 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-24
25 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-25
26 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-26
27 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-27
28 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-28
29 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-29
30 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-30
31 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-31
32 Technolgia surface micromachining Proces z 1 maską Proces z dwoma maskami + Prostota procesu - Zależność czasowa + Bez zależności czasowej - Potrzeba maski ustawczej USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-32
33 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-33
34 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-34
35 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-35
36 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-36
37 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-37
38 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-38
39 Procesy technologiczne, w wyniku których powstają nowe warstwy Kryteria klasyfikacji procesów technologicznych: - temperatura procesu (procesy nisko-, średnioi wysokotemperaturowe) - ciśnienie - typ reakcji chemicznej (rozkład związków złożonych, utlenianie, azotkowanie, reakcje złożone, ) - fakt konsumowania lub nie atomów podłoża Wg kursu ISBN USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-39
40 Procesy technologiczne, w wyniku których powstają nowe warstwy Parametry warstw: - skład chemiczny - struktura krystalograficzna - orientacja krystalograficzna - adhezja warstwy do podłoża - grubość warstwy - współczynnik załamania warstwy - stała dielektryczna - rezystywność (lub jej rozkład) - współczynnik rozszerzalności termicznej - naprężenia mechaniczne - jednorodność (lub jej rozkład) - profil (sposób pokrycia uskoków) Wg kursu ISBN USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-40
41 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-41
42 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-42
43 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-43
44 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-44
45 UTLENIANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-45
46 Utlenianie termiczne - utlenianie w atmosferze tlenu suchego: Si + O 2 SiO 2 - utlenianie w atmosferze pary wodnej: Si + H 2 O SiO 2 + H 2 Dodatkowe efekty: redyfuzja domieszek, lokalne utlenianie USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-46
47 UTLENIANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-47
48 UTLENIANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-48
49 UTLENIANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-49
50 Fizyczne osadzanie z fazy lotnej Wg kursu ISBN naparowanie próżniowe rozpylanie jonowe (napylanie) USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-50
51 NAPAROWANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-51
52 NAPAROWANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-52
53 NAPAROWANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-53
54 NAPYLANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-54
55 NAPYLANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-55
56 NAPYLANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-56
57 NAPYLANIE USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-57
58 Chemiczne osadzanie z fazy lotnej CVD Wg kursu ISBN CVD (Chemical Vapour Deposition) procesy, w trakcie których na podłożu następuje wytwarzanie warstw ciała stałego z reagentów, które reagują ze sobą w fazie lotnej Typy reakcji chemicznej: - heterogeniczne, reakcje zachodzące bezpośrednio na powierzchni podłoża lub w jej pobliżu - homogeniczne, reakcje zachodzące w fazie gazowej - niepożądane Specjalnie przystosowane reaktory mogą być wykorzystywane do epitaksji USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-58
59 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-59
60 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-60
61 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-61
62 APCVD APCVD (Atmospheric Pressure CVD) osadzanie w warunkach ciśnienia atmosferycznego USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-62
63 LPCVD LPCVD (Low Pressure CVD) osadzanie pod obniżonym ciśnieniem (T do 900ºC, p = Tr) USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-63
64 PECVD PECVD (Plasma Enhanced CVD) osadzanie wspomagane plazmą - obniżenie temperatury osadzania - większa liczba parametrów do kontroli Reaktor planarny USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-64
65 CVD: Podsumowanie USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-65
66 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-66
67 Przykład mikrobelki SiO 2 /SiON : Wg kursu ISBN kontrola procesu osadzania warstw stress (x10 +8 Pa) tensile compressive without anneal anneal at 500 C aneal at 600 C N 2 O flow (sccm) Wpływ procesu wygrzewania na naprężenia warstwy SiON Brak kontroli parametrów PECVD zwiększa naprężenia ściskające Redukcja wodoru Zwiększenie temperatury powoduje powstawanie naprężeń rozciągających Gorecki, Opt.&Lasers in Eng. 33(2000) USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-67
68 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-68
69 Trawienie Procesy trawienia można podzielić na: - mokre - realizowane w wodnych roztworach kwasów i ługów - suche - realizowane w plazmie aktywnych chemicznie i szlachetnych gazów lub przy zastosowaniu wiązki jonowej USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-69
