UKD 6213823 NORMA BRANŻOWA BN-80 ELEMENTY Tranzystory 3375-3001 typu Be 107 Be 108 Be 109 PÓŁPRZEWODNKOWE Zamiast BN-72/3375-1605 Grupa katalogo!ta 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są krzemowe epi'taksjalno-planarne tranzystor)' n-p-i małej mocy małej częstotliwości Be 107 Be 108 Be 109 w obudowie metalowej do zastosowań powszechnego użytku oraz w urządzeniach w których wymaga się zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z określeniami wg PN-78/T-015l5 Tranzystory przeznaczone są do pracy w stopniach wejściowych i sterujących wzmacniaczy małej częstotliwości Tranzystory Be 109 przeznaczone są głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów Tranzystory BC 107 Be 108 Be 109 są komplementarne do tranzystosów Be 177 Be 178 Be 179 Kategoria klimatyczna wg PN-73/E-04550 dla tranzystorów o: - standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04 - wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125121 - bardzo wysokiej jakości (poziom jakości ) - 40/125/56 2 Przykład oznaczenia tranzystorów a) o standardowej jakości : TRANZYSTOR Be 107 BN-80/3375-3001 40/ 125/ 04 b) o wysokiej jakości: TRANZYSTOR Be 107/3 BN-80/3375-3001 140/125/21 c) o bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR Be 107 BN-80/3375-3001 40/125/56 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać nazwę producenta oraz oznaczenie typu (podtypu) Ponadto tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory o bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń tranzystora - wg rysunku i tabl l Elementy obudowy wg PN-72/ T-01503: ark 28' - podstawa Bl l ark 35 - obudowa e7 obudowy stosowane przez producenta CE 22 Q r-- - i Kolektor tranzystora (C) jest połączony z obudową Tablica l Ą t!- l elektrycznie Symbol Wymiary mm Kąt o wymiaru mm nom max A 43-53 - a - 254' ) - - 0b) - - 053-0D 53-58 - 0D 4;5-49 - F - - 10 - j 092 104' ) 116 - k 051-121 - 127 - - - Ci - - - 45') fj - - - 90") ') Wymiar teoretyczny Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Naczelnego Dyrektora Zjednoczenia Przemysłu Podzespoł6w i Materiałów Elektronicznych UNTRA-ELEKTRON dnia 28 października 1980 r jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1981 r (Dz Norm i Miar nr 28/1980 poz 113) WYDAWNCTWA NORt4ALZACYJNE 1981 Druk Wyd Norm W-wa Ark 150 Nakł 2600+55 lam 12161 Cena zł 900
2 BN-8013375-300 S Badania w grupie A B C i D - wg BN-801 3375-3000 p 51 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B ' CiD a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów: o D 0 Dl A wg rysunku i tabl b) badania podgrupy A2 - sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl 2 c) badania podgrupy A3 - sprawdzenie drllt': lj/dnych parametrów elektrycznych wg tabl 3 d) badania podgrupy A4 - sprawdzenie parametrów elektrycznych Wlum" = 125 C (poziom i ) wg tabl 4 e) badania podgrupy B i C : - spra wdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń - próba Ub metoda 2 25 N 3 cykle; próba Ual 5 N - sprawdzenie szczelności - próba Qk poziom nieszczelności 665 10-6 Pa dm 3 /s f) badania podgrupy B3 i C9: sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne - położenie tranzystora w czasie spadania - wyprowadzeniami do góry g) badania podgrupy B4 i C4 - sprawdzenie wy trzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę h) badania podgrupy B6 i C6 - sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne: układ OB wg PN-78/T-01515 tabl 7 tli/ni> = 25 C h= 10 ma UCH = 30 dla BC 107 oraz U CH == 15 dla BC 108 i BC 109 i) badania podgrupy C2 - sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl 3 j) badania podgrupy C3 - sprawdzenie masy wyrobu: 05 g k) badania podgrupy C4: - spra wdzenie wytrzymałości na przyspieszenie stałe - kierunek probierczy - obydwa kiemnki wzdłuż osi wyprowadzeń mocowanie za obudowę - sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej częstotliwośc i - mocowanie za obudowę ) badania podgrupy CO - sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl ł m) badania podgrupy Dl - sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatura narażania 25 C (poziom i ) n) badanie podgrupy B4 - spra wdzenie wytrzymałości na pkśj1: po badaniu brak porostu pleśni o) badanie podgrupy 05 - sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną: położenie tranzystora dowo'lne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i O wg tabl 5 7 Pozostałe postanowienia - wg BN-80/3375-3000 Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom l J ) Lp literowe parametru Metoua Wartości gral1l<;znc pomiaru wg Jedno- Warunki pomiaru Be 107 BC 108 Be 109 PN-74/ stka T -01504 mln max m 111 max m 111 max las ark 09 Un = 50 RE = O na - 15 - - - - Uel' = 30 R81: = O - - - 15-15 2 U8N ) C"" ark OJ fe= 2 ma 18 = O 45-20 - 20-3 U8R ) E80 ark 04 h=!la 18 = O 6-5 - 5-4 h2'1:' ) ark Ol 1 = 2 ma Un := 5 110 480 110!l50 200 850 " k A - 110 240 110 240 - - k B 200 480 200 480 200 480 k C - - 400 850 400 R50 5 h2'e' ) ark Ol fe= 10!lA U('E= 5 k A - - - - - - k B - 40-4CJ - 40 - k C - - 100-100 - 6 F ark 46 fe = 02 ma Uc= 5 ; R = 2 kn; 4[= 30 Hz + db - - - - - 4 +15 khz l e= 02 ma U('E= 5 R = 2 kn db - 10-10 - 4 f= khz :lf= 200 Hz ') Selekcja na klasy wzmocnienia (A B C) tylko na życzenie odbiorcy
BN-80/3375-3001 3 Tablica 3 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A3 C2 (poziom ) Wartości graniczne Metoda Lp literowe pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BC 107 BC 108 BC 109 parametru PN-74/T -O 1504 mm max mm max mm max UCE$Q ark 02 lc= 10 ma s = 05 ma - 025-025 - 025 2 UaEsa/ ark 02 c =lomals =O5mA - 083-083 - 083 3 UBE ark Ol c = 2 ma U CE = 5 055 07 055 07 055 07 4 fr ark 24 c = 10 ma U CE = 5 f= 100 MHz MHz 150-150 - 150-5 ecbo ark 22 UCB = 10 ; f = MHz pf 45-45 - 45 Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A4 (poziom 1 ) Lp literowe Metoda pomaru wg PN-74/T-01504 Wartości graniczne Warunki pomaru Jednostka BC 107 BC Oli BC 109 m 111 max mm max mm łllax l CEs ark 09 Ua = 50 R sc = O /la 4 nmh = - - - - - 125 C Ua = 30 RaE = O tumh = /la 4 4 125 (: - - - - Tablica S Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy B C D (poziom ) Metoda literowe pomiaru wg Warunki pomaru parametru PN-74/T-O 504 Podgrupy badań Wartości gramcznc Jednostka BC 107 BC lor BC 109 mm max mln max mm max las ark 09 Ucc = 50 R SE = O B C B3 84 na - 15 - - - - UCE = 30 RBE = O B5 C2 C4 C5 C7 C9 Dl') - - - - 15 15 Ua = 50 Rac = O B6 C6 C8 na - 75 - - - - UCE = 30 Rsc = O - - - 75-75 Ua = 50 Rsc =0 C2' ) Amj - 4 - - - - Un: = 30 R BE = O - - - 4-4 h2'e ark Ol lc = 2 ma Ua = 5 B C B3 84 k A 110 240 110 240 - - B5 C2 C4 C5 k B 200 480 200 480 200 480 C7 C9 Dl') - ') W czasie badania k C - - 400 850 400 850 B6 C6 C8 k A 90 290 90 290 - - - 'ki B 160 580 160 580 160 580 k C - - 320 1020 20 1010 C2' ) k A 45-45 - - - - k B 80-80 - RO - k C - - 160-160 - KONEC nformacje dodatkowe
nformacje dodatkowe do BN-80/3375-300 ; :1;"11 PtłtP' ''" wpdnil)\\" _!stutnl' llllially \\ t"wllku dl! BN-721:U75-1605 - NFORMACJE DODATKOWE 1 11lslylUcjll opraco\luj"eil lornw - ' r-;" 11\llw(l-Producvine Cen doprowa ' : /;' :{ p" lilnp\\'inlil nini j:-i/\'j hu'llly do i":!odnost'i / ł:łn-xoj : :' : ij OU PN-74/T-0150424 Tranzystory Pomiar modllłlllh2l w zakresie wcz i czc;stotliwości /r \()'łll " iąziin ":' : ;il (l:j5() \yroby ckktrotechnicllt' Próby środowiskowe ;' ><?'/ T O 15(L;2 Elementy półprzewodnikowe Zarys wymiary 4 Normy zagraniczne PN-76/T -0150446 Tranzystory Pomiary parametrów szumów PN-78/T-01515 Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania PN-80/3375-3000 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory malej mocy małej częstotliwości Wymagania i badania!'ud:'\l'\\-a B t RWPG CT C3B 509-77 TpaH3HcTopbl THOB BC 107 BC O! :' \ 7 / T \ O 55 Ekl11ellt półprzewodnikowc Zarys wymary BC 109 : norma zgodna ( FH1 d i\\ a C if 5 Symbole KTM tranzystorów \ ' 1/T!()4 01 Tranzystory Pomiar lilie i napęca UBE BC 107 1156211401000 :':\ :'l/ T O5(l HJ2 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia Uet a BC 107A - 1156211401012 i { li } ' : BC 107B - 1156211401025 ": 71 / l-0150luj Tranzystory Pomiar napięć przebicia UBR ew BC lob' - 1156211402000 l : i;k } (:' (i/lrt U ::k UUN(J n ;-x BC 10BA - 1156211402013 j' :'-'- -U 15()04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U BR1 CBO BC 10KB 1156211402026 i C!łiN J ':8(1 BC OBC 1156211402039 P\ 7 4/T 1l1504m Trall/ystory Pomiar prądów resztkowych feer BC 109 115621140300 l l " '''' i pnłdll zerowego Jao BC 109B 1156211403014 1';- 71/ -O 150421 T ranl)'slory Pomiar hl'" w zakresie mcz BC 109C 1156211403027-1':\ 4 / T O5ll4::! TralZ}tl1ry Pomiar pojemności CeBo i C EBO 6 Warłości dopusll'7alne tranzystorów - wg tab\ - i rys -! ' i -' l J i i 5 l OlllaLlt' ni c pa ra nw fu 1 ': U l'u s ( '('fu l :"/ " ' ' Na/wa parametru WplliCC swk midzy kolektorem a bazą Tablica l-l napi'l'ic stale midz)' kolektorem" emiterem przy U = O napll;"e swlc między kolektorem" emiterem nap"'!: stale midzy emiterem a bazą pri)d staly kolektora pro/d szczytowy kolektora l i! i lił prijd stal y bazy' Jednostka Wartości dopuszczalne BC 107 BC 108 BC 109 50 30 30 50 30 30 45 20 20 6 5 5 ma 100 ma 200 ma 50 ---------------------+-------------------- l' calkllwita moc wejściowa (stala lub średnia) na wszyt;dl elcktrodm:h przy 'n"/o = 25 (' mw 300 temperatura zlącza OC 175 cmperatul'il otoczenia w czase pnlcy oc -40+ +125 t _cl_np_c_r(_il_u_n_lp_r_z_cc_ _l'_'wyw_'_an_i_a 'oc ' -55 + +150 _J Rczystancja termiczna złącze - otoczenie R'h i_n ; 500 kiw Rezystam:ja termiczna złącze - obudowa R'hj_' ''; 200 kiw A_ ( "- 0 ; [' " M'" r" " " i'l -5 l 1 50 15 100 1:5 t Cl 115 l 181-80/33'15-3001-1-11 R': - Zakżl10ść tcmp:raturowa mocy strat od temperatury p"" = f(l)
nformacje dodatkowe do BN-80/3375-3001 5 7 Dane charakterystyczne - wg tab! 1-2 1-3 oraz rys 1-2 +1-15 Lp parametru Tablica 1-2 Typ tranzystora Nazwa parametru Warunki pomiaru Jednostka Be 107 Be 108 Be 109 min; typ max mn typ max mn typ max 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 13 14 lus prąd resztkowy Un = 50 RE= O na - 02 15 - - - - - - kolektora - - - - - Un:=30RBf"=0 na 02 15 0;2 15 2 U(BRCEO napięcie przcbi- cia kolektor - lew = 2mA 45 - - 20 - - 20 - - emiter 3 U(BR EBO napięcie przebi- Cia emiter - h" = JlA 6 - - 5 - - 5 - - baza 4 h21e) statyczny wspól- le = 10 JlA k A - 90 - - 90 - - - - czynnik wzmoc- U ee = 5 k B - 40 150-40 150-40 150 - nienia prądowe- go w ukladzie k e - - - 100 270-100 270 - wspólnego emlle = 2 ma 110-480 110-850 200 - X50 tera - k B 200 290 480 200 290 480 200 290 480 Ue!' = 5 k A 110 180 240 110 180 240 - - - k C - - - 400 520 850 400 520 H50 le= 100 ma2) k A - 120 - - 120 - - - - U CE =5 k B - - 200 - - 200 - - - - k e - - - - 30 - - - - 5 UBC napięcie stale 1c = 01 ma - 055 - - 055 - - 0 55 - emiter - baza UCH = 5 c = 2 ma Un = 5 055 062 07 055 062 07 055 062 l17 lc = 100 mn) - 083 - - 083 - - - - Ucc = 5 6 UCEK napięcie kolan- C = ma \ kowe J ) UeE = - OJ 06-03 06-03 06 l e<l = 10 ma - 009 020-009 020 - OO'! 0 20 7 UCE sq napęcie nasyce- c= 10 ma nia kolektor - lb = 05 ma emiter le 100 ma2) l = 5 ma - 02 06-02 06 - - - 8 USEs(l' na pięcie na syce- lc= 10 ma - 07 083-07 083-07 0)0 nia emiter - l = 05 ma baza lc= 100 ma2) - 09 105-09 105 - - - l = 5 ma 9 hlll) malosygnalowa e = 2 ma 16-85 16-15 32-15 zwarcowa im- Ue!' = 5 k A 16 30 45 16 30 45 - - - pedancja wej- f= l khz kil ściowa w ukla- k B 32 60 85 32 60 85 32 60 tu dzie wspólnego k e - - - 60 90 15 60 90 15 emitera ' 10 h2}) malosygnalowy lc = 2 ma k A - 15 - - 15 - - - zwarcowy współczynnik Ucc = 5 k B X 10-4 - 20 - - 20 - - 20 - przenoszeola napięciowego w f= khz k e - - - - 30 - - 30 - układzie wspólnego emitera j
6 nformacje dodatkowe do BN-80/3375-300 cd tabl 1-2 L p pa rametru Typ tra nzystora Nazwa para metru Wa runki pomia ru Jednostka BC 107 BC 108 BC 109 mm typ ma x mln typ max min typ max 2 3 4 5 6 7 8 9 lo 12 13 14 hu') malosygnalowy l e = 2 ma 125-500 125-900 240-900 zwa rcowy ws półc zyn n ik Ua = 5 k A 125 220 260 125 220 260 - - - przenoszenia - prądowego w 1= khz k B 240 330 500 240 330 500 240 330 500 układzie wspólnego emitera k C - - - 450 600 900 450 600 900 '12 hn ) m a l os ygnało wa fe = 2 ma - - 60 - - lło - - lło rozwarcowa admitancja U CE = 5 k A - 18 30-18 30 - - - wyjściowa w S układzie wspól- 1= khz k B - 30 60-30 60-30 60 nego emitera k C - - - - 60 110-60 110 13 l czę s totliw ość l e = 10 ma gra nczna U CE = 5 MHz 150 300-150 300-150 300 - f= 100 MHz 14 CC80 p ojemność zją - Ue8 = lo h = O cza kolektor - 1 = MHz baza 15 C E80 poj e mnoś ć zją- UE8 = 5 pf 25 45 25 45 25 45 - - - cza emiter - 1= MHz ba za pf - 8 - - 8 - - 8-16 F w spółcz y nnik le= 02 maj= khz slmów R = 2 k!l Ua = 5-2 10-2 10-2 4 Ar = 200 Hz db l e = 02 ma R = 2 kil Ua = 5 - - - - - - - 2 4 1= 30 H z -+- 15 khz ' ) Selekcja na klasy wzmocnena (A B C) tylko na ż yczen i e 2) Pomiar impulsowy: p 300 s ćj 2% ' ) Określeni e napu;cl3 kola nkowego UCEK wg tabl 1-3 odbio rcy e (mą] 8 li 'r 4 2 o r r 45-40 - 3S 10 o tlllftb= 25'1: Z5 20 15 10 r: 5)1 20 30 40 50 Ue! t1 BC107 łz / (/ 1/ " 't' 4 f D 90 10 70 fqlllb"z5"t 60 SD 40 3D zo =llllla 4 12 16 la %4 Ua [J Be 108 Bt 109 BN ;80/3375-300H-zl SN-BO/3375 3001--31 Rys 1-2 Chankterystyka wyj ś ci owa 18 - para metr fe =f{ua) Rys 1-3 Chara kterystyka wyj śc i owa 18 - pa rametr l e = 1 (UcEl
0 0 rm%f le Bt 109 Al to \ 25"C nformacje dodatkowe do BN-80/3375-3001 7 Bt 107 Bt 108 Bt 109 DO aft '/ t;:; :[4:U uw r - " 10 -"'" D 06 60 - - 40 ll 04 h - a:oz'a o t k-ł-hłltltt--h-łt ZO 1 O 04 oa 1Z G Ut :J l BN-80/3375-3001--" BN-80/3375-300H-61 Rys 1-4 Charakterystyka wyjściowa / - parametr c = f( Ucd Rys 1-6 Zależność napięcia nasycenia lce "a' od prądu kolektora UCE s" = /(1) ella] s 8t tn7 Bt 101 acoq Ucs:l 5 t ulb: 2!1 "t " L 0' 06 Bt ' 11 : J a O511A 111111 t Z5"C / z O' o J oz 04 06 01 UK[J BN-6Ql3316-01-1-51 OZ Q-! lo" lal e [ma BN - 80/3375-30 01-1J Rys -S Charakdrystyka przej śc i owa l = f(ue) Rys 1-7 Zależność napięci a nasycenia UBE w' od prądu kolektora UBEa = f(lel
8 nformacje dodatkowe do BN-80/337S-3001 et (PF] 7 6 5 4 l 2 1 r- at 'DT = - '- 11-0 f:'mlłz t6111b 25 C lo"' t 4 6 10' t 4 6 10' Uta[yJ ro BN-80!3375-3001--sl t 07 at OJ t 10 10 ' fil" l ł:4! UU ZO / 50 / / / " / ;/ 100 tł/llb("cj 150 BN-80/337S-3001-1-10 / Rys 1-8 Zależność pojemności złącza kolektora od napięcia U CB CeBO = (UeB) Rys 1-10 Zależność temperaturowa prądu zerowego lebo = l(tamb) Bt '07 5 BtO at 09 h 11 Zt -111\- Utl" 5Y t6mb : t5 C 1 115 /11 / ' h '11 "" _ Be ' ł5d t zs c c Zrd h1 \ "" h L 'od " ro 50 lillll 10"l lo"' 10' to' lt BN-80/3375-3001-1-9 i to ZO lo lu [J BN-80/3575-30ot--111 Rys 1-9 Chara;terystyczny kształt przebiegu znormalizowanego współczynnika wzmocnienia prłdowego Rys 1-11 Zależność parametrów macierzy hij od napięcia kolektoremiter hij = l(ua)
nformacje dodatkowe do BN-80/3375-3001 9 ac '0' ae 1111 ae 101 "!' Z--+-4-+----r++H ac 107 Be 108 le :oza Rg"Zk2 t S l ' tajdb = 25 C \ '\ 1 1'1 "- 1O-'-Z-'>"'-4-:6!-'-:''0 --21--!4:'-t[m-!A::'J +-"0' BN-SO!s37S-3001-1-12 10 -t 10 '1 10 ((thz] to BN -80/3375-3001-1-1<11 Rys 1 12 Zależność parametrów macierzy hij od prądu kolektora hij = f Ud Rys 1-14 Zależność współczynnika szumów od częstotliwości F = f(f) t 101 rj at 101 Bt 109 ł 4 10 t 6 4 / ' tamil: 25 C llcloy - Utł s5 Be log 15 -rrmlłłt-+t+ F (dl) l-++hłm z : z 4 6 10 ' z ' BN - 80/3375-3001- -131 BN-80 /3YS-go01-151 Rys 1-13 Zal eż ność częstotliwości granicznej od prądu kolektora fr = fuc) U - parametr Rys -S Zależność współczyn n ika szumów od częstotliwości F = f(f)
;!': 10 nformacje dodatkowe do BN-80/3375-300 l Tablica 1-3 Nazwa parametru Określenie \ literowe Napięcie wartość napllcla kolektor -- emiter wyznaczona przez określoną war- U CEK kolankowe ( ość prądu kolektora l C2 na takiej charakctrystycc wyjściowej tranzystora l e ==!(Ua ) przy n :o const która przechodzi przez punkt: - C = kn Uet' - określone (np k = l l ; Ua = l ) t ; le ez (' _""t'" v la = consł --'" - UCEK UCE =1 Uce