BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO"

Transkrypt

1 Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz bistabilnych, a także obserwacja wpływu zmian stałej czasowej na otrzymane przebiegi na wyjściu Wprowadzenie Przerzutniki są to układy wytwarzające okresowe lub nieokresowe przebiegi prostokątne, czyli przebiegi składające się z dużej liczby sygnałów harmonicznych. Układy generują więc sygnały jak gdyby o wielu częstotliwościach i stąd wywodzi się ich nazwa (są nazywane także multiwibratorami). Przebiegi prostokątne mogą być wytworzone w układach, w których elementy czynne pracują w trybie przełącznika (element włączony lub wyłączony) z bardzo krótkimi czasami przełączania. Można to uzyskać w układach z elementami o ujemnej rezystancji dynamicznej lub w układach tranzystorowych z silnym dodatnim (regeneracyjnym) sprzężeniem zwrotnym. Silne sprzężenie zwrotne powoduje, że tranzystory w takich układach nie pracują w zakresie liniowym, lecz są przełączane od stanu zatkania do stanu nasycenia (lub do stanu aktywnego). Wówczas przebieg sinusoidalny jest silnie zniekształcony (ograniczony) i przyjmuje kształt zbliżony do prostokąta. Na wyjściu są więc dwa stany, które mogą być stabilne lub nie: stan włączenia (niskie napięcie) lub stan wyłączenia (wysokie napięcie). Przerzutniki dzieli się na: astabilne (nie ma stanu stabilnego); monostabilne (jeden stan stabilny i chwilowy stan niestabilny); bistabilne (przemiennie przyjmowany jeden z dwu stanów stabilnych). W przerzutnikach astabilnych zmienia się cyklicznie stan wyjściowy. Generują więc okresowy sygnał o kształcie prostokątnym. Okres cyklu zależy od stałych czasowych układu. Przerzutniki monostabilne mają jeden stan stabilny, w którym normalnie pozostają.

2 Pobudzenie zewnętrzne (sygnał wyzwalający) powoduje zmianę stanu układu na chwilowy stan niestabilny. Po czasie zależnym od stałych czasowych układu powraca on do stanu stabilnego. Wytwarza więc pojedynczy impuls prostokątny o określonym czasie trwania, zapoczątkowany sygnałem zewnętrznym. Przerzutniki bistabilne mogą pozostawać w jednym z dwóch stanów stabilnych. Przejście z jednego stanu do drugiego jest powodowane zewnętrznym sygnałem przełączającym. Przerzutniki astabilne są najczęściej stosowane w układach cyfrowych jako generatory taktujące (zegarowe). Przerzutniki monostabilne są stosowane jako układy wytwarzania lub odtwarzania pojedynczych impulsów, a także jako układy opóźnień czasowych. Przerzutniki bistabilne są zwykle stosowane jako układy pamiętające w systemach cyfrowych. Na potrzeby wprowadzenia ograniczymy się jedynie do omówienia przerzutników astabilnych. Przerzutniki astabilne są generatorami impulsów prostokątnych pracującymi samowzbudnie, tzn. bez zewnętrznego pobudzenia. Generatory takie są budowane z elementów dyskretnych lub z cyfrowych układów scalonych (bramek logicznych, uniwibratorów scalonych). Do generacji impulsów prostokątnych mogą być również wykorzystane wzmacniacze operacyjne. Przyjęte rozwiązanie konstrukcyjne zależy od przeznaczenia generatora i pożądanych parametrów generowanego przebiegu. W układzie przerzutnika astabilnego występuje pętla dodatniego sprzężenia zwrotnego oraz elementy R i C określające parametry czasowe generowanych impulsów (czas trwania, okres). Układ tranzystorowego przerzutnika astabilnego przedstawiony na rysunku poniżej jest zbudowany z dwustopniowego wzmacniacza o sprzężeniu pojemnościowym, objętego pętlą dodatniego sprzężenia zwrotnego.

3 Załóżmy, że tranzystor T 1, osiągnie stan nasycenia (wówczas napięcie na jego kolektorze U CE1 = U CEsat i jest w przybliżeniu równe 0,1V), a T 2 stan zatkania (wówczas napięcie kolektora U CE2 jest w przybliżeniu równe U CC ). W tym stanie kondensator C 2 jest ładowany przez rezystor R 2 i tranzystor T 1, do napięcia U CC. Gdy napięcie na kondensatorze osiągnie wartość ok. 0,7 V, czyli napięcie, przy którym tranzystor T 2 zaczyna przewodzić, to napięcie kolektora tego tranzystora U CE2 zacznie się zmniejszać. Ta ujemna zmiana napięcia jest przez kondensator C 1 podawana na bazę tranzystora T 1, powodując jego zatkanie. Wzrasta więc napięcie kolektora tego tranzystora U CE1 (dodatnia zmiana napięcia), które z kolei poprzez kondensator C 2 oddziałuje na bazę tranzystora T 2, powodując jego silniejsze przewodzenie. Wskutek tego dodatniego sprzężenia zwrotnego tranzystor T 2 wchodzi bardzo szybko w stan nasycenia i napięcie U CE2 osiąga wartość U CEsat w przybliżeniu równe 0,1 V. Ten skok napięcia na kolektorze tranzystora T 2 (od U CC do U CEsat spowoduje szybkie zatkanie tranzystora T 1. Napięcie na jego bazie osiągnie bowiem wartość ujemną - (U CC - 0,7 V), gdyż przed przełączeniem wynosiło ok. 0,7 V. Na kolektorze tranzystora T 1 było bliskie U CC, czyli

4 kondensator C 1 był naładowany do napięcia U CC - 0,7 V. Włączenie tranzystora T 2 w stan nasycenia powoduje więc przełączenie dodatnio naładowanej okładki kondensatora C 1 z potencjału U CC do U CEsat bliskiego zeru. Na bazie tranzystora T 1 wystąpi wówczas napięcie o wartości przeciwnej do naładowania kondensatora C 1. Gdy tranzystor T 1 jest zatkany, a T 2 nasycony, to kondensator C 1 jest przeładowywany od napięcia - (U CC - 0,7 V) do napięcia dodatniego U CC. Jednak, gdy napięcie na bazie tranzystora T 1 osiągnie wartość około 0,7 V, tranzystor ten zaczyna przewodzić i napięcie na jego kolektorze maleje. Ta zmiana napięcia jest podawana przez kondensator C 2 na bazę tranzystora T 2, powodując jego zatykanie, czyli wzrost napięcia U CE2, które oddziałując poprzez kondensator C 1 na bazę tranzystora T 1 powoduje silniejsze jego przewodzenie. Wskutek więc wzajemnego oddziaływania tranzystorów T 1 i T 2 w pętli dodatniego sprzężenia zwrotnego, tranzystor T 1 osiągnie bardzo szybko stan nasycenia, natomiast T 2 zostanie zatkany i cykl przełączania tranzystorów powtarza się. Pracę układu przerzutnika astabilnego ilustrują przebiegi czasowe napięć na kolektorach i bazach tranzystorów T 1 i T 2 na rysunku powyżej. Okres cyklu, zależny od czasów t 1 i t 2 przeładowywania pojemności C 1 i C 2, wyznacza się ze wzoru: Zmieniając stałe czasowe R 1 C 1 i R 2 C 2 można uzyskiwać przebiegi napięcia wyjściowego o różnej częstotliwości powtarzania (1/T) i różnych współczynnikach wypełnienia (t 1 /T). Aby jednak tranzystory T 1 i T 2 osiągały stan nasycenia, rezystancje R 1 i R 2 powinny spełniać warunki: R 1 RC 1 i R 2 RC 2, gdzie jest wzmocnieniem prądowym tranzystorów. Gdy R 1 = R 2 = R oraz C 1 = C 2 = C, wówczas częstotliwość powtarzania cyklu, przy współczynniku wypełnienia 1/2, wynosi: Na rysunku poniżej przedstawiono układ przerzutnika zbudowanego z dwóch bramek NAND (lub inwerterów) objętych pętlą sprzężenia zwrotnego.

5 Jest zbudowany podobnie do układu tranzystorowego. Bramki pełnią funkcję układów odwracających fazę, a więc sprzężenie zwrotne jest dodatnie i układ pracuje samowzbudnie. Jego działanie, bardzo podobne do działania układu tranzystorowego, wyjaśniają przebiegi napięć na powyższym rysunku. Częstotliwość powtarzania przerzutnika można wyznaczyć z

6 przybliżonej zależności: Zaleca się, aby R 1 = R 2 i w przybliżeniu wynosiły 2k. Zmianę częstotliwości oraz współczynnika wypełnienia generowanego przebiegu można więc uzyskać przez zmianę pojemności C 1 i C 2. Na rysunku poniżej przedstawiono układ przerzutnika astabilnego zbudowanego przy wykorzystaniu wzmacniacza operacyjnego Rezystory R 2 i R 3 tworzą obwód dodatniego sprzężenia zwrotnego o współczynniku sprzężenia = R 3 /(R 2 +R 3 ), ustalającym na wejściu nieodwracającym wzmacniacza napięcie U 0. Elementy R 1 i C tworzą dla sygnału wyjściowego obwód całkujący, włączony w pętlę ujemnego sprzężenia zwrotnego. Działanie układu polega na okresowej zmianie stanu nasycenia wzmacniacza (od +Usat do - Usat i odwrotnie) następującej w chwili, w której napięcie na przeładowywanym kondensatorze C przekroczy aktualną wartość napięcia na wejściu nieodwracającym (odpowiednio + Usat i - Usat). Okres generowanego przebiegu prostokątnego zależy od stałej czasowej R 1 C i współczynnika sprzężenia zwrotnego według wzoru:

7 Jeżeli R 3 jest w przybliżeniu równe 0,9R 2, czyli częstotliwość powtarzania impulsów jest wyrażona wzorem: jest w przybliżeniu równy 0,47, to i może być regulowana przez zmianę R 1 lub C. Uniwersalny układ czasowy 555 (np. MC 1555), wytwarzany przez wielu producentów i w różnej technologii (TTL, CMOS), składa się z dwóch komparatorów i przerzutnika bistabilnego RS. Wejście "+" (wyprowadzenie 6) pierwszego komparatora i "-" (wyprowadzenie 2) drugiego komparatora są wejściami układu, natomiast pozostałe wejścia są polaryzowane z precyzyjnego dzielnika napięcia 2/3 i 1/3 napięcia zasilającego U CC przy czym podział ten może być zmieniony dzielnikiem zewnętrznym dołączonym do wyprowadzenia 5. Zawsze jednak napięcie odniesienia komparatora 2 jest połową napięcia odniesienia komparatora 1. Przy U6 > U5 na wyjściu przerzutnika RS jest wysoki poziom napięcia, a przy U2 < U5/2 niski. Niezależnie od napięć na wejściach komparatorów, niski poziom napięcia wejściu CLR (wyprowadzenie 4) wymusza stan wysoki na wyjściu przerzutnika. Na końcówce 3 jest typowe wyjście cyfrowe, które może służyć do sterowania innych układów cyfrowych.

8 Wyjście 7 jest natomiast wyjściem typu otwarty kolektor o dużej wydajności prądowej (do 200 ma). Wykorzystywane jest do rozładowywania "głównego" kondensatora, od którego zależą parametry czasowe układu. Układ scalony 555 umożliwia tworzenie różnych układów czasowych, w tym przerzutników mono-, bi- i astabilnych. W układzie przerzutnika monostabilnego, pokazanego na powyższym rysunku, czas trwania generowanego impulsu określony jest wzorem: T = 1,1R A C. Częstotliwość powtarzania impulsów w przerzutniku astabilnym (rysunek poniżej), określa się natomiast z kolejnej zależności: W przerzutnikach zbudowanych przy zastosowaniu układu 555 czas trwania impulsu i okres generowanego przebiegu zależą od stałej czasu ładowania kondensatora dołączonego do wyjścia 7. Uzależnienie tych czasów od napięcia można uzyskać w układzie ładowania tego kondensatora stałym prądem o wartości zależnej od napięcia sterującego. Na rysunku poniżej

9 przedstawiono układ przerzutnika astabilnego (przetwornik napięcie-częstotliwość), w którym w układzie źródła prądowego ładującego kondensator C zastosowano wzmacniacz operacyjny. Przebieg wyjściowy ma postać wąskich ujemnych impulsów. Czas ładowania kondensatora jest liniowo zależny od prądu źródła ładującego. Rozładowanie kondensatora jest natomiast bardzo szybkie, bowiem następuje przez nasycony tranzystor wyjściowy (wyprowadzenie 7). Częstotliwość powtarzania impulsów jest zależna od napięcia wejściowego wg wzoru: f[khz] = 4,2 UI [V].

Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory impulsowe przerzutniki Generatory impulsowe przerzutniki Wrocław 2015 Przerzutniki Przerzutniki stosuje się do przechowywania małych ilości danych, do których musi być zapewniony ciągły dostęp. Ze względu na łatwy odczyt i zapis,

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Demonstracja: konwerter prąd napięcie

Demonstracja: konwerter prąd napięcie Demonstracja: konwerter prąd napięcie i WE =i i WE i v = i WE R R=1 M Ω i WE = [V ] 10 6 [Ω] v + Zasilanie: +12, 12 V wy( ) 1) Oświetlanie o stałym natężeniu: =? (tryb DC) 2) Oświetlanie przez lampę wstrząsoodporną:

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych

Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych Badanie przerzutników astabilnych i monostabilnych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest przeprowadzenie badania podstawowych układów przerzutników astabilnych, bistabilnych i monostabilnych. 2. Przebieg

Bardziej szczegółowo

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. 1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego. Przerzutniki monostabline w odróżnieniu od przerzutników bistabilnych zapamiętują stan na z góry założony, ustalony przez konstruktora układu,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.

ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. ĆWICZENIE 2 Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym. Wykonanie ćwiczenia 1. Zapoznać się ze schematem ideowym układu ze wzmacniaczem operacyjnym. 2. Zmontować wzmacniacz odwracający fazę o

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10. Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania.

Ćwiczenie 10. Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania. Ćwiczenie 10 Badanie przerzutników 1.Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie własności układów przerzutniowych i sposobów ich badania. 2. Wiadomości podstawowe Przerzutnikami nazywamy układy,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Generatory. Podział generatorów

Generatory. Podział generatorów Generatory Generatory są układami i urządzeniami elektronicznymi, które kosztem energii zasilania wytwarzają okresowe przebiegi elektryczne lub impulsy elektryczne Podział generatorów Generatory można

Bardziej szczegółowo

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie

Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej

Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych

Bardziej szczegółowo

Generatory sinusoidalne LC

Generatory sinusoidalne LC Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)

Bardziej szczegółowo

Temat: Scalone przerzutniki monostabilne

Temat: Scalone przerzutniki monostabilne Temat: Scalone przerzutniki monostabilne 1. Przerzutniki monostabilne mają jeden stan stabilny (stan równowagi trwałej). Jest to stan, w którym przerzutnik może przebywać dowolnie długo, aż do ingerencji

Bardziej szczegółowo

Data oddania sprawozdania 19.12.2001

Data oddania sprawozdania 19.12.2001 Robert Gabor Śl. TZN Klasa IV B Numer 9 Grupa 2 Rok szkolny 2001/2002 Data wykonania 3.12.2001 Pracownia elektryczna Sprawozdanie numer 1 (9) Temat: Multiwibratory Data oddania sprawozdania 19.12.2001

Bardziej szczegółowo

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera

Bardziej szczegółowo

Przerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu "555"

Przerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu 555 Przerzutnik astabilny z wykorzystaniem układu typu "555". Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i parametrami przerzutnika astabilnego zbudowanego w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL

PL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

1. Nadajnik światłowodowy

1. Nadajnik światłowodowy 1. Nadajnik światłowodowy Nadajnik światłowodowy jest jednym z bloków światłowodowego systemu transmisyjnego. Przetwarza sygnał elektryczny na sygnał optyczny. Jakość transmisji w dużej mierze zależy od

Bardziej szczegółowo

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników:

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników: 1. Dwójka licząca Przerzutnik typu D łatwo jest przekształcić w przerzutnik typu T i zrealizować dzielnik modulo 2 - tzw. dwójkę liczącą. W tym celu wystarczy połączyć wyjście zanegowane Q z wejściem D.

Bardziej szczegółowo

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28

Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28 Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42

(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 184340 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 323484 (22) Data zgłoszenia: 03.12.1997 (51) IntCl7 H02M 7/42 (54)

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITEHNIKA BIAŁOSTOKA WYDZIAŁ ELEKTRYZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 5. Wzmacniacze mocy Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy AD w elektronice TS1422 380 Opracował:

Bardziej szczegółowo

Elektronika i techniki mikroprocesorowe

Elektronika i techniki mikroprocesorowe Elektronika i techniki mikroprocesorowe Elektronika Wybrane układy elektroniczne Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki Wydział Elektryczny, ul. Krzywoustego 1. Generatory sinusoidalne:.

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie Liniowe układy scalone Komparatory napięcia i ich zastosowanie Komparator Zadaniem komparatora jest wytworzenie sygnału logicznego 0 lub 1 na wyjściu w zależności od znaku różnicy napięć wejściowych Jest

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 UKŁADY CZASOWE Białystok 2015 1. Cele ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Przerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu "555"

Przerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu 555 Przerzutnik monostabilny z wykorzystaniem układu typu "555". Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i parametrami przerzutnika monostabilnego zbudowanego w oparciu o układ

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Temat i plan wykładu Wzmacniacze operacyjne. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Wzmacniacz odwracający i nieodwracający 4. kład całkujący, różniczkujący, różnicowy 5. Konwerter prąd-napięcie

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Struktury specjalizowane wykorzystywane w mikrokontrolerach

Struktury specjalizowane wykorzystywane w mikrokontrolerach Struktury specjalizowane wykorzystywane w mikrokontrolerach Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowoanalogowe Interfejsy komunikacyjne Zegary czasu rzeczywistego Układy nadzorujące Układy generacji sygnałów

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 07/10. ZDZISŁAW NAWROCKI, Wrocław, PL DANIEL DUSZA, Inowrocław, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213448 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386136 (51) Int.Cl. H03H 11/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.09.2008

Bardziej szczegółowo

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier) 7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń

Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych

1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych Spis treści Przedmowa 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń 13 1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 19 1.1. Wprowadzenie 19 1.2. Zasada pracy i ogólne własności rezonansowych wzmacniaczy mocy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne.

Wzmacniacze operacyjne. Wzmacniacze operacyjne Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Polecam dla początkujących! Piotr Górecki Wzmacniacze operacyjne Jak to działa? Powtórzenie: dzielnik napięcia R 2 Jeśli pominiemy prąd płynący przez wyjście:

Bardziej szczegółowo

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck

Bardziej szczegółowo

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania liniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

lub

lub http://www.elb.vectranet.pl/~krzysztofg/ lub http://www.elektronikhobbysta.z.pl SYGNALIZATOR POCZĄTKU I KOŃCA NADAWANIA Krzysztof Górski Każdy radioamator, krótkofalowiec, CB-sta w którymś momencie swojej

Bardziej szczegółowo

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego

Bardziej szczegółowo

UKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny

UKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny UKŁADY CYFROWE Układ kombinacyjny Układów kombinacyjnych są bramki. Jedną z cech układów kombinacyjnych jest możliwość przedstawienia ich działania (opisu) w postaci tabeli prawdy. Tabela prawdy podaje

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55 Układy cyfrowe Funkcje logiczne AND A B X = A B... 2/55 Funkcje logiczne OR A B X = A + B NOT A A... 3/55 Twierdzenia algebry Boole a A + B = B + A A B = B A A + B + C = A + (B+C( B+C) ) = (A+B( A+B) )

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy Prostowniki Prostownik jednopołówkowy Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są jednego znaku a części przeciwnego

Bardziej szczegółowo

Generatory drgań sinusoidalnych LC

Generatory drgań sinusoidalnych LC Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych

Bardziej szczegółowo

a) dolno przepustowa; b) górno przepustowa; c) pasmowo przepustowa; d) pasmowo - zaporowa.

a) dolno przepustowa; b) górno przepustowa; c) pasmowo przepustowa; d) pasmowo - zaporowa. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2009/2010 Zadania dla grupy elektroniczno-telekomunikacyjnej na zawody I. stopnia 1 Na rysunku przedstawiony jest schemat

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni

Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny Laboratorium Teletechniki Skrypt do ćwiczenia T.12 Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni 1. Demodulowanie sygnału AM demodulator obwiedni Ćwiczenie to

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające

PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające PRZERZUTNIKI: 1. Należą do grupy bloków sekwencyjnych, 2. podstawowe układy pamiętające Zapamiętywanie wartości wybranych zmiennych binarnych, jak również sekwencji tych wartości odbywa się w układach

Bardziej szczegółowo

OPIS PATENTOWY RZECZPOSPOLITA POLSKA URZĄD PATENTOWY

OPIS PATENTOWY RZECZPOSPOLITA POLSKA URZĄD PATENTOWY RZECZPOSPOLITA POLSKA OPIS PATENTOWY 153 906 Patent dodatkowy do patentu nr --- Zgłoszono: 85 12 03 (P. 256613) lrit. C1. 5 H03B 19/14 Pierwszeństwo --- URZĄD PATENTOWY RP Zgłoszenie ogłoszono: 8708 10

Bardziej szczegółowo

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10.

Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji. Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Projekt z przedmiotu Systemy akwizycji i przesyłania informacji Temat pracy: Licznik binarny zliczający do 10. Andrzej Kuś Aleksander Matusz Prowadzący: dr inż. Adam Stadler Układy cyfrowe przetwarzają

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314

Analogowy sterownik silnika krokowego oparty na układzie avt 1314 Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii 51 Konferencja Studenckich Kół Naukowych Bartłomiej Dąbek Adrian Durak - Elektrotechnika 3 rok - Elektrotechnika 3 rok Analogowy sterownik

Bardziej szczegółowo

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,

W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0, Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej Designator Part Type Description AM2 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V zasilanie logiki AM3 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V ujemne zasilanie drivera U23 Przetwornica DC/DC 12V/5V

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa WZMACNIACZ OPEACYJNY kłady aktywne ze wzmacniaczami operacyjnymi... Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych odzaj wzmacniacza ezystancja wejściowa ezystancja wyjściowa Bipolarny FET MOS-FET Idealny

Bardziej szczegółowo

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Tranzystory i ich zastosowania

Tranzystory i ich zastosowania Tranzystory i ich zastosowania Nie wszystkie elementy obwodu elektrycznego zachowują się jak poznane na lekcjach rezystory (oporniki omowe). Większość używanych elementów ma zmienny opór. Jak się tak bliżej

Bardziej szczegółowo

A-5. Generatory impulsów prostokatnych, trójkatnych i sinusoidalnych

A-5. Generatory impulsów prostokatnych, trójkatnych i sinusoidalnych A-5. Generatory impulsów prostokatnych, trójkatnych i sinusoidalnych Zakres ćwiczenia. Wytwarzanie napięcia zmieniającego się liniowo.. Paraboliczne przybliżenie sinusoidy.. Modelowanie równania obwodu

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich działania. Badanie liczników asynchronicznych - Ćwiczenie 4 1. el ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami liczników asynchronicznych szeregowych modulo N, zliczających w przód i w tył oraz zasadą ich

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) UKŁADY CZASOWE Białystok 2014 1. Cele

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)

A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

(13) B1 A61Η 39/02 H03K 3/335. (54) Sposób i układ do stymulacji punktów akupunkturowych

(13) B1 A61Η 39/02 H03K 3/335. (54) Sposób i układ do stymulacji punktów akupunkturowych RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 168509 (13) B1 ( 2 1) Numer zgłoszenia: 296472 (22) Data zgłoszenia: 03.11.1992 (51) IntCl6: A61H 39/00 A61Η 39/02 H03K 3/335 (54) Sposób i układ

Bardziej szczegółowo

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo