Artykuł zawiera opis i dane techniczne
|
|
- Karolina Olejniczak
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Pamięci EEPROM i FLASH stosowane w sprzęcie powszechnego użytku Jakub Wojciechowski Artykuł zawiera opis i dane techniczne popularnych pamięci stosowanych w sprzęcie powszechnego użytku. Klasyfikacja pamięci Układy sterujące wykorzystują pamięci do zapamiętywania danych i programu. Pamięci mogą być sklasyfikowane jako dwie podstawowe grupy: pamięci ulotne pamięci nieulotne. Pamięci ulotne tracą swoją zawartość po wyłączeniu napięcia zasilającego. Pamięci nieulotne nie tracą zawartości nawet wtedy, gdy nie są zasilane. Mogą być stosowane do przechowywania np. ustawień użytkownika, ustawień fabrycznych. W momencie włączenia urządzenia mikroprocesor układu sterującego inicjuje swoją pracę korzystając z danych zapisanych w pamięci nieulotnej. Na rysunku 1 przedstawiono ogólną budowę pamięci. Pamięć składa się z tablicy N M, układów detekcji adresu, układów wejścia / wyjścia, układów kontroli. Tablica pamięci ma zwykle wymiar prostokątny. Dla przykładu pamięć o pojemności (128kB) może być zorganizowana jako Taki sposób organizacji pozwala na minimalizację budowy układu dekodera adresów. Pamięci nieulotne dzielone są na dwie kategorie: pamięci, które programowane są w procesie produkcji, i których zawartość nie jest wymieniana, pamięci programowane podczas produkcji, których zawartość będzie wymieniana podczas programowania w układzie. Pierwsze z nich są pamięciami zapisywanymi jednokrotnie (OTP One Time Programmable) i nie mogą być skasowane, drugi typ zawiera wewnętrzne układy pozwalające na wymianę zawartości pamięci podczas jej pracy w systemie. Układy te są zaprojektowane tak, że cykl zapisu i odczytu jest dłuższy i bardziej skomplikowany niż odczyt danych. Taka obsługa procesu zapis / odczyt ma za zadanie zabezpieczenie pamięci przed przypadkową modyfikacją zawartości pamięci. Pamięci ulotne mogą również być podzielone na dwie kategorie: pamięci, których zawartość nie jest zmieniana tak długo, jak długo pamięć jest zasilana są to pamięci statyczne, pamięci, których zawartość jest okresowo odświeżana, aby uniknąć przypadkowej utraty danych w czasie, gdy pamięć jest zasilana są to pamięci dynamiczne. Można zadać pytanie, jaki jest sens stosowania pamięci, których zawartość trzeba odświeżać aby ją utrzymać? Zaletą pamięci dynamicznych jest ich duża pojemność i niski koszt w stosunku do pamięci statycznych. Pamięci należą do grupy układów scalonych, które są standaryzowane na zgodność ze standardem JEDEC. Standaryzacja obejmuje przyporządkowanie wyprowadzeń i funkcjonalność układów. Dzięki standaryzacji możliwe jest stosowanie w jednej aplikacji pamięci wyprodukowanych przez różnych producentów. Pamięci EPROM Pamięci EPROM Erasable-Programmable Read Only Memory są podstawowym typem pamięci nieulotnych stosowanych już w latach 60. XX wieku. W latach 70. aż do 90. pamięci EPROM były podstawowym typem pamięci nieulotnych. Pamięć EPROM jest programowana jeden raz w procesie produkcji i następnie przez cały okres swojego życia jedynie odczytywana. Pamięć EPROM może być kasowana poprzez wystawienie jej struktury na działanie światła ultrafioletowego na czas ok. 30 minut. Praktycznie więc EPROM zastosowany np. w komputerze nie jest Sterowanie Układ kontroli odczytu / zapisu Adres starsze bity adresu wybierające rząd N Tablica N M bity kolumny M wybrane z N rzędów odczyt 1 bit wybrany z kolumny M Układ wejścia / wyjścia Dane młodsze bity adresu wybierające kolumnę M dane zapisywane w kolumnie M N-tego rzędu Rys.1. Ogólna budowa pamięci
2 nigdy kasowany, a jedynie odczytywany, działa więc jak pamięć ROM (Read Only Memory). Pamięć EPROM zbudowana jest z komórek z tranzystorami MOSFET. Tranzystor taki wyposażony jest w dwie bramki: sterującą i pływającą. Bramka pływająca tranzystora utrzymuje ładunek dostarczony w czasie programowania. Programowanie polega na przyłożeniu do bramki sterującej napięcia 12V (w starszych technologiach 21V), co powoduje umieszczenie ładunku w pływającej bramce tranzystora. Na rysunku 2 przedstawiono schemat blokowy tranzystora MOSFET pojedynczej komórki pamięci EPROM. Napięcie programujące Bramka sterująca technologii NMOS wymagają napięcia programującego 21V, mają większy pobór mocy i czas dostępu ns. Nowsze pamięci wykonywane w technologii CMOS oznaczane jako 27Cxxx wymagają napięcia programującego na poziomie 12V, pobór mocy przez te pamięci jest znacznie niższy a czas dostępu wynosi ok. 45ns (zależy od pojemności pamięci i producenta). Pamięci EPROM wykorzystują klasyczny interfejs asynchroniczny. W większości aplikacji pamięć EPROM jest traktowana jako pamięć ROM jest tylko odczytywana, zapis do pamięci nie jest stosowany. Wyprowadzenia Vpp i PGM służą odpowiednio jako wejście napięcia programującego i wejście włączające programowanie. Wyprowadzenia te mogą być ustawione w aplikacji jako nieaktywne i nie będą wówczas wykorzystywane. Schemat blokowy pamięci EPROM typu 27C64 przedstawiono na rysunku 3. Wyjście komórki -bit Dren Bramka pływająca Podłoże krzemowe Źródło OE CE Adres A[12:0] Tablica EPROM bitów Układ wyjściowy Dane D[7:0] Rys.2. Schemat blokowy pojedynczej komórki pamięci EPROM Gdy do bramki sterującej tranzystora MOSFET przyłożone zostanie napięcie programujące 12V, w bramce pływającej pojawia się ładunek. Bramka pływająca jest odizolowana i działa jak kondensator z bardzo niewielkim prądem rozładowującym, dzięki czemu napięcie na bramce pływającej praktycznie nie zmienia się. Naładowana pływająca bramka, powoduje, że warstwa krzemu pomiędzy źródłem i drenem przewodzi tworząc połączenie pomiędzy masą a wyjściem komórki pamięci. Odczyt zawartości takiej komórki daje w wyniku 0. Odczyt komórki nie zaprogramowanej daje w wyniku 1, ponieważ brak ładunku w pływającej bramce komórki pamięci powoduje, że nie ma połączenia wyjścia komórki z masą. Ładunek z pływającej bramki nie może być usunięty elektrycznie. Fotony promieniowania UV powodują, że dielektryk otaczający bramkę zaczyna przewodzić powodując usunięcie ładunku z bramki. Pamięci EPROM produkowane są z okienkiem pozwalającym na wystawienie struktury pamięci na promieniowanie UV. Pamięci produkowane we wczesnych latach 80. nie były wyposażane w takie okienka i były to pamięci programowane jednokrotnie OTP (One Time Programmable). Pamięci EPROM oznaczane są symbolem 27xxx, gdzie xxx oznacza pojemność pamięci w kb. Pamięci typu 27256, są bardzo popularne. Inne takie jak: 2708, 2716, 2732, 2764, są pamięciami starszego typu. Coraz powszechniej używane są pamięci 27010, (1MB), (2MB) i (4MB). Słowo zapisywane w pamięci EPROM serii 27xxx ma zwykle długość 8 bitów, dłuższe słowa 16- i 32-bitowe są spotykane rzadziej. Starsze pamięci typu 2716, 2732 produkowane w Rys.3. Schemat blokowy pamięci EPROM typu 27C64 Wyprowadzenia, które są wykorzystywane w aplikacjach pamięci EPROM to: CE Chip Enable gdy na wyprowadzenie podany jest stan wysoki, pamięć jest w stanie małego poboru energii jest nieaktywna, OE Output Enable gdy na wyprowadzenie jest podany stan wysoki, szyna danych pamięci jest utrzymywana w stanie wysokiej impedancji, wyprowadzenia szyny adresowej A[xx:0], wyprowadzenia szyny danych D[xx:0]. W czasie, gdy na wyprowadzenia CE i OE jest podany jednocześnie stan niski, na wyjściach D[xx:0] pojawia się zawartość słowa pamięci o adresie ustawionym przez szynę adresową A[xx:0]. Zależności czasowe w czasie odczytu z pamięci przedstawiono na rysunku 4. CE OE A[12:0] D[7:0] D1 A2 D2 t t t OE ACC OEZ Rys.4. Zależności czasowe przy odczycie danych z pamięci EPROM Gdy wyprowadzenie OE przechodzi w stan niski, dane spod odpowiedniego adresu po czasie t OE pojawiają się na wyjściach D[7:0] pamięci i pozostają na wyjściach
3 przez czas t ACC. Gdy wyprowadzenie OE staje się nieaktywne - stan wysoki, szyna danych przechodzi w stan wysokiej impedancji po czasie t OEZ. Większość mikroprocesorów 8-bitowych jest wyposażona w szynę, która działa w trybie asynchronicznymi, co pozwala na bezpośrednie sterowanie pamięcią EPROM. Mikroprocesory 32-bitowe mogą inicjować się w trybie asynchronicznym z zewnętrznej pamięci EPROM i następnie konfigurować się do pracy w innych trybach. Pamięci FLASH Pamięć FLASH jest rozbudowaną pamięcią EPROM, która może być kasowana i zapisywana elektrycznie bez konieczności stosowania promieniowania UV. Pamięci FLASH nie wymagają stosowania drogich obudów z okienkiem. Pamięci te wykorzystywane są praktycznie we wszystkich współczesnych urządzeniach: telewizorach, telefonach komórkowych, urządzeniach przenośnych, komputerach stacjonarnych, itp. Podobnie jak pamięci EPROM, pierwsze wersje pamięci FLASH wymagały oddzielnego napięcia programującego. Wkrótce jednak zaczęto produkować pamięci wymagające tylko jednego napięcia zasilającego. Struktura pamięci FLASH jest bardzo podobna do struktury pamięci EPROM. Podstawowe różnice to: bardzo cienka warstwa dielektryka izolującego bramkę pływającą od podłoża oraz możliwość sterowania bramką sterującą napięciem zmiennym. Komórka programowana jest poprzez podanie wysokiego napięcia do bramki sterującej. Pamięci FLASH wyposażono w układy generujące napięcie programujące, nie ma więc konieczności stosowania kilku napięć zasilających. Podstawowa różnica pomiędzy pamięciami EPROM i FLASH widoczna jest w procesie kasowania pamięci. Podczas usuwania zawartości komórki pamięci do bramki sterującej podawane jest napięcie ujemne a do źródła napięcie dodatnie jak to pokazano na rys.5. Wyjście komórki -bit Dren -Vkasowania Bramka sterująca Bramka pływająca Podłoże krzemowe Źródło +Vkasowania Rys.5. Kasowanie komórki pamięci FLASH Taka kombinacja napięć na bramce sterującej i źródle powoduje, że z bramki pływającej usuwany jest ładunek. Pamięci FLASH mają ograniczoną liczbę cykli kasowania. Pierwsze pamięci pozwalały na cykli kasowania, obecnie produkowane pamięci pozwalają na cykli. Milion cykli wydaje się liczbą dużą, ale należy pamiętać że mikroprocesory pracują z częstotliwością dziesiątek lub setek cykli na sekundę. Jeżeli mikroprocesor zapisuje i kasuje milion komórek pamięci w każdej sekundzie, konieczne jest stosowanie w systemie pamięci FLASH o odpowiednich parametrach i odpowiednio używanej nie kasowanej zbyt często, aby zwiększyć jej czas życia w systemie. Systemy mikroprocesorowe zwykle wyposażone są w algorytmy zapewniające ograniczenie cykli kasowania pamięci tak, aby nie przekroczyć dopuszczalnej liczy cykli kasowania pamięci w spodziewanym czasie życia systemu. Prosty algorytm może polegać na tym, że oprogramowanie systemu jest aktualizowane tylko kilka razy w roku. Bardziej skomplikowane algorytmy sprawdzają, jak często kasowane są wydzielone obszary pamięci i w zależności od tego podejmowana jest decyzja, w którym obszarze umieszczać dane. Pamięci FLASH są oferowane jako dwa typy: NOR i NAND. Tablica pamięci NOR jest dostępna bezpośrednio i dlatego pamięci te są stosowane do zapisu danych inicjujących system i programu. Pamięci typu NAND mają architekturę, która pozwala na sekwencyjny dostęp do zawartości pamięci. Pamięci NAND są dzielone na strony zawierające typowo 256 lub 512 bajtów. Każda strona jest dostępna jako oddzielna jednostka pamięci. Pamięci NAND nie pozwalają więc na bezpośredni dostęp tak jak pamięci NOR. Są wolniejsze i wymagają bardziej rozbudowanych układów interfejsów. W zamian za to oferują duże pojemności i są stosowane do przechowywania dużej ilości danych. Jeżeli w pamięci NAND przechowywane są dane programu, to konieczne jest przed ich użyciem przepisanie ich do pamięci RAM. Pamięci NAND są szeroko stosowane w urządzeniach elektroniki użytkowej, takich jak cyfrowe aparaty fotograficzne lub jako pamięci nieulotne w systemach cyfrowych. Pamięci NOR wykorzystywane jako pamięci tylko do odczytu mogą być sterowane przez prosty interfejs asynchroniczny podobnie jak pamięci EPROM. Stosowane są w systemach procesorowych do przechowywania danych inicjujących system. Zapis do pamięci FLASH wymaga najpierw wyczyszczenia komórki, a następnie zapisu bitu. Proces kasowania komórki trwa dłużej niż odczyt z komórki i wymaga podania do bramki i źródła odpowiedniego napięcia. Proces kasowania pojedynczych komórek trwałby zbyt długo i wymagałby stosowania układów przełączających dla każdej komórki. Zamiast tego pamięć dzielona jest na bloki wielu komórek, które są kasowane jednocześnie. Pamięci FLASH są segmentowane w bardzo różny sposób zależy to od producenta i typu pamięci. Dzięki segmentacji nie ma potrzeby kasowania całej pamięci i bloki zawierające szczególnie ważne informacje są chronione. Kasowanie bloku pamięci wymaga relatywnie długiego czasu, jeśli porównać ten czas z czasem trwania cyklu zegarowego procesora. Do kasowania stosowane są specjalne algorytmy wymagające odpowiedniej sekwencji komend umożliwiającej dostęp do kasowanych obszarów.
4 Nowoczesne pamięci FLASH wymagają pojedynczego napięcia zasilającego i zawierają wewnętrzne układy do wytwarzania niestandardowych napięć programujących i kasujących. Układ sterujący określa, który blok pamięci w danym momencie czasu podlega kasowaniu lub zapisywaniu. Pamięć FLASH MX25L512 Pamięć MX25L512 jest pamięcią FLASH o pojemności 512kb skonfigurowana jako bitów. Układ posiada szeregowy interfejs SPI sterowany szyną trójprzewodową. Szynę stanowią sygnały: SCLK sygnał zegarowy, SI sygnał danych wejściowych, SO sygnał danych wyjściowych. Wejście CS zezwala na dostęp poprzez interfejs SPI. Pamięć pozwala na sekwencyjny odczyt całej zawartości. Po wysłaniu komendy programowania / kasowania pamięci następuje wykonanie algorytmów programowania / kasowania i weryfikacji strony pamięci lub sektora / bloku pamięci. Komenda programowania powoduje programowanie całej strony pamięci (256 bajtów), komenda kasowania pamięci powoduje kasowanie 4 kilobajtowych sektorów. Gdy pamięć nie wykonuje żadnej operacji i na wejściu CS jest stan wysoki, układ przechodzi w tryb Standby, w którym pobór prądu jest mniejszy niż 10µA. Minimalna ilość cykli programowania i kasowania komórki pamięci wynosi Właściwości pamięci MX25L512 przedstawiono w tablicy 1. Tablica 1. Napięcie zasilania Pobór prądu w trybie pracy Pobór prądu w trybie Standby Organizacja pamięci Właściwości układu MX25L V - 6V maks. 150mA maks. 4mA bit 16 sektorów po 4kB każdy szeregowy, trójprzewodowy, SPI Mode 0 i Mode 3 Kasowanie pamięci każdy sektor może być kasowany indywidualnie Częstotliwość zegara 85MHz i 66MHz Czas kasowania maks. 120ms / sektor maks. 2s / cała pamięć Ilość cykli kasowania / zapisu 10 5 Pamięci produkowane są w obudowach SOP8, SON8. W tablicy 2 przedstawiono opis wyprowadzeń układów. Tablica 2. Opis wyprowadzeń układu MX25L512 1 CS włączanie układu 2 SO wyjście danych szeregowych 3 WP blokada zapisu 4 GND masa 5 SI wejście danych szeregowych 6 SCLK wejście zegarowe 7 HOLD zatrzymanie pracy pamięci bez wyłączania układu 8 napięcie zasilania 3.3V Na rysunku 6 przedstawiono rozkład wyprowadzeń układu MX25L512. CS SO WP GND SOP8 SON8 1 8 CS HOLD SO SCLK WP SI GND 4 5 Rys.6. Wyprowadzenia układu MX25L512 Pamięci EEPROM HOLD SCLK Pamięci EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) są pamięciami nieulotnymi. Indywidualne bajty tych pamięci mogą być kasowane bez wpływu na zawartość komórek sąsiednich. Pamięci te zwykle nie mają dużych pojemności. Stosowane są w aplikacjach, gdzie wymagane są reprogramowalne obszary pamięci ROM. Przechowywane są w nich dane konfiguracyjne systemu. Pamięci EEPROM można podzielić w zależności interfejsu na szeregowe i równoległe. Szeregowe pamięci EEPROM produkowane są w małych obudowach DIP i SOIC i mają pojemności rzędu kilku - kilkudziesięciu kb. Szeregowy interfejs, małe rozmiary pamięci i niski pobór mocy sprawiają, że pamięci te są bardzo praktyczne do przechowywania danych o numerze seryjnym urządzenia, danych produkcyjnych i konfiguracyjnych. Równoległe pamięci EEPROM są ciągle dostępne i mają oznaczenia 28xx. Są one kompatybilne pod względem wyprowadzeń i funkcji (dla odczytu) z pamięciami EPROM serii 27xxx. Pamięci szeregowe EEPROM są bardzo popularne jako nieulotne pamięci o małej pojemności. Ponieważ interfejs szeregowy wymaga niewielkiej liczby wyprowadzeń, pamięci są produkowane w obudowach DIP 8-nóżkowych lub 5-nóżkowych SOT23s. Komórka pamięci EEPROM zbudowana jest podobnie do komórki pamięci EPROM, stanowi ją tranzystor polowy o dwóch bramkach sterującej i pływającej. Różnica leży w warstwie tlenkowej, która w pamięci EEPROM jest cieńsza i pozwala na wystąpienie zjawisk tunelowych przy sterowaniu tranzystora za pomocą bramki sterującej. Przyłożenie odpowiednio wysokiego napięcia do tej bramki powoduje gromadzenie się lub rozładowywanie ładunku elektronów na bramce pływającej. Jeśli bramka pływająca zostanie naładowana ładunkiem elektronów, to wytworzone przez nie napięcie będzie blokowało w trakcie normalnej pracy funkcje tranzystora polowego będzie to komórka ze stanem logicznym 0. Jeśli ładunek bramki pływającej zostanie rozładowany, to przestanie ona wpływać na pracę tranzystora będzie to komórka ze stanem logicznym 1. Kasowanie i programowanie komórki odbywa się na drodze elektrycznej, pamięci EEPROM można programować nową zawartością bezpośrednio w układzie cyfrowym, bez konieczności ich wyjmowania i naświetlania SI
5 światłem UV jak w przypadku zwykłych pamięci EPROM. Pamięć wytrzymuje kilkanaście tysięcy cykli kasowania. A0 PDIP/SOP/TSOP 1 8 Pamięci EEPROM Układy są szeregowymi pamięciami EEPROM o pojemnościach odpowiednio 1024 / 2048 bitów. Komórki pamięci zawierają tranzystory polowe CMOS z pływającą bramką. Obszar pamięci zorganizowany jest jako matryca 128 (24LC01) / 256 (24LC02) słów 8-bitowych. Układy są przystosowane do pracy zarówno w urządzeniach przemysłowych, jak i powszechnego użytku, gdzie wymagany jest niewielki pobór mocy i praca z małym napięciem zasilania. Układy sterowane są dwuprzewodową szyną I 2 C. Do tej samej szyny podłączone może być do ośmiu układów pamięci. Wyprowadzenie WP służy do blokowania zawartości pamięci przed przypadkowym zapisem. Właściwości pamięci przedstawiono w tablicy 3. Tablica 3. Właściwości układów Napięcie zasilania 2.4V - 5.5V Pobór prądu w trybie pracy Pobór prądu w trybie Standby Organizacja pamięci maks. 5mA maks. 5mA Kasowanie pamięci przed zapisem automatyczne Czas przechowywania danych 40 lat Ilość cykli kasowania / zapisu 10 6 Częstotliwość zegara maks. 100kHz Czas zapisu maks. 10ms 24LC słów 8-bitowych 24LC słów 8-bitowych szeregowy, dwuprzewodowy, I 2 C Pamięci produkowane są w obudowach SIP8, SO8, TSSOP8. W tablicy 4 przedstawiono opis wyprowadzeń układów. Tablica 4. Opis wyprowadzeń układów 1 A0 wejście adresowe 2 wejście adresowe 3 A2 wejście adresowe 4 VSS masa 5 SDA wejście / wyjście danych 6 SCL wejście zegarowe 7 WP blokada zapisu 8 napięcie zasilania 4000 słów 8 bitowych (4k 8). Pamięć przystosowana jest do odczytu sekwencyjnego lub przypadkowego. Trzy linie adresowe pozwalają na przyłączenie do ośmiu układów do tej samej szyny sterującej. Układ może pracować w dwóch trybach: standard - maks. częstotliwość zegara 100kHz lub fast - maks. częstotliwość zegara 400kHz. Właściwości pamięci 24C32 przedstawiono w tablicy 5. Tablica 5. Właściwości układu 24C32 Napięcie zasilania 4.5V - 5.5V Pobór prądu w trybie zapisu maks. 3mA Pobór prądu w trybie odczytu maks. 150µA Pobór prądu w trybie Standby maks. 5µA Organizacja pamięci 4000 słów 8-bitowych szeregowy, dwuprzewodowy, I 2 C Czas przechowywania danych 200 lat Ilość cykli kasowania / zapisu 10 6 Częstotliwość zegara 100kHz lub 400kHz Czas zapisu bajtu lub strony typ. 5ms Odporność na wyładowania elektrostatyczne >4000V Pamięci produkowane są w obudowach SIP8, SO8, TSSOP8. W tablicy 6 przedstawiono opis wyprowadzeń układów. Tablica 6. A2 VSS Opis wyprowadzeń układów 1 A0 wejście adresowe 2 wejście adresowe 3 A2 wejście adresowe 4 VSS masa 5 SDA wejście / wyjście danych 6 SCL wejście zegarowe 7 8 napięcie zasilania 2 3 Na rysunku 8 przedstawiono rozkład wyprowadzeń układu 24C32. PDIP/SOIC WP SCL SDA Rys. 7. Wyprowadzenia układów Na rysunku 7 przedstawiono rozkład wyprowadzeń układów. A NC Pamięć EEPROM 24C32 Układ scalony 24C32 firmy Microchip jest szeregową pamięcią EEPROM o pojemności 32kb zorganizowanej jako A2 3 6 SCL VSS 4 5 SDA Rys.8. Wyprowadzenia układu 24C32 }
Technika mikroprocesorowa. W. Daca, Politechnika Szczecińska, Wydział Elektryczny, 2007/08
Pamięci Układy pamięci kontaktują się z otoczeniem poprzez szynę danych, szynę owa i szynę sterującą. Szerokość szyny danych określa liczbę bitów zapamiętywanych do pamięci lub czytanych z pamięci w trakcie
Bardziej szczegółowoTemat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne.
Temat: Pamięci. Programowalne struktury logiczne. 1. Pamięci są układami służącymi do przechowywania informacji w postaci ciągu słów bitowych. Wykonuje się jako układy o bardzo dużym stopniu scalenia w
Bardziej szczegółowo43 Pamięci półprzewodnikowe w technice mikroprocesorowej - rodzaje, charakterystyka, zastosowania
43 Pamięci półprzewodnikowe w technice mikroprocesorowej - rodzaje, charakterystyka, zastosowania Typy pamięci Ulotność, dynamiczna RAM, statyczna ROM, Miejsce w konstrukcji komputera, pamięć robocza RAM,
Bardziej szczegółowo3.2. Zegar/kalendarz z pamięcią statyczną RAM 256 x 8
3.2. Zegar/kalendarz z pamięcią statyczną RAM 256 x 8 Układ PCF 8583 jest pobierającą małą moc, 2048 bitową statyczną pamięcią CMOS RAM o organizacji 256 x 8 bitów. Adresy i dane są przesyłane szeregowo
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Cyfrowe układy scalone Układy cyfrowe
Bardziej szczegółowoWykład II. Pamięci półprzewodnikowe. Studia Podyplomowe INFORMATYKA Architektura komputerów
Studia Podyplomowe INFORMATYKA Architektura komputerów Wykład II Pamięci półprzewodnikowe 1, Pamięci półprzewodnikowe Pamięciami półprzewodnikowymi nazywamy cyfrowe układy scalone przeznaczone do przechowywania
Bardziej szczegółowoPodstawy Informatyki JA-L i Pamięci
Podstawy Informatyki alina.momot@polsl.pl http://zti.polsl.pl/amomot/pi Plan wykładu 1 Operator elementarny Proste układy z akumulatorem Realizacja dodawania Realizacja JAL dla pojedynczego bitu 2 Parametry
Bardziej szczegółowoArchitektura systemu komputerowego
Zakres przedmiotu 1. Wstęp do systemów mikroprocesorowych. 2. Współpraca procesora z pamięcią. Pamięci półprzewodnikowe. 3. Architektura systemów mikroprocesorowych. 4. Współpraca procesora z urządzeniami
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków
Bardziej szczegółowoRODZAJE PAMIĘCI RAM. Cz. 1
RODZAJE PAMIĘCI RAM Cz. 1 1 1) PAMIĘĆ DIP DIP (ang. Dual In-line Package), czasami nazywany DIL - w elektronice rodzaj obudowy elementów elektronicznych, głównie układów scalonych o małej i średniej skali
Bardziej szczegółowoWykład II. Pamięci operacyjne. Studia stacjonarne Pedagogika Budowa i zasada działania komputera
Studia stacjonarne Pedagogika Budowa i zasada działania komputera Wykład II Pamięci operacyjne 1 Część 1 Pamięci RAM 2 I. Pamięć RAM Przestrzeń adresowa pamięci Pamięć podzielona jest na słowa. Podczas
Bardziej szczegółowoStruktura i funkcjonowanie komputera pamięć komputerowa, hierarchia pamięci pamięć podręczna. System operacyjny. Zarządzanie procesami
Rok akademicki 2015/2016, Wykład nr 6 2/21 Plan wykładu nr 6 Informatyka 1 Politechnika Białostocka - Wydział Elektryczny Elektrotechnika, semestr II, studia niestacjonarne I stopnia Rok akademicki 2015/2016
Bardziej szczegółowoUkłady pamięci firmy Microchip w ofercie TME
Układy pamięci firmy Microchip w ofercie TME JuŜ przy konstruowaniu pierwszych systemów mikroprocesorowych pojawił się problem długotrwałego przechowywania danych. Układy RAM świetnie sprawdzające się
Bardziej szczegółowoUkłady sekwencyjne. Podstawowe informacje o układach cyfrowych i przerzutnikach (rodzaje, sposoby wyzwalania).
Ćw. 10 Układy sekwencyjne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z sekwencyjnymi, cyfrowymi blokami funkcjonalnymi. W ćwiczeniu w oparciu o poznane przerzutniki zbudowane zostaną układy rejestrów
Bardziej szczegółowoPAMIĘCI. Część 1. Przygotował: Ryszard Kijanka
PAMIĘCI Część 1 Przygotował: Ryszard Kijanka WSTĘP Pamięci półprzewodnikowe są jednym z kluczowych elementów systemów cyfrowych. Służą do przechowywania informacji w postaci cyfrowej. Liczba informacji,
Bardziej szczegółowo(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 G06F 12/16 G06F 1/30 H04M 1/64. (57)1. Układ podtrzymywania danych przy
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 175315 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 307287 (22) Data zgłoszenia: 15.02.1995 (51) IntCl6: H04M 1/64 G06F
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ
IC E M I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ PAMięĆ STAŁA ROM 16K MCY 7316N XX1^ Pamięć MCY 7316N XX jest statyczną pamięcią stalą ROM 16K (16384) bitów, zorganizowaną jako 2048 słów 8-bitoyych, wykonaną
Bardziej szczegółowoTechnika Mikroprocesorowa
Technika Mikroprocesorowa Dariusz Makowski Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 631 2648 dmakow@dmcs.pl http://neo.dmcs.p.lodz.pl/tm 1 System mikroprocesorowy? (1) Magistrala adresowa
Bardziej szczegółowoWykład II. Pamięci półprzewodnikowe. Studia stacjonarne inżynierskie, kierunek INFORMATYKA Architektura systemów komputerowych
Studia stacjonarne inżynierskie, kierunek INFORMATYKA Architektura systemów komputerowych Wykład II Pamięci półprzewodnikowe 1 Pamięci półprzewodnikowe 2 Pamięci półprzewodnikowe Pamięciami półprzewodnikowymi
Bardziej szczegółowoWPROWADZENIE Mikrosterownik mikrokontrolery
WPROWADZENIE Mikrosterownik (cyfrowy) jest to moduł elektroniczny zawierający wszystkie środki niezbędne do realizacji wymaganych procedur sterowania przy pomocy metod komputerowych. Platformy budowy mikrosterowników:
Bardziej szczegółowoPamięci półprzewodnikowe w oparciu o książkę : Nowoczesne pamięci. Ptc 2013/2014 13.12.2013
Pamięci półprzewodnikowe w oparciu o książkę : Nowoczesne pamięci półprzewodnikowe, Betty Prince, WNT Ptc 2013/2014 13.12.2013 Pamięci statyczne i dynamiczne Pamięci statyczne SRAM przechowywanie informacji
Bardziej szczegółowoĆw. 7: Układy sekwencyjne
Ćw. 7: Układy sekwencyjne Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z sekwencyjnymi, cyfrowymi blokami funkcjonalnymi. W ćwiczeniu w oparciu o poznane przerzutniki zbudowane zostaną następujące układy
Bardziej szczegółowoS I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ
i 8 M S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ PA5fII$ STAIA ROM 4K MCY 7304N XX^ Rys. lo Obudowa CE-73 dla MCY 7304N XX Pamięć MCY 7304N XX3&'> jest statyczną pamięcią stałą ROM 4096-bitową, o organizacji
Bardziej szczegółowoCyfrowe układy scalone
Ryszard J. Barczyński, 2 25 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy cyfrowe stosowane są do przetwarzania informacji zakodowanej
Bardziej szczegółowoSystemy operacyjne i sieci komputerowe Szymon Wilk Superkomputery 1
i sieci komputerowe Szymon Wilk Superkomputery 1 1. Superkomputery to komputery o bardzo dużej mocy obliczeniowej. Przeznaczone są do symulacji zjawisk fizycznych prowadzonych głównie w instytucjach badawczych:
Bardziej szczegółowoPopularne pamięci FLASH firmy GigaDevice
1 Popularne pamięci FLASH firmy GigaDevice Popularne pamięci FLASH firmy GigaDevice Pamięci FLASH znajdują się w większości urządzeń zawierającym mikrokontroler bądź mikroprocesor. Ich stosowanie wymuszone
Bardziej szczegółowoPamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM?
1 Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije Pamięci magnetorezystywne MRAM czy nowa technologia podbije rynek pamięci RAM? Na rynku pamięci RAM od dawna dominują układy zawierające pamięci
Bardziej szczegółowoPamięci RAM i ROM. R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd. 2007
Pamięci RAM i ROM R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd. 2007 Tranzystor MOS z długim kanałem kwadratowa aproksymacja charakterystyk 2 W triodowym, gdy W zakresie
Bardziej szczegółowoIC200UDR002 ASTOR GE INTELLIGENT PLATFORMS - VERSAMAX NANO/MICRO
IC200UDR002 8 wejść dyskretnych 24 VDC, logika dodatnia/ujemna. Licznik impulsów wysokiej częstotliwości. 6 wyjść przekaźnikowych 2.0 A. Port: RS232. Zasilanie: 24 VDC. Sterownik VersaMax Micro UDR002
Bardziej szczegółowoWykład I. Podstawowe pojęcia Pamięci półprzewodnikowe. Studia stacjonarne inżynierskie, kierunek INFORMATYKA Architektura systemów komputerowych
Studia stacjonarne inżynierskie, kierunek INFORMATYKA Architektura systemów komputerowych Wykład I Podstawowe pojęcia Pamięci półprzewodnikowe 1 Część 1 Podstawowe pojęcia 2 I. Pojęcie komputera Cyfrowe
Bardziej szczegółowoKomputer IBM PC niezależnie od modelu składa się z: Jednostki centralnej czyli właściwego komputera Monitora Klawiatury
1976 r. Apple PC Personal Computer 1981 r. pierwszy IBM PC Komputer jest wart tyle, ile wart jest człowiek, który go wykorzystuje... Hardware sprzęt Software oprogramowanie Komputer IBM PC niezależnie
Bardziej szczegółowoWykład II. Pamięci półprzewodnikowe. Studia stacjonarne inżynierskie, kierunek INFORMATYKA Architektura systemów komputerowych
Studia stacjonarne inżynierskie, kierunek INFORMATYKA Architektura systemów komputerowych Wykład II Pamięci półprzewodnikowe 1 Pamięci półprzewodnikowe 2 Pamięci półprzewodnikowe Pamięciami półprzewodnikowymi
Bardziej szczegółowoTranzystor JFET i MOSFET zas. działania
Tranzystor JFET i MOSFET zas. działania brak kanału v GS =v t (cutoff ) kanał otwarty brak kanału kanał otwarty kanał zamknięty w.2, p. kanał zamknięty Co było na ostatnim wykładzie? Układy cyfrowe Najczęściej
Bardziej szczegółowoSpis treœci. Co to jest mikrokontroler? Kody i liczby stosowane w systemach komputerowych. Podstawowe elementy logiczne
Spis treści 5 Spis treœci Co to jest mikrokontroler? Wprowadzenie... 11 Budowa systemu komputerowego... 12 Wejścia systemu komputerowego... 12 Wyjścia systemu komputerowego... 13 Jednostka centralna (CPU)...
Bardziej szczegółowoBramki logiczne Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych
Układy logiczne Bramki logiczne A B A B AND NAND A B A B OR NOR A NOT A B A B XOR NXOR A NOT A B AND NAND A B OR NOR A B XOR NXOR Podstawowe składniki wszystkich układów logicznych 2 Podstawowe tożsamości
Bardziej szczegółowoArchitektura komputerów Wykład 2
Architektura komputerów Wykład 2 Jan Kazimirski 1 Elementy techniki cyfrowej 2 Plan wykładu Algebra Boole'a Podstawowe układy cyfrowe bramki Układy kombinacyjne Układy sekwencyjne 3 Algebra Boole'a Stosowana
Bardziej szczegółowoSystem mikroprocesorowy i peryferia. Dariusz Chaberski
System mikroprocesorowy i peryferia Dariusz Chaberski System mikroprocesorowy mikroprocesor pamięć kontroler przerwań układy wejścia wyjścia kontroler DMA 2 Pamięć rodzaje (podział ze względu na sposób
Bardziej szczegółowo1.2 Schemat blokowy oraz opis sygnałów wejściowych i wyjściowych
Dodatek A Wyświetlacz LCD. Przeznaczenie i ogólna charakterystyka Wyświetlacz ciekłokrystaliczny HY-62F4 zastosowany w ćwiczeniu jest wyświetlaczem matrycowym zawierającym moduł kontrolera i układ wykonawczy
Bardziej szczegółowoLogiczny model komputera i działanie procesora. Część 1.
Logiczny model komputera i działanie procesora. Część 1. Klasyczny komputer o architekturze podanej przez von Neumana składa się z trzech podstawowych bloków: procesora pamięci operacyjnej urządzeń wejścia/wyjścia.
Bardziej szczegółowoPamięci półprzewodnikowe
Pamięci półprzewodnikowe na podstawie książki: Nowoczesne pamięci półprzewodnikowe, Betty Prince, WNT Ptc 2014/2015 15.1.2015 Półprzewodnikowe pamięci statyczne Pamięci statyczne - SRAM przechowywanie
Bardziej szczegółowoPamięci półprzewodnikowe na podstawie książki: Nowoczesne pamięci
Pamięci półprzewodnikowe na podstawie książki: Nowoczesne pamięci półprzewodnikowe, Betty Prince, WNT 16.12.2017 Półprzewodnikowe pamięci statyczne Pamięci statyczne - SRAM przechowywanie informacji w
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoPamięci RAM i ROM. Pamięć RAM 2. R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd (C mbit.
Pamięci RAM i ROM R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd. 2007 Pamięć RAM 2 (C mbit ) C col_array DRAM cell circuit Schematic of DRAM 4 4 array-section B. El-Kareh,
Bardziej szczegółowoOrganizacja typowego mikroprocesora
Organizacja typowego mikroprocesora 1 Architektura procesora 8086 2 Architektura współczesnego procesora 3 Schemat blokowy procesora AVR Mega o architekturze harwardzkiej Wszystkie mikroprocesory zawierają
Bardziej szczegółowoPamięć. Podstawowe własności komputerowych systemów pamięciowych:
Pamięć Podstawowe własności komputerowych systemów pamięciowych: Położenie: procesor, wewnętrzna (główna), zewnętrzna (pomocnicza); Pojemność: rozmiar słowa, liczba słów; Jednostka transferu: słowo, blok
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Katedra Automatyki i Elektroniki. Instrukcja. do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: SYSTEMY CYFROWE 1.
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: SYSTEMY CYFROWE 1 PAMIĘCI SZEREGOWE EEPROM Ćwiczenie 3 Opracował: dr inŝ.
Bardziej szczegółowoZL10PLD. Moduł dippld z układem XC3S200
ZL10PLD Moduł dippld z układem XC3S200 Moduły dippld opracowano z myślą o ułatwieniu powszechnego stosowania układów FPGA z rodziny Spartan 3 przez konstruktorów, którzy nie mogą lub nie chcą inwestować
Bardziej szczegółowodr hab. Joanna Jędrzejowicz Podstawy informatyki i komputeryzacji Gdańska Wyższa Szkoła Humanistyczna
dr hab. Joanna Jędrzejowicz Podstawy informatyki i komputeryzacji Gdańska Wyższa Szkoła Humanistyczna Literatura B. Siemieniecki, W. Lewandowski Internet w szkole, Wyd. A. Marszałek 2001, B. Siemieniecki
Bardziej szczegółowoElektronika i techniki mikroprocesorowe
Elektronika i techniki mikroprocesorowe Technika Mikroprocesorowa Układy peryferyjne, komunikacja z uŝytkownikiem Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki Wydział Elektryczny, ul. Krzywoustego
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora
Bardziej szczegółowoCharakterystyka mikrokontrolerów. Przygotowali: Łukasz Glapiński, Mateusz Kocur, Adam Kokot,
Charakterystyka mikrokontrolerów Przygotowali: Łukasz Glapiński, 171021 Mateusz Kocur, 171044 Adam Kokot, 171075 Plan prezentacji Co to jest mikrokontroler? Historia Budowa mikrokontrolera Wykorzystywane
Bardziej szczegółowoDyski półprzewodnikowe
Dyski półprzewodnikowe msata Złacze U.2 Komórka flash Komórka flash używa dwóch tranzystorów polowych. Jeden jest nazywany bramką sterującą (ang. control gate), drugi zaś bramką pływającą (ang. floating
Bardziej szczegółowoUKŁAD SCALONY. Cyfrowe układy można podzielić ze względu na różne kryteria, na przykład sposób przetwarzania informacji, technologię wykonania.
UKŁDAY CYFROWE Układy cyfrowe są w praktyce realizowane różnymi technikami. W prostych urządzeniach automatyki powszechnie stosowane są układy elektryczne, wykorzystujące przekaźniki jako podstawowe elementy
Bardziej szczegółowoOpracował: Jan Front
Opracował: Jan Front Sterownik PLC PLC (Programowalny Sterownik Logiczny) (ang. Programmable Logic Controller) mikroprocesorowe urządzenie sterujące układami automatyki. PLC wykonuje w sposób cykliczny
Bardziej szczegółowoMikrokontrolery AVR techniczne aspekty programowania
Andrzej Pawluczuk Mikrokontrolery AVR techniczne aspekty programowania Białystok, 2004 Mikrokontrolery rodziny AVR integrują w swojej strukturze między innymi nieulotną pamięć przeznaczoną na program (pamięć
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA OBSŁUGI. Przekaźnik czasowy ETM ELEKTROTECH Dzierżoniów. 1. Zastosowanie
INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. Zastosowanie Przekaźnik czasowy ETM jest zadajnikiem czasowym przystosowanym jest do współpracy z prostownikami galwanizerskimi. Pozwala on załączyć prostownik w stan pracy na zadany
Bardziej szczegółowoZaliczenie Termin zaliczenia: Sala IE 415 Termin poprawkowy: > (informacja na stronie:
Zaliczenie Termin zaliczenia: 14.06.2007 Sala IE 415 Termin poprawkowy: >18.06.2007 (informacja na stronie: http://neo.dmcs.p.lodz.pl/tm/index.html) 1 Współpraca procesora z urządzeniami peryferyjnymi
Bardziej szczegółowoPamięć operacyjna komputera
Pamięć operacyjna komputera Zasada działania pamięci RAM Pamięć operacyjna (robocza) komputera zwana pamięcią RAM (ang. Random Access Memory pamięć o swobodnym dostępie) służy do przechowywania danych
Bardziej szczegółowo4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Bardziej szczegółowoMikrokontroler ATmega32. System przerwań Porty wejścia-wyjścia Układy czasowo-licznikowe
Mikrokontroler ATmega32 System przerwań Porty wejścia-wyjścia Układy czasowo-licznikowe 1 Przerwanie Przerwanie jest inicjowane przez urządzenie zewnętrzne względem mikroprocesora, zgłaszające potrzebę
Bardziej szczegółowoPamięć flash i dyski SSD. Pudełko UTK
Pamięć flash i dyski SSD M@rek Pudełko UTK ROM (Read-Only Memory) Pamięci ROM PROM (Programmable Read- Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) Programowalna pamięć trwała kasowalna
Bardziej szczegółowoObsługa kart pamięci Flash za pomocą mikrokontrolerów, część 1
Obsługa kart pamięci Flash za pomocą mikrokontrolerów, część 1 Wraz ze wzrostem zapotrzebowania na tanie i pojemne noúniki danych niezawieraj¹cych elementûw ruchomych, kilka firm specjalizuj¹cych sií w
Bardziej szczegółowoArchitektura komputerów
Architektura komputerów Tydzień 9 Pamięć operacyjna Właściwości pamięci Położenie Pojemność Jednostka transferu Sposób dostępu Wydajność Rodzaj fizyczny Własności fizyczne Organizacja Położenie pamięci
Bardziej szczegółowoKtóry z podzespołów komputera przy wyłączonym zasilaniu przechowuje program rozpoczynający ładowanie systemu operacyjnego? A. CPU B. RAM C. ROM D.
1 WERSJA X Zadanie 1 Który z podzespołów komputera przy wyłączonym zasilaniu przechowuje program rozpoczynający ładowanie systemu operacyjnego? A. CPU B. RAM C. ROM D. I/O Zadanie 2 Na podstawie nazw sygnałów
Bardziej szczegółowoKarta katalogowa JAZZ OPLC JZ20-T40/JZ20-J-T wejść cyfrowych, 2 wejścia analogowe/cyfrowe, 2 wejścia analogowe. 20 wyjść tranzystorowych
Karta katalogowa JAZZ OPLC JZ20-T40/JZ20-J-T40 16 wejść cyfrowych, 2 wejścia analogowe/cyfrowe, 2 wejścia analogowe 20 wyjść tranzystorowych Specyfikacja techniczna Zasilanie Napięcie zasilania 24 VDC
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoWstęp...9. 1. Architektura... 13
Spis treści 3 Wstęp...9 1. Architektura... 13 1.1. Schemat blokowy...14 1.2. Pamięć programu...15 1.3. Cykl maszynowy...16 1.4. Licznik rozkazów...17 1.5. Stos...18 1.6. Modyfikowanie i odtwarzanie zawartości
Bardziej szczegółowo(43)Zgłoszenie ogłoszono: BUP 24/98
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 182117 (13) B1 (2 1) Numer zgłoszenia: 319966 (51 ) IntCl7 G 11C 7/16 H02H 3/08 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 14.05.1997 H03M 1/80 Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowo2.1 Porównanie procesorów
1 Wstęp...1 2 Charakterystyka procesorów...1 2.1 Porównanie procesorów...1 2.2 Wejścia analogowe...1 2.3 Termometry cyfrowe...1 2.4 Wyjścia PWM...1 2.5 Odbiornik RC5...1 2.6 Licznik / Miernik...1 2.7 Generator...2
Bardziej szczegółowoWejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych
Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych Semestr zimowy 2013/2014, WIEiK PK 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika
Bardziej szczegółowoZasada działania pamięci RAM Pamięć operacyjna (robocza) komputera - zwana pamięcią RAM (ang. Random Access Memory - pamięć o swobodnym dostępie)
Zasada działania pamięci RAM Pamięć operacyjna (robocza) komputera - zwana pamięcią RAM (ang. Random Access Memory - pamięć o swobodnym dostępie) służy do przechowywania danych aktualnie przetwarzanych
Bardziej szczegółowoPodzespoły Systemu Komputerowego:
Podzespoły Systemu Komputerowego: 1) Płyta główna- jest jednym z najważniejszych elementów komputera. To na niej znajduje się gniazdo procesora, układy sterujące, sloty i porty. Bezpośrednio na płycie
Bardziej szczegółowoWSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2
WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną
Bardziej szczegółowoUkłady sekwencyjne. 1. Czas trwania: 6h
Instytut Fizyki oświadczalnej UG Układy sekwencyjne 1. Czas trwania: 6h 2. Cele ćwiczenia Poznanie zasad działania podstawowych typów przerzutników: RS, -latch,, T, JK-MS. Poznanie zasad działania rejestrów
Bardziej szczegółowo2. PORTY WEJŚCIA/WYJŚCIA (I/O)
2. PORTY WEJŚCIA/WYJŚCIA (I/O) 2.1 WPROWADZENIE Porty I/O mogą pracować w kilku trybach: - przesyłanie cyfrowych danych wejściowych i wyjściowych a także dla wybrane wyprowadzenia: - generacja przerwania
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia : Matryca komutacyjna
Instrukcja do ćwiczenia : Matryca komutacyjna 1. Wstęp Każdy kanał w systemach ze zwielokrotnieniem czasowym jest jednocześnie określany przez swoją współrzędną czasową T i współrzędną przestrzenną S.
Bardziej szczegółowoBudowa pamięci RAM Parametry: tcl, trcd, trp, tras, tcr występują w specyfikacjach poszczególnych pamięci DRAM. Czym mniejsze są wartości tych
Budowa pamięci RAM Parametry: tcl, trcd, trp, tras, tcr występują w specyfikacjach poszczególnych pamięci DRAM. Czym mniejsze są wartości tych parametrów, tym szybszy dostęp do komórek, co przekłada się
Bardziej szczegółowoTechnika Cyfrowa. Badanie pamięci
LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie pamięci Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się studentów z budową i zasadą działania scalonych liczników asynchronicznych
Bardziej szczegółowoKAmodRPiADCDAC. Moduł przetwornika A/C i C/A dla komputerów RaspberryPi i RaspberryPi+
Moduł przetwornika A/C i C/A dla komputerów RaspberryPi i RaspberryPi+ jest ekspanderem funkcjonalnym dla komputerów RaspberryPi oraz Raspberry Pi+ zapewniającym możliwość konwersji A/C i C/A z rozdzielczością
Bardziej szczegółowoMIKROKONTROLERY I MIKROPROCESORY
PLAN... work in progress 1. Mikrokontrolery i mikroprocesory - architektura systemów mikroprocesorów ( 8051, AVR, ARM) - pamięci - rejestry - tryby adresowania - repertuar instrukcji - urządzenia we/wy
Bardziej szczegółowoLEKCJA TEMAT: Zasada działania komputera.
LEKCJA TEMAT: Zasada działania komputera. 1. Ogólna budowa komputera Rys. Ogólna budowa komputera. 2. Komputer składa się z czterech głównych składników: procesor (jednostka centralna, CPU) steruje działaniem
Bardziej szczegółowoProgramator ICP mikrokontrolerów rodziny ST7. Full MFPST7. Lite. Instrukcja użytkownika 03/09
Full Lite MFPST7 Programator ICP mikrokontrolerów rodziny ST7 Instrukcja użytkownika 03/09 Spis treści WSTĘP 3 CZYM JEST ICP? 3 PODŁĄCZENIE PROGRAMATORA DO APLIKACJI 4 OBSŁUGA APLIKACJI ST7 VISUAL PROGRAMMER
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM - ELEKTRONIKA Układy mikroprocesorowe cz.2
LABORATORIUM - ELEKTRONIKA Układy mikroprocesorowe cz.2 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest pokazanie budowy systemów opartych na układach Arduino. W tej części nauczymy się podłączać różne czujników,
Bardziej szczegółowoPUNKTOWE STEROWNIKI VERSAMAX MICRO
1.7 64-PUNKTOWE STEROWNIKI VERSAMAX MICRO IC200UDD064 40 wejść dyskretnych 24 VDC, 24 wyjścia tranzystorowe 24 VDC (zabezpieczenie przed zwarciem i przeciąŝeniem), wbudowany port RS232, drugi port dostępny
Bardziej szczegółowoKod produktu: MP01611-ZK
ZAMEK BEZSTYKOWY RFID ZE ZINTEGROWANĄ ANTENĄ, WYJŚCIE RS232 (TTL) Moduł stanowi gotowy do zastosowania bezstykowy zamek pracujący w technologii RFID dla transponderów UNIQUE 125kHz, zastępujący z powodzeniem
Bardziej szczegółowoLEKCJA. TEMAT: Funktory logiczne.
TEMAT: Funktory logiczne. LEKCJA 1. Bramką logiczną (funktorem) nazywa się układ elektroniczny realizujący funkcje logiczne jednej lub wielu zmiennych. Sygnały wejściowe i wyjściowe bramki przyjmują wartość
Bardziej szczegółowoSamba OPLC SM35-J-R20
Karta katalogowa Samba OPLC SM35-J-R20 Unitronics SM35-J-R20 posiada wbudowane następujące wejścia/wyjścia: 12 wejść cyfrowych, które mogą zostać przekształcone w: o 1 szybkie wejście licznikowe/enkoderowe
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3
Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz NO. 2. Wykaz
Bardziej szczegółowoa) dolno przepustowa; b) górno przepustowa; c) pasmowo przepustowa; d) pasmowo - zaporowa.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2009/2010 Zadania dla grupy elektroniczno-telekomunikacyjnej na zawody I. stopnia 1 Na rysunku przedstawiony jest schemat
Bardziej szczegółowoAVR DRAGON. INSTRUKCJA OBSŁUGI (wersja 1.0)
AVR DRAGON INSTRUKCJA OBSŁUGI (wersja 1.0) ROZDZIAŁ 1. WSTĘP... 3 ROZDZIAŁ 2. ROZPOCZĘCIE PRACY Z AVR DRAGON... 5 ROZDZIAŁ 3. PROGRAMOWANIE... 8 ROZDZIAŁ 4. DEBUGOWANIE... 10 ROZDZIAŁ 5. SCHEMATY PODŁĄCZEŃ
Bardziej szczegółowoMCAR Robot mobilny z procesorem AVR Atmega32
MCAR Robot mobilny z procesorem AVR Atmega32 Opis techniczny Jakub Kuryło kl. III Ti Zespół Szkół Zawodowych nr. 1 Ul. Tysiąclecia 3, 08-530 Dęblin e-mail: jkurylo92@gmail.com 1 Spis treści 1. Wstęp..
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki ĆWICZENIE Nr 10 (3h) Implementacja interfejsu SPI w strukturze programowalnej Instrukcja pomocnicza do laboratorium z przedmiotu
Bardziej szczegółowo2.1 Przesył danych między procesorem a tabelą zmiennych
1 Wstęp...1 2 Jak aplikacja obsługuje procesory?...2 2.1 Przesył danych między procesorem a tabelą zmiennych...2 2.2 Polecenia wysyłane do procesorów...2 3 Podstawowe peryferia procesora HallChip...3 3.1
Bardziej szczegółowoProste układy wykonawcze
Proste układy wykonawcze sterowanie przekaźnikami, tyrystorami i małymi silnikami elektrycznymi Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne
Bardziej szczegółowoPorty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach
Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach Semestr zimowy 2012/2013, E-3, WIEiK-PK 1 Porty wejścia-wyjścia Input/Output ports Podstawowy układ peryferyjny port wejścia-wyjścia
Bardziej szczegółowoOpracował: Grzegorz Cygan 2012 r. CEZ Stalowa Wola. Pamięci półprzewodnikowe
Opracował: Grzegorz Cygan 2012 r. CEZ Stalowa Wola Pamięci półprzewodnikowe Pamięć Stosowane układy (urządzenia) DANYCH PROGRAMU OPERACYJNA (program + dane) MASOWA KONFIGURACYJNA RAM ROM (EPROM) (EEPROM)
Bardziej szczegółowoLSPY-21 LISTWOWY MODUŁ WYJŚĆ ANALOGOWYCH DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, październik 2003 r.
LISTWOWY MODUŁ WYJŚĆ ANALOGOWYCH DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA Wrocław, październik 2003 r. 50-305 WROCŁAW TEL./FAX (+71) 373-52-27 ul. S.JARACZA 57-57A TEL. 0-602-62-32-71 str.2 SPIS TREŚCI 1.OPIS TECHNICZNY...3
Bardziej szczegółowoPodstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2
Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 7. Wprowadzenie do funkcji specjalnych sterownika LOGO!
ćwiczenie nr 7 str.1/1 ĆWICZENIE 7 Wprowadzenie do funkcji specjalnych sterownika LOGO! 1. CEL ĆWICZENIA: zapoznanie się z zaawansowanymi możliwościami mikroprocesorowych sterowników programowalnych na
Bardziej szczegółowoTechnika mikroprocesorowa. W. Daca, Politechnika Szczecińska, Wydział Elektryczny, 2007/08
Mikrokontrolery 8-bitowe Mikrokontrolery 8-bitowe stanowią wciąż najliczniejszą grupę mikrokontrolerów. Istniejące w chwili obecnej na rynku rodziny mikrokontrolerów opracowane zostały w latach 80-tych.
Bardziej szczegółowo