1. Niskoenergetyczne elektrony wtórne SE (podstawowy sygnał w SEM) 2. Charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie (mikroanaliza w SEM i TEM)

Transkrypt

1 Rozpraszanie niesprężyste Przekazywanie energii elektronów wiązki prowadzi do emisji szeregu sygnałów wykorzystywanych w mikroskopii elektronowej i mikroanalizie rentgenowskiej: 1. Niskoenergetyczne elektrony wtórne S (podstawowy sygnał w SM) 2. Charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie (mikroanaliza w SM i TM) 3. Ciągłe promieniowanie rentgenowskie (Bremsstrahlung) granica Duane-Hunta 4. Katodoluminescencja emisja promieniowania elektromagnetycznego w zakresie: podczerwieni, światła widzialnego ultrafioletu.

2 Niskoenergetyczne elektrony wtórne S

3 lektrony wtórne S (Secondary lectrons) lektrony pasma walencyjnego i pasma przewodnictwa atomów próbki. Umownie są to elektrony o energiach od 0 do 50 ev (max. 2-3 ev) n n S B i i S B δ - współczynnik emisji S n S - liczba elektronów S i S - liczba elektronów S n B - liczba elektronów wiązki i B - prąd elektronów wiązki Współczynnik δ maleje, gdy energia wiązki rośnie 5 kev 20 kev 50 kev Al Au

4 i Beam = i BS + i S + i B + i abs gdzie: i Beam natężenie prądu wiązki i BS natężenie prądu elektronów wstecznie rozproszonych (I) i S natężenie prądu elektronów wtórnych (III) i B natężenie prądu tła (II) i abs natężenie prądu elektronów zaabsorbowanych

5

6

7 Wpływ topografii Working distance WD 3.2 mm HV = 1 kv Working distance WD 3.2 mm HV = 30 kv

8 Wpływ energii Working distance WD 9.7 mm HV 1 kv Working distance WD 9.7 mm HV 30 kv

9 Dobór napięcia przyspieszającego Polimer na siatce Cu Zakres detekcji S od 5 do 50 nm!

10 10 kev fekt degradacji polimeru Zmieniamy strukturę powierzchni stosując zbyt wysokie energie elektronów 900 ev

11 Maksymalna głębokość, z której rejestrowane są S to 5λ λ MFP ca 1 nm dla metali λ MFP ca 10 nm dla izolatorów 5 nm < λ < 50 nm 50 A < λ < 500A p exp Z p prawdopodobieństwo ucieczki elektronów wtórnych z próbki Z głębokość, z której generowane są elektrony wtórne (S) λ MFP dla S

12 20 kev δ Total η S 2 /S 1 C Al Cu Au δ Total = δ 1 + δ 2 η S 1 przeważa dla C i Al (rozpraszanie wsteczne jest małe) Dla materiałów o średniej Z (np. Cu): S 1 = S 2 S 2 przeważa dla pierwiastków ciężkich (rozpraszanie wsteczne jest duże) Zmienia się zdolność rozdzielcza sygnału wraz ze wzrostem liczby atomowej! Si

13 Możemy obserwować materiały nieprzewodzące przy niskich energiach wiązki elektronowej!!! ponieważ sumaryczna liczba elektronów opuszczających próbkę > od liczby elektronów wiązki padających na próbkę Podstawowy warunek prowadzenia eksperymentu w SM (C-SM Conventional Scanning lectron Microscopy): Próbka musi przewodzić prąd elektryczny!!! jeżeli nie cała próbka, to przynajmniej warstwa powierzchniowa musi być przewodząca (chyba że znajdziemy się w zakresie 1 2!)

14

15 Polystyrene balls High vacuum, 16 kx

16 Polystyrene balls High vacuum, 100 kx

17 Polystyrene balls Low vacuum, 16 kx

18 Polystyrene balls Low vacuum, 100 kx

19 Mirror effect 30 kev 3 kev

20 Dla wyższych energii wiązki elektronów (np. 20 kev) stosujemy pokrywanie izolatora w napylarce próżniowej cienką warstwą: C, Au (wyspy!), Pd, Pt, Ag a dla HR SM: Ir, Ta, W, i Cr Alternatywa: Variable Pressure SM (VP-SM) nvironmental SM (-SM)

21

22 η - rośnie silnie z liczba atomową Z!!! δ - zmiana niewielka!!! Średnia wartość δ = 0.1; dla od C δ = 0.05 do Au δ = 0.2 (dla 20 kev)

23 Pierre Auger i Niels Bohr

24 lektron KL 1 L 23 KL1L23 = K - L1 - L23 * L23 * energia wiązania w obecności dziury elektronowej na powłoce L 1 różna od L23

25 Wydajność fluorescencji K produkcja jonizacja fotonów K powłoki K dla C ω K ~ dla Ge ω K ~ 0.5 misja elektronów Augera przeważa dla niskich Z (niska energia wiązania)

26 Zakres energii elektronów Augera od kilkuset ev do kilku kev misja z kilku monowarstw atomowych idealna technika do analizy powierzchni: SAM Scanning Auger Microscopy

27

28

29 Promieniowanie rentgenowskie hc h kev nm gdzie: h stała Plancka ν częstotliwość c prędkość światła λ długość fali promieniowania rentgenowskiego (nm) energia fotonu (kev) W zależności co analizujemy: czy λ stosujemy odpowiednie techniki badawcze: DS i WDS Widmo energetyczne dla czystej miedzi zarejestrowanie spektrometrem DS Promieniowanie ciągłe (Bremsstrahlung) Promieniowanie charakterystyczne

30 Promieniowanie ciągłe (Bremsstrahlung) lektrony wiązki tracą energię poprzez straty prędkości hamowanie (nazwa: Bremsstrahlung Bremse niem.: Hamulec) w polu elektrycznym jąder atomowych (oddziaływanie coulombowskie). Wynikająca strata energii Δ emitowana jest w postaci fotonu o energii hν. Proces losowy, który generuje fotony w całym zakresie energetycznym: 0 o. Maksymalną energię prom. X obserwuje się przy całkowitej stracie energii elektronu o = hν Max energia prom. X = min. długość fali X, tzw. λ SWL Short Wave Limit granica Duane -Hunta (1916) granica krótkofalowa widma!!! (bardzo ważny parametr w VP-SM)

31 Symulacja widma ciągłego dla C dla energii wiązki elektronowej: 10 kev, 15 kev i 20 kev Dlaczego przy niskich energiach natężenie promieniowania ciągłego brehmsstrahlung rośnie? Im niższa energia elektronów tym łatwiej tracą one energię przy oddziaływaniu Coulombowskim!

32 Natężenie promieniowania ciągłego I cm dla każdej energii/długości fali (Kramer, 1923) I cm i p Z o i p prąd wiązki elektronowej Z średnia liczba atomowa o energia elektronów wiązki ν energia fotonu w danym miejscu widma Natężenie I cm rośnie z prądem wiązki elektronowej i p, energią wiązki elektronowej o oraz średnią liczbą atomową próbki Z

33 Zależność natężenia widma ciągłego od energii wiązki Zakres widma z wyciętym bremsstrahlung - Absorpcja na okienku spektrometru DS A = 10 kev B = 5 kev C = 3 kev

34 Wzrost natężenia I cm wraz z liczbą atomową Z związany jest z oddziaływaniem Coulombowskim jądra większy ładunek silniej oddziałuje na elektrony wiązki Natężenie brehmsstrahlung dla Al będzie bardzo małe w porównaniu z Bi (dla tych samych warunków pomiarowych identyczny prąd wiązki elektronów!)

35 Rozmycie szerokości linii spektralnej ca 70x rozdzielczość DS Widmo teoretyczne (Cu, 20 kev) Widmo eksperymentalne (Cu, 20 kev) Bremsstrahlung duży kłopot podczas analizy Obniżenie granicy wykrywalności (piki promieniowania charakterystycznego utopione w widmie ciągłym)

36 Promieniowanie charakterystyczne Teoria przewiduje, że nie wszystkie przejścia pomiędzy powłokami są dozwolone Np. dla Cu: Przejście elektronu z podpowłoki L 3 K prom. rtg. Kα 1 o energii Kα1 = K - L3 Przejście elektronu z podpowłoki L 2 K prom. rtg. Kα 2 o energii Kα2 = K - L2 Przejście elektronu z podpowłoki L 1 K brak emisji fotonu

37

38 Krytyczna energia jonizacji energia potrzebna do usunięcia elektronu z powłoki Critical xcitation nergy Reguła: Pracujemy z energią wiązki elektronowej 2-3 większą od krytycznej energii jonizacji dla danego pierwiastka!!! nergia charakterystycznego promieniowania jest zawsze < od krytycznej energii jonizacji dla danej powłoki, z której elektron został usunięty Np. dla Si: Kα = kev< c =1.839 kev

39

40 Prawo Moseley a (1914) opisuje związek między liczbą atomową Z a energią/długością fali emitowanego prom. rtg. A(Z (Z A C) C) 2 2 A, C stałe Np. C = 1.13 dla serii K C = 7 dla serii L Promieniowanie charakterystyczne ściśle zdefiniowania energia/długość fali dla wzbudzanego pierwiastka nergie powłok elektronowych zmieniają się w dyskretny sposób wraz z liczbą atomową

41 R Zakres penetracji elektronów w materiale tarczy Kanaya i Okayama (1972) K O A 0.89 Z A ciężar atomowy (g/mol), Z liczba atomowa ρ gęstość (g/cm 3 ) o energia elektronów wiązki (kev) 1.67 o m R KO k k stała materiałowa = A/Z0.89 o energia elektronów wiązki (kev) n Głębokość wzbudzenia promieniowania rentgenowskiego (ciągłego i charakterystycznego) Kanaya i Okayama (1972) n o m R KO k( m Głębokość wzbudzenia promieniowania rentgenowskiego (ciągłego i charakterystycznego) jest ZAWSZ MNIJSZA od głębokości penetracji elektronów!!! n o n c ) k stała materiałowa = A/Z 0.89 k f(a,z) c krytyczna energia jonizacji dla prom. charakterystycznego lub określona energia dla prom. ciągłego n

42 Głębokość wzbudzenia promieniowania rentgenowskiego (ciągłego i charakterystycznego) Anderson-Hasler (1966) R AH ( 1.68 o 1.68 c ) m Przykład: Cu, ρ Cu = 8.93 g/cm 3, 0 = 20 kev Symulacje R Cu L( R ( Cu K( R c 0keV c c ( kev) kev) m ) ) 1.09 m 0.81m

43

44 Przestrzenna zdolność rozdzielcza promieniowania rtg. w próbce litej (SM) Uwaga: Zmienia się kształt i objętość, z której generowane jest prom. rtg. Al, ρ ~ 3 g/cm 3 Cu, ρ ~ 10 g/cm 3 Przestrzenna zdolność rozdzielcza L x powstaje przez projekcję maksymalnej średnicy rozkładu prom. rtg. na powierzchnię próbki

45 Rozkład natężenia prom. rtg. na głębokości próbki litej (SM) Histogram wzbudzenia prom. rtg. z głębokością, tzw. funkcja φ(ρz). Maksimum produkcji prom. rtg. znajduje się pod powierzchnią próbki!

46 Symulacja Monte Carlo wzbudzenia linii Al Kα, 30 kev Zmienna liczba trajektorii: 1000 i 10050

47 Przestrzenna zdolność rozdzielcza promieniowania rtg. w cienkiej folii (TM) SM TM Cu, ρ ~ 10 g/cm 3 W TM przestrzenna zdolność rozdzielcza L x limitowana jest poszerzeniem wiązki elektronowej wewnątrz cienkiej folii

48 Natężenie emitowanego charakterystycznego promieniowania rentgenowskiego Przekrój czynny na jonizację wewnętrznych powłok elektronowych wg Bethego (1930) Q 6.51x10 20 n b s U s 2 c ln(c s U) n s liczba elektronów na danej powłoce np. n s =2 dla powłoki K b s, c s stałe dla danej powłoki c krytyczna energia jonizacji danej powłoki U overvoltage - krotność krytycznej energii jonizacji U o c!!! Prawdopodobieństwo jonizacji rośnie silnie od U = 1 i osiąga maksimum dla U 3 Np. dla c Si K = kev, max. jonizacja powłoki nastąpi dla o 5.5 kev

49 Natężenie emitowanego charakterystycznego promieniowania rentgenowskiego SM (Green 1963, Lifshin 1980) I 1 o c n c ipa ipa(u ) ch n x liczba fotonow/e - Q przekrój czynny N o liczba Avogadro ρ gęstość, t grubość folii!!! n x n ω wydajność fluorescencji rtg. TM QN a Z 4 o Z 4 1 A i p prąd wiązki a, n stałe U overvoltage!!! Krotność krytycznej energii jonizacji t

50 1 n c c 0 Z 1 cm I c I B P c v v v 0 Z n c c 0 cm I c I B P v v 0 Z b i cm I n c c 0 b i c I Gdy różnica pomiędzy energią o a krytyczną energią jonizacji c (wyrażenie: o - c ) rośnie to: Peak to Background ratio rośnie Granica wykrywalności (mass fraction) maleje (poprawia się!!!) 0 energia wiązki elektronowej c krytyczna energia jonizacji ν wybrana energia widma ciągłego I n natężenie promieniowania charakterystycznego I ν natężenie promieniowania ciągłego i B - prąd wiązki elektronowej

51 Katodoluminescencja emisja fotonów w zakresie światła widzialnego i ultrafioletu A: pasmo przewodnictwa puste, pasmo walencyjne zapełnione B: elektron w paśmie przewodnictwa, dziura w paśmie walencyjnym występuje w: izolatorach, półprzewodnikach C: rekombinacja i anihilacja pary elektron- dziura emisja fotonu hν = GAP Ponieważ GAP jest ściśle określona, to emitowane promieniowanie ma ściśle określoną długość fali (energię) charakterystyczną dla danego pierwiastka GAP = 2.4 ev (CdS) GAP = 1.1 ev (Si)

52 Jeżeli nie zrobimy nic - nastąpi rekombinacja elektronów z dziurami emisja promieniowania Jeżeli przyłożymy potencjał do próbki - rozdzielimy elektrony i dziury. Pikoamperomierzem mierzymy sygnał w próbce próbka działa jako swoisty detektor! Mierzony prąd w próbce to: lectron Beam Induced Current - BIC Jeżeli będziemy go monitorować podczas skanowania wiązką po powierzchni próbki Charge-Collection Microscopy or CCM Obraz BIC krzemu z baterii słonecznej ciemne miejsca to centra rekombinacji

53 Diagram of inelastic excitations, X-ray, photon and Auger emissions with respect to different energy levels.