70 Trawienie suche Technika suchego trawienia została opracowana dla potrzeb mikroelektroniki i umożliwia uzyskiwanie wzorów o większej rozdzielczości niż w przypadku trawienia mokrego (obecnie standardowo wytwarza się tą techniką wzory o szerokości linii nawet mniejszej niż 100nm). Suche trawienie wykonuje się technikami jonowymi i plazmowymi, które wykorzystują zjawiska zachodzące w plazmie lub oddziaływanie wiązki jonów z materiałem trawionym. Główne mechanizmy suchego trawienia to reakcje chemiczne i fizyczne: Mechanizm chemiczny polega na reakcji wolnych rodników z materiałem trawionym, wytworzeniu lotnych produktów tej reakcji i odpompowaniu ich z reaktora Mechanizm fizyczny polega na wybijaniu atomów lub cząsteczek trawionego materiału przez wysokoenergetyczne jony USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-70
71 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-71
72 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-72
73 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-73
74 Trawienie suche Urządzeniem realizującym trawienie plazmowe jest reaktor planarny, który może pracować w modzie trawienia plazmowego PE (ang. Plasma Etching) albo w modzie reaktywnego trawienia jonowego RIE (ang. Reactive Ion Etching) PE - udział jonów w procesie trawienia jest nieznaczny, dominuje chemiczne oddziaływanie rodników z materiałem trawionym - duże szybkości - wysoka selektywność RIE - duże energie jonów > od 50eV - mechanizm fizyczny ma duży wpływ na proces trawienia, który jest bardziej anizotropowy i mniej selektywny - kompromis pomiędzy szybkością a anizotropią USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-74
75 Trawienie suche Zastosowanie procesu plazmowego trawienia w technologii mikroelementów ma następujące zalety: wymiary trawionych wzorów mogą być mniejsze niż 1mm i zależą praktycznie tylko od zastosowanej maski, uzyskiwane profile formowanych struktur nie zależą od krystalografii podłoża, profil trawienia można dobierać w zależności od konstrukcji przyrządu, możliwe jest selektywne usunięcie tzw. warstwy poświęcanej (ang. sacrificial layer) celem uwolnienia ruchomej struktury, plazma nie wywiera nacisku na mikrostruktury przestrzenne Zalety te okupione są skomplikowaniem próżniowego urządzenia do trawienia oraz samego procesu trawienia, który zależy od wielu parametrów. Podstawowe z nich to: ciśnienie tła próżniowego w reaktorze oraz konieczność stosowania bezolejowego systemu pompowego, odpornego na działanie chemicznie aktywnych gazów, rodzaj gazu roboczego, który może być również mieszaniną wielu gazów, przepływ gazu roboczego (cm 3 /min), ciśnienie gazu roboczego, temperatura podłoża, rodzaj i wielkość powierzchni trawionego podłoża, materiał ścian bocznych i elektrod reaktora, geometria reaktora, elektromagnetyczne parametry wzbudzania wyładowania jarzeniowego USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-75
76 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-76
77 Trawienie mokre Trawienie mokre w wodnych roztworach kwasów cechuje się dużą izotropią. Wyjątkiem jest proces trawienia monokrystalicznych materiałów np. krzemu w wodnych roztworach ługów. Poszczególne płaszczyzny krystalograficzne mają różne szybkości trawienia (np.: V<100>:V<111>=100:1) i dlatego można uzyskać dużą anizotropię. Trawienie izotropowe Trawienie anizotropowe USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-77
78 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-78
79 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-79
80 Trawienie anizotropowe Wg kursu ISBN <100> <111> 54.7 Silicon Substrate USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-80
81 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-81
82 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-82
83 Trawienie mokre Trawienie elektrochemiczne Parametry: - skład kąpieli - temperatura kąpieli - czas trwania Jedna z najbardziej popularnych technik trawienia anizotropowego krzemu jest trawienie wodorotlenkiem potasu (KOH) USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-83
84 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-84
85 Proces technologiczny wytwarzania membran Si Wg kursu ISBN podłoże 3 Si typu N orientacja <100> (e s = 380 µm) termiczne utlenianie SiO C, 6 godz. (e t = 1 µm) fotolitografia (fotorezyst pozytywowy Microposit SHP 1813) trawienie SiO 2 w BHF (500 Å/min) trawienie Si w KOH (e = 15 µm) usunięcie rezystu i SiO 2 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-85
86 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-86
87 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-87
88 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-88
89 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-89
90 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-90
91 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-91
92 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-92
93 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-93
94 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-94
95 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-95
96 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-96
97 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-97
98 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-98
99 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-99
100 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-100
101 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-101
102 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-102
103 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-103
104 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-104
105 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-105
106 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-106
107 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-107
108 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-108
109 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-109
110 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-110
111 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-111
112 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-112
113 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-113
114 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-114
115 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-115
116 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-116
117 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-117
118 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-118
119 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-119
120 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-120
121 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-121
122 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-122
123 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-123
124 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-124
125 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-125
126 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-126
127 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-127
128 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-128
129 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-129
130 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-130
131 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-131
132 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-132
133 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-133
134 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-134
135 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-135
136 Przykład procesu technologicznego membrany krzemowej Wg kursu ISBN USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-136
137 Przykład procesu technologicznego czujnika ciśnienia Wg kursu ISBN USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik 4-137
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Technologia elementów optycznych
Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów
OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE
OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE Metody suchego i mokrego trawienia umożliwiają selektywne trawienie metali, przewodników, dielektryków a także światłoczułych materiałów organicznych
Technologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z
to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,
Struktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Procesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie
zasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych.
Cienkie warstwy Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym. Istotnym parametrem charakteryzującym
Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Materiały fotoniczne
Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,
MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie
MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu
PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Polisilany. R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne
Polisilany R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne Mechanizm otrzymywania polisilanów Struktura trójwymiarowego polisilanu Typy przestrzennego uporządkowania polisilanów a.) polisilan liniowy
TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS
Różne wyniki trawienia krzemu TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS prof. nzw. Romuald B. Beck Wykład 3 Warszawa, czerwiec 2008 Wytwarzanie belki (belka krzemowa) Magnetic Force Microscope MFM Ostrze do analizy MFM
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Co to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia
MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 1 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem
Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Technologia w elektronice
Technologia w elektronice Procesy technologiczne 1. Wytwarzanie Si 2. Domieszkowanie 3. Wytwarzanie i usuwanie warstw izolatora. Cienkie warstwy. 4. Litografia. 5. Montowanie kontaktów. 1 Litografia Fotolitografia
Fotolitografia. xlab.me..me.berkeley.
Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie
SŁAWOMIR WIAK (redakcja)
SŁAWOMIR WIAK (redakcja) Akademicka Oficyna Wydawnicza EXIT Recenzenci: Prof. Janusz Turowski Politechnika Łódzka Prof. Ewa Napieralska Juszczak University Lille Nord de France, LSEE, UA, Francja Autorzy
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Politechnika Koszalińska
Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje
Fizyka Cienkich Warstw
Fizyka Cienkich Warstw W-2 METODY OTRZYMYWANIA CIENKICH WARSTW (preparation methods, deposition methods, coatin technoloies) 1. Fizyczne metody otrzymywania warstw 2. Chemiczne metody otrzymywania warstw
Procesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.
SYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników
SYLABUS Nazwa przedmiotu Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Chemiczna obróbka metali i półprzewodników Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia
PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06
PL 212025 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212025 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 375716 (51) Int.Cl. H01L 27/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Technologia cienkowarstwowa
Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w
Czujniki mikromechaniczne
Czujniki mikromechaniczne WSTĘP Narzędzia mikroelektroniki zastosowane do struktur mechanicznych pozwalają wytworzyć nie tylko proste czujniki o wymiarach mikronowych ale całe struktury - mikrosystemy.
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie
MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA
Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia 10.07.2013 r. L. dz. CEZ-170-13 MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Dotyczy postępowania prowadzonego w trybie przetargu nieograniczonego
Aparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Fizyka Cienkich Warstw
Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 2. Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 2 Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed Zadania i cel ćwiczenia. Zadaniem wykonującego ćwiczenie
WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni
Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Wykład 7 Wytwarzanie struktur 3D Łączenie LTCC z innymi materiałami Integracja przeźroczystego szkła z modułem LTCC Łączenie PDMS
Inżynieria Wytwarzania
KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Inżynieria Wytwarzania Ćwiczenie 3 Osadzanie próżniowe z fazy lotnej 2010 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 3 Osadzanie
Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu mikromechanicznym
Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu mikromechanicznym Połączenie własności mechanicznych krzemu z mikroelektroniką przyczyniło się do powstania pod koniec lat 80 zintegrowanych mikrosystemów
Właściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Osadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Technologie mikro- nano-
Technologie mikro- nano- część Prof. Golonki 1. Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne: a) Al2O3 b) BeO c) AlN 2. Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:
Układy cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II
Synteza Nanoproszków Metody Chemiczne II Bottom Up Metody chemiczne Wytrącanie, współstrącanie, Mikroemulsja, Metoda hydrotermalna, Metoda solwotermalna, Zol-żel, Synteza fotochemiczna, Synteza sonochemiczna,
Co to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Technologia ogniw paliwowych w IEn
Technologia ogniw paliwowych w IEn Mariusz Krauz 1 Wstęp Opracowanie technologii ES-SOFC 3 Opracowanie technologii AS-SOFC 4 Podsumowanie i wnioski 1 Wstęp Rodzaje ogniw paliwowych Temperatura pracy Temperatura
Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
PRACA DYPLOMOWA W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH. Tomasz Kamiński. Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE. dr inż. Leszek Nakonieczny
Politechnika Wrocławska - Wydział Mechaniczny Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji PRACA DYPLOMOWA Tomasz Kamiński Temat: ŻYWICE EPOKSYDOWE W BUDOWIE WKŁADEK FORMUJĄCYCH Promotor: dr inż. Leszek
Optymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach elektronicznych
Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Optymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach
Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
PL B1. MEDGAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Białystok, PL POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL
PL 223008 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223008 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 398452 (22) Data zgłoszenia: 15.03.2012 (51) Int.Cl.
Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski
Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa
LTCC. Low Temperature Cofired Ceramics
LTCC Low Temperature Cofired Ceramics Surowa ceramika - green tape Folia LTCC: 100-200µm, mieszanina ceramiki, szkła i nośnika ceramicznego Technika sitodruku: warstwy (ścieŝki przewodzące, rezystory,
Plan. Wstęp EBL Litografia Nano-imprinitg Holografia Trawienie Pomiary Zastosowanie Podsumowanie. Szymon Lis Photonics Group. C-2 p.305. Plan.
Politechnik Wrocławska wykładu 2D Kryształy Fotoniczne technologia i pomiary 1. 2D Kryształ fotoniczny 2. Technologia - elektronolitografia - holografia - nano-imprinting litografia miękka - trawienie
Powłoki cienkowarstwowe
Powłoki cienkowarstwowe Wstęp Powody zastosowania powłok znaczne straty energii - w układach o dużej ilości elementów optycznych (dalmierze, peryskopy, wzierniki) przykład : peryskop - 12% światła wchodzącego
Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Wielomodowe, grubordzeniowe
Wielomodowe, grubordzeniowe i z plastykowym pokryciem włókna. Przewężki i mikroelementy Multimode, Large-Core, and Plastic Clad Fibers. Tapered Fibers and Specialty Fiber Microcomponents Wprowadzenie Włókna
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe
metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe mgr inż. Ewelina Piwowarczyk Uniwersytet Jagielloński Wydział Chemii 1 Metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe Katalizatory na nośniku
TYPY REAKCJI CHEMICZNYCH
1 REAKCJA CHEMICZNA: TYPY REAKCJI CHEMICZNYCH REAKCJĄ CHEMICZNĄ NAZYWAMY PROCES, W WYNIKU KTÓREGO Z JEDNYCH SUBSTANCJI POWSTAJĄ NOWE (PRODUKTY) O INNYCH WŁAŚCIWOŚCIACH NIŻ SUBSTANCJE WYJŚCIOWE (SUBSTRATY)
Szkło kuloodporne: składa się z wielu warstw różnych materiałów, połączonych ze sobą w wysokiej temperaturze. Wzmacnianie szkła
Wzmacnianie szkła Laminowanie szkła. Są dwa sposoby wytwarzania szkła laminowanego: 1. Jak na zdjęciach, czyli umieszczenie polimeru pomiędzy warstwy szkła i sprasowanie całego układu; polimer (PVB ma
WSTĘP... 1 Sławomir Wiak. 1. PODSTAWY MECHATRONIKI... 7 Sławomir Wiak, Krzysztof Smółka
WSTĘP... 1 Sławomir Wiak 1. PODSTAWY MECHATRONIKI... 7 Sławomir Wiak, Krzysztof Smółka 1.1. Definicja mechatroniki... 7 1.2. Produkty mechatroniczne... 12 1.3. Analiza procesowa systemów mechatronicznych...
Pracownia Ä2'3$' LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)
LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik
Magazynowanie cieczy
Magazynowanie cieczy Do magazynowania cieczy służą zbiorniki. Sposób jej magazynowania zależy od jej objętości i właściwości takich jak: prężność par, korozyjność, palność i wybuchowość. Zbiorniki mogą
Studia Podyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ Moduł 5: Efektywność energetyczna w urządzeniach elektrotermicznych
Studia odyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ w ramach projektu Śląsko-Małopolskie Centrum Kompetencji Zarządzania Energią Efektywność energetyczna w urządzeniach elektrotermicznych dr hab.
Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
WYKŁAD 6 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni
Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 6 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Wykład 6 Wykonywanie struktur przestrzennych Laminacja wysoko i niskociśnieniowa (przypomnienie) Laminacja wieloetapowa Laminacja
1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp.
Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych WYK. 3 SMK Na podstawie: W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT W-wa 1987. Przyrząd półprzewodnikowy (dioda, tranzystor)
CHEMIA. Wymagania szczegółowe. Wymagania ogólne
CHEMIA Wymagania ogólne Wymagania szczegółowe Uczeń: zapisuje konfiguracje elektronowe atomów pierwiastków do Z = 36 i jonów o podanym ładunku, uwzględniając rozmieszczenie elektronów na podpowłokach [
Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska
Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby
Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza
Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,
Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym
Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska
Skalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Łukowe platerowanie jonowe
Łukowe platerowanie jonowe Typy wyładowania łukowego w zależności od rodzaju emisji elektronów z grzaną katodą z termoemisyjną katodą z katodą wnękową łuk rozłożony łuk z wędrującą plamką katodową dr K.Marszałek
Sonochemia. Schemat 1. Strefy reakcji. Rodzaje efektów sonochemicznych. Oscylujący pęcherzyk gazu. Woda w stanie nadkrytycznym?
Schemat 1 Strefy reakcji Rodzaje efektów sonochemicznych Oscylujący pęcherzyk gazu Woda w stanie nadkrytycznym? Roztwór Znaczne gradienty ciśnienia Duże siły hydrodynamiczne Efekty mechanochemiczne Reakcje
ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Cele i bariery Ogólne
Podstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
2.2.P.05: Inżynieria powierzchni materiałów funkcjonalnych
2nd Workshop on Foresight of surface properties formation leading technologies of engineering materials and biomaterials in Białka Tatrzańska, Poland 29th-30th November 2009 2 Panel nt. Produkt oraz materiał
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
relacje ilościowe ( masowe,objętościowe i molowe ) dotyczące połączeń 1. pierwiastków w związkach chemicznych 2. związków chemicznych w reakcjach
1 STECHIOMETRIA INTERPRETACJA ILOŚCIOWA ZJAWISK CHEMICZNYCH relacje ilościowe ( masowe,objętościowe i molowe ) dotyczące połączeń 1. pierwiastków w związkach chemicznych 2. związków chemicznych w reakcjach
Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia r. L. dz. CEZ MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA
Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia 22.07.2013 r. L. dz. CEZ-207-13 MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Dotyczy postępowania prowadzonego w trybie przetargu nieograniczonego
Kryteria oceniania z chemii kl VII
Kryteria oceniania z chemii kl VII Ocena dopuszczająca -stosuje zasady BHP w pracowni -nazywa sprzęt laboratoryjny i szkło oraz określa ich przeznaczenie -opisuje właściwości substancji używanych na co
Domieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